中文版ARRL《天线手册》介绍

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S5000系列手持定向天线数据手册说明书

S5000系列手持定向天线数据手册CN_01A产品综述定向天线常用于安全部门和无线电管理部门定位发射源和干扰源的查找，也可以应用于EMC测试、场强扫描、基站检测维护、变电站电力系统检测维护、汽车EMI检测、医疗设备辐射、伪基站检测设备等领域。

S5000系列手持定向天线，频率范围覆盖10MHz~8GHz，携带运输方便、操作简单快捷，适合外携测量。

天线套装包含三个不同频段的定向天线和一个内置宽带低噪声放大器的手柄；天线与手柄以盲插的方式配合，一体快速插拔转换，可实现垂直或水平极化方向信号的测试；单个天线也可以直接通过N型母头连接设备使用；手柄内置宽带低噪声放大器和可充电电池，设计有“直通”和“放大”两种工作模式以提高接收信号的动态范围；外接有N型公头稳相低损柔性射频线缆连接频谱仪使用。

型号与主要指标天线增益10dB（典型值）极化方向水平，垂直手柄射频线 1.5米/N型，公头包装尺寸470 x 400 x 240mm净重0.45kg（含手柄0.96kg）0.32kg（含手柄0.83kg）0.50kg（含手柄1.01kg）产品外观设计特色◆手柄带有放大或直通开关功能，适合测试时大信号与小信号环境的切换。

当按下放大开关时亮绿灯，信号经过LNA 放大处于有源放大工作状态，按下开关灭灯时信号直通处于无源工作状态。

◆手柄底部带有1/4 英寸接口方便上三脚架固定测试；充电接口为手柄内锂电池充电。

手柄上部为机械指北针。

◆天线支持快速插拔切换不同频段天线，利用塑料弹性和N 头接口进行卡位固定。

手柄和天线当插入深度到位后会听到“咔”声音证明已经插好，拔出方法反之。

快插拔时注意天线与手柄的对接平衡线对接，避免损坏N 头及使用寿命。

◆手柄充电时指示灯红灯处于充电状态，绿灯时处于饱和状态。

不使用时请关闭手柄放大开关处于灭灯无源状态。

◆射频线避免90°弯折。

◆实测增益图表典型方向图和应用图800MHz方向图3GHz方向图6GHz方向图频谱频率精确中频分析测量关于鼎阳鼎阳科技（SIGLENT）是通用电子测试测量仪器领域的行业领军企业。

2017年华为天线产品手册-中国移动

华为技术有限公司创新共赢，助力中国移动打造LTE精品网络随着LTE精品网络的深入建设，以及无线网络的不断演进，天馈系统已成为建设LTE精品网络的重要组成部分。

●在业务需求日趋旺盛，潜力巨大的农村郊区广域场景，通过高增益天线解决方案，增强覆盖效果，增加用户数量，提升用户体验；在高铁等特殊场景，通过高增益、窄波束天线专网解决方案保证覆盖效果，提升用户体验，扩大市场份额；●针对网络容量不足，需精准覆盖的城区场景，通过多频天线解决方案实现独立电调，提升精准覆盖；另外针对站点获取困难，急需补盲覆盖的城区场景，通过美化天线方案，降低站点获取难度，提高部署效率，提升用户体验；●针对天面空间紧张场景，通过全频段智能天线进行天面收编，简化站点从而降低站点租金和维护成本；●随着4G站点规模继续增长，天线数量不断增加，通过天线智能化管理方案，可大幅提升网络部署与管理效率，有效降低网络管理与维护成本。

华为依托20多年丰富的无线网络经验积累和对4G网络部署与发展的深刻理解，采用天线与RAN协同设计，聚焦整网性能最优，跨界创新推出了一系列无源和有源天线解决方案，助力中国移动打造持续领先的LTE精品网络。

全频段智能天线解决方案，打造用户体验更好的精品网络全频段智能天线可对当前复杂天面进行收编，解决天面紧张问题。

华为全频段智能天线，两大系列产品：2288天线和4488天线，天线可同时支持900M、1800M、FA频段8T8R以及D频段 8T8R，最大程度节省天面空间及TCO；同时，采用创新天线阵列架构设计，使天线尺寸更小，降低部署难度，并且保证各系统增益满足覆盖要求。

3D电调及美化天线解决方案，可独立优化、灵活调整，提升网络性能华为FA/D频段3D电调天线解决方案，支持FA与D频段同时接入，独立调节，解决天面空间紧张问题，同时结合华为创新的EasyBeam解决方案，针对不同覆盖场景，实现天线波束的3D远程调节，包括：广播波束水平方位角连续调整、水平波瓣宽度远程调整和天线电下倾角度远程连续可调。

中文版ARRL《天线手册》介绍

中文版ARRL《天线手册》介绍
佚名
【期刊名称】《电子制作》
【年(卷),期】2012(000)003
【摘要】天线作为无线系统的不可或缺的关键部件之～，一直受到从事该领域的
工程师、学者和有关大专院校的师生的关注。

这本手册的内容非常丰富，总计28
章的内容涉及了天线基础、天线建模与系统规划、多种应用天线、天线阵列、天线材料与附件、天线的接地系统与地面对天线和电波传播的影响、传输线、无线电波传播，以及天线与传输线的测量，等等，甚至包括了主要天线产品的供应商的概况。

【总页数】1页(P33-33)
【正文语种】中文
【中图分类】TN820.15
【相关文献】
1.合理使用天线提高收视效果——《实用电视天线手册》评介 [J], 吕晓雁
2.一本通俗实用的手册——介绍《农村图书室工作手册》 [J], 华芳
3.剑指能效管理共话能源转型——博世力士乐《能效管理手册指南与实践案例》
中文版权威发布 [J], 张兰
4.特为ARRL户外日设计的短波八木天线三工器 [J], 盖里·高登;穆新宇(编译)
5.结构分析与设计软件ETABS中文版知识选讲（四） ETABS中文版钢结构设计介绍 [J], 郑毅;李立
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天线手册(Antenna Handbook)概要

