半导体光电子学第3章_平板介质光波导理论
光在波导中的传播

由特征方程,波长越大,要求相应模式光波的入射角越小。因 此,截止波长实际上是波导内允许存在的光波的最大波长。
由于下界面处于全反射临界状态,因而不管对TE波还是TM波, 都有,
1 0
cos c1 1 (n2 / n1 ) 2
2 n12 n2 n1
因此截止波长表示为:
2 2h n12 n2 c m 0
一、平板光波导的射线理论 平板型波导是介质波导中最简单、最基本的结构,理论分 析也具有代表性。故本节就平板型波导从射线理论和电磁 场理论两个方面进行分析。
n0 θ x z 图 4-1 h n1 n2 平板波导及其中的射线路径
(一)
导波与辐射模
最简单的平板型光波导是由沉积在衬底上的一层均匀薄膜 构成(因而又叫做薄膜波导),如图 4-1 所示,它的折射 率 n1 比覆盖层(通常为空气)的折射率n0 及衬底层折射率 n2都高,且n1>n2>n0。设薄膜厚度为h,沿y方向薄膜不受限, 在薄膜与衬底的界面(下界面)上平面波产生全反射的临 界角为 ,而在薄膜与覆盖层的界面(上界面)上平面波 产生全反射的临界角为 ,根据全反射原理,有:
1s arctan
n sin n n1 cos
2 1 2 2 2
0 s arctan
2 n12 sin 2 n0
n1 cos
而对于TM波(即电场矢量E平行于纸面的p波),有:
1 p arctan
n sin n n cos / n1
2 1 2 2 2 2 2
其中: m 0,1,2, 全反射时相位变化
根据图中的几何关系,上式可变为:
2k0n1h cos 21 20 2m
《半导体光电学》课后习题

《半导体光电学》课后习题第一章半导体中光子-电子的互相作用思虑与习题1、在半导体中有哪几种与光相关的跃迁,利用这些光跃迁可制造出哪些种类的半导体光电子学时期。
2、为何半导体锗、硅不可以用作为半导体激光器的有源介质,面倒是常用的光探测器械料?3、用量子力学理论证明直接带隙跃迁与间接带隙跃迁半导体对比其跃迁几率大。
4、什么叫跃迁的 K 选择定章?它对电子在能带间的跃迁速率产生什么影响?5、影响光跃迁速率的要素有哪些?6、推导伯纳德 -杜拉福格条件,并说明其物理意义。
7、比较求电子态密度与光子态密度的方法与步骤的异同点。
8、在半导体中重混杂对能带构造、电子态密度、带隙、跃迁几率等带来什么影响?9、什么叫俄歇复合?俄歇复合速率与哪些要素相关?为何在等长波长激光器中,俄歇复合是影响其阀值电流密度、温度稳固性与靠谱性的重要原因?10、比较严格 k 选择定章与其遇到废弛状况下增益-电流特征的差异。
11、带尾的存在对半导体有源介质增益特征产生哪些影响?12、证明式()。
13、说明图 1.7-5 和图 1.7-6 所依照的假定有何不一样?并说明它们各自的限制性。
第二章异质结思虑与习题1、什么是半导体异质结?异质结在半导体光电子器件中有哪些作用?2、若异质结由n 型()和P型半导体()构造,并有,,,试画出np能带图。
3、同型异质结的空间电荷区是怎么形成的?它与异质结的空间电荷形成机理有何差异?4、推导出 pn 异质结结电容与所加正向偏压的关系,的大小时半导体光电子器件的应用产生什么影响?5、用弗伽定律计算半导体当时的晶格常数,并求出GaAs 的晶格失配率。
6、商讨在 Si 衬底上生 GaAs 异质结的可能性。
7、用半导体作为激射波长为可且光激光器的有源资料,计算此中 AlAs 的含量。
8、由经验得出,当时,能与很好的晶格般配,试求出激射善于为时的 x, y 值 .9、为了减少载流子激光器有源区中泄露,可否无穷制地增添异质结势垒高度,为何?10、如取有源层与限制层带隙差,相对折射率n / n2 ( n2为有源层的折射率 )为,试设计的可见光半导体激光器,即求出有源层和限制层的合理组分 .第三章平板介质光波导理论思虑与习题1、阐述光波致使应在异质结激光器中的作用,在垂直于异质结平而方向上的光波导是如何形成的?2、要想在激射波长为 1.3um 的双异质结激光器中获得基横模。
光波导理论PPT

模式所携带的能量基本上限制在导波层内,因此被成为束
缚模或导模。
③对于 k0n2 k0n0,图(2)中的d范围,方程 (1.4)解对应于覆盖层中的指数函数、导波层和衬底中的 振荡函数,这些模式称为衬底辐射模。
④对于 0 k0n2 ,图(2)中的(e)范围,方程 (1.4)的解在波导的三层介质中都是振荡函数,这类模式 称为辐射模或包层模。
(k1h)
