内存基础知识——内存中的Bank
什么是内存Bank
什么是内存Bank什么是内存Bank内存的BANK其实分为两部分,逻辑BANK和物理BANK。
下面内容由店铺为大家介绍内存Bank，供大家参考!Bank从物理上理解为北桥芯片到内存的通道，通常每个通道为64bit。
我们知道，一块主板的性能优劣主要取决于它的芯片组。
不同的芯片组所支持的Bank是不同的。
如Intel 82845系列芯片组支持4个Bank，而SiS的645系列芯片组则能支持6个Bank。
如果主板只支持4个Bank，而我们却用6个Bank的话，那多余的2个Bank就白白地浪费了。
也许有人这么认为，单面的内存即为1个Bank，双面的内存为2个Bank。
这种说法是很片面的，因为单面的内存为一个Bank是正确的，但说双面的内存是2个Bank却是不对的。
如现在很流行的DDR SDRAM就不一定。
那如何正确区分呢?方法如下：开机后的第二个画面可查看到内存的Bank信息，图为双Bank的SDRAM内存.用最小化系统启动计算机，即只采用主板、CPU、内存和显卡。
在开机后的第二个画面(如图)按键盘上的'“Pause”键暂停，如果内存是SDRAM，我们会看到：sdram at bank：0 此为单bank ,sdram at bank：0，1 此为双bank .如内存是DDR SDRAM，我们则会看到：ddr sdram at bank：0 此为单bankddr sdram at bank：0，1 此为双bank简单吧，这下我们就可以根据主板量体裁衣了，而不必担心花冤枉钱买多余的内存了。
目前市场上的主流主板大都支持4?6个Bank，对于Intel 82845这种支持4个Bank的芯片组来说，我们在选购内存时就要多加一分留意。
因为现在很多内存都是双Bank的，这意味着在Intel 82845芯片组上我们最多只能使用两条这样的内存，多了芯片组将无法识别。
这里叮当建议大家最好根据自己的主板所提供的内存插槽数目来选购内存，如果您的主板只提供了两个内存插槽，那就不必为内存是单Bank 还是双Bank而担心了。
关于ddr存储容量的问题--8Megx16x8banks
关于ddr存储容量的问题--8Megx16x8banks有⼈问我镁光ddr中的容量及型号中8Megx16x8banks的含义，解答如下：以镁光1Gb ddr2为例：1Gb ddr2有三种型号：MT47H256M4 – 32 Meg x 4 x 8 banksMT47H128M8 – 16 Meg x 8 x 8 banksMT47H64M16 – 8 Meg x 16 x 8 banks例如：MT47H64M16 – 8 Meg x 16 x 8 banks8Meg： ddr中的存储bank的深度为8M的存储⼤⼩，也就是8x1024x1024的⼤⼩中间的16：代表每个bank的读写位宽为16bit8banks:代表这个ddr的型号有8个bank总上所属：该ddr2的型号含义为：有8个读写位宽为16bit,读写深度为8M的ddr2，存储容量计算为:8M x 16bit x 8 =1Gb。
该型号的ddr结构如下：有关ddr的其他属于摘录如下：Bank （内存库）在内存⾏业⾥，Bank⾄少有三种意思，所以⼀定要注意。
1、在SDRAM内存模组上，"bank 数"表⽰该内存的物理存储体的数量。
（等同于"⾏"/Row）2、Bank还表⽰⼀个SDRAM设备内部的逻辑存储库的数量。
（现在通常是4个bank）。
3、它还表⽰DIMM 或 SIMM连接插槽或插槽组，例如bank 1 或 bank A。
这⾥的BANK是内存插槽的计算单位（也叫内存库），它是电脑系统与内存之间数据总线的基本⼯作单位。
只有插满⼀个BANK，电脑才可以正常开机。
举个例⼦，奔腾系列的主板上，1个168线槽为⼀个BANK，⽽2个72线槽才能构成⼀个BANK，所以72线内存必须成对上。