天线手册(Antenna Handbook)天线手册(Antenna Handbook)天线基本概念天线是FM DX的耳朵，微弱的电波从天线经过馈线进入接收机，才能让我们听到远方天线电波在讲天线之前，不能不先提一提电波。

我们制作天线的目的是为了捕捉电波，因此，在考虑天线的问题之前，绝对有必要先研究一下电波的问题。

FM天线直接波这是指从发射天线到接收天线之间，不经过任何发射，直接到达，电波就象一束光一样，所以有人称它为视线传播。

视线传播这个名字也表明了这种传播方式能够传播的距离不远。

这有两个原因，首先是电波从发射点出发，其能量是以幂级数递减的，而接收机要能良好地解调出广播，需要一定的信号强度。

所以太远的地方，信号太弱，不足以解调。

如果只是这个原因，那么拼命提高发射功率或增加接收天线的增益，也许就可以扩大收听的范围了。

但是，还有一个重要的问题是，地球是圆的，在地球上任何一点发出的电波，按直线前进的方向，最终将离开地球射向天空。

主要是由于第二个原因，一般地讲，地面上一个发射台发出的直线波，只能传播到70km远处地面上的接收处。

如果双方的高度增加，那么这个距离还可以增加，但总是有限的。

所以，70km，是本地收听的极限，实际上，由于山脉、丘陵、房屋的阻挡、反射，这个距离还要大打折扣，一般可以估计的距离是35km。

电离层发射波这是指电波通过电离层的发射达到接收方。

这里面的名堂很多。

电离层本身是有多个层次的，支持短波（1.8MHz到30MHz）反射的电离层是F1和F2 层。

F1和F2并不是甘心反射所有的地波和大气波导本来来说，理论上VHF是不存在地波的。

但是无数的实践表明，VHF 也存在着某种程度的地波传播。

所以我们能稳定地接收200km左右电台的信号。

江苏和安徽两省的业余电台，每年国庆的时候都进行全省VHF移动通讯实验，也证明了VHF电波可以在200km左右的距离得到传播。

大气波导是另外一种可能传播VHF电波的手段，不过人们研究得还不够多。

H3C WLAN天线速查手册(V1.1)

H3C WLAN天线速查手册V1.1(仅供内部使用)审核: 李炜日期：审核: 日期：杭州华三通信技术有限公司版权所有侵权必究目录1 室内天线 (4)1.1 终端天线 (4)1.1.1 TLB-2400-2HW（27010204） (4)1.1.2 TLB-5000-2HW（27010255） (5)1.1.3 W1450& C5060-510009-A（2701A00B） (6)1.1.4 C5060-510002-A（2701A00M） (7)1.2 吸顶天线 (9)1.2.1 TQJ-SA800/2500-3（27010210） (9)1.2.2 MIMO吸顶天线TQJ-2458MIC×6(2701A00H) (10)1.2.3 MIMO吸顶天线TQJ-2458MIK×3 (2701A00J) (13)1.2.4 双频吸顶天线TQJ-2458XTJ1（2701A009） (15)1.3 垂直极化板型天线TDJ-2458BKC（2701A003） (17)2 车载天线 (19)2.1 车载天线：TQC-2400CI（2701A008） (19)3 室外天线 (20)3.1 全向天线 (20)3.1.1 全向天线TQJ-2400-11-T2（27010215） (20)3.1.2 全向天线SL13090A（2701A004） (22)3.1.3 全向天线TQJ-5800-12-T0（27010251） (23)3.1.4 全向天线SL13089A（2701A007） (24)3.2 扇区天线 (25)3.2.1 垂直极化天线TDJ-SA2400-11-90（27010253） (25)3.2.2 垂直极化天线TDJ-2400BKF-Y（2701A002） (26)3.2.3 TDJ-5158BKT60-2（2701A00G） (28)3.3 八木天线 (29)3.3.1 八木天线SL14166AS2-HZ004（2701A006） (29)3.3.2 八木天线SL14011AS2-HZ004（2701A005） (30)3.4 背射天线 (31)3.4.1 背射天线TDJ-DBS5800-17（27010239） (31)3.5 碟形定向天线 (32)3.5.1 抛物面天线TDJ-5800P6（2701A00A） (32)H3C WLAN天线速查手册关键词：WLAN、天线摘要：本文主要对H3C公司系列WLAN天线进行了简单介绍，便于用户根据实际需要选择搭配。

