第九章ASML步进式光刻机

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ASML-光刻机介绍上课讲义

ASML-光刻机介绍上课讲义
1. Control the Standard Mechanical InterFace (SMIF) port,
2. Identify the reticles,
3. Load and unload reticles to/from the library,
4. Prealign the reticle on the reticle table,
• OA (Off-Axis illumination, ATHENA)
• CT (Contamination and Temperature control)
Eng-3 / Photo
4/3/2020
SMSECIUCRITY 3 SMIC- INTERNAirmount
• WH (Wafer Handling)
• LS (Level Sensor)
• SWS (Scanning Wafer Stage)
• SRS (Scanning Reticle Stage)
• AL (Alignment)
• IS (Image Sensor)
• IP&IL (Illumination and Projection)
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4/3/2020
SMSECIUCRITY 3 SMIC- INTERNAL
System Overview
SYMBOLS
SMIC
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SYSTEM BUILDUP
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步进式光刻机安全操作及保养规程

步进式光刻机安全操作及保养规程

步进式光刻机安全操作及保养规程步进式光刻机是一种高精度、高效率的微影技术设备,广泛应用于微电子、微机械等领域。

在使用步进式光刻机时,为确保操作人员的安全、保证设备的可靠性和稳定性,必须遵守以下安全操作规程和保养规程。

安全操作规程1. 操作人员要进行安全培训在第一次使用步进式光刻机之前,操作人员应经过相关人员的指导和培训,了解设备的性能、操作方法以及安全风险等相关内容,并掌握必要的工作技能和操作方法。

2. 进入实验间前,操作人员应穿戴好防护设备在进入实验间前,操作人员应穿戴好防护服、防护眼镜等相关防护设备,以防止意外的误伤。

3. 禁止在操作过程中随意触摸设备在操作过程中,操作人员要尽量避免随意触摸设备,以防止操作不当引发意外伤害。

4. 正确调节操作参数在使用步进式光刻机进行微影时,在设备调节参数时,应根据设备和光刻胶的特性,选择合适的参数。

并手动调控测试阶段,确保调节的参数能够在实际操作中顺利适用,防止因为参数不匹配破坏板子或浪费试剂等。

5. 禁止未经许可将设备开机在没有技术指导人员授权的情况下,任何人员不得擅自开机操作,确保操作人员和设备的安全。

6. 避免大幅度摇动或拆卸设备对于步进式光刻机具体结构的维护和保养,应由专业的维护人员进行,并切勿随意拆卸设备、摇动设备,防止破坏设备结构,反而危及操作人员的安全。

保养规程1. 定期清洗设备在使用步进式光刻机一段时间后,应对设备进行定期清洗,清洗时应密切按照操作流程进行,尤其是对光学模块应当格外谨慎,防止意外伤害和光学结构的损坏。

2. 定期检查设备和设备维护在设备长期使用的过程中,应定期进行设备检查,检查包括光刻机设备是否稳定,污染情况、清洗屏障是否完整和光源是否工作正常等等,保证设备的可靠和稳定。

3. 定期更换光刻胶步进式光刻机在使用时,涉及到的光刻胶需要根据不同生产需求进行定期更换,从而保证光阻剂沉积的稳定性和系数的变化情况。

而胶池更换后,需进行清洗和更换以防止更换不彻底的胶池造成工艺不稳定现象。

ASML 光刻机介绍

ASML 光刻机介绍
Eng-3 / Photo
12/11/2018
SECURITY 3 SMIC SMIC- INTERNAL
SMIC
Sub-Modules
• Airmount
Separating machine into two parts: Silent World and External World • Purpose: Vibration Isolation Position Control Diagnostic Tool
• • • • •
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SECURITY 3 SMIC SMIC- INTERNAL
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12/11/2018
SECURITY 3 SMIC SMIC- INTERNAL
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12/11/2018
SECURITY 3 SMIC SMIC- INTERNAL
SMIC
Sub-Modules
• ILLUMINATION AND PROJECTION • Purpose The purpose of the illumination system is to expose the reticle image through the projection lens on to the wafer. The illumination system creates a light beam of high intensity and even uniformity, at reticle level, which has the proper spectral composition.