原因是，168线内存的数据宽度是64位，⽽72线内存是32位的。
主板上的BANK编号从BANK0开始，必须插满BANK0才能开机，BANK1以后的插槽留给⽇后升级扩充内存⽤，称做内存扩充槽。
逻辑Bank
逻辑BankSDRAM的逻辑Bank与芯片容量表示方法1、逻辑Bank与芯片位宽讲完SDRAM的外在形式，就该深入了解SDRAM的内部结构了。
这里主要的概念就是逻辑Bank。
简单地说，SDRAM的内部是一个存储阵列。
因为如果是管道式存储（就如排队买票），就很难做到随机访问了。
阵列就如同表格一样，将数据“填”进去，你可以把它想象成一张表格。
和表格的检索原理一样，先指定一个行（Row），再指定一个列（Column），我们就可以准确地找到所需要的单元格，这就是内存芯片寻址的基本原理。
对于内存，这个单元格可称为存储单元,那么这个表格（存储阵列）叫什么呢？它就是逻辑 Bank（Logical Bank，下文简称L-Bank）。
L-Bank存储阵列示意图由于技术、成本等原因，不可能只做一个全容量的L-Bank，而且最重要的是，由于SDRAM的工作原理限制，单一的L-Bank将会造成非常严重的寻址冲突，大幅降低内存效率（在后文中将详细讲述）。
所以人们在SDRAM内部分割成多个L-Bank，较早以前是两个，目前基本都是4个，这也是SDRAM 规范中的最高L-Bank数量。
到了RDRAM则最多达到了32个，在最新DDR-Ⅱ的标准中，L-Bank的数量也提高到了8个。
这样，在进行寻址时就要先确定是哪个L-Bank，然后再在这个选定的L-Bank中选择相应的行与列进行寻址。
可见对内存的访问，一次只能是一个L- Bank工作，而每次与北桥交换的数据就是L-Bank存储阵列中一个“存储单元”的容量。
在某些厂商的表述中，将L-Bank中的存储单元称为Word （此处代表位的集合而不是字节的集合）。
从前文可知，SDRAM内存芯片一次传输率的数据量就是芯片位宽，那么这个存储单元的容量就是芯片的位宽（也是L-Bank的位宽），但要注意，这种关系也仅对SDRAM有效，原因将在下文中说明。
2、内存芯片的容量现在我们应该清楚内存芯片的基本组织结构了。
内存芯片的BANK参数说明
内存芯片的BANK一．内存芯片的逻辑BANK在芯片的内部，内存的数据是以位（bit）为单位写入一张大的矩阵中，每个单元我们称为CELL，只要指定一个行（Row），再指定一个列（Column），就可以准确地定位到某个CELL，这就是内存芯片寻址的基本原理。
这个阵列我们就称为内存芯片的BANK，也称之为逻辑BANK（Logical BANK）。
由于工艺上的原因，这个阵列不可能做得太大，所以一般内存芯片中都是将内存容量分成几个阵列来制造，也就是说存在内存芯片中存在多个逻辑BANK，随着芯片容量的不断增加，逻辑BANK数量也在不断增加，目前从32MB到1GB的芯片基本都是4个，只有早期的16Mbit和32Mbit的芯片采用的还是2个逻辑BANK的设计，譬如三星的两种16MB芯片：K4S161622D （512K x 16Bit x 2 BANK）和K4S160822DT（1M x 8Bit x 2 BANK）。
芯片组本身设计时在一个时钟周期内只允许对一个逻辑BANK进行操作（实际上芯片的位宽就是逻辑BANK的位宽），而不是芯片组对内存芯片内所有逻辑BANK同时操作。
逻辑BANK的地址线是通用的，只要再有一个逻辑BANK编号加以区别就可以了（BANK0到BANK3）。
但是这个芯片的位宽决定了一次能从它那里读出多少数据，并不是内存芯片里所有单元的数据一次全部能够读出每个逻辑BANK有8M个单元格（CELL），一些厂商（比如现代/三星）就把每个逻辑BANK的单元格数称为数据深度（Data Depth），每个单元由8bit组成，那么一个逻辑BANK的总容量就是64Mbit（8M×8bit），4个逻辑BANK就是256Mbit，因此这颗芯片的总容量就是256Mbit（32MB）。