2020年(产品管理)北京邦讯隐蔽天线产品手册

（产品管理）北京邦讯隐蔽天线产品手册北京邦讯隐蔽天线产品手册一体化隐蔽天线类隐蔽外罩类杆塔类北京邦讯技术有限公司2009年7月目录前言 (3)第一部分一体化隐蔽天线类 (4)一、集束型隐蔽天线（一体化）及辅材 (4)二、路灯型隐蔽天线（一体化） (6)三、草坪灯型隐蔽天线（一体化） (7)四、射灯型隐蔽天线（一体化） (8)五、壁挂广告牌型隐蔽天线（一体化） (9)六、壁画型隐蔽天线 (10)七、壁挂型隐蔽天线 (11)八、吸顶灯型隐蔽天线 (12)第二部分隐蔽外罩类 (13)一、变色龙型隐蔽外罩 (13)二、方柱型隐蔽外罩及辅材 (14)1、方柱型隐蔽外罩 (14)2、方柱钢架隐蔽辅材： (15)三、圆柱型隐蔽外罩及辅材 (16)1、圆柱型隐蔽外罩 (16)2．圆柱钢架隐蔽辅材 (17)四、空调型隐蔽外罩及辅材 (17)1、空调型隐蔽外罩 (17)2．空调钢架隐蔽辅材： (18)五、水箱型隐蔽外罩及辅材 (19)1、水箱型隐蔽外罩 (19)2．水箱钢架隐蔽辅材 (20)六、水塔型隐蔽外罩及辅材 (22)1．水塔型隐蔽外罩 (22)2．水塔钢架隐蔽辅材 (22)七、集束型隐蔽外罩及辅材 (23)八、指示牌型隐蔽外罩 (24)九、广告牌型隐蔽外罩 (25)十、标示牌型隐蔽外罩 (26)十一、空调型隐蔽外罩 (28)第三部分杆塔类 (28)高杆灯型 (29)前言随着人们对生活小区环境要求的日益提高，城市建设和小区建设对隐蔽天线产品市场的需求也有了更高的要求，我公司为满足快速发展的市场需求，不断推陈出新。

为方便广大用户选型，特别编制了《北京邦讯隐蔽天线常用产品选型手册》。

本册将隐蔽天线产品主要分为基站美化类和小区美化类，隐蔽辅材作为隐蔽外罩的附属材料，跟随在相应的美化天线产品后面。

对于影响隐蔽天线产品整体安全性的产品结构、基站及防雷系统两方面，我公司均通过了权威部门的审核和通过。

隐蔽天线审核等级说明：隐蔽天线整体安全性主要包括产品结构、基础及防雷系统两方面，为保证选用的隐蔽天线量产产品工程可行性，确保整个隐蔽项目的安全可靠性，特将设计方案审核的权限规定如下：审核等级审核权限C 隐蔽天线结构工程师/天馈隐蔽天线结构工程师审核B 天馈隐蔽天线结构工程师审核A 具备甲级或乙级资质的建筑设计院审核第一部分一体化隐蔽天线类一、集束型隐蔽天线（一体化）及辅材1、集束型隐蔽天线（一体化）型号详细指标频段范围增益方位角倾角尺寸(单位：mm)审核等级（直接落地安装）JZJS-065R15DB（1-V）824～960824～870:14.5870～960:15 固定间隔120°机械下倾角固定电调：0～14º¢600×1700-2100CJZJS-065R15DD（1-V）824～9601710～1880824～960:14.51710～1880:17固定间隔120°机械下倾角固定824～960电调：0～14º1710～1880电调：0～8º¢600×1700-2100CJZJS-ODV065R15B17K（6）824～9601710～824～960:14.51710～固定间隔120°机械下倾角固定824～960电调：0～14º¢600×1700-2100C2170 2170:16.5 1710～2170电调：0～7ºJZJS-065R1DK（3-V）1710～2170 1710～1850:171850～1990:17.51990～2170:18固定间隔120°机械下倾角固定电调：0°～8°¢600×2500 C说明：1）安装方式：a)该产品已经内置三扇区辐射单元，一般安装于建筑楼顶；b)产品可直接安装，或选购各种高度的钢杆隐蔽辅材配用，也可与高杆灯配合使用。