1 p2
0
(2.11)
解之,可得
tan(k1h)
p0 p2
k1 (1
p0 p2 k12
)
(2.12)
式(2.12)为TE波的相位型色散方程,式(2.11)称为矩
阵形式的TE波的模式本征方程。
对于一般非对称n+2层平板波导,推广上述的结果,便 可得到TE波的矩阵形式的模式本征方程
在分界面上连续,所以最后的场分布如图2(a)所示。
场随着离开波导两界面的距离而无限制增加,这个解在物
理上是不能实现的,因此它并不对应于真实的波。
②对于 k0n0 两点的情况,因为
k0
1 Ey
n21xE2,y 对0,应由于方图程((2)1.中4)(可b)知,和导(波c)层
中的解是正余弦形式,其余区域为指数形式的。由于这些
1b
1b
前面分析得到导模截止时,b=0,所以可得模式归一化截止 频率
Vcut m arctan a, m 0,1,2, 由上式可知波导进行单模传输的条件为
arctan a V arctan a
(1.26) (1.27)
对于完全对称波导(衬底与覆盖层的折射率相等), a=0,此时的模式归一化截止频率
k0n0
N n0
②波导的归一化频率
第3章 电介质平板和光纤中的导波

个方程能够合并成一个简单的方程(见习题3.14) 2hq 1 (3.1-16) tan hd = 2 2 2 h −q TE模的解可分成两类,第一类, 1 A = 0, C = D, h tan hd = q (3.1-17) 2 第二类 1 B = 0, C = − D, h cot hd = − q (3.1-18) 2 第一类解对应对称的波函数,第二类解则对应非对称的波函数。
下面的方程描述了对称介质波导的折射率分布
n2 , x < d 2 n( x) = n1 , 其他地方
(3.1-1)
n 式中, 是导波层(芯层)的厚度, 2 是芯层的折射率,而 n1 是 d n 包层媒质的折射率。为了实现传导,2 必须比n1大。接下来的问
题就是找出这些传导模式。 由于媒质在电介质结构中是均匀分布的,所以处理这类问 题的电磁方法相对比较简单。另外,均匀介质中的麦克斯韦方 程的解是简单的平面波。因而所要做的就是写出每个部分平面 波方程,在界面满足边界条件从而确保波函数的连续性。现在 计算沿z 轴方向传播的单色光波。麦克斯韦方程可以写成
β>
n2ω (3.1-6) c 因此将会得到满足这些传播条件,方程式(3.1-5)和式(3.16),的受限模式。这些模式同样可以被归类为TE或者TM模。TE模的 电场垂直于xz 平面(入射面或传播面)并仅包括了模场的 E , 和 H Hx y z 分量。而TM模包含模场的 H , E 和 E 分量。 y x z
p
β ω c
(3.1-20)
β
n
有效
n2
n1
波导中的TM,模式
现在考虑TM模,其磁场矢量垂直于传播面(xz 平面)。TM模 的推导原则跟TE模相近似。场振幅可以写成
光波导理论与技术讲义(总结)(课堂PPT)

偏振模色散
1
2
束缚光线:0
z
cos1
n2 n1
; n2
n1
传播路径及分类 均匀介质薄膜波导
折射光线ccooss11
n2 n1 n3 n1
z z
cos1
n3 n1
; n3
2
;0
n3
n2
传播时延及时延差
=t/z=
max
n1
c cosz
n1 c
3
4
5
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
束 缚 光 线 : 0
n
2 2
2 3
2
k
2 0
n
2 3
k xd
tan 1 2 kx
tan 1 3 kx
m
1 tan 1 2 1 tan 1 3 n
TM模的特征方程
2
kx 2
kx 2
kxd
tan1 2n12
kxn22
tan1
3n12
kxn32
m
1 tan1 2
2n12
kxn22
1 tan1 2
3n12
dr
;与z、都有关
ric [g(r)]1/2
11
自聚焦光纤
12
两种理论:几何光学理论 模式理论
四种介质:均匀平板波导 渐变平板波导 阶跃光纤 梯度光纤
影响光信号传输的三大因素:损耗 色散 非线性
两类器件:光无源器件 光有源器件
偏振模色散
13
TE模的特征方程
k
2 x
2
k
2 0
n
2 1
2 2
2
k
2 0
对HE11模 是主模式
半导体光电子学 §3.1 光波的电磁场理论

❖ 麦克斯韦方程 模传播常数等 波导参数
边界条件 传播模式的本征方程 传输模的截至条件,