内存芯片的容量是一般以bit为单位的。
比如说32Mbit的芯片，就是说它的容量是32Mb（b=bit=位），注意位（bit）与字节（Byte）区别,这个芯片换算成字节就是4MB（B=Byte=字节=8个bit）,一般内存芯片厂家在芯片上是标明容量的，我们可以芯片上的标识知道，这个芯片有几个逻辑BANK，每个逻辑bank的位宽是多少，每个逻辑BANK内有多少单元格（CELL），比如64MB和128MB内存条常用的64Mbit的芯片就有如下三种结构形式：①16 Meg x 4 (4 Meg x 4 x 4 banks) [16M╳4]②8 Meg x 8 (2 Meg x 8 x 4 banks) [8M╳8]③4 Meg x 16 (1 Meg x 16 x 4 banks) [4M╳16]表示方法是：每个逻辑BANK的单元格数×逻辑BANK数量×每个单元格的位数（芯片的位宽）。
内存颗粒和模组编号知识
内存颗粒和模组编号知识老头儿的内存颗粒和模组编号知识60问（ ，李谦2009-04-24发表）在内存的颗粒和模组的编号中浓缩着内存的主要技术信息，但是，除了JEDEC对模组的标注方法有一个原则规定外，颗粒和模组的编号规则都是由各个生产厂自行设定的，编号方法很不一致。
因此，网上有关编号的问题的讨论也很多，我认为，有许多理解是不准确的。
为此，我花了一些时间到境外生产厂的英文官方网站去寻求答案。
力求收集得全面一些。
还真的有不少斩获。
现将它们整理出来，供网友们参考。
当然，所涉及的内存种类主要是个人电脑用户接触到的UDIMM （Unbuffered non-ECC DIMM也称UBDIMM）内存和SO-DIMM(Small Outline DIMM )内存。
服务器内存和其他专用内存都没有涉及。
为了便于读者朋友查询，我编了一个内存颗粒编号速查表和内存模组编号速查表（见问题3问题4）。
当您要查询一个未知内存编号的含义时，可以首先跟这个速查表比对，了解了生产这种内存的厂商后，再根据本目录查询具体含义。
目录一.关于内存的编号1.目前的主要内存厂商有哪些？2.内存是怎样编号的？3.请给出常用内存颗粒编号速查表！4.请给出常用内存模组编号速查表！二.关于内存的编号方法5.颗粒编号中的术语有哪些？说明其含义。
6.当表示颗粒结构时用“128M×8”是什么意思？7.怎样根据颗粒编号求出BANK深度？8.怎样根据颗粒编号求出颗粒深度？9.如何根据颗粒的编号计算模组容量？10.怎样从内存编号中知道内存的速度？11.内存模组编号的术语有那些？说明其含义。
12.当表示模组结构时用256M×64是什么意思？13.什么是RANK?14.如何根据模组的编号计算模组的容量？15.如何根据模组和颗粒的编号推算模组的颗粒数？16.JEDEC对内存编号内容是如何规定的？17.请解释JEDEC标准中有关内存名词及其含义18.如何根据模组的编号计算模组的RANK数？19.模组的RANK数跟模组的面数有什么关系？20.内存标签上的2R×8就表明内存是双面8个颗粒吗？21.内存标签上的Warranty V oid是什么意思？22.内存标签上的UNB和SOD是什么意思？23.在内存标签上写的RoHS是什么意思？24.有害物质是指哪些？25.内存标签上的“0820”是什么意思？26.内存标签上的P/N和S/N是什么意思？27.我的内存是2GB的，为什么颗粒编号说是1GB的?三.几个主要内存厂商编号方法介绍28.三星内存的颗粒是怎样编号的？29.三星内存的模组是怎样编号的？30.海力士内存以“HY5”为前缀的颗粒是怎样编号的？31.海力士内存以“H5”为前缀的颗粒是怎样编号的？