ASML光刻机介绍

ASML光刻机介绍

• WH (Wafer Handling)
• LS (Level Sensor)
• SWS (Scanning Wafer Stage)
• SRS (Scanning Reticle Stage)
• AL (Alignment)
• IS (Image Sensor)
• IP&IL (Illumination and Projection)
9/6/2019
SMSECIUCRITY 3 SMIC- INTERNAL
System Overview
SMIC
SAFETY
OVERVIEW OF POTENTIAL HAZARDS The main hazards related to the PAS 5500/500, /550, /700 are: • Laser radiation, including high intensity deep ultra violet (DUV) laser radiation of 248 nm • Laser gases, including very-toxic fluorine • Mechanical movements. • Other hazards are: • Magnetic fields • Remote control of the unit using the Remote Monitoring and Control System (RMCS)
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9/6/2019
SMSECIUCRITY 3 SMIC- INTERNAL
System Overview
SMIC
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9/6/2019

ASML 光刻机介绍.ppt

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SMIC
10/27/2020
SMSECIUCRITY 3 SMIC- INTERNAL
System Overview
SMIC
• PAS 5500 WAFER SCANNER OVERVIEW
• Purpose
The PAS 5500 is a fully automatic step-and-repeat camera for exposing wafers used for manufacturing of integrated circuits.
• IS (Image Sensor)
• IP&IL (Illumination and Projection)
• OA (Off-Axis illumination, ATHENA)
• CT (Contamination and Temperature control)
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10/27/2020
SMSECIUCRITY 3 SMIC- INTERNAL
Sub-Modules
• Airmount
Separating machine into two parts: Silent World and External World
• Purpose: Vibration Isolation Position Control Diagnostic Tool
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10/27/2020
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Sub-Modules
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• Advanced reticle management system (ARMS)

步进投影光刻机及其常见故障分析

步进投影光刻机及其常见故障分析

步进投影光刻机及其常见故障分析雷宇【摘要】根据步进投影光刻机的基本原理及其基本结构,分析了影响投影光刻工艺的主要因素.根据多年对设备的维修经验,总结了ASML步进投影光刻机的常见故障并给出了相应的解决方法.【期刊名称】《电子工业专用设备》【年(卷),期】2018(047)002【总页数】6页(P40-45)【关键词】曝光;预对准;调平调焦;同轴对准【作者】雷宇【作者单位】中国电子科技集团公司第十三研究所,河北石家庄 050051【正文语种】中文【中图分类】TN305投影光刻工艺是半导体器件制造工艺中最重要的工艺之一,步进投影光刻机是完成投影光刻工艺技术的关键设备。

自1978年美国研制出世界首台商业化的分步重复(g线)投影光刻机以来,投影光刻机以其性价比高、兼容性强的特点备受推崇[1]。

经过各大设备制造厂商几十年的发展,投影光刻机已经由g线、i线,发展为紫外光刻、深紫外光刻以及浸没式光刻机。

投影光刻机是半导体工艺设备中最为复杂而且精密的设备之一,其维修涉及光学、电子、精密机械以及自动控制等多学科知识。

1 投影光刻的原理投影光刻技术是利用i线或紫外光、深紫外光等既定光源,通过缩小投影镜头,以4∶1或5∶1的缩小倍率,经过多层的曝光,将掩模工艺板上预制的图形转换到由硅、二氧化硅或其他化合物制成并经过清洗、涂胶等先期处理的圆片的光刻胶上,再进行后续工艺处理。

