兰州大学CMOS模拟集成电路设计期末考试答案
专升本《CMOS模拟集成电路分析与设计》_试卷_答案
专升本《CMOS模拟集成电路分析与设计》一、（共75题,共150分）1. Gordon Moore在1965年预言:每个芯片上晶体管的数目将每（）个月翻一番（2分）A.12B.18C.20D.24.标准答案：B2. MOS 管的小信号输出电阻是由MOS管的（）效应产生的。
（2分）A.体B.衬偏C.沟长调制D.亚阈值导通.标准答案：C3. 在CMOS模拟集成电路设计中，我们一般让MOS管工作在（）区。
（2分）A.亚阈值区B.深三极管区C.三极管区D.饱和区.标准答案：D4. MOS管一旦出现（）现象，此时的MOS管将进入饱和区。
（2分）A.夹断B.反型C.导电D.耗尽.标准答案：A5. （）表征了MOS器件的灵敏度。
（2分）A.B.C.D..标准答案：C6. Cascode放大器中两个相同的NMOS管具有不相同的（）。
（2分）A.B.C.D..标准答案：B7. 基本差分对电路中对共模增益影响最显著的因素是（）。
（2分）A.尾电流源的小信号输出阻抗为有限值B.负载不匹配C.输入MOS不匹配D.电路制造中的误差.标准答案：C 8. 下列电路不能能使用半边电路法计算差模增益（）。
（2分）A.二极管负载差分放大器B.电流源负载差分放大器C.有源电流镜差分放大器D.Cascode负载Casocde差分放大器.标准答案：C9. 镜像电流源一般要求相同的（）。
（2分）A.制造工艺B.器件宽长比C.器件宽度WD.器件长度L.标准答案：D10. 某一恒流源电流镜如图所示。
忽略M3的体效应。
要使和严格相等，应取为（）。
（2分）A.B.C.D..标准答案：A11. 选择题:下列结构中密勒效应最大的是（）。
（2分）A.共源级放大器B.源级跟随器C.共栅级放大器D.共源共栅级放大器.标准答案：A12. 下图中，其中电压放大器的增益为-A，假定该放大器为理想放大器。
请计算该电路的等效输入电阻为（）。
（2分）A.B.C.D..标准答案：A13. 对电路进行直流工作点分析的Hspice命令是（）。
专升本《CMOS模拟集成电路分析与设计》_试卷_答案
专升本《CMOS模拟集成电路分析与设计》_试卷_答案专升本《CMOS模拟集成电路分析与设计》一、（共75题,共150分）1. Gordon Moore在1965年预言:每个芯片上晶体管的数目将每（）个月翻一番（2分）.标准答案：B2. MOS管的小信号输出电阻是由MOS管的（）效应产生的。
（2分）A.体B.衬偏C.沟长调制D.亚阈值导通.标准答案：C3. 在CMOS模拟集成电路设计中，我们一般让MOS管工作在（）区。
（2分）A.亚阈值区B.深三极管区C.三极管区D.饱和区.标准答案：D4. MOS管一旦出现（）现象，此时的MOS管将进入饱和区。
（2分）A.夹断B.反型C.导电D.耗尽.标准答案：A5. （）表征了MOS器件的灵敏度。
（2分）A.C.D..标准答案：C 6. Cascode放大器中两个相同的NMOS管具有不相同的（）。
（2分）A.B.C.D..标准答案：B7. 基本差分对电路中对共模增益影响最显著的因素是（）。
（2分）A.尾电流源的小信号输出阻抗为有限值B.负载不匹配C.输入MOS不匹配D.电路制造中的误差.标准答案：C8. 下列电路不能能使用半边电路法计算差模增益（）。
（2分）A.二极管负载差分放大器B.电流源负载差分放大器C.有源电流镜差分放大器负载Casocde差分放大器.标准答案：C9. 镜像电流源一般要求相同的（）。
（2分）A.制造工艺B.器件宽长比C.器件宽度WD.器件长度L.标准答案：D10. 某一恒流源电流镜如图所示。
忽略M3的体效应。
要使和严格相等，应取为（）。
（2分）B.C.D..标准答案：A11. 选择题:下列结构中密勒效应最大的是（）。
（2分）A.共源级放大器B.源级跟随器C.共栅级放大器D.共源共栅级放大器.标准答案：A12. 下图中，其中电压放大器的增益为-A，假定该放大器为理想放大器。