32.海力士SDRAM内存模组是怎样编号的？33.海力士DDR内存模组是怎样编号的？34.海力士DDR2内存模组是怎样编号的？35.海力士DDR3内存模组是怎样编号的？36.现代的乐金内存是怎样编号的？37.美光内存的颗粒是怎样编号的？38.美光内存的模组是怎样编号的？39.日立、日电和东芝旧内存颗粒是怎样编号的？40.尔必达内存的颗粒是怎样编号的？41.尔必达内存的模组是怎样编号的？42.英飞凌和奇梦达内存的颗粒是怎样编号的？43.英飞凌和奇梦达内存的模组是怎样编号的？44.南亚内存的颗粒是怎样编号的？45.南亚内存的模组是怎样编号的？46.易胜的颗粒是怎样编号的？47.易胜的模组是怎样编号的？48.力晶的内存是怎样编号的？49.茂矽和茂德的颗粒是如何编号的？50.茂矽和茂德的模组是如何编号的？51.金士顿Avardram内存是如何编号的?52.金士顿HyperX内存是如何编号的?53.世迈内存的模组是如何编号的？54.海盗船内存是怎样编号的？55.瑞士军刀内存模组是怎样编号的？56.胜创的内存是怎样编号的?57.威刚内存模组是怎样编号的？58.宇瞻内存模组是怎样编号的？59.金邦内存模组是怎样编号的？60.超胜内存是怎样编号的？一.关于内存的编号1.目前的主要内存厂商有哪些？答：内存生产厂商很多，颗粒的生产厂商主要是韩国的三星、海力士；日本的尔必达；美国的美光；德国的奇梦达和我国台湾的南亚、力晶和茂德等。
DDR3中bank,16bit和32bit等概念
DDR3中bank,16bit和32bit等概念最近在看内存相关的东东。
以前认为内存就是块资源，需要的时候，malloc出来一部分使用即可。
对内部的东东没有深入了解过。
刚开始看起来，感觉有点丈二和尚。
通过各种查询，并请教牛人，对基本概念有了个初步了解，先总结一把。
先说说bank。
看到bank首先想到了银行，然后是利率，然后是房贷...扯远了，这儿的bank是存储库的意思。
也就是说，一块内存内部划分出了多个存储库，访问的时候指定存储库编号，就可以访问指定的存储库。
具体内存中划分了多少个bank，要看地址线中有几位BA地址，如果有两位，说明有4个bank，如果有3位，说明有8个bank.DDR3的地址中有三个BA，即三个Bank Address，BA0, BA1, BA2。
所以DDR3单块内存中都是8个bank.存储库里面的内存是怎么组织的呢？存储库里面类似于一个矩阵。
有很多点，没一个点就是一个cell，也就是一个存储点，有一个电容和一个晶体管组成，通过上电与否，来表示1或0.每一个cell由一个行号和一个列号来唯一标识。
也可以这么理解，bank中分成了很多行（row），每一行又有很多列。
这样的话，给定bank编号，可以找到bank，给定row编号，可以找到所在行，给定column 编号，可以找到所在列，也就找到了要访问的cell。
一个bank中有多少行，多少列呢？这要看行和列分别有多少位来表示。
假如表示行的有A0~A14，那么单个bank中行的总量为2^15。
列类似，如果表示列的有A0~A9，单个bank中列总量为2^10.下面来看看16bit/32bit内存的概念。
这儿所说的16bit/32bit，指的是内存中以多长为单位进行存储。
16bit，即是说内存中是以16bit为单位访问内存的，也就是说，你给内存一个地址，内存会给你一个16bit的数据到数据线。
32bit的与此类似。
下面来看一个具体例子。
BANK的基本概念和常见问题
BANK的基本概念和常见问题一．内存芯片的逻辑BANK在芯片的内部，内存的数据是以位（bit）为单位写入一张大的矩阵中，每个单元我们称为CELL，只要指定一个行（Row），再指定一个列（Column），就可以准确地定位到某个CELL，这就是内存芯片寻址的基本原理。