天线测量实用手册

天线测量实用手册
《天线测量实用手册》是一本专门介绍天线测量的实用指南，旨在帮助读者了解天线测量的基本原理、方法和技术。

本书主要内容包括：
1. 天线测量的基础知识：介绍了电磁波的基本概念、天线的基本原理和天线测量的重要性。

2. 天线测量系统：详细介绍了天线测量系统的组成，包括接收机、发射机、测量软件等，以及如何选择合适的测量系统和设备。

3. 天线参数的测量：介绍了天线参数的基本概念，如增益、方向性、波束宽度等，以及如何使用测量设备对这些参数进行准确测量。

4. 天线测量实践：通过具体的测量案例，介绍了天线测量的实际操作过程和技巧，包括测量前的准备工作、测量步骤、数据处理和分析等。

5. 天线测量误差：讨论了天线测量中可能出现的误差来源和误差减小的方法，以提高测量的准确性和可靠性。

6. 天线测量技术的应用：介绍了天线测量技术在通信、雷达、导航、射电天文学等领域的应用和发展趋势。

总之，《天线测量实用手册》是一本实用的天线测量指南，适合从事天线测量和相关领域的工程师、技术人员和科研人员阅读和使用。

空腔双工器的原理和调试

空腔双工器的原理和调试双工器是有着尖锐的调谐持性的装置，用来隔离接收和发射。

它允许一根天线完成发射和接收，而不用担心发射装置的射频能量去轰击接收机。

当然，那样做必须将发射频率和接收频率分开，称为频差。

在2米波段的频差是600KHZ；在70Cm波段有着较大的宽度，是5MHZ。

通常，双工器工作在狭窄的通频带上，有着不可思议的陡峭的截止曲线。

不同于一般意义上的高通或低通滤波器。

有好几种方法来实现双工器，业余上常用空腔和相位线的方法。

《ARRL》手册上有详尽的工作原理。

《ARRL》手册上也给出了六空腔的双工器，之后又解释了其工作原理。

我也按照做了一个并让它工作，但我发现这个设计调谐起来非常困难，信噪比也一直不稳定，所以我不想在这里介绍它们。

我相信，现在已经有调谐简单实际可行的双工器被设计制造出来了。

我一直推崇的一款双工器是名叫"华康"(Wacom)的设计。

它用4个8吋的腔体构成“带通(band pass)/带阻(band reject)”模式。

借助于高Q值的腔体和良好的设计，Wacom 仅用4个腔体就有相当于6个腔体的良好表现。

唯一的缺点是费用较高。

图一详细给出了它的结构，其中两个腔体组成一组与发射机输出端连接；另外两个与接收机输入端连接。

用“T”型接头将它们连接起来，再通过同轴电缆与天线相连。

图一四腔带通/带阻双工器连接图每个腔体都有二个功能。

第一，必须通过想得到的信号（即带通或通带）；第二，必须尽可能阻止不想要的信号（即带阻或阻带）。

在（图2）中我给出了用于发射的空腔滤波器典型响应曲线。

请注意，它在145.37MHZ的发射频率上通过了几乎所有的信号，并且在接收频率处，即低于发射频率600KHZ处有着-30dB+的衰减。

同样，两个接收腔体也精确地匹配，除了它们的通频点在144.77MHZ的接收频率上外，它们阻带的谷点都在发射频率145.37MHZ上。

这样，发射腔体将滤除发射机所产生的较宽频带上的噪声（殘余发射）使其不进入接收机，而接收腔体也将滤除发射机产生的射频功率使其不进入接收机。

高级太阳能天线和信号技术手册说明书

IndexAAccess control points(ACPs),216,218 Advanced concept solar,32 Annealing,123,128,133Antenna arrayscosts,201Fresnel diffraction zone,203narrowband,203Antennas and signalsDDs,209,211decoupling,213phase center,208pulse repetition rate,209radio wave scanning image,212snail type,209,210stroboscopic oscilloscope,207,208USB-to-COM converter,210UWB antenna,207UWB pulses,211UWB signal,212UWB tomography,210,213VSWR,209Atomic force microscopy(AFM),129 Atomic layer epitaxy(ALE),96Auger processes,5Axial junction devices,23BBack-end-of-line(BEOL)metallization,58 Backward wave oscillators(BWO),194 Bandgaps/energy levels,11Bessel function,175Bipolar operational biasing schemes,83 Blended heterostructures,6Bovine serum albumin(BSA),152 Broadband solar spectrum,11BSIM-CMG SPICE Model,63–64 BULKMOD parameter,63Bulk-phase metal(MNP),159Bulk tri-gateﬁnFET device,45CC-AFM tip-sample system,76Channel-length modulation(CLM),39,54 Charge components,43Circular polarization of electroluminescence, 136Classical light-trapping limit,20CMOS logic gate,48Commercial MOSFET,38Common multiple-gate model,63 Conductive atomic force microscopy(C-AFM),76Conductiveﬁlament(CF),73,81 Conductivity,147Core-shell junction,23Corner effects,52Curie temperature,120,126,127,137 channel thickness,124experimental data,124GaMnAsﬁlms,121GaMnAs samples,123hole concentration,122manganese concentration,122Mn impurity,125power law,124Czochralskiﬂux method,127©Springer International Publishing AG,part of Springer Nature2018S.M.Goodnick et al.(eds.),Semiconductor Nanotechnology,Nanostructure Scienceand Technology,https:///10.1007/978-3-319-91896-9229DDecay rate vs.plasmon excitationwavelength,156Decay rate vs.wavelength resonance,158 Delayed dissipation,162Detailed balance,9material bandgap,9quasi-Fermi energies,10semiconductor absorber,10 Dielectric barrier limiting,87Dielectric constantfree space,44,67silicon dioxide,44Diffraction-limited optics,21Diffraction tomography,200Diluted magnetic semiconductor(DMS),118,128Directivity diagrams(DDs),209Double-barrier heterostructures,30Dye-sensitized solar cell architecture,8 Dye-sensitized solar cells(DSSC),14,159 architecture,18evolution,19liquid electrolyte approach,18 Dynamic random access memories(DRAM),71EEigenvalue,63Electric and magnetic polarizabilities,182 Electricﬁeld vector,184 Electromagnetic radiation,199,203,219 Electron-hole pair(EHP),3,11Electron kinetic energy,28Electron-phonon scattering,27Electron-phonon system,30 Ellipsometry light,101Employing monostatic radiometrymethods,210Epitaxy,96,127External quantum efﬁciency(EQE),110FFabrication,95–96,100extra metal layer(METAL0),57local interconnect layer,58–59middle-of-line(MOL),58mobility engineering,60Fabry–Perot resonances,170Faraday conﬁguration,125Faraday rotation angle,126,135Ferromagnetic NiFe nanowires,125 Ferromagnetic semiconductors,118,134–137 Ferromagnetism,123,136,137Fiber-optic communication,135Field effectcapacitance Cox,51,62high-κmetal-gate(HKMG),55Field-effect transistors(FETs),95Field transistors(spin-FED),135Filament-based mechanism,72Filament-based metal-oxide RRAMschemes,72Fill factor(FF),5FinFET characteristics,45FinFET devicesI OFF current,64I ON drive,64mobility,64quantized width,65scalability,64SOC technology,65FinFET geometry,45FinFET