第九章 电子衍射
电子衍射

( )表示平面,*表示倒易, 0表示零层倒易面。
这个倒易平面的法线即正空 间晶带轴[uvw]的方向,倒易平 面上各个倒易点分别代表着正空 间的相应晶面。
0
4. 晶带轴的求法
若已知零层倒易面上任意二个倒易矢量的坐标, 即可求出晶带轴指数.由
得
u=k1l2-k2l1
v=l1h2-l2h1
简单易记法 h1 k1 l1 h1 k1 l1
Hot- and Cold-Stage TEM
20oC a 220oC b 25oC
c
AFE-1 AFE FE
d -100oC
a and b: PbZrO3 single crystal C and d: Pb(ZrSnTi)O3 ceramic
AFE-2
七、多晶电子衍射成像原理与衍射花样特征
图8-2 多晶电子衍射成像原理
金的原子力显微镜照片
倒易点阵
正点阵:晶体点阵
倒易点阵:与正点阵存在倒易关系
a*•b=a* • c=b* • a=b* • c=c* • a=c* • b=0
a* • a=b* • b=c* • c=1
写成标量形式
a*=1/a×cosφ b*=1/b×cosψ c*=1/c×cosω
ω
与正点阵的关系
反射式高能电子衍射分析(RHEED):以高能
电子照射较厚样品分析其表面结构,电子 束以掠射方式(与样品表面的夹角小于5o) 照射样品,使衍射发生在样品浅表层。
RHEED用荧光屏作结果显示,在超高真空
环境下工作。
低能电子衍射(LEED):电子束能量为10~1000eV (一般为10~500) 。由于电子能量低,衍射结果 只能显示样品表面1~5个电子层的结构信息,因 此是分析晶体表面结构的重要方法,广泛用于 表面吸附、腐蚀、催化、外延生长、表面处理 等材料表面科学与工程领域。 低能电子衍射仪器为低能电子衍射仪,也是在 超高真空环境下工作。
电子衍射

(1)由于电子波波长很短,一般只有千分之几nm, 按布拉格方程2dsin=可知,电子衍射的2角很小(一 般为几度),即入射电子束和衍射电子束都近乎平行 于衍射晶面。
由衍射矢量方程(s-s0)/=r*,设K=s/、K=s0/、 g=r*,则有
K-K=g
(8-1)
此即为电子衍射分析时(一般文献中)常用的衍射矢 量方程表达式。
H3=H1+H2、K3=K1+K2和L3=L1+L3。
单晶电子衍射花样的标定
立方晶系多晶体电子衍射标定时应用的关 系式:R21:R22:…:R2n=N1:N2:…:Nn 在立方晶 系单晶电子衍射标定时仍适用,此时R=R。 单晶电子衍射花样标定的主要方法为: 尝试核算法 标准花样对照法
“180不唯一性”或“偶合不唯一性”现象的产生,根 源在于一幅衍射花样仅仅提供了样品的“二维信息”。
通过样品倾斜(绕衍射斑点某点列转动),可获得另一晶带 电子衍射花样。而两个衍射花样组合可提供样品三维信息。
通过对两个花样的指数标定及两晶带夹角计算值与实测 (倾斜角)值的比较,即可有效消除上述之“不唯一性”。
(8-7)
式中:N——衍射晶面干涉指数平方和,即 N=H2+K2+L2。
多晶电子衍射花样的标定
对于同一物相、同一衍射花样各圆环而言,(C2/a2) 为常数,故按式(8-7),有
R12:R22:…:Rn2=N1:N2:…:Nn
(8-8)
此即指各衍射圆环半径平方(由小到大)顺序比等于
各圆环对应衍射晶面N值顺序比。
一、电子衍射基本公式
电子衍射基本公式的导出
设样品至感光平面的距离为L(可称为 相机长度),O与P的距离为R,
由图可知
《电子衍射原理》课件

透射电子显微镜技术
透射电子显微镜技术是一种利用透射 电镜观察物质内部微细结构的方法, 具有高分辨率和高放大倍数的特点。 随着科技的不断进步,透射电子显微 镜技术的应用范围越来越广泛,在材 料科学、生物学、医学等领域得到广 泛应用。
VS