这个阵列我们就称为内存芯片的BANK，也称之为逻辑BANK（Logical BANK）。
由于工艺上的原因，这个阵列不可能做得太大，所以一般内存芯片中都是将内存容量分成几个阵列来制造，也就是说存在内存芯片中存在多个逻辑BANK，随着芯片容量的不断增加，逻辑BANK数量也在不断增加，目前从32MB到1GB的芯片基本都是4个，只有早期的16Mbit和32Mbit的芯片采用的还是2个逻辑BANK 的设计，譬如三星的两种16MB芯片：K4S161622D （512K x 16Bit x 2 BANK）和K4S160822DT（1M x 8Bit x 2 BANK）。
芯片组本身设计时在一个时钟周期内只允许对一个逻辑BANK进行操作（实际上芯片的位宽就是逻辑BANK的位宽），而不是芯片组对内存芯片内所有逻辑BANK同时操作。
逻辑BANK的地址线是通用的，只要再有一个逻辑BANK编号加以区别就可以了（BANK0到BANK3）。
但是这个芯片的位宽决定了一次能从它那里读出多少数据，并不是内存芯片里所有单元的数据一次全部能够读出每个逻辑BANK有8M个单元格（CELL），一些厂商（比如现代/三星）就把每个逻辑BANK的单元格数称为数据深度（Data Depth），每个单元由8bit 组成，那么一个逻辑BANK的总容量就是64Mbit（8M×8bit），4个逻辑BANK 就是256Mbit，因此这颗芯片的总容量就是256Mbit（32MB）。
内存芯片的容量是一般以bit为单位的。
比如说32Mbit的芯片，就是说它的容量是32Mb（b=bit=位），注意位（bit）与字节（Byte）区别,这个芯片换算成字节就是4MB（B=Byte=字节=8个bit）,一般内存芯片厂家在芯片上是标明容量的，我们可以芯片上的标识知道，这个芯片有几个逻辑BANK，每个逻辑bank的位宽是多少，每个逻辑BANK内有多少单元格（CELL），比如64MB 和128MB内存条常用的64Mbit的芯片就有如下三种结构形式：①16 Meg x 4 (4 Meg x 4 x 4 banks) [16M╳4]②8 Meg x 8 (2 Meg x 8 x 4 banks) [8M╳8]③4 Meg x 16 (1 Meg x 16 x 4 banks) [4M╳16]表示方法是：每个逻辑BANK的单元格数×逻辑BANK数量×每个单元格的位数（芯片的位宽）。
内存上面的标识解读
内存上面的标识解读（Memory Rank Single Rankx4）2011-10-28 17:29:11| 分类： | 标签：|字号订阅一组或几组Memory chips,Chips分为两种4Bits与8Bits, 由于CPU处理能力为64Bits, 如果内存要达到CPU处理能力, 就把Chips组成了Rank; 简单理解就是64Bits为1 Rank.Single Rank:1组Memory chipDual Rank: 2 组Memory chip ,one rank per sideQuad Rank: 4 组Memory chip ,two rank per sideRank并不是同时间读写, 而是使用了Memory interleaving进行读写, 这样提高了总线利用效率!解读内存中的Bank两种内存Bank的区别内存Bank分为物理Bank和逻辑Bank。
1.物理Bank传统内存系统为了保证CPU的正常工作，必须一次传输完CPU在一个传输周期内所需要的数据。
而CPU在一个传输周期能接收的数据容量就是CPU数据总线的位宽，单位是bit（位）。
内存与CPU之间的数据交换通过主板上的北桥进行，内存总线的数据位宽等同于CPU数据总线的位宽，这个位宽就称之为物理Bank（Physical Bank，简称P-Bank）的位宽。