NAND2gate,59FinFET transistor,39,54accumulation mode,41bulk substrate,45depletion mode,41double-gate transistor,53drive current I ON,54inversion mode,42I-V characteristics,45localized overheating,pinch-off,39,54resistive capacitor plate,49siliconﬁn,45,46SOI substrate,45,63threshold voltage,39triple-gate transistor,45Finite-difference time-domain(FDTD)simulation,22Focusingaperture synthesis,206Green’s function,205group focusing approach,207location sounding,207method,206monochromatic radiation,205normal projection,206plane-wave decomposition,205procedure,206radio image,206radio wave tomosynthesis,206spatial frequency spectrum,205 Forming process,78230IndexFourier transform,148Free space technique,190Fresnel zone,203,221,224Front-end-of-line(FEOL),58FTIR spectroscopy,106GGaFeAs layers,129Gallium arsenide,ironantiferromagnetic properties,127beryllium,134diffusion,131ferromagneticﬁlms,133ferromagnetic ordering,134ferromagnetic properties,127,128,136 heterostructure,132hole concentration,129implantation and diffusion,129magnetoelectric interaction,134microclusters,127monocrystals,127,132ohmic layers,128structures,133vapor-phase epitaxy,127GaMnAs epitaxial layers,121GaMnAsﬁlmscurie temperature,123DMS properties,119doping conditions,120ferromagnetic properties,119ferromagnetism,120magnetic anisotropy,125magnetic domain walls,125magnetic homogeneity,126magnetotransport properties,125MBE technique,120Mn-based magnetic inclusions,119p–d exchange,125production,120–121temperature of the structures,126 Geometric characteristics,55Gigahertz frequencies,171Glass-coated microwire,174Gold nanoparticles(AuNP),152mechanismelectrostatic interactions,152non-covalent binding,152non-spontaneous binding,152 nanoparticle-molecule conjugation,152–156,158Ted Pella tool,153Google and the British pharmaceuticalcompany,95Gradual-channel approximation(GCA),43,45,52Gradual-channel conditions,49–53 Grain boundariesbarriers,80conductivity,78electrical transport,77ﬁlament growth,81MIM devices,79oxygen vacancy,77polycrystallineﬁlms,81RRAM switching,81TAT,77Green functionHelmholtz equation,151HHafnia,77–80Hall method,123Hamiltonian algorithm,161 Harmonic oscillator,159Hf-O bond breakage,89HfO2-based RRAM system,72HfO2dielectricﬁlm,76HfO2dielectric leading,79HfOx-based RRAM device,81HfOx-based system,86HfOxﬁlm,84Hole concentration,120,122–126Hot-carrier solar cells,29Hybrid GaAs/Fe structures,129 Hybrid organic-inorganic perovskitematerials,8Hybrid perovskite structures,114 Hybrid solar cell technology,114 Hydride vapor-phase epitaxy,128IImmunosensors,ELISA,154 Inhomogeneities,180Inorganic precursor materials,98 Instantaneous dissipation,162IntelIvy Bridge processor,38,39,454004microprocessor,38Xeon processor,38Interlayer exchange coupling(IEC),132,133Intermediate-band(IB)solar cell,12 Isotropic dielectric functions,153I-V characteristics,52Index231KKerr effect,125Kinetic energy,25Korean Research Institute of ChemicalTechnology(KRICT),8LLattice temperature,32Layoutcritical dimension(CD),55ﬁn pitch,56litho-friendly,55,57NAND2standard cell,60optical proximity correction(OPC),57parasitic capacitance,resistance,65self-aligned double patterning(SADP),56Synopsys Custom Designer,60Light-emitting diodes(spin-LED),135,136 Light scattering,153Light trapping,22Liouville equation,molecular density matrix,161 Litho-friendly layout,57Localized plasmon resonance,146 Localized surface plasmons(LSP),146 Lorentz gauge condition,151Low-temperature vapor-phase epitaxy,128LT-MBE technique,120MMagnetic anisotropy,126Magnetic domain walls(MDW),125 Magnetic impurities,118,136Magneto-optical materials,135,137 Magnetoresistance effect(GMR),118 Markov approximation,time-correlationfunctions,163Material conductivity,182Mathematical OR model,188 Mathematical simulation,174Maxwell’s equations,22,147METAL0line,59METAL0segment,59Metal-insulator-metal(MIM)structure,73 Metal-oxide-basedﬁlament-type RRAM,72 Microactuator,135,137Microferroics,134Microwire application,174Microwire material,173Microwire production technology,179 Microwires,181Microwires possessing magnetic properties,179Mie theory,149,153MLEﬁeld-effect transistors(MLE-FETs),106–107MLE organic light-emitting diodes(MLE-OLEDs),108Modern telecommunication systems,135 Molecular beam epitaxy(MBE),15 Molecular layer epitaxy(MLE),97charge transfer(CT)band,104chemical approach,100component,109device application scope,111direct manual operation,98feature,106,112generation,98hybrid materials,113hybrid perovskites solar cell device,114laser media,109measurement setup,110method,97MLE monolayer-by-monolayer growth,103 NTCDA and DAH precursors,102NTCDA molecules,110NTCDI,101,104,106NTCDI-based structures,100NTCDI-HM system,103OD