请计算该电路的等效输入电阻为（）。
（2分）A.B.C.D..标准答案：A13. 对电路进行直流工作点分析的Hspice命令是（）。
模拟cmos集成电路设计课后题
模拟CMOS集成电路设计课后题在现代电子科学领域中，模拟CMOS集成电路设计是一门重要的课程，它涉及到电子工程中的基本原理和技术，对从事电子电路设计和集成电路制造的专业人员来说，具有非常重要的意义。
而课后题作为知识的巩固和扩展，对于深入理解和掌握这门课程也至关重要。
接下来，我将针对模拟CMOS集成电路设计课后题进行深度和广度兼具的全面评估，并据此撰写一篇有价值的文章。
一、基本概念解释1. 什么是模拟CMOS集成电路设计？模拟CMOS集成电路设计即使用CMOS工艺制作的模拟电路。
它在数字电路的基础上加入了模拟电路。
2. 课后题的重要性课后题是对课堂所学知识的巩固和拓展，通过解答课后题可以帮助学生更深入地理解和掌握课程内容，提高解决问题的能力。
二、课后题解析1. 请列举一些模拟CMOS集成电路设计的常见应用？模拟CMOS集成电路设计常见的应用包括放大电路、滤波电路、比较器、运算放大器等。
2. 什么是CMOS工艺？CMOS是指互补型金属氧化物半导体技术，它是当今集成电路工艺的主流之一。
CMOS工艺具有低功耗、高集成度和良好的抗干扰能力等特点。
3. 请解释CMOS集成电路的工作原理。
CMOS集成电路由N型金属氧化物半导体场效应晶体管和P型金属氧化物半导体场效应晶体管组成。
当输入电压改变时，两个晶体管的导通状态都会随之改变，从而实现信号的放大和处理。
4. 请说明模拟CMOS集成电路设计中需要考虑的主要因素？在模拟CMOS集成电路设计中，需要考虑的主要因素包括功耗、速度、噪声、线性度、稳定性等。
5. 如何进行模拟CMOS集成电路的性能指标评估？模拟CMOS集成电路的性能指标评估包括静态指标和动态指标两部分，静态指标包括增益、带宽、输入输出阻抗等；动态指标包括上升时间、下降时间、过冲、欠冲等。
三、个人观点和总结从我个人的观点来看，模拟CMOS集成电路设计是电子工程领域中非常重要的一门课程，通过课后题的解答可以更好地理解和掌握课程中的知识点，培养自己的问题解决能力。
模拟cmos集成电路设计复习题
二、计算题，假设所有的晶体管都工作在饱和区 （用符号来表示结果, 譬如 gm, ro, RD, VOV, 等等）（共 35 分，共 2 题）
1. 假设没有衬底偏置效应 (15 分)
(a) 画出图中所示的电路图的低频小信号等效电路图 (5 分)
(b) 假设 IS = 0.75I1 ，λ = 0 ，Cox( pmos) = Cox(nmos) ，求该电路的低频小信号电压
——第 17 页——
三、计算题，假设所有的晶体管都工作在饱和区
（用符号来表示结果, 譬如 gm, ro, RD, VOV, 等等.） （共 45 分， ——第 18 页——
学院____________班级____________姓名____________学号____________
密封线内不答题
增益？用迁移率和宽长比表示。（必须给出解题过程） (10 分)
——第 4 页——
学院____________班级____________姓名____________学号____________
密封线内不答题
——第 5 页——
2. 假设下图所示电路图中的所有器件都是完全匹配和对称的，回答一下问 题。请用跨导，输出电阻和电阻表示。（必须给出解题过程） (20 分)
4. 在 NMOS 中, 衬底上加上负电压偏置, 会使阈值电压(
)。
A. 增大 B 不变
C 减小
D 可大可小
5. 采用 PMOS 二极管连接方式做负载的 NMOS 共源放大器NMOS 都存在体效应，电压放大系数与 NMOS 和 PMOS 的宽长比有
关
B． PMOS 和 NMOS 都存在体效应，电压放大系数与 NMOS 和 PMOS 的宽长比无
集成电路期末考试知识点答案
