第二章_材料的电学性能(金属及合金的导电性及电阻的测量)
材料的电学性能分析课件

电容和电感的应用
1. 电容的应用
电容在各种电子设备和系统中都有应用,如滤波器、耦合器、去耦电路、调谐器等。电容还可以用于储能和缓冲 ,例如在闪光灯中用于提供瞬时大电流。此外,电容传感器在测量位移、压力、温度等方面也有广泛应用。
电感的应用
电感在变压器、扼流圈、振荡器等电子设备和系统中有着广泛的应用。电感还可以用于信号筛选和抑制电磁干扰 。例如,在音频设备中,电感常用于低音提升电路来调整低频信号的幅度。此外,电感在电机控制、电磁阀等工 业控制领域也有着重要的应用。
金属的导电能力与其纯度、温 度、金属的种类等因素有关。
绝缘体的导电性
绝缘体通常具有较高的电阻,其导电 能力非常有限。
在特定条件下,绝缘体也可以转变为 导体,这种现象称为“导电性转变” 。
绝缘体的导电性能与其内部结构、分 子排列、电子亲和力等因素有关。
半导体的导电性
半导体的导电能力介于金属和绝 缘体之间,其电阻率可在较大范
电容和电感测量实验
总结词
电容和电感是表征材料存储电荷和传来自 磁场的能力的参数,通过电容和电感测 量实验可以深入了解材料的电磁性能和 物理性质。
VS
详细描述
在电容和电感测量实验中,通常采用电桥 法或交流阻抗谱法来测量材料的电容和电 感。该实验可以在不同温度、不同频率等 条件下进行,以研究材料电磁性能的变化 规律。此外,通过对比不同材料之间的电 容和电感差异,可以深入了解材料的物理 性质和潜在应用价值。
绝缘强度
衡量电介质在一定电场强度下保持绝 缘性能的能力,主要包括耐压强度、 漏电流和电气间隙等参数。
电介质的应用
电容器
利用电介质的介电常数来 储存电能,广泛用于电子 设备和电力系统中的滤波 、耦合和去耦等场合。
第二章 材料的电学性能(二)

金属的接触电位差为这两个原因形成电位差的叠加。
2.11.2 金属-半导体的接触电效应
1. 半导体存在表面势 2. 金属电子的逸出功和半导体存在表面势不同 3.金属-半导体接触。 4.发生扩散 5. 在金属和半导体间形成电位差
第II类超导体 除金属元素钒、锝和铌外,第II类超导体主要包括金属化合物 及其合金。第II类超导体和第I类超导体的区别主要在于: 1)第II类超导体由正常态转变为超导态时有一个中间态(混合 态) 2)第II类超导体的混合态中有磁通线存在,而第I类超导体没有; 3)第II类超导体比第I类超导体有更高的临界磁场。
超导体的完全抗磁性机理:
这是由于外磁场在试样表面感应产生一个感应 电流,此电流由于所经路径电阻为零,故它所产 生的附加磁场总是与外磁场大小相等,方向相反, 因而使超导体内的合成磁场为零。 因此感应电流能将外磁场从超导体内挤出,故 称抗磁感应电流或屏蔽电流。
2.10.3 超导电性的影响因素和基本临界参数
2.9.5 电介质的介电损耗
介质损耗:电介质在外电场作用下,其内部会有发 热现象,表明部分电能已转化为热能耗散掉,这 种介质内的能量损耗。其损耗原因是电导作用和 极化作用引起。
2.10 超导电性
2.10.1 超导电性的发现与进展 什么是超导体?