例如,在材料科学领域,透射电子显 微镜技术可用于研究材料的晶体结构 和相变行为,为新材料的开发和优化 提供有力支持。在生物学领域,透射 电子显微镜技术可用于研究细胞器和 生物大分子的结构和功能,为生命科 学和医学研究提供新的视角。
电子显微镜的放大倍数较高,能够观察到非常细微的结构细节,是研究物质结构和 形貌的重要工具之一。
电子源
电子源是电子显微镜中的核心部件之一,它能够产生用于观察和成像的 电子束。
电子源通常由加热阴极、栅极和加速电极等部分组成,通过加热阴极使 得电子逸出并经过栅极和加速电极的调制和加速,形成用于成像的电子
电子衍射可以揭示细胞内部的超微 结构,有助于理解细胞的生理和病 理过程。
在表面科学中的应用
表面晶体结构
电子衍射可以用于研究固体表面 的晶体结构和化学组成,对表面 改性和催化等应用具有指导意义
。
表面应力分析
通过电子衍射可以分析表面应力 状态,有助于理解表面行为的物
理机制。
表面吸附和反应
电子衍射可以研究表面吸附分子 的结构和反应活性,对表面化学 和工业催化等领域有重要意义。
05
电子衍射的发展前景
高能电子衍射技术
高能电子衍射技术是一种利用高能电子束进行物质结构分析的方法,具有高分辨 率和高灵敏度的特点。随着科技的不断进步,高能电子衍射技术的应用范围越来 越广泛,在材料科学、生物学、医学等领域发挥着重要作用。
例如,在材料科学领域,高能电子衍射技术可用于研究材料的微观结构和晶体取 向,为新材料的开发和优化提供有力支持。在生物学领域,高能电子衍射技术可 用于研究生物大分子的结构和功能,为药物设计和疾病治疗提供新的思路。
电子衍射

§9.4 单晶体衍射花样的产生及其标定 -----衍射花样的产 生
微区晶体分析往往是单晶或为数不多的几个单晶
R = kg
◆
单晶体衍射花样为满足衍射条件的倒易阵点图 形的放大器像 . 即过 O* 点,且垂直于入射方向的 倒易平面内的阵点( FHKL 0 ) 放大像 ◆大量强度不等的衍射斑点。有些并不精确落在 Ewald 球面上仍能发生衍射,只是斑点强度较弱。 35 倒易杆存在一个强度分布
k
'
- k = g = g' s
s ---偏离矢量
23
§9.2 电子衍射原理---倒易阵点扩展
24
§9.2 电子衍射原理---倒易阵点扩展
各种晶形相应的倒易点宽化的情况
小立方体 小球体 盘状体 针状体 六角形星芒 大球加球壳, 杆 盘
问题
为什么Ewald球与倒易面相 切会有很多斑点?
25
晶形 小立 方体
6
电子衍射与X射线衍射相比的优点
•电子波长短,单晶的电子衍射花样婉如晶体 的倒易点阵的一个二维截面在底片上放大投影, 从底片上的电子衍射花样可以直观地辨认出一 些晶体的结构和有关取向关系,使晶体结构的 研究比X射线简单。 •物质对电子散射主要是核散射,因此散射强, 约为X射线一万倍,曝光时间短。 •电子衍射能在同一试样上将形貌观察与结构 分析结合起来。
过倒易原点O,垂直入射方向 uvw 的倒易平面,记 uvw 晶轴面的倒易阵点组成的平面. 作(. uvw)* 0--为 以晶带轴 uvw 的“零层倒易截面”上 , 0 FHKL 倒 易阵 组成的平面。 标准零层倒易截面( uvw)
* 0
的
18
晶带及其倒易面
19
电子衍射——精选推荐

电⼦衍射电⼦衍射 2.1 概述电⼦衍射与X-射线衍射的基本原理是完全⼀样的,两种技能所得到的晶体衍射花样在⼏何特征上也⼤致相似,都遵循劳厄⽅程或布拉格⽅程所规定的衍射条件和⼏何关系。
电⼦衍射与X-射线衍射的主要区别在于:(1)电⼦波的波长短,则受物质散射强(原⼦对电⼦的散射能⽐X-射线约⾼⼀万倍)。
电⼦波长短,决定了电⼦衍射的⼏何特点,使单晶的电⼦衍射谱和晶体的倒易点阵的⼆维截⾯完全相似,从⽽使晶体集合关系的研究变得简单多了。
(2)衍射束强度有时⼏乎与透射束相当,因此就有必要考虑它们之间的相互作⽤,使电⼦衍射花样分析,特别是强度分析变得复杂,不能像X-射线那样从测量强度来⼴泛地测定晶体结构。