集成电路期末考试知识点答案-------------------------------------------1------------------------------------------------1、哪一年在哪儿发明了晶体管？发明人哪一年获得了诺贝尔奖？1947贝尔实验室肖克来波拉坦巴丁发明了晶体管1956获诺贝尔奖2、世界上第一片集成电路是哪一年在哪儿制造出来的？发明人哪一年为此获得诺贝尔奖？Jack kilby 德州仪器公司1958年发明2000获诺贝尔奖3、什么是晶圆？晶圆的材料是什么？晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，材料是硅4、目前主流集成电路设计特征尺寸已经达到多少？预计2016 年能实现量产的特征尺寸是多少？主流0.18um 22nm5、晶圆的度量单位是什么？当前主流晶圆的尺寸是多少？英寸12英寸6、摩尔是哪个公司的创始人？什么是摩尔定律？英特尔芯片上晶体管数每隔18个月增加一倍7、什么是SoC？英文全拼是什么？片上系统 System On Chip8、说出Foundry、Fabless 和Chipless 的中文含义。
代工无生产线无芯片9、一套掩模一般只能生产多少个晶圆？1000个晶圆10、什么是有生产线集成电路设计？电路设计在工艺制造单位内部的设计部门进行11、什么是集成电路的一体化(IDM)实现模式？设计制造和封装都集中在半导体生产厂家内进行12、什么是集成电路的无生产线(Fabless)设计模式？只设计电路而没有生产线13、一个工艺设计文件(PDK)包含哪些内容？器件的SPICE参数、版图设计用的层次定义、设计规则和晶体管电阻电容等器件以及通孔焊盘等基本结构版图，与设计工具关联的设计规则检查、参数提取、版图电路图对照用的文件。
14、设计单位拿到PDK 文件后要做什么工作？利用CAD/EDA工具进行电路设计仿真等一系列操作最终生成以GDS-II格式保存的版图文件，然后发给代工单位。
集成电路CMOS题库【精选文档】
一、选择题1。
Gordon Moore在1965年预言：每个芯片上晶体管的数目将每个月翻一番。
(B）A.12 B。
18 C.20 D。
242.MOS管的小信号输出电阻是由MOS管的效应产生的。
（C）A.体B。
衬偏C。
沟长调制 D.亚阈值导通3.在CMOS模拟集成电路设计中，我们一般让MOS管工作在区。
（D)A。
亚阈值区 B.深三极管区 C.三极管区D。
饱和区4。
MOS管一旦出现现象，此时的MOS管将进入饱和区。
（A）A.夹断B.反型C.导电D。
耗尽5.表征了MOS器件的灵敏度。
(C）A。
B. C。
D。
6.Cascode放大器中两个相同的NMOS管具有不相同的. （B）A。
B。
C。
D。
7.基本差分对电路中对共模增益影响最显著的因素是。
(C）A.尾电流源的小信号输出阻抗为有限值B.负载不匹配C.输入MOS不匹配D。
电路制造中的误差8.下列电路不能能使用半边电路法计算差模增益。
（ C ）A.二极管负载差分放大器B。
电流源负载差分放大器C。
有源电流镜差分放大器D。
Cascode负载Casocde差分放大器9。
镜像电流源一般要求相同的. （ D ）A。
制造工艺 B。
器件宽长比 C.器件宽度W D.器件长度L10. NMOS管的导电沟道中依靠导电。
（）A.电子 B。
空穴 C.正电荷 D。
负电荷11。
下列结构中密勒效应最大的是。
（A）A。
共源级放大器 B.源级跟随器C。
共栅级放大器 D。
共源共栅级放大器12.在NMOS中，若会使阈值电. （A）A.增大 B。
不变 C。
减小 D。
可大可小13。
模拟集成电路设计中可使用大信号分析方法的是。
（C）A.增益B.输出电阻 C。
输出摆幅 D.输入电阻14。
模拟集成电路设计中可使用小信号分析方法的是。
（A）A.增益B.电压净空 C。
输出摆幅 D.输入偏置15. 下图中，其中电压放大器的增益为-A,假定该放大器为理想放大器.请计算该电路的等效输入电阻为。
（）第15题A. B。
模拟CMOS集成电路复习题库及答案