1. 零电阻 将超导体冷却到某一临界温度 (TC)以下时电阻突然降为零的现 象称为超导体的零电阻现象。不同 超导体的临界温度各不相同。1911 年昂纳斯首先发现,汞在低于临界 温度4.15K时电阻变为零。
2.9 绝缘体的电学性能
2.9.1 电介质的极化
材料的电学性能1PPT课件

1
整体概述
概况一
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概况二
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概况三
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2
目录
2.1导体、绝缘体和半导体的划分 2.2金属的导电性 2.3半导体的电学性能 2.4电介质材料及其介电性能 2.5压电材料及其介电性能 2.6热释电材料及其介电性能 2.7铁电材料及其介电性能 2.8热电材料及其介电性能 2.9超导材料及其超导电性
经典自由电子论的问题根源在于它是立足于牛顿力学 的,而对微观粒子的运动问题,需要利用量子力学的 概念来解决。
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➢ 量子自由电子论
金属离子所形成的势场各处都是均匀的,价电子是共 有化的,它们不束缚于某个原子上,可以在整个金属内 自由地运动,电子之间没有相互作用。电子运动服从量 子力学原理 。(将量子力学观点引入电子理论)
自由电子占据空间服从泡利不相容原理; 能量分布按费米-狄拉克分布函数
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由于在量子自由电子中,电子的能级是分立的不连续的,只 有那些处于较高能级的电子才能够跳到没有别的电子占据的 更高能级上去,那些处于低能级的电子不能跳到较高能级去, 因为那些较高能级已经有别的电子占据着。这样,热激发的 电子的数量远远少于总的价电子数,所以用量子自由电子论 推导出的比热可以解释实验结果。
金属固体
解决前面全 部问题
固体、晶体 10
➢ 经典自由电子论
金属是由原子点阵组成的,价电子是完全自由的,可以在整 个金属中自由运动。自由电子的运动遵守经典力学的运动规 律,遵守气体分子运动论。服从麦-玻(MaxwellBoltzmann)统计规律。
第二章 材料的电学性能(电阻分析)

由公式R=ρL/S、 σ=1/ρ,根据电阻率ρ和电导 率σ的大小,判定材料导电性能好坏, ρ值越小, 电阻则越小, σ越大,说明材料的导电性越好。 按ρ值的大小把材料进行分类:
导
体:
ρ<10-2
Ωm
半导体:
绝缘体:10-3 <源自<109 Ωmρ>109 Ωm
2、导电物理本质(金属的导电理论)
经典自由电子理论 量子自由电子理论 能带理论
第二章 材料电学性能
§3.1电阻分析
导电性 晶体的能带 金属的导电性 电阻的测量 电阻分析的应用
一、导电性
1、电阻率和电导率 欧姆定律:U=RI R表示导体的电阻,可以用来评价材料导电性, 但电阻R不仅与导体材料本身的性质有关,而且还 与其长度l及截面积S有关即: 其值R=ρL/S,式中ρ 称为电阻率或比电阻。 电阻率只与材料特性有关,而与导体的几何尺寸无 关,因此评定材料导电性的基本参数是电阻率或 电导率,电阻率的单 位为Ω· m 电导率:电阻率ρ的倒数σ即为电导率,即σ=1/ρ,电 导率的单位为S/m或Ω-1· -1 m
量子自由电子理论的电阻率表达式
e为电子的电荷量; m﹡为电子的有效质量; n﹡为单位体积内实际参加导电的电子数。 经典电子理论较好的解释了金属导电的物理本质,但是 它是假定金属中所产生的电场使均匀的,不能解释解释 半导体,绝缘体导电性与金属的巨大差异。
高中物理 第2章 第11节 实验 测定金属的电阻率课件 新人教版选修3-1

目
法,测量值小于真实值,使电阻率的测量值偏小.
链
接
3. 金属丝的长度测量、电流表和电压表的读数等会带来偶然误
差.
4. 由于金属丝通电后发热升温,会使金属丝的电阻率变大,造
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栏 目 链 接
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5.本实验由于电流表量程0~0.60 A,测量时通过金属丝的电
流应控制在0.6 A以下,每次通电时间应尽量短(以能读取电表数据为
准),读数完毕立即断开单刀开关,防止温度升高使金属丝长度和电
阻率发生明显变化.
栏 目
6.求R平均值有两种方法:第一种是用R=
U I
算出各次测量
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4.检查线路无误后闭合单刀开关,调节滑动变阻器读出几组
I、U值,分别计算电阻R再求平均值,设计表格把测量的d、L、
U、I填空.
栏 目
5.数据处理,将测得的d、L、U、I的值,代电阻率的计算
链 接
式ρ=π4Ld2Rx中,计算出金属丝的电阻率.