❖ 目的:LD激光器,光电二极管,平面光波导 器件的理论基础。
3.1 光波的电磁场理论
一.基本理论
E
B
H
t D
J
t
D
0
r
E
B 0r H
J E
材料 方程
B 0
D 0
矢量分析变换场论
0
沿y方向偏振的波动方程
2Ey Z 2
j 0 (
j r 0 )Ey
2Ey
解为 Ey (z,t) Aexp( rz) cos(t z)
Aexp(Z ) exp( jt)
以频率为 2 ,速度为 c n 的衰减平面波
对于吸收较强的材料( 大),光学系数必
须用偏振光的反射来测量(如金属)。
二.电学常数、光学常数、复折射率
❖ 电学: 介电常数, 磁导率, 电导率
0 r 0r r 1
❖ 光学: n 折射率,k 消光系数, (g)损耗系数
k 0 4
1. 当无损耗 =0时,复传播常数变为
2
20 r0
( 2
)2
Hale Waihona Puke (nk02 )r k02
折射率 n r
光速 v (
1
1
)2
0 r 0
考虑最简单情况:平面电磁波
Ey ( z, t) ACOS (t z)
2E 2E
2Ey Z 2
2Ey
:理解为在介质中单位长度的传播引起的
相位变化。
2. 有损耗 0
2
N
2
k
2 0
平板光波导

根据边界条件,在x=a,-a处,有 E y , H z 连续(E y 和它的偏导数)
tan(ha ) q
h
tan(ha ) p
h
h(2a) m arctan(q ) arctan(p )
h
h
这就是TE模的特征方程
13
类似地,再研究TM模
To explain metal’s dispersion regulation, another more precise mode was demonstrate called Drude mode.
Where,
()
p2 2 i
p
Is totally caused by the transition of
令
2 1
k021
2
2 2
2
k02 2
在X=a处利用
1
dH y (x) dx
可以得到
tan( 1a)
1 2 2 1
T
1a m arctan(T )
16
对于奇对称的情况:
Hy(x)
Asin(1a)e 2 (xa) , x a Asin(1x),| x | a Asin(1a)e 2 (xa) , x a
2h 212 210
5
如果相干相长,即满足谐振条件,则此入射角对应的光 线(模式)可以被导波所接受
2h 212 210 2m
物理意义:在波导厚度h确定的情况下,平板波导所能 维持的导模模式数量是有限的,此时m只能取有限个整 数值,这个方程也称作平板波导的本征方程
每一模式对应的锯齿光路和横向光场分布
6
对于特征方程中的 12 10 是上下界面处全反射所引起的相移,那 么具体可根据菲涅尔公式求出。
《半导体光电子学》教学大纲

《半导体光电子学》教学大纲一、课程信息课程名称:半导体光电子学课程类别:素质选修课/专业基础课课程性质:选修/必修计划学时:64计划学分:4先修课程:无选用教材:《半导体光电子学》,黄德修,黄黎蓉,洪伟编著,电子工业出版社教材,2018.6。
适用专业:本课程可作为大学理科光学专业、工科物理电子学、光学工程和光电信息工程等专业本科生的教学课程和相关专业研究生的参考课程,也可供相关科技工作者参考。
课程负责人:二、课程简介半导体光电子学是研究半导体中光子与电子相互作用、光能与电能相互转换的一门科学,涉及量子力学、固体物理、半导体物理等一些基础物理,也关联着半导体光电子材料及其相关器件,在信息和能源等领域有着广泛的应用。
半导体光电子器件的性能改善无不是通过不断优化半导体材料和器件结构以增强电子与光子的相互作用、实现高效电能与光能相互转换的结果,其中异质结所形成的电子势垒和光波导的双重效应起到了关键作用。
本课程分10个单元,各单元内容相互关联,形成当今半导体光电子学较为完整的、理论和实际应用相结合的体系。
三、课程教学要求注:“课程教学要求”栏中内容为针对该课程适用专业的专业毕业要求与相关教学要求的具体描述。
“关联程度”栏中字母表示二者关联程度。
关联程度按高关联、中关联、低关联三档分别表示为“H”“M”或“L”。
“课程教学要求”及“关联程度”中的空白栏表示该课程与所对应的专业毕业要求条目不相关。
四、课程教学内容五、考核要求及成绩评定注:此表中内容为该课程的全部考核方式及其相关信息。
六、学生学习建议(一)学习方法建议1.依据专业教学标准,结合岗位技能职业标准,通过案例展开学习,将每个项目分成多个任务,系统化地学习。