sensitivity,103organic superlattices,103,105,107,113photovoltaic properties,109precursor materials,112principles,97pyramidal growth,105reactor setup,97setup,98size-dependent effects,106structure,103,109superlattices,103surface chemistry,98,99template layer,99Molecular nanoelectronicsdevice application,96epitaxy,96FET system,95HOMO-LUMO,94mechanisms,95modern times,95OLEDs,94progress,94situation,94transport models,94wet and vacuum methods,95 Monocrystalline material,121Monte Carlo simulation,27,30,31232IndexMoore,Gordonchemical engineering,37Moore’s Law,39,48Moore’s law,48Multiexciton generation,24–29 Multiple exciton generation(MEG),25 Multiple-patterning photolithographymethods,57NNAND2standard cell,60 Nanocomposite,17Nanomaterialsfeature,14nanowire,15QWs,15Nanoparticles(NP)analyte molecules,146bulk semiconductors,146typesmetallic,153plasmonic,147 Nanosensors,146antibody-antigen binding,152molecule-nanoparticle charge,152photonic materials,152 Nanostructured materials,21,146 Nanosystems,159Nanowire(NW)solar cellsCMOS technology,23geometry and composition,22performance,23photonic bandgap materials,23property,22Nanowires,15–17Nanowire transistor,46effective width,52fully depleted,43,47nanoscale sensor,44SNWFET,40,42–44thickness t nw,40wrap-around gate,42 Naphthalenetetracarboxylic-dianhydride(NTCDA)precursor,100 National Renewal Energy Laboratory(NREL),6Natural Screening Length,61–63Non-destructive testing,199,219,225 Nonequilibrium distribution,28 Nonequilibrium hot-phonon effects,30 Nonplanar devicedevice length L,39,48,63device width W eff,64ﬁnFET,52nanowire transistor,44Non-plasmonic materials,146n-type gradual-channelﬁnFET,51OObjects and radio imagesACPs,216back view,217cross sections,215detecting and visualizing,2183D tomogram,214luggage inspection,213millimeter frequency range,217radiopaque,214reinforcing elements,215sounded area,218tomosynthesis,213transceiver antenna module,213UWB antennas,217UWB scanner,214UWB tomogram,213wooden latches,214Ohm’s Lawdrift velocity,48microscopic form,48mobilityμn,54transit time,48Onsager-Lax quantum regression theorem,161 Opaque media,204Open radio wave resonator,171Open resonator,170,184,188,191application,171characteristics,181glass-coated microwire,174magnetic microwire,179measurements,190microwires,179,181quality,171spherical objects,183superthin wire,173–180Optical density(OD),103Optical performance,19–22Optical proximity correction(OPC),57 Organic-inorganic superlattices,113Organic light-emitting diodes(OLEDs),94 Organic multiple quantum well(OMQW)energy levels,106Organic superlattices,103–105size-dependent effects,105spectroscopic and polarization response,105Index233Organic thin-ﬁlm solar cells,6 Oxygen exchange layers(OEL),79,82 Oxygen vacancy asymmetry,84 Oxygen vacancy concentration,88PParktronic systems,219Photo-enhanced magnetization,135 Photolithography,57Photonic bandgap materials,21 Photovoltaicsadvantages,14AFM techniques,13Auger processes,5bandgap material,9device,2diode,5disadvantages,14energy conversion,2excitonic effects,8excitons,6FF,5hybrid perovskite materials,8nanotechnology,13open-circuit voltage,5organic thin-ﬁlm solar cells,6performance,6photocurrent,4principal,2Si cell design,4solar cell efﬁciency records,7solar cells,3–5solar spectrum,3,4technologies,6Pinched-off channel conditions,53–55 Plasmonic materials,LSP,146 Plasmonic sensors,164Plasmon resonance(PR)sensorsauxiliaryﬁelds,147,148Green function,151Helmholtz equation,151Lorentz gauge condition,151macroscopicﬁelds,147,148macroscopic polarization,149Mie theory,149,150Plot absorbance spectroscopy,154 Poisson-Laplace equation,150 Poisson’s equation,41,43–45,49,62 cylindrical coordinates,43French mathematician,45rectangular coordinates,61transformed usingλ,62Power transmission and reﬂectioncoefﬁcients,191Process-speciﬁc parameters,62Pseudo-epitaxy,96Pyrolysis,17QQ-factor,189QualitativeﬁnFET behavior,52Quantum dots,16,17Quantum efﬁciency,25Quantum-mechanical effects(QMEs),41 Schrödinger’s equation,63volume inversion,41Quantum theory of relaxation,162 Quantum well(QW),15,118Quasi-optical open resonator,171–173 concave mirrors,172Q-factor,173quality factor,172Quasi-optical resonator methods,195RRadio electronics,169Radio image,206,207,213–217Radio wave parameters,169Radio wave tomography,201,205,207,213, 219,223antenna arrays(see Antenna arrays)antennas and signals(see Antennas andsignals)diffraction tomography,200electromagnetic radiation,199embedded inhomogeneities,199focusing(see Focusing)ionizing X-rays,200layer-by-layer structure,199microwave passenger inspectionsystems,200model of RADIOVISION,201,202model of Raptor-1600Scanner,202model of Smiths Heimann,201multiple integral