6.拆除电路,整理好实验器材.
电压,用电流表测金属丝中的电流,根据Rx=
U I
计算金属电阻Rx,
然后用米尺测量金属丝的长度L,计算出横截面积S;根据电阻定律
Rx=ρSL,得出计算金属丝电阻率的公式ρ=RLxS=UILS.
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2
2.螺旋测微器的构造原理及读数.
(1)螺旋测微器的构造.
如下图所示是常用的螺旋测微器.它的小砧A和固定刻度G固定
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五、数据处理
1.在求Rx的平均值时可用两种方法.
(1)用Rx=UI 分别算出各次的数值,再取平均值.
栏
材料物理性能——电学性能

p 1 q 2
pq 1
• c1、c2为质量百分数。
c11 c2 2
c1 c2 1
两相片状组织
导电方向
c11 c2 2
导电方向
c11 c2 2
导电性的测量
• 电桥法(单电桥,双电桥-克服附加电阻) • 直流电位差计测量法(消除连线电阻和接触电阻) • 半导体电阻的测量(四探针法) • 绝缘体电阻的测量(电容和冲击检流计测量法)
• 回火能促使偏聚区的形成。 • 加热到高温或进行强烈的冷加工,使偏聚区消失,可降低
电阻率。 • 铝铜合金。加热到单相区固溶;淬火形成过饱和单相固溶
体;加温时效,析出GP区、θ’’,θ ’等。 • 可用电阻分析法研究铝合金的时效过程。
铝合金在180℃时效5 秒钟,铜原子的偏聚
金属化合物的导电性
马基申定律
• 低浓度下固溶体电阻
(T ) (T ) c
• (T )溶剂电阻(晶格热振
动,电子散射),与温度 有关,绝对零度时为零。
• 残余电阻(合金原子,
空位、间隙原子及位错 等),与温度无关。
• 低浓度下溶质原子引起的残余电阻与温度无关,固溶体的 电阻温度系数低于纯金属,而固溶体电阻率随温度变化的 斜率与纯金属相同。
无外加电场,PN区内无电流。
PN结的单向导电性
外加正向电压, PN区内建电位差减小,空穴和自由电子的扩散和漂移的平 衡被打破,扩散大于漂移,产生P指向N的正向电流。U越大,电流越大。
外加反向电压, PN区内建电位差增大,扩散小于漂移,以致与停止。但产 生N指向P的反向电流。由于是少子产生,故电流极小。
评价超导材料的性能指标:
材料物理性能

2.本征半导体的迁移和电阻率
自由电子和空穴热运动,在外电场的作用下做定 向漂移运动,形成电流。漂移过程中不断碰撞,有一 定的漂移速度。 迁移率:单位场强下,载流子的平均漂移速度。
分别用μn和μP分别表示自由电子和空穴的迁移率。
(1)迁移率与外电场强成正比。 (2)自由电子的迁移率较空穴高。 (3)能带宽度大的迁移率低。 本征半导体电阻率:
金属导体的能带分布特点:无禁带 导带 价带 价 带 ( 导 带 )
第一种:价带和导带重叠。 第二种:价带未被价电子填满,价带本身就是导带。
这两种情况下的价电子就是自由电子,所以金属 即使在温度较低的情况下仍有大量的自由电子,具有 很强的导电能力。
非导体的能带分布特点:有禁带
在绝对零度时,满价带和空导带,基本无导电能力。
绝缘体:
禁带宽度大。在室温下,几乎没有价电子能跃迁 到导带中去,故基本无自由电子和空穴,所以绝缘体 几乎没有导电能力。
2.4 金属的导电性
2.4.1 金属导电的机制与马基申定律
金属导电的机制: 经典理论 在外电场的作用下,自由电子在导体中定向移动。 量子理论
在外电场的作用下,自由电子以波动的形式在晶 体点阵中定向传播。
2.8.2 半导体中的能量状态—能带
原子结合状态:价电子共有的共价键。 以Si为例:
单原子能级:3s2 3p2 ,3p 中有4个电子空位。
若有 N 个原子的无缺陷硅单晶:
能带:共价键结合后,能级分裂成满带和空带
满带: 4N 个价电子全部占满,能量 EV 。 空带:有 4N 个空位,没有电子,能量 EC 。 禁带:
2.5.2 金属化合物的导电性
两种金属的原子形成化合物 时,由于原子键合的方式发生本 质变化,使得化合物的电阻较固 溶体大大增大,接近于半导体的 导电性。 原因 部分结合方式由金属键变为 共价键或离子键。
金属材料的导电性与电阻率实验测定

金属材料的导电性与电阻率实验测定导言金属材料的导电性与电阻率是材料科学中重要的物性参数。
通过实验测定金属材料的导电性和电阻率,可以评估材料的导电能力和电阻性能,为材料选择和应用提供依据。
本实验旨在利用简单的实验装置和方法,测定金属材料的导电性和电阻率,并探讨影响导电性与电阻率的相关因素。
实验步骤1. 实验材料和仪器准备本实验所需材料包括金属导线、电源、电流表、电压表和导电金属样品。
确保实验仪器的准确性和稳定性,如电流表和电压表的刻度准确、样品接触良好等。
2. 测量电路搭建使用导线将电流表、电压表和电源连接成串联电路,确保电路接线无误。
3. 金属样品处理清洁金属样品表面的油脂和氧化物,以保证电流顺利通过样品。
观察并记录金属样品的基本信息,如形状、尺寸、材料等。
4. 测定电阻率a) 将金属样品夹持在恒温水槽中,保持恒定的温度。
b) 依次调节电源和电流表,使电流依次通过金属样品,记录电流值I。
c) 依次调节电源和电压表,测量样品两端的电压V。
d) 根据欧姆定律,计算金属样品的电阻R = V/I。
e) 根据电阻率的定义,计算电阻率ρ = R * A / L,其中A为样品横截面积,L为样品长度。
5. 测定导电性a) 保持金属样品的恒定温度和电流。
b) 分别测量样品两端的电压V1、V2、V3等,并记录相应的电流I。
c) 根据电导率的定义,计算电导率σ = I / (V1 + V2 + V3)。
d) 将电导率与电阻率互为倒数,即σ = 1/ρ,可得到导电性与电阻率之间的关系。
结果与讨论通过上述实验步骤,我们可以得到不同金属材料的导电性和电阻率数据。
根据实验数据,我们可以进一步讨论导电性与电阻率的影响因素。
1. 温度对电阻率和导电性的影响实验中通过恒温水槽控制金属样品的温度,观察电阻率和导电性是否随温度的变化而变化。
通常情况下,温度升高,金属材料的电阻率会增加,导电性会降低。
这是因为温度升高时,金属晶体中电子受热运动加剧,电子与晶格之间的散射增多,电子的自由运动能力减弱,导致电阻率的增加。
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ρ0 为无负荷电阻率,αγ 应力系数,σ为拉应力。
(2)压力的影响 对于大多数金属,压力能降低金属的电阻率。
ρ0 为真空下电阻率,υ 压力系数,为负值,p为拉应力。 在高压下,原子间距缩小,内部缺陷的形态、电 子结构、费米面、能带结构及电子散射机制等都发生 了变化,从而影响材料的导电性,甚至可能导致物质 的金属化。 发生从绝缘体→半导体→金属 →超导体的某些转变 。
2.7.4 研究淬火钢的回火
图中曲线表明,淬火后在110℃回火时电 阻开始急剧降低,其原因时产生了马氏 体的分解。 在230℃左右时由于残余奥氏体发生分解, 电阻又发生了更为激烈的下降。 当温度高于300℃时,电阻下降很小,说 明固溶体分解基本结束,开始发生亚稳 碳化物向稳定碳化物转变且聚集的过程。
C 为杂质原子含量,ξ 为溶入1%杂质原子时引起的
附加电阻率。
附加电阻率ξ 的大小取决于溶剂和溶质金属的价数,
原子价差别越大, ξ 越大。