以目前主流的DDR系统为例，CPU与内存之间的接口位宽是64bit，也就意味着CPU在一个周期内会向内存发送或从内存读取64bit的数据，那么这一个64bit的数据集合就是一个内存条Bank。
不过以前有不少朋友都认为，内存的物理Bank是由面数决定的：即单面内存条则包含一个物理Bank，双面内存则包含两个。
其实这个看法是错误的!一条内存条的物理Bank是由所采用的内存颗粒的位宽决定的，各个芯片位宽之和为64bit就是单物理Bank；如果是128bit 就是双物理Bank。
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也许有的朋友在购买内存后发现：为什么明明在商家那里可以使用，而在自己的电脑里就不能使用了呢?其实这里面就涉及到内存Bank的问题，今天将为大家深入分析出现这种情况的原因。
内存Bank分为物理Bank和逻辑Bank。
1.物理Bank
传统内存系统为了保证CPU的正常工作，必须一次传输完CPU在一个传输周期内所需要的数据。
而CPU在一个传输周期能接收的数据容量就是CPU数据总线的位宽，单位是bit（位）。
内存与CPU之间的数据交换通过主板上的北桥芯片进行，内存总线的数据位宽等同于CPU数据总线的位宽，这个位宽就称之为物理Bank（Physical Bank，简称P-Bank）的位宽。
以目前主流的DDR系统为例，CPU与内存之间的接口位宽是64bit，也就意味着CPU 在一个周期内会向内存发送或从内存读取64bit的数据，那么这一个64bit的数据集合就是一个内存条Bank。
目前绝大多数的芯片组都只能支持一条内存包含两个物理Bank。
不过以前有不少朋友都认为，内存的物理Bank是由面数决定的：即单面内存条则包含一个物理Bank，双面内存则包含两个。
其实这个看法是错误的!
一条内存条的物理Bank是由所采用的内存颗粒的位宽决定的，各个芯片位宽之和为64bit就是单物理Bank；如果是128bit就是双物理Bank。
读到这里，大家也应该知道，我们可以通过两种方式来增加这种类型内存的容量。
第一种就是通过增加每一个独立模块的容量来增加Bank的容量，第二种方法就是增加Bank的数目。
由于目前内存颗粒位宽的限制，一个系统只有一个物理Bank已经不能满足容量的需要。
所以，目前新一代芯片组可以支持多个物理Bank，最少的也能支持4个物理Bank。
对于像Intel i845D这种支持4个Bank的芯片组来说，我们在选购内存时就要考虑一下插槽数与内存Bank 的分配问题了。
因为如果选购双Bank的内存，这意味着在Intel i845D芯片组上我们最多只能使用两条这样的内存，多了的话芯片组将无法识别。
这里我建议大家最好根据自己的主板所提供的内存插槽数目来选购内存，如果主板只提供了两个内存插槽，那就不必为内存是单Bank还是双Bank而担心了。
而如果主板提供了4个内存插槽（同一种规格），那么应该尽量购买单Bank或大容量双Bank的内存，以免给日后升级留下不必要的麻烦。
2.逻辑Bank
逻辑Bank的英文全称为Logical Bank，简称L-Bank。
如果将物理Bank说成是内存颗粒阵列的话，那么逻辑Bank可以看做是数据存储阵列。
不过与物理Bank不同，SDRAM与DDR内存的逻辑Bank并不完全一样，所以我将分开来简单介绍一下。
简单地说，SDRAM的内部是一个存储阵列（图1），因为如果是管道式存储，就很难做到随机访问了。
阵列就如同表格一样，将数据“填”进去。
因此逻辑Bank我们可以看成是一张逻辑二维表，在此表中内存的数据是以位（bit）为单位写入一个大的矩阵中，每个单元我们称为CELL，只要指定一个行（Row），再指定一个列（Column），就可以准确地定位到某个CELL，里面每个单元都可以存储数据，而且每个单元的存储空间相同——因为实际上与物理Bank每个单元具体存储数据量相同。