2.了解行业企业技术标准,注重学习新技术、新工艺和新方法,根据教材中穿插设置的半导体光电子器件应用相关实例,对已有技术持续进行更新。
3.通过开展课堂讨论、实践活动,增强的团队协作能力,学会如何与他人合作、沟通、协调等等。
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0
(3.2 – 10)
为建立波导模式,光场在有源区外必须衰减.因此,波动方程
2 Ey x
2
2 n 2 k0 2 Ey 0
(3.2 – 2)
在有源区外(x > d/2)的指数解是实数而不是虚数,即
2 2 n 2k0 B H J E
(3.1 - 3b ) (3.1 - 4)
在非铁磁性的半导体中,在可见与红外波段范围内,可以认 为相对导磁率r = 1。同时,电磁波在时间上是交变的, 在交变电磁场下,可以认为电阻率为无穷大,因而可忽略 传导电流密度J 。基于上述简化的假设,麦克斯韦方程组 可简化为
E y(x, z,t) Ae cos (d / 2 ) exp x d / 2exp j t z (3.2 – 11)
由
H x 0 x t H x(x, z,t)
0 e
E y
(3.2 – 9)
x / x j / A cos (d / 2 ) exp x d / 2exp jt z
(3.2 – 7) 由 给出
2 2 n22k0 2 2 2 n 2k0 2
(3.2 – 4)
(3.2 – 8)
将
B H E 0 t t
(3,1 -5a )
应用到本情况中,即:波导沿y方向是无穷的, /y = 0;对于 TE模,有Ez = 0;及Hy = Ex = 0 可得到 E y H x (3.2 – 9) 0 x t 将 E y(x, z,t) Ae cos (x)exp j t z (3.2 – 7) 代入(3.2 – 9) j H x(x, z,t) Ae sin (x)exp j t z
2 2 2 2 2 2 2 x y z
(3.1 - 8) (3.1 - 9)
(3.1 - 10)
E和H的方程可以分别分解为三个独立的标量波动方程
2 Ex 2 E x 0 r 0 t 2 2 Ey 2 E y 0 r 0 2 t 2 E 2 Ez 0 r 0 2 z t
E y(z,t) E y(z) exp jt
(3.1 - 15)
• 将式(3.1 – 15)代入式(3.1 – 13)得到
2Ey z 2
0 r 0 2 E y
(3.1 - 16)
令 2 0 r 0 2
2Ey z 2 2 E y
(3.1 - 17) (3.1 - 18)
3.2 光在平板介质波导中的传输特性
• 一、平板介质波导的波分析方法 1 .光在对称三层介质板波 导中传播 在 z = 0 处是半导体与空气 的界面, x = 0 处是有源层的中线。 设波导沿y方向是无穷的, 故有/y = 0 。 对于TE模,有Ez = 0
利用/y = 0 及 B H E 0 t t D E H J r 0 t t
0 e
H x(x, z,t)
式中为衰减系数,与传播常数有如下关系;
(3.2 – 12)
2 2 n12k02
(3.2 – 13)
这种在垂直于结平面方向 x > d/2的区域内指数衰减的场称为 消失场,更确切地称为倏(shu, 极快地;疾速地)逝场 (evanescent)。 其特点是在界面上不产生相位的变化,场的指数衰减不是由介 质吸收所引起的,而是由于在一定深度范围内进入限制层(折 射率为n1)的入射光能量完全反射回有源层中引起的,这在古 斯一亨森( Goos - Honche 。)的实验中得到了证实,因此 消失场是一种平行于界面运动的均匀界面波。
2 Ey x
2
2 n 2 k0 2 Ey 0
(3.2 – 2)
2 Ey x
2
2 n 2 k0 2 Ey 0
(3.2 – 2)
(3.2 – 3) (3.2 – 4)
E y(x) Ae cos x Ao sin x 该方程的解为 式中Ae和Ao为常数
• 故波动方程(3.1 – 13)的解为
E y(z,t) A exp jz B exp jz exp jt E y(z,t) A cost z
(3.1 - 19)
• 如果只取正z方向传播的波,则其三角函数的行波表达式为
(3.1 - 20)
• 将式(3.1 – 20)代入式(3.1 – 5b)可求出与Ey相垂直的磁场 分量Hx为 H z z, t r 0A cost z (3.1 - 21)