a、b 为常数,ZZ 、 ZJ 分别为溶质和溶剂的原子价 数。 3. 有序固溶体(超结构)的电阻 合金有序化时,电阻降低。
主要原因:晶体的离子势场在有序化后对称性增强, 对电子的散射几率大大降低,使得有序合 金的残余电阻减小。
1.低温时效: 电阻随时间的增长而增大。
原因: 低温时,均匀固溶体随着时间的增加, 溶质原子在晶格点阵中发生优势偏聚, 乃至形成小的晶核等结构缺陷。使得电 阻增大。
2.高温时效: 电阻随时间的增长而减小。 原因: 高温时,均匀固溶体随着时间的增加, 从固溶体中析出一些有序相,降低了溶 质浓度。使得电阻降低。
2.7.2 合金的有序-无序转变
合金有序后电阻率降低。
2.7.3 测量固溶体的溶解度
合金溶解度增加,电阻率增大。
2.7.3 测量固溶体的溶解度
有一含碳量为1.22%的钢采用850℃淬火,然后进行 回火,于室温侧电阻变化如图所示,试分析该钢 从100℃到400℃连续加热的过程中电阻随曲线的 变化规律,并分析原因。
2.5.2 金属化合物的导电性
两种金属的原子形成化合物 时,由于原子键合的方式发生本 质变化,使得化合物的电阻较固 溶体大大增大,接近于半导体的 导电性。 原因 部分结合方式由金属键变为 共价键或离子键。
2.6 导电性的测量
利用欧姆定律和一些测试方法,对材料的电阻进行 精确测量。
2.6.1 导体电阻的测量
1. 单电桥(惠斯通电桥)法 2. 双电桥(开尔文电桥)法 3. 直流电位差计测量法
2.7 电阻分析的应用
材料的电阻对材料的成分、结构和组织变化很敏感, 故可利用测量电阻的方法,间接对材料的成分、结构和 组织变化进行分析。较多的被用于对合金的研究。
2.7.1 研究合金的时效性
合金的 时效性 均匀固溶的合金随着时间的变化,其 组织结构发生变化。 伴随电阻改变。
在连续固溶体中,合金 成分距组元越远,电阻率越 高。在二元合金中,最大电 阻率一般出现在 50% 浓度 处,而且比组元电阻高几倍。
2. 固溶体电阻与温度的关系 固溶体中加热时,电阻率通常增大,但其电阻温 度系数与纯金属相比降低,电阻率随成分而变。 低浓度时电阻率为:
ρT 为溶剂组元的电阻率,ρ, 为残余电阻率。
2.7.5 研究材料的疲劳性
原理:外应力(拉伸和扭转应力)使得材料内部 出现位错、裂纹等缺陷,是的材料的电阻
率增大。并随时间的增长,效果变强。
因此,金属室温以上的线性关系被破坏。
金属多晶型转变 多晶型金属的不同结构具有不同的物理性质,电 阻温度系数也不同,电阻率随温度变化将发生突变。 (3)铁磁金属的电阻-温度关系反常
铁磁材料随温度的变化,在一定温度下发生铁磁顺磁的磁相转变,从而导致电阻-温度关系反常。
2. 受力情况对金属电阻的影响 (1)拉力的影响
对于非过渡族金属: θD ≤ 500 K,当 T > 2/3 θD 时,
可略去高次项,具有线性关系。
(室温以上)
室温以上
电阻温度系数
纯金属的电阻温度系数大多近似为 过渡族金属特别是磁性金属较大,如铁的值为 (2)过渡族金属和多晶型转变 过渡族金属
,
在过渡族金属中电阻与温度的关系复杂,Mott认 为这是由于过渡族金属中存在着不同的载体。 传导电子有可能从 s- 壳层向 d- 壳层过渡,对电阻 带来明显影响。另外,在 时,s态电子在 d 态电子上的散射将变得很可观。
2.4 金属的导电性
2.4.1 金属导电的机制与马基申定律
金属导电的机制: 经典理论 在外电场的作用下,自由电子在导体中定向移动。 量子理论
在外电场的作用下,自由电子以波动的形式在晶 体点阵中定向传播。
根据量子电子论和能带理论得出电导率计算公式:
e 电子的电荷量,n* 单位体积内的有效电子数, m*电子的有效质量,τ电子两次相邻散射的时间间隔。