(3)由于散射强度⾼导致电⼦穿透能⼒有限,因⽽⽐较适⽤研究微晶、表⾯和薄膜晶体。
(4)许多材料和矿物中得晶粒只有⼏微⽶⼤⼩,有时⼩到⼏千埃,不能⽤X-射线进⾏单个晶体的衍射,但却可以⽤电⼦显微镜在放⼤⼏万倍下,有⽬的地选择这些晶体,⽤选区电⼦衍射和微束电⼦衍射来确定其物相或其结构。
2.2 预备知识 2.2.1 布拉格定律⼊射波⽮量:k ;衍射波⽮量:k ¢;对于弹性碰撞:1/k k l ¢==**1;;2sin K k k r r K k dq ¢=-===当波长为l 的单⾊平⾯电⼦波以掠射⾓q (⼊射⾓⽅向与晶⾯的夹⾓)照射到晶⾯间距为hkl d 的平⾏晶⾯组(hkl )时,若满⾜:2sin hkl d n q l =为了简便起见,把式改为:2()sin hkld nq l =考虑到,可以把任意晶⾯组的n 级衍射都看成是与之平⾏但晶⾯间距⼩于n 倍的(nh nk nl )晶⾯组的⼀级衍射,使布拉格定律表达为:2sin d q l = 2.2.2倒易点阵和Ewald 球作图法(1)倒易点阵所谓倒易点阵,是指量纲为[L]-1的倒易空间内的另⼀个点阵,它与正空间内某⼀点特定的点阵相对应。
如果正点阵晶胞的单位⽮量(简称基失)为:,,a b c则相对应的倒易点阵基失为:***,,c c cb c c a a ba b c V V V 创 ===V c 为正点阵晶胞体积:()()()c V a b c b c a c a b =状=状=状可以证明,正、倒点阵的晶胞基失之间满⾜:1a ab bc c a b a c b c b a c a c b *********在倒易点阵内,有原点0*(即阵点(000))指向任⼀坐标为(hkl )的阵点的⽮量:1/hkl hkl hkl g ha kb lc d ***=++= 且g这就是说,所定义的倒易⽮量:hkl g或其断点---hkl 到⼀阵点,代表着正点阵中的晶⾯组(hkl )。
电子衍射分析方法原理及应用ppt课件

5种二维布拉菲点阵与倒易点阵的图示
(1)二维点阵基矢与其倒易点阵基矢之间的关系
若以二维点阵中任意阵点为坐标原点,建立二维 正交坐标系,则二维基矢a与b可表达为: a = axi + ayj b = bxi + byj - - - - - - - (9) 二维倒易基矢也可以表达为: a* = a*xi + a*yj b* = b*xi + b*yj - - - - - - - (10) 将(9) (10)式,代入(8)的矢量点积坐标表达式得: a*xax+a*yay=b*xbx+b*yby=1 a*xbx+a*yby=b*xax+b*yay=0 - - - - - (11) 解(11)式得:
(2) Rd= λL的矢量表达式的推导
当入射电子束的加速电压一定时,电子波长 λ值恒 定,则令 λL=C(C为常数,称为相机常数) 由(4)式Rd= λL知 Rd=C - - - - (5) 由倒易点阵与点阵平面距离间的关系: g=1/d (g为(HKL)面倒易矢量,g为g的模) ∴ R=Cg - - - - - -(6) 因为电子衍射2θ很小,R与g近乎平行,故(6)式可演变 为矢量形式: R = Cg - - - - - -(7) R为透射斑到衍射斑的连接矢量,称为衍射斑点矢量。 由式(7)可知,R与g相比只是放大了C倍,所以从图 中可知单晶电子衍射花样是所有与反射球相交的倒易点 的放大像。
2、二维点阵和二维点阵的倒易点阵
低能电子衍射来自于样品表面的原子的相干 散射,故可将样品表面视为二维点阵。 上图所示单晶表面原子排列规则就可用二维点 阵描述。与三维点阵的排列规则可用14种布拉菲 点阵表达相似,二维点阵的排列可用5种二维布拉 菲点阵表达。(如后图所示) 对于由点阵矢量a与b定义的二维点阵,若由 点阵基矢a*与b*定义的二维点阵满足: a*· a = b*· b=1 a*· b = b*· a=0 - - - - - - - (8) 则称a*与b*定义的点阵是a与b定义的点阵的倒易 点阵。