令:X
则
d
2
, Y
d
2
, R n n
2 2
2 12 1
k0 d 2
2
d d 2 2 k0 d n2 n1 2 2 2
2
2
(3.2 – 17) (3.2 – 18)
表示的是一个圆方程:
(3.1 - 22)
(3.1 - 23)
• 由于式(3.1 – 22)和式(3.1 – 23)中不出现坐标x与y,因此与 z轴相垂直的某一平面内各点具有相同的位相。 • 等相位面为平面的光波称为平面光波。 • 将式(3.1 – 20)与式(3.1 – 22)比较,就可得出传播常数为
2
(3.1 - 24)
3.1 光波的电磁场理论
• 一、基本的电磁场理论
•
麦克斯韦方程组
B E t D H J t B 0
(3,1 -1a )
(3.1 - 1b ) (3.1 - 1c ) (3.1 - 1d )
D
• 设介质是均匀且各向同性的,且假设在低场强下不足以 产生非线性效应,并且不考虑在半导体介质中实际存在 的色散效应,而认为和与光波的频率无关。 (3.1 - 3a ) D E
表示为
2 2 n 2k0 2
的物理意义: Ey在x方向的传播常数. 将麦克斯韦方程组应用到厚 度为、长为dl的一个界面面 积元ds = dl内,就得到电场 或磁场的边界条件: E1l = E2l (3.2 – 5) H1l = H2l (3.2 – 6) 即电场和磁场的切向分量在 界面上必须是连续的
第三章 平板介质光波导理论
引言 3.1 光波的电磁场理论 3.2 光在平板介质波导中的传输特性
引言
• 从理论上说,平板介质光波导是一种最简单的光波导形式, 可以运用电磁场的基本理论,将平板介质波导处理为边界 条件,从而得到数学上简单、物理上容易理解的基本光波 导的有关方程。一旦熟悉了这种介质光波导的一般方法, 就不难从数学上深入认识圆形光波导(如光纤)和其它形 状的光波导. • 分析介质波导的一般方法是根据介质波导的边界条件求解 麦克斯韦方程,得出有关光场传播模式的表示式; • 传播模式可以分为偶阶的和奇阶的横电波( TE )和横磁 波 ( TM ) ; • 由传播模式的本征方程或特征方程得出与模有关的传播常 数。然后求出传输模的截止条件、相位延迟等与波导有关 的参数, • 分析平板介质波导的实际意义在于,许多半导体光电子器 件和集成光学是以平板介质波导作为工作基础的。如,异 质结半导体激光器和发光二极管正是利用异质结所形成的 光波导效应将光场限制在有源区内并使其在输出方向上传 播。
(3,1 -5a )
(3.1 - 5b )
可以得出:Hy = Ex = 0 因此,只有y方向电场存在 利用分离变量法对波动方程(3.1 – 13)求解,便可得到平板 介质波导的场模表示式为
E y(x, z,t) E y(x)exp j t z
其中Ey(x)及模传播常数满足
(3.2 – l)
(3.2 – 12)
E y(x, z,t) Ae cos (d / 2 ) exp x d / 2exp j t z (3.2 – 11)
x / x j / A cos (d / 2 ) exp x d / 2exp jt z
• 根据波传播的概念,式(3.1 – 20)和式(3.1 – 21)还可分别表示为
z E y(z,t) A cos 2 t
z H z z, t r 0A cos 2 t
• 式中为光波波长,2(t – z/)称为位相。
(3.2 – 12)
n k d tan 2 n22 k02
2
2 2 12 1 0 2 12
(3.2 – 15)
本征值是不能用显函数表示的未知量 为说明模式数目和截止条件等性质,将上式改写为
d
2 2 n22k0 2
d d tan 2 2 2
(3.1 - 12) (3.1 - 13)
(3.1 - 14)
• 最简单的情况是设光波的电矢量 沿y方向偏振、沿z方向传播的平 面电磁波,即有 • E = Ey、Ex = Ez = 0。
• Ey在z方向以角频率 = 2发生 周期变化, • 因为只在z方向有空间变化,故 有/ x = / y = 0 • 由式(3.1 – 13)可以得到以z和t作 为函数的Ey:
(3.2 – 16)
(3.2 – 8)
2 2 n12k02
2
(3.2 – 13)
将式(3.2 – 8)和式(3.2 – 13)相加消除,得到
k0 d d d n n 2 2 2
2 2 2 1
2
2
(3.2 – 17)
X 2 Y 2 R2