模拟CMOS集成电路期末复习题库及答案整理人：李明1．MOSFET跨导g m是如何定义的。
在不考虑沟道长度调制时，写出MOSFET在饱和区的g m与V GS−V TH、√I D和1V GS−V TH的关系表示式。
画出它们各自的变化曲线。
2．MOSFET的跨导g m是如何定义的。
在考虑沟道长度调制时，写出MOSFET在饱和区的g m与V GS−V TH、√I D和1V GS−V TH的关系表示式。
画出它们各自的变化曲线。
解：MOSFET跨导g m的定义：由于MOSFET工作再饱和区时，其电流受栅源过驱动电压控制，所以我们可以定义一个性能系数来表示电压转换电流的能力。
更准确地说，由于在处理信号的过程中，我们要考虑电压和电流的变化，因此我们把这个性能系数定义为漏电流的变化量除以栅源电压的变化量。
我们称之为“跨导”，并用g m来表示，其数值表示为：在不考虑沟道长度调制时：在考虑沟道长度调制时：3．画出考虑体效应和沟道长度调制效应后的MOSFET小信号等效电路。
写出r o和g mb的定义，并由此定义推出r o和g mb表示式。
解：4．画出由NMOS和PMOS二极管作负载的MOSFET共源级电路图。
对其中NMOS二极管负载共源级电路，推出忽略沟道长度调制效应后的增益表示式，分析说明器件尺寸和偏置电流对增益的影响。
对PMOS二极管负载的共源级电路，对其增益表示式作出与上同样的分析。
5．画出MOS共源共栅级电路的电路图和其对应的小信号等效电路图。
并推出此共源共栅级电路的电压增益和输出电阻表示式。
解：6．画出带源极负反馈电阻的以电阻作负载的MOS共源级电路的电路图和其对应的小信号等效电路图。
写出此电路的等效跨导定义式，并由此推出在不考虑沟道长度调制和体效应情况下的小信号电压增益表示式。
画出其漏电流和跨导随V in的变化曲线图。
7．画出带源极负反馈电阻的以电阻作负载的MOS共源级电路的电路图和其对应的小信号等效电路图。
2022年专升本CMOS模拟集成电路分析与设计试卷答案
专升本《CMOS模拟集成电路分析与设计》一、（共75题,共150分）1. Gordon Moore在1965年预言:每个芯片上晶体管旳数目将每（）个月翻一番（2分）A.12B.18C.20D.24.原则答案：B2. MOS 管旳小信号输出电阻是由MOS管旳（）效应产生旳。
（2分）A.体B.衬偏C.沟长调制D.亚阈值导通.原则答案：C3. 在CMOS模拟集成电路设计中，我们一般让MOS管工作在（）区。
（2分）A.亚阈值区B.深三极管区C.三极管区D.饱和区.原则答案：D4. MOS管一旦浮现（）现象，此时旳MOS管将进入饱和区。
（2分）A.夹断B.反型C.导电D.耗尽.原则答案：A5. （）表征了MOS器件旳敏捷度。
（2分）A.B.C.D..原则答案：C6. Cascode放大器中两个相似旳NMOS管具有不相似旳（）。
（2分）A.B.C.D..原则答案：B7. 基本差分对电路中对共模增益影响最明显旳因素是（）。
（2分）A.尾电流源旳小信号输出阻抗为有限值B.负载不匹配C.输入MOS不匹配D.电路制造中旳误差.原则答案：C8. 下列电路不能能使用半边电路法计算差模增益（）。
（2分）A.二极管负载差分放大器B.电流源负载差分放大器C.有源电流镜差分放大器D.Cascode负载Casocde差分放大器.原则答案：C9. 镜像电流源一般规定相似旳（）。
（2分）A.制造工艺B.器件宽长比C.器件宽度WD.器件长度L.原则答案：D10. 某一恒流源电流镜如图所示。
忽视M3旳体效应。
要使和严格相等，应取为（）。
（2分）A.B.C.D..原则答案：A11. 选择题:下列构造中密勒效应最大旳是（）。
（2分）A.共源级放大器B.源级跟随器C.共栅级放大器D.共源共栅级放大器.原则答案：A12. 下图中，其中电压放大器旳增益为-A，假定该放大器为抱负放大器。
请计算该电路旳等效输入电阻为（）。
（2分）A.B.C.D..原则答案：A13. 对电路进行直流工作点分析旳Hspice命令是（）。