第九章 电子衍射

倒易点阵是一种晶体学表示方法,是厄瓦尔德于1912 年创立的,是在量纲为[L]-1的倒空间内的另外一个点 阵,与正空间内的某特定的点阵相对应。
(1)倒易点阵基矢的定义
如果用点阵基矢 由另一个点阵基矢
(i = 1, 2, 3)定义一正点阵。若 (j = 1,2,3)定义的点阵满足
式中,V — 晶胞体积
基本规律概括为:
①倒易点阵与所对 应的晶体点阵同属 于相同的晶系
②倒易点阵与相应 的晶体点阵布拉菲 结构特征除面心和 体心倒易互换外, 其余都是相同的。
五、倒易阵点扩展(形状)与偏离矢量
从几何意义上来看,电子束方向与某晶带 轴重合时,零层倒易面除原点O*外,都不 可能与爱瓦尔德球相交,因而,不可能产 生衍射,如图(a)所示。 若要使晶带中的某一个或几个晶面产生衍 射,必须将晶体倾斜,如图(b)所示。
(3). 正点阵与倒易点阵的指数互换 正点阵与倒易点阵基矢间的关系 假设正点阵基矢与倒易点阵基矢间可以通过变换矩阵 [G]作如下变换
将上式两端右乘行矩阵
由
可得
式中
(i, j = 1, 2, 3)
利用上式可以将倒易基矢变换为正基矢。
再将上式两端同时右乘
其中
(i, j =1, 2, 3)
对立方晶系 a1 = a 2 = a 3 = a α=β=γ=90°
衍射是波动性的体现,是波的弹性相干散射。如光的 狭缝衍射、X光对晶体的衍射。 衍射条件:
电子衍射: 是晶体物质对单色电子波产生的衍射现象。 下图 分别是单晶体、多晶体和非晶体的电子衍射花样。
电子衍射原理与X射线衍射相似,是以满足或基本满足 布拉格方程为产生衍射的必要条件。但因其电子波有 其本身的特殊性,与X射线衍射相比具有下列特点: 如 X射线的波长范围: 10-3-10nm 0.05-0.25nm范围适于 0.005-0.1nm范围适于 结构分析 探伤分析
电子衍射

样品对入射电子的散射
晶体物质是由原子、离子或原子团在三维空间按一定规律 周期性排列构成的。当具有一定波长的单色平面电子波射 入晶体时,这些规则排列的质点将对入射电子束中与其靠 近的电子产生散射,由于散射强度较大,于是各个质点作 为新波源发射次级波.
入射束
次级波在空间传播,互相干涉 什么情况下次级波相干加强,得到极 大值,即产生衍射现象。 什么情况下次级波相干减弱或者趋于 零呢? 下面讨论产生衍射的条件。
4f
2
(3)体心晶胞
111 一个晶胞内有两个同种原子,分别位于 000 和 222
½½½
000
体心晶胞 F(hkl) 的计算
111 一个晶胞内有两个同种原子,分别位于 000 和 222
则
hk l F (hkl) f exp[ 2i(o)] f exp[ 2i( )] 2
f {1 exp[i(h k l )]}
倒易点阵中一个点代表着正空间中的一组平行晶面 以1/λ为半径做的埃瓦尔德球即倒空间的球,叫倒易 球,入射束穿出球面的那一点叫倒易原点。
正点阵和倒易点阵的几何关系
011
020
a=b=c=0.1nm
四. 电子衍射基本公式
电子衍射基本公式推导 透射电镜的电子衍射是把 实际晶体点阵转换为倒易点 阵记录下来,得到的图像叫 做电子衍射花样或叫电子衍 射谱。
d 2 sin n
d 为衍射晶面间距。 λ 为入射电子束的波长。 θ 为入射束与衍射晶面之间的夹角。 n为衍射级数(n = 0, 1, 2, 3 ……), 当n=0就是透射束,与入射束平行。
2d sin
d 2 sin n
n次衍射的解释
d
d/2
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第九章 电子衍射
1、 分析电子衍射与 X 射线衍射有何异同?(**)
电子衍射原理与X 射线相似
相同之处:都是满足布拉格方程作为产生衍射的必要条件,两种衍射技术所得到的衍射花样在几何特征上是大致相似的。
不同之处:
1)电子波的波长比X 射线短得多,在同样满足布拉格条件时,它的衍射角θ很小,约为10e -2rad 。
而X 射线产生衍射时其衍射角最大可接近π/2。
(这是电子衍射花样特征不同与x 射线衍射的主要原因)
2)在进行电子衍射操作时采用薄晶样品,薄样品的倒易阵点会沿着厚度方向延伸成杆状,因此,增加了倒易点阵与爱瓦德球相交截的机点,结果使略微偏离布拉格条件的电子束可能发生衍射。
3)因为电子波的波长短,采用爱瓦德球图解式,反射球的半径很大,在衍射角θ较小的范围内反射球的球面可以近似的看成是一个平面,从而也可以认为电子衍射产生的衍射斑点大致分布在一个二维倒易截面内,这个结果使晶体产生的衍射花样能比较直接地反映晶体内各晶面的位向,给分析带来不少方便。
4)原子对电子的散射能力远高于对X 射线的散射能力(约高四个数量级),故电子衍射束的强度较大,摄取衍射花样时曝光时间仅需数秒钟。
2、倒易点阵与正点阵之间关系如何?倒易点阵与晶体的电子衍射斑点之间有何对应关系?(**)
答:倒易点阵是与正点阵相对应的量纲为长度倒数的一个三维空间(倒易空间)点阵,通过倒易点阵可以把晶体的电子衍射斑点直接解释成晶体相应晶面的衍射结果,可以认为电子衍射斑点就是就是与晶体相对应的倒易点阵中某一倒易面上阵点排列的像。
关系:
1)倒易矢量ghkl 垂直于正点阵中对应的(hkl )晶面,或平行于它的法向Nhkl
2)倒易点阵中的一个点代表正点阵中的一组晶面
3)倒易矢量的长度等于正点阵中的相应晶面间距的倒数,即ghkl=1/dhkl 。
4)对正交点阵有a*//a,b*//b,c*//c,a*=1/a,b*=1/b,c*=1/c
5)只有在立方点阵中,晶面法向和同指数的晶向市重合的,即倒易矢量ghkl 是与相应指数的晶向[hkl]平行
6)某一倒易基矢垂直于正交点阵中和自己
3、 何为零层倒易截面和晶带定理?说明同一晶带中各晶面及其倒易矢量与晶带轴之间的关系。
零层倒易截面:通过倒易原点的倒易平面,用(uvw )0*表示。
晶带定理::同一晶带中所有晶面的法线都与晶带轴垂直,hu+kv+lw=0
关系:我们可以将晶带轴用正点阵矢量r=ua+vb+wc 表达,晶面法向量用倒易矢量r*=ha*+kb*+lc*表达。
由于r*与r 垂直,所以:
从而得到hu+kv+lw=0。
(凡是属于 [uvw]晶带的晶面,它们的晶面指数(hkl )都必须符合上式的条件)
()()0r r ha kb lc ua vb wc ****⋅=++⋅++=
4、 电子衍射的基本公式是什么?试进行推导。
(**)
基本公式:R·d=L·λ,L -衍射长度、相机长度(mm )
推导:电子衍射花样中:
❖ Q 是中心斑点
❖ P 是{hkl}晶面族的衍射斑点,二者距离为:
θL R tan2⋅=
❖ 电子λ很短,电子衍射的2θ很小,有
θθθsin 22sin 2tan ≈≈
❖ 代入布拉格方程得电子衍射的基本公式:R·d=L·λ
❖ 式中:L -衍射长度、相机长度(mm )
5、 选区电子衍射的原理。
(**)
选区衍射就是在样品上选择一个感兴趣的区域,并限制其大小,得到该微区电子衍射图的方法,也称微区衍射。
获取衍射花样的方法有光阑选区衍射和微束选区衍射,前者多在5平方微米以上,后者可在0.5平方微米以下。
光阑选区衍射是在物镜像平面上插入选区光阑限制参加成象和衍射的区域来实现的(或者说通过在物镜像平面处插入一个孔径可变化的选区光阑,让光阑的孔只套住我们感兴趣的那个微区,那么光阑以后的成像电子束将被挡住,只有该微区的成像电子束才能通过光阑进入中间镜和投影镜参与成像)。
微束选区是用汇聚束直接在样品上选择感兴趣部位获得该微区衍射像。
当把成像操作变换为衍射操作后,就可以获得选区的电子衍射花样。
在选区衍射中还应该注意选区与衍射的不对应性。
6、 什么是相机常数与有效相机常数。
(**)
相机常数:一定加速电压下,λ值确定,则相机常数K=Lλ ,L -衍射长度、相