2 投影光刻机的结构以ASML光刻机为例,投影光刻机主要包括圆片传输系统、曝光系统、环境控制系统和操控台4部分,如图1所示。

图1 ASML某型号光刻机结构示意图2.1 圆片传输系统圆片传输系统包括圆片传输单元和圆片预对准单元。

圆片传输单元主要由片盒升降机构、片盒内圆片水平检测、取片机械手、异型机械手、下片机构等组成。

圆片预对准单元主要由标记传感器、圆片旋转机构、圆片定中机构、平边探测器等组成。

它的功能是把要曝光的圆片经过预对准系统找标记、定中心、找平边以后,把预对准后的圆片放到工作台的曝光位置,曝光完毕将圆片放回片盒相应的片槽内。

2024年步进式光刻机市场分析现状

2024年步进式光刻机市场分析现状

2024年步进式光刻机市场分析现状1. 引言步进式光刻机是一种关键的半导体制造设备,广泛应用于集成电路制造行业。

本文将对步进式光刻机市场进行分析,并探讨当前市场现状。

2. 市场规模步进式光刻机市场在过去几年里快速增长。

根据市场研究公司的数据,2019年步进式光刻机市场规模达到了XX亿美元,预计到2027年将达到XX亿美元。

3. 市场驱动因素3.1 科技进步随着集成电路制造技术的不断进步,对步进式光刻机的需求不断增长。

步进式光刻机能够实现高分辨率、高精度的曝光,满足了现代芯片制造的要求。

3.2 5G技术的发展5G技术的快速发展带动了步进式光刻机市场的增长。

5G时代对芯片制造的要求更高,需要更小的线宽和更高的集成度,这就对步进式光刻机提出了更高的要求。

3.3 人工智能和物联网的兴起人工智能和物联网的兴起也推动了步进式光刻机市场的增长。

这些新兴技术对芯片制造的需求增加,进一步推动了步进式光刻机的需求。

4. 市场竞争格局当前步进式光刻机市场竞争激烈,主要厂商包括ASML、Nikon和Canon等。

这些厂商拥有先进的技术和丰富的经验,在市场上占据了主导地位。

5. 市场挑战虽然步进式光刻机市场前景广阔,但也面临一些挑战。

首先,步进式光刻机的价格较高,限制了一部分企业的采购能力。

其次,新兴技术的快速发展使得市场需求不断变化,厂商需要不断创新来适应市场。

6. 市场趋势6.1 进一步提升分辨率随着芯片制造工艺的不断进步,对步进式光刻机的分辨率要求越来越高。

未来步进式光刻机将需要更高的分辨率来适应市场需求。

6.2 提高生产效率为了满足市场对大规模芯片生产的需求,步进式光刻机需要提高生产效率。

通过提高曝光速度和减少待机时间,可以降低芯片制造的成本。

6.3 智能制造的发展随着智能制造技术的不断进步,步进式光刻机将越来越智能化。

未来的步进式光刻机将具备自主诊断和自动校准等功能,提高生产的稳定性和效率。

7. 总结步进式光刻机市场在科技进步和市场需求的推动下快速增长。

步进光刻机工作原理

步进光刻机工作原理

步进光刻机工作原理
步进光刻机是一种用于微电子器件制造的关键工具,其工作原理涉及光学、机械和化学过程。

以下是步进光刻机的基本工作原理:
1. 准备掩膜:首先,需要准备一张掩膜,上面有要制作的微电子器件的图形。

掩膜通常是透明的,而器件的图形是由光刻胶形成的。

2. 涂覆光刻胶:将光刻胶涂覆在硅片或其他基底上。

这是一个光敏感的聚合物,其化学性质在曝光后会发生变化。

光刻胶的涂布均匀性对于后续步骤的成功非常重要。

3. 曝光:使用紫外光或深紫外光(DUV)通过掩膜上的图形来曝光光刻胶。

曝光的光线穿过掩膜的透明区域,照射到光刻胶上。

在受到光照的区域,光刻胶的化学性质发生变化。

4. 显影:在曝光后,通过显影将未曝光的光刻胶去除,留下已曝光部分。

这一步会使用化学溶液,将光刻胶的部分去除,露出底层的硅片或其他基底材料。

5. 蚀刻:在光刻胶露出的区域,进行蚀刻。

这一步使用化学溶液或等离子体来去除暴露的底层材料,从而形成微电子器件的结构。

6. 清洗:清洗去除显影和蚀刻过程中产生的残留物,确保制造的器件表面干净。

7. 检查:对制造的微电子器件进行检查,确保其质量和准确性。

步进光刻机通过不断的步进运动,可以精确地对整个硅片进行多次曝光和显影,从而逐渐构建复杂的微电子器件。

这种精密的制造过程对于半导体工业和微电子器件的生产至关重要。

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第九章.步进扫描式光刻机荷兰的光刻设备是全球最好的光刻设备制造商,光刻设备是芯片行业最主要,最关键也是最贵的设备,以下我们以 5500 为研究对象进行讨论,光刻机主要由光罩采集和存放系统,光罩扫描系统,硅片传输送系统,防振系统,硅片移动扫描系统,光照投影系统,光罩及硅片对准系统,温控系统,电器柜以及人机界面操作系统构。

本文主要对其核心组件加以介绍,内容包含曝光系统,光罩台(),晶圆台( ),防震系统( ),对准系统()。

9.1野史:17世纪1608年在伽利略发明望远镜之前,一个叫汉斯·利普塞尔荷兰眼镜商人发现用两块镜片可以看清远处的景物,受此启发,制造出了人类历史上第一架望远镜。

之后此事传入伽利略耳中,他制造了更精确的望远镜,这一发明开始为科学服务。

三百年过去了,荷兰人在半导体光刻领域依然保持了其不可动摇的地位。

9.2基础知识:两个重要公式1*波长2*波长/()大代表成像系统能收集到更高阶的衍射级数,而高阶衍射光越多,图像细节越清晰,分辨率越好R代表分辨率,R越小越好,说明分辨率高,然而R变小会引起聚焦深度的变小,所以后来就分别引入两个系数K1和K2,和材料等有关系。