6. 几何尺寸效应对金属电阻的影响
当试样的尺寸与导电电子的平均自由程在同一数 量级时,电子在表面发生散射,产生附加电阻。
7. 电阻率的各向异性
一般立方晶系的单晶体电阻表现为各向同性,但 对称性较差的六方、四方、斜方等晶系单晶体的导电 性表现为各向异性。 多晶体各向同性。
Байду номын сангаас
2.5 合金的导电性
2.5.1 固溶体的导电性
其中:
令: (散射系数)
则电阻率为:
电阻的本质 电子波在晶体点阵中传播时,受到散射,从而产 生阻碍作用,降低了导电性。 电子波在绝对零度下,通过一个理想点阵时,将 不会受到散射,无阻碍传播,电阻率为0。
电阻产生 的机制 (1)晶体点阵离子的热振动(声子),对电子波产 生散射。 (2)晶体点阵电子的热振动,对电子波产生散射。 (3)晶体点阵的完整性被破坏(存在杂质原子、晶 体缺陷等),对电子波产生散射。
1. 固溶体的电阻与组元浓度的关系 在形成固溶体时,与纯组元相比,合金的导电 性能降低(电阻增大)。即使是在低导电性的金属 溶剂中加入高导电性的金属溶质也是如此。 原因 主要原因:原子半径差引起的晶格点阵畸变,增加了 对电子的散射,使得电阻增大。半径差越 大,越明显。(与合金热阻的规律相同)
另外还有:(1)杂质对理想晶体的局部破坏。 (2)合金化对能带结构起了作用,改变了 电子能态的密度和有效电子数。 (3)合金化影响了弹性常数,点阵振动的 声子谱改变。
0 K 时:
其大小决定于晶体缺陷的类型和数量。
极低温时:电子散射占主要地位,声子散射很弱,基
本电阻与温度的平方成正比。( T ≤ 2 K )
随着温度的升高,声子散射散射作用逐渐增强, 并占据主导地位。 根据德拜理论,原子热振动存在两个规律性区域, 区分区域的温度被称为德拜温度θD。
时:
时:
电阻率随温度的变化规律:
铝铜合金低温时效和高温时效电 阻将发生怎样的变化?简述其变 化的原因。
合金时效往往伴随脱溶过程,从而使电 阻发生显著的变化。低温时效电阻升高 是由于时效初期形成了极细的弥散分布 区即G.P区,使导电电子发生了散射。 高温时效使电阻降低,是由于从固溶体 中析出了CuAl2相降低了溶质的含量,使 点阵畸变减小,溶质点阵的对称性得到 了恢复。
基本电阻: 原因(1)、(2)产生,0K时为0。 电阻 残余电阻: 原因(3)产生,0K时的电阻。
马基申定律 金属固溶体 电阻率:
基本电阻率ρ(T):由热运动引起,与温度有关。 残余电阻率ρC:决定于化学缺陷和物理缺陷, 与温度无关。
2.4.2 影响金属导电性的原因
1. 温度对金属电阻的影响 (1)一般规律
4. 不均匀固溶体( K 状态)的电阻 大多固溶体在冷加工和退火时具有与纯金属同样的 规律。即冷加工使得电阻增大、退火使得电阻减小。 但有一些含有过渡族金属元素的合金Ni-Cr,Ni-Cu 等,具有在经过冷加工电阻减小、退火后电阻增大的反 常状态,这种反常状态称为K 状态。
由于组元原子在晶体中不均匀分布的结果。冷加工 在一定程度上促使固溶体不均匀组织的破坏,电阻减小。 而之后的退火又使其组织恢复到原来状态。
但一些碱金属、碱土金属和第ν族的半金属元素 出 现反常。
3. 冷加工对金属电阻的影响 冷加工的形变使金属的电阻率提高。
4. 晶格缺陷对金属电阻的影响 晶格缺陷使金属的电阻率提高。 5. 热处理对金属电阻的影响 冷加工后,再退火,可使电阻降低。当退火温度 接近于再结晶温度时,可降低到冷加工前的水平。 但当退火温度高于再结晶温度时,电阻反而增大。 新晶粒的晶界阻碍了电子的运动。 淬火能够固定金属在高温时的空位浓度,而产生残 余电阻。淬火温度越高,残余电阻越大。