projections,199non-destructive testing,199objects and radio images(see Objects and radio images)radiolocation,199SafeScout100scanner,200security system,200semitransparent media,199tomographic imaging,201234Indextomosynthesis of radio waves,225ultrasonic(see Ultrasonic)ultrasonic radiation(see Ultrasonicradiation)UWB,201Radiolocation,199Radiopaque,204,214,219Raman transition,159Rayleigh scattering,4,160Reduced density matrix(RDM),162 Refractive index–density diagram,224 Resistance change behavior,73Resistive alloy,181Resistive random access memory(RRAM),71 bipolar metal-oxide,87CF formation,73characteristic,72device,84element,74HfO2,72HfO2-based RRAM,72HfO2GB properties,76HRS and LRS,90LRS and HRS states,73metal-oxideﬁlament-based type,72OEL,83operation,84oxygen vacancy proﬁle,86Resonant frequency shift,183Resonator Q-factor,173Robust switching,82Rule of thumbchannel length L,48channel length L>3λ,62drive current I ON,54ﬁn crossing ACTIVE,58METAL0crossingﬁns,60multiple-patterning lithography,57nonplanar effective width W eff,52output of static CMOS cell,61process reﬁnements,55quantized effective width W eff,65shorten screening lengthλ,62speed dependence on length L,643Âwidth in same area,59SSaturation,53Schrödinger equation,146Schrödinger’s wave-mechanical equation,41 Secondary-ion mass spectrometry(SIMS),127 Second harmonic generation(SHG),105Self-aligned double patterning(SADP),56 Semiconductor matrix,137 Semiconductors,118Semiconductor spintronics,133 Sensitivity,192Shockley-Queisser efﬁciency,10Shockley-Queisser(SQ)limit,10,11,23,29 Short-channel effects(SCEs),38,62channel-length modulation,39drain-induced barrier lowering(DIBL),66 subthreshold conduction and swing,39threshold voltage roll-off,39Short-channel FinFETs,61–65Short-channel transistor,38Short-circuit current,5Silicon nanowire(SNW),40Silicon solar cell technology,6Si solar cell,4Small spherical objectselectric diameter,182SNWFET,42Solar cells,3Source-drain depletion regions,40Space charge region,3Spherical aerogels,171,183,184SPICE modelsBSIM-CMG Level72model,49BSIM-IMG model,45,53,64BULKMOD parameter,63classic Level1model,49EPSRSUB parameter,45GCA core model,52GEOMOD parameter,63NFIN parameter,64predictive technology model(PTM),67TMASK parameter,53U0parameter,54Spin-dependent phenomena,134Spin electronics,118Spin light-emitting diodes,136Spin-polarized charge carriers,134 Spintronics,118Spline interpolation,156s-polarized light,102Standard-cell layout,59Steep permittivity gradients,204Storage class memory(SCM),71Stransky-Krastinov growth process,17 Superthin wire,174,177,178Bessel function,175microwire,173OR,180resistive alloy,181Index235Superthin wire(cont.)segments,180superthin wire,174Surface-enhanced Raman resonance(SERS) MNP,159nanosystems,159photovoltaic devices,159plasmonic sensors,146Surface plasmon polariton modes,22 Surface plasmon resonance(SPR),152 Surface potentialΦs,43,44Surface prefunctionalization,102Synopsys Custom Designer,60Synopsys Sentaurus Device,52TTandem solar cells,8,11Teﬂon,223Terahertz frequency,171,194 Thermalization,11Thermodynamically nonequilibriummethod,120Thinﬁlm technologies,6 Tomosynthesis,206,213,215,225 Traditional planar MOSFET,39 Transistor,40–45Transmission electron microscopy(TEM),129 Tri-gateﬁnFET,53Tungsten(W),58Tunnel magnetoresistance(TMR),118UUlitovsky–Tailor method,173Ultrahigh vacuum(UHV),96Ultrasonicacousticﬁeld,222acoustic radiation,219blurred of course,221density contrasts,219gun in air,221immersion liquids,219measurements,222non-destructive testing,219object scanning,220single-frequency sounding,220sonar demo setup,223sonar for contactless,222sounding systems,222sounding techniques,219ultrasound in location,221wave equations,219Ultrasonic radiationaverage operating wavelength,224dielectric objects,223electrophysical properties,223false-color combined image,224ﬂuoroplastic,223hidden object,224metallized grid,225ultrasound frequency,223Ultraviolet(UV)lithography,13Ultra-wideband(UWB),201,203,204,206–214,217,223,225 Uniaxial magnetic anisotropy(UMA),133 Uniform channel,46–48UV-Vis absorbance spectroscopy,153,154VVacuum methods,96Vapor-liquid-solid(VLS),15,16Vector network analyzers(VNA),194 Voltage standing wave ratio(VSWR),209WWave projectionsanalysis of scattered radiation,204aperture synthesis,203dominant mechanisms,204electromagnetic radiation,203immersion liquids,203inverse problem,204multi-angle,204opaque media,204radio-frequency holography,203steep permittivity gradients,204ultrasonic sounding system,203 Wave tomography,226Wave vision,see Radio wave tomography Wet and vacuum methods,96XX-ray magnetic circular dichroism,125X-ray photoelectron spectroscopy,136ZZener theory,124236Index。