机长度(mm )。
有效相机常数:Rd= λf M 中M 投 ,令L´=f M 中M 投为有效相机长度,
则R d = L´λ =K´---有效相机常数
注意:L´并不直接对应于样品至照相底板的实际距离。
因为L´=f M 中M 投
取决于物镜、中间镜和投影镜的激磁电流,所以K´随之改变
7、 说明多晶体、单晶体及非晶衍射花样的特征及形成机理。
(***)
1)单晶体的斑点花样:一系列按一定几何图形分布、排列规则的衍射斑点,反映结构的对称性。
形成机理:倒易原点附近的球面可近似看作是一个平面,故与反射球相截的是二维倒易平面,在这平面上的倒易点阵都坐落在反射球面上,相应的晶面都满足Bragg 方程,因此,单电子的衍射谱是而为倒易点阵的投影,也就是某一特征平行四边形平移的花样。
2)多晶体的电子衍射花样是一系列不同半径的同心圆环。
形成机理:多晶取向完全混乱,可看作是一个单晶体围绕一点在三维空间内旋
转,故其倒易点是以倒易原点为圆心,(hkl )晶面间距的倒数d
1为半径的倒易球,与反射球相截为一个圆.所有能产生衍射的斑点都扩展为一个圆环,故为一系列同心圆环。
3)非晶态物质的电子衍射花样只有一个漫散的中心斑点。
形成机理:非晶没有整齐的晶格结构。
8、单晶与多晶衍射花样分别如何进行标定(*****)。
详情请看电子衍射3-11-14ppt
(1)晶体结构已知单晶电子衍射花样标定
①标准花样对照法:只适用于简单立方、fcc、bcc和hcp的低指数晶带轴。
因为这些晶系的低指数晶带的标准花样可以在有的书上查到,如果得到的衍射花样跟标准花样完全一致,则基本上可以确定该花样。
不过需要注意的是,标定完了以后,一定要验算它的相机常数,因为标准花样给出的只是花样的比例关系,而对于有的物相,某些较高指数花样在形状上与某些低指数花样十分相似,但是由两者算出来的相机常数会相差很远。
②已知相机常数和样品的晶体结构
·测量R
1、R
2
、R
3
、R
4
·根据Rd=Lλ求出d
1、d
2
、d
3
、d
4。
查附表可以确定{H1K1L1}、{H2K2L2}、…
·因为R//g//N
·R之间的夹角=衍射面之间的夹角。
测定R之间的夹角,采用尝试-校核法确定每一个HKL面指数
·求晶带轴指数 [uvw]= R
1╳R
2
=g
1
╳g
2
③已知样品晶体结构、相机常数未知
标定有三种情况,①已知晶体(晶系、点阵类型)的衍射花样指数标定,常用方法有有Rj/R1特征值法、标准衍射花样对照法和d值法;②晶体结构未知;③晶体点阵完全未知。
d值法标定多晶衍射花样:
圆环的半径可以用下式来计算:R=Lλ/d;
1、测出各衍射环的直径,算出它们的半径;
2、考虑晶体的消光规律,算出能够参与衍射的最大晶面间距,将其与最小的衍射环半径相乘即可得出相机常数和相机长度(如果相机常数已知,则直接到第三步);
3、由衍射环半径和相机常数,可以算出各衍射环对应的晶面间距,将其标定。
如果已知晶体的结构是面心、体心或者简单立方,则可以根据衍射环的分布规律直接写出各衍射环的指数。
9、已知金属钨(W)为体心立方晶体(a=0.31848nm),当采用的透射电子显微镜的相机常数为 2.5mm nm 时。
画出晶带轴是 001、011、 11 1 、012、 13 1 方向的标准零层倒易面上的衍射斑点,将每一斑点指数化。
其多晶衍射环又是什么形状,并指标化。
(*****)
10、已知金属铝(Al)为面心立方晶体(a=0.4049nm),当采用的透射电子显微镜的相机常数为 2.5mm nm 时。
画出晶带轴是 001、011、 11 1 、012、 13 1 方向的标准零层倒易面上的衍射斑点,将每一斑点指数化。
其多晶衍射环又是什么形状,并指标化。
(*****)
标准零层倒易面画法遵循晶带定理和消光规律,具体画法:/p-244731337.html&endPro=true ppt33-36页。
多晶衍射图像是一系列同心圆环,标定见第八题。