另外采用不同的照明方式也可以提高聚焦深度。

利用傅里叶光学变化,我们可以将光分解为0阶,1阶,3阶,5阶,7阶,阶数越高图象越清晰。

如何定义0阶,1阶和2阶曾,我们把从圆心到顶弧处的光波弧度最大处定义为0阶,0阶光强最强,同理由可得1阶。

光罩间的间距越大,入射角越小,更容易捕捉成像。

从图9-5我们不难看出,光的衍射还取决于波长,采用短波长的光源可以减少衍射。

从而提高分辨率。

因为1*波长由式(1)和式(2)可知,曝光波长的缩短可以使光刻分辨率线性提高,但同时会使焦深线性减少,由于焦深与数值孔径的平方成反比,增大投影物镜的数值孔径,所以在提高光刻分辨率的同时会使投影物镜的焦深急剧减少。

由于硅片平整度误差,胶厚不均匀,调焦误差以及视场弯曲等因素的限制,投影物镜必须具备足够的焦深,离轴照明可以提高焦深。

9.3 曝光系统用于提供不同的光学图象,提高分辨率,离轴照明可分为环行照明四极照明和二极照明。

5500 提供波长为193的深紫外光源。

在光路设计方面尽可能减少关学器件的使用以此保证系统达到所需要的光强。

为了得到曝光所需要的光,我们需要通过一些列的光学元件来实现。

下面我们以 5500 为例子来研究。

9.3.1汞灯:汞灯用来提供曝光用的光,汞灯内部有正负极,当灯亮的时候,电流从正级流到负极,这时里面的汞就变成了导体。

一旦温度高到200摄氏度时,水银就不再是液体,而转变成为液体汞灯发出的光向各个方向扩散,我们需要把光汇聚起来,打到大光强的目的,这时候一个椭圆镜是必须的了。

我们知道椭圆有两个焦点,我们把光源放到一个焦点上,那么光就会聚到另外一个焦点上,那就是快门的位置。

同时这个椭圆镜还有另外一个功能,吸收不需要的光线。

9.3.2反射出来的光也不是全部需要的,我们只需要365()或者的波长,别的波长的光也是要淘汰的,这时候就上场了,它的作用就是过滤掉不要的东西,只让需要的波长的光通过。

9.3.3有了我们需要的光源就可以曝光了吗?当然不可以,因为我们不仅需要很纯的光,还需要均匀的光,这样投射到上不会造成各个地方的不一致。

谁来担当这个重任呢?用的是一种叫的玻璃长方体。

的作用是将光打散,使其更加均匀。

因为光从出来后,本身在X , Y 方向上是分布不均匀的。

这也是为什么在的机器上没有的一个原因。

由于我们是一个的尺寸,X 方向宽, Y方向比较窄,所以光进入到出来后,X 方向的反射少于Y 方向,相对的光强损失的就少。

(其中用来测光强)另一方面也相当于是一个偏正器,控制光在我们所需要的理想区域,如图1,2,3在里发生多次折射。

9.3.4有了均匀的光,我们就可以拿来曝光用,可是有时候我们不需要全部视场大小的光,可能只要曝光一个很小的区域,这时候用于挡光的机构,叫,叫的东西就用上了,他们都是上下左右四块挡片,用马达带动,需要多大的区域只要让马达带动挡片,把不要的光遮住,这样就可以曝光我们需要的地方了。

9.3.5 (镜头)最后,通过一块大的把光汇聚一下,就可以投射到上进行曝光了。

光进入不同的介质都会被吸收,发生折射或衍射,折射的多少取决于材料的使用,假设在里发生多次折射,那么这些方向无规则的光就成为了杂散光,那么我们需要用一些能防止折射的涂层来减少杂散光的产生。

/里面有99.5%的氦和0.5%的氧用来防止大气污染,另外通有纯水以保证内部22度的常温9..6总结这些是照明系的主要组成部分,随着技术的发展,厂家加入一些用于提供分辨率的机构来达到要求。

比如有一种变形照明,在光路中加入了一个可以旋转的圆盘,圆盘上有一些用于产生特定图形的东西,如小,等等,有的时候还需要两块来进行光的处理。

在的光路里,又会有很多负责产生各种的机构,以及发展到最后,需要偏振光,等等。

反正是越先进的东西,里面的镜头用的就越多。

图9-13中的凹凸透镜是可以移动,通过它们的移动,可以透射出不同的光像,也就是不同的的光源。

肯定可以调的,光刻机的采用的类似于照相机改变光圈的机构来改变大小,用的是变形照明,就是在转盘上装上不同的的挡片来改变,一般有用于最大曝光的,用于孔的小,用于条的,9.3.7光学补偿:底部光学器件的主要作用是补偿在X和Y 方向上光强的差异。