这个具体的单元存储数据量即为逻辑Bank的位宽（实际上内存芯片的位宽就是逻辑Bank的位宽），一般有4bit、8bit和16bit等几种。
如果你认为不好理解的话，那么你可以用硬盘操作中的簇与扇区的关系来理解内存中的存储形式——扇区是硬盘中的最小存储单元（相当于内存中的存储体），而一个簇则包含多个扇区（相当于逻辑Bank中的存储单元），数据的交换都是以一个簇为单位进行。
由于工艺上的原因，这个阵列不可能做得太大，所以一般内存芯片中都是将内存容量分成几个阵列来制造，也就是说内存芯片中存在多个逻辑Bank，随着芯片容量的不断增加，逻辑Bank数量也在不断增加。
主板芯片组本身设计时在一个时钟周期内只允许对一个逻辑Bank进行操作，而不是主
板芯片组对内存芯片内所有逻辑Bank同时操作。
逻辑Bank的地址线是通用的，只要再有一个逻辑Bank编号加以区别就可以了（Bank0到Bank3）。
但是这个芯片的位宽决定了一次能从它那里读出多少数据，并不是内存芯片里所有单元的数据能够一次全部读出。
对于DDR内存，逻辑Bank的作用、原理与在SDRAM中是一样的，区别主要是在逻辑Bank 容量、规格之上。
从上面大家已经知道，SDRAM中逻辑Bank存储单元的容量与芯片位宽相同，但DDR中并不是这样。
DDR的逻辑存储单元的容量是芯片位宽的一倍：即“芯片位宽×2=存储单元容量”，同时DDR中的真正行、列地址数量也与同规格SDRAM不一样了。
这主要是由于DDR的工作原理所决定的。
DDR这种内部存储单元容量的设计，就是常说的两位预取（2-bit Prefetch），也称为2-n Prefetch（n代表芯片位宽）。
注：目前品牌内存大都在包装和说明书中标明逻辑Bank，对于兼容条，你可以根据内存颗粒上的编号标志进行计算。
至于物理Bank，大家可以根据以上介绍的原理计算出来，在这里我就不多说了。
另外我们常说的内存交错设置并不是指的物理Bank的交错，也就是说不是内存条双面的交错，而是指内存芯片内部逻辑Bank的交错。
如果芯片有4个Bank，那么就可以进行4路交错，如果只有两个Bank就只能是2路交错。
很多资料介绍的以内存条的单面或双面来决定交错是错误的，实际上就是混淆了物理Bank和逻辑Bank的区别。
注：1.SDRAM与DDR内存的物理Bank是一样的，不过在RDRAM内存规格中，物理Bank 被通道（Channel）取代。
2.目前品牌内存大都在包装和说明书中标明逻辑Bank，对于兼容条，你可以根据内存颗粒上的编号标志进行计算。
至于物理Bank，大家可以根据以上介绍的原理计算出来，在这里我就不多说了。
另外我们常说的内存交错设置并不是指的物理Bank的交错，也就是说不是内存条双面的交错，而是指内存芯片内部逻辑Bank的交错。
如果芯片有4个Bank，那么就可以进行4路交错，如果只有两个Bank就只能是2路交错。
很多资料介绍的以内存条的单面或双面来决定交错是错误的，实际上就是混淆了物理Bank和逻辑Bank的区别。
3.最正规的最简易的方法，根据颗粒编号，找到颗粒组成，然后根据条子颗粒数目计算。
以kingston为例：
KVR133X64SC3/256是一条Kingston的SD笔记本内存。
有三种
1。
采用16×16颗粒共8颗，是双bank.
2。
采用16×8颗粒共16颗，是双bank.
3。
采用32×8颗粒共8颗，是单bank.
不知道大家看出来没有规律。
总结：
×8颗粒如果8颗就是单bank
×8颗粒如果16颗就是双bank
×16颗粒如果4颗就是单bank
×16颗粒如果8颗就是双bank
×4颗粒如果16颗就是单bank
×4颗粒如果32颗就是单bank
有没有见过32个颗粒的一条内存呢？请大家看看Kingston 1G内存就知道的确有了。
最终结论：达到64bit就是一个bank.如果是128bit就是双bank了。