卫星天线4.5米天线说明书

SCE-450C型4.5米天线安装、使用、维护手册精彩文档精彩文档西安航天恒星科技股份有限公司手册使用说明 :SCE-450C型天线是实现C波段与Ku波段共用的卫星地球站天线。

使用时,只需根据不同的使用情况换上C波段馈源或Ku波段馈源即可。

《SCE-450C型4.5米天线安装、使用、维护手册》针对C波段与Ku波段的使用,除了馈源安装方式(附图13A为C波段馈源,13B 为Ku波段馈源)和天线电气特性指标不同外,其余内容全部通用。

安全方面的注意事项安全声明：以下声明适用于本手册的全过程。

在天线安装前必须仔细阅读本手册，并切实按照规定的步骤及方法进行操作，以保障人身及设备的安全。

1. 必须严格按照要求制作地基，只有在地基达到预定的强度后，方可对天线进行安装。

2. 在吊装过程中，应注意人员及设备的安全；保证设备在吊装中平稳。

3. 在无吊车情况下安装，应特别小心，以确保人身及设备的安全。

4. 在首次运行前，应对所有有润滑要求的部件进行润滑。

其中，减速器用指定的润滑油润滑；方位轴、俯仰轴用稀油注入油杯润滑；丝杠螺母用润滑脂润滑。

5. 在调整限位器工作时，应特别注意不要使丝杠脱出减速器，尤其是俯仰丝杠脱出减速器将造成天线严重损坏。

在方位、俯仰二丝杠的左,右（或上,下）极限位置限位器安装完毕后，首先进行试运行，确保限位器工作无误。

6. 天线具有软件和硬件两重限位保护。

为确保天线使用安全，在转动天线时，应使用ACU，并将软件限位设置在硬件限位之前。

7. 手轮用后应取下，并装上蜗杆轴盖，切勿将手轮套在蜗杆轴上，以免电动时，发生意外事故。

8. 应注意检查波纹喇叭封口材料是否破损或漏水，尤其是在冰雹或大雨之后，若波纹喇叭口漏水，将影响系统正常工作，严重时造成HPA或SSPA损坏。

若封口材料破损，应及时更换。

精彩文档1.4.5米天线简介SCE-450C型4.5米卫星通信天线是西安航天恒星科技实业（集团）公司研制生产的卫星通信地球站天线。

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说明这本手册的生命力。相信其也可以成为
了天线基础、天线建模与系统规划、多种应对架设和维护天线系统提供了相当丰富的我国从事天线技术的科技人员、射频工程师信息。从如何应用先进的计算机建模技以及相关大专院校师生的一本很好的参考注意安全性等各方面都有很详细的介绍。
天线作为无线系统的不可或缺的关键相当篇幅介绍了应用当代计算机建模软件分籍中是很少能见到的。析、设计天线和进行电波传播预测的内容。ＡＲ天线手册》自从１３年９ＲＬ《９月出版９部件之～，一直受到从事该领域的工程师、学者和有关大专院校的师生的关注。这本手与其他天线手册不同的是，这本天线第１以来，到本书已是第２版了，这充分版１
功匹配了任一方向的阻抗，当然了，这
０６＜１＋ｆ９）一ｒ１一６ｓ・６
０５＋９６ — １・ｓ＜２６２１６ｒ
代码中得到更长、更复杂的表达式，在设置并编写方程时将更容易发生错误。
０＜５．７９１３５－ｒｓ
除了提供了大量的加工图，给出加工数据
的接地系统与地面对天线和电波传播的影术，如何选择天线、天线杆的材料，如何书，为我国天线技术的发展和天线制作人才的培养作出贡献。（书由该友刊《无线电》杂志编辑出版）
示，往往在实际应用中可以取得具有
令人满意精度的有用结果。）。
我们发现，相比源和负载都是电阻
的技术编辑，并持有多项专利。他曾任
Ｅ在萨克拉门托分部主席。梅纳德也Ｅ是加利福尼皿州萨克拉门托市的北山无
我们还得益于二次方程求根公式
ｒ＝２３ｔ０
ｘｆ＝ＯＯ
匹配起来。我们可以将我们的源和负的定义。我们求出了ａ、ｂ后，就能和ｃ直接将它们插入Ｏｃａｅｔｖ代码的公式中去。如果将ｘｐｎ的二次方程中所有的值都代换进公式中的话，就会在Ｏｃａｅｔｖ
ｒ＜ｓ５９１３５７
作者简介
（式７）公
固
Ｍａｎｒｒ｝６ＡＰ）．１５年取ｙａｄＷｉ］ｆＷＰｇｃ９７
６Ａ呼因为格里菲斯已经使用图形法得得业余无线电执照，呼号为ＷＮＰＰ号。他持有船用雷达业务的：通用无（出最大值为５０Ｑ，可见我们的结果９
弱
一
这样一来，我们得到的输出是：第一选择… 串联文件电抗＝３８一７４５并联文件电抗＝６．８９一２８９第二选择串联文件电抗＝１４５一．１５５并联文件电抗＝２８９６８９在这里，我们将Ｌ网络颠倒了，成
之外，甚至还给出了业余条件下价廉物美
ｗｗｗ引＠６Ｃ（３１》０ｎ３
中，×的数值为非零。当×的大／ｌｒｌ１Ｊ：ｔ＼ｌ高ｓ得多、也是短天线常见的情况下，我们就能够使相当宽的范围内的阻抗与每个
方向上的并联电抗进行匹配了，而在源和负载都是电阻性时，就不能这样了。格里菲斯从圆图轨迹的角度对此
的螺旋天线和反射面天线等；同时对业余色内容，对其他天线工程师和从事天线研无线电频段（包括Ｈ、ＶＦＩＨ频段等）的ＦＨ￣ＵＦ］
究与应用的人员也可作为一本很好的参考详细描述、对螺旋天线阻抗匹配技术的详
各种电波传播特点与组织通信的方式等给出书。例如：手册中对天线阵列馈电系统的了详细的描述。虽然该天线手册历史悠久，但通过一次次再版的修改与补充，因此内容细描述、对应用史密斯圆图进行有耗传输不乏新的天线和电波传播技术，手册中有线参数计算技术的描述等，在其他天线书如
册，其主要内容涵盖了业余无线电频段的几实例。这不仅对业余无线电爱好者中的乎所有的主要天线形式，如各种振子天线、
线、对数周期阵列、方框阵列、测向天线、
环天线、八木天线、多波段天线、宽带天线制造企业提供一种很好的参考。便携天线、移动天线和水上天线、中继台天这本天线手册以其对天线与无线电波传播线系统、ＶＦＩＨ天线，以及用于空间通信技术的广泛的覆盖，以及其中一些很有特Ｈ￣ＵＦ］
还是非常符合的（为计算尺和史密作
斯圆图的爱好者，我不想反对使用图形法。它们可以很好地将问题直观显
线电话操作员执照，并是加利福尼亚州
两次的阻抗值都不一样。这是因为在４式
的注册专业电子程师，而且是ｌＥ的ｔＥＥ终身高级会员梅纳德从事电信行业已经超过４个年他担任过许多电信标准ｊ
ＱＥ专栏Ｘ
ｒ＝７ｏｓ６
作了讨论。他指出，我们可以利用Ｌ网我＂ｆ在网络配置上取得更大的自由。ｆｉＩ￣ｌ
络来将中端阻抗和０～５０Ｑ的源电阻９载值代换进４中，验算一下：式
Ｏｔ＋ｘ２ｓ．ｔ＜ｒｔ－ｒｒ
ｘ＝－ｓ９６Ｑ
册的内容非常丰富，总计２章的内容涉及手册还对如何设计、制作所需要的天线，８
用天线、天线阵列、天线材料与附件、天线响、传输线、无线电波传播，以及天线与传输线的测量，等等，甚至包括了主要天线产品的供应商的概况。
性的情况，利用Ｌ网络来匹配复数阻抗，
线电俱乐部秘书财务主管和前主席。
中文版ＡＲＲＬ天线手册介绍
作为一本业余无线电传播联盟的天线手的替代方法和建议。书中附有很多天线的ＤＹｒＩｅ是一种福音，也可为天线工程师和天除从事业余无线电频段的人员之外，