这里要引入一个概念,, = X Y ,意思是我们的光斑在 X Y方向上的光强的差异。

= | 1-∑y / ∑x | * 100%图9-14理论上讲,会造成 & 的差异。

如下图的, , 在中间亮度高,上下两端亮度低。

在我们的光罩上有水平和垂直的线。

中间的图片显示很小,经过后的光的量在水平及垂直方向上一致,那么的差异就小。

如上图右侧图片显示,在经过后,Y方向上的光丢失较少,X方向上丢失较多,那么最终的就会有差异。

这种差异在的效应会更明显。

在上,因为线的密度高,所以更高,造成的差异更明显。

是在将镜片等分成4个区域,使用1(100%)和0.945(94.5%)的穿透率。

我们可以想象,当旋转一定角度的时候,就可以减少或增加X,Y方向上透过的光强,已达到使其平均的目的。

从图片中我们可以清楚地看到,镜片的透光率的不同。

以下是一个例子,旋转不同的角度,会有不同的结果。

图9-179.3.8光路图:图9-18其中我们之前已经介绍过,用于提供激光光源,这里不再阐述。

9.4 (工作台),直接理解就是工作台。

每一片就是放在这个工作台上进行曝光的。

因为一个产品不可能只曝一层就可以了,这就需要每一层之间的要非常小,不至于产品报废。

的工作精度是保证的重要因素之一。

为什么说“之一”呢?因为曝光的过程是各个合作的结果,要每一个都很好才能生产出合格的产品。

除了,系统和的畸变都会影响到的结果。

都有那些东西呢?首先要有水平方向移动的驱动部件,比较老的机器如G6和I8等都是有刷电机带动丝杆,等到先进一点的机器如I14,就发展到用线性马达驱动了,使用的是气浮台,阻力比丝杆小很多,这样速度也就上去了。

除了水平方向,垂直方向也要可以动作,这样才能保证在的焦面上工作。

熟悉老的机器的知道专门有一个叫的组成部分,它是下面有一个楔形机构,用一个马达拖动,通过这个楔形机构使水平运动转化为垂直运动。

等到更先进一点的机器,从I12开始,和集成到一起,在底下平均分布这三个带楔形机构的马达,叫马达,这三个马达向同一方向运动,就能达到Z方向运动的目的,向不懂方向运动,就可以补偿。

什么叫?就是找到水平面。

这个水平面不是绝对水平面,而是焦面。

的焦面不可能做到完全水平,多多少少会有一点倾斜,而且表面经过多层工艺,表面上已经是高低不平,所以每次曝光之前都要把这个水平面找到,在系统和的共同作用下,补偿这个。

除了X,Y,Z(),,( )方向的运动,方向也需要的。

也就是,补偿的是的。

一片放到上面,不可能每次都放的非常准,多多少少有一点偏差,方向可以用的位置来补偿,就要靠来补偿了。

这个设计的有点傻,它的旋转支点不在正中间,这样造成补偿时候,方向也跟着变化。

后来的机器(i12开始),就取消了这个,直接用来补偿了。

的是一种塔状设计,最底层是方向运动的,上面是,再上面一层就是,再上面就是,然后就是了。

但是从i12开始,和被取消了,这样就精简了很多,所以i12以后的设计还是比较科学的。

上面介绍了一些硬件构成,但是仅仅这些马达不能使精度到达级别,甚至级别(在出现以后,的精度需要到级别了)。

闭环控制很重要的一环就是要有反馈,反馈从哪里来的呢?当然是测量系统给出来的。

的精度取决于测量系统和马达的配合。

所有的的水平方向的运动都是靠干涉计来确定的(不管是还是,都是用,别无二家),它的原理就是迈克尔逊干涉仪和多普勒效应,有兴趣的可以百度一下。

最刚开始G6或者g7只用两根激光,X和Y方向各一根,越往后激光用得越多,到后来听说要达到十几根,那时候的控制已经是非常复杂了,超出我所能理解的范畴了。

的设计就没有那么复杂了,它的作用就是找到的,把它对准到上的上,这样就相当于的中心在中心了。

的有三个马达,只做水平运动,一个X方向,两个Y方向,这样两个Y方向马达控制的。

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