芯片工艺培训资料文档
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芯片工艺培训
芯片切割
芯片切割两种方法：
金刚刀切割 激光切割
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德豪润达光电科技有限公司
芯片切割
18
德豪润达光电科技有限公司
测试与分拣
芯片的光电参数： 1、芯片测试 2、芯片分选 其中LED芯片测试机对芯片光电参数的一致性起着主要 作用，分选机的性能及使用方式也会部分地影响到芯片 光电参数的一致性。
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LED 芯片基础知识
刘娉娉
2010-7-19
1
LED及其应用
LED （Light Emitting Diode）是靠电子和空 穴的复合,将电能转换成光能的半导体器件。 LED具有寿命长、可靠性高、体积小、功耗 低、响应速度快、易于调制和集成等优点。 LED可应用于彩灯、交通灯、数码管、显示 屏、手机和笔记本电脑背光源等。
产品生产（制造）成本计算，就是将企业生 产过程中位制造产品所发生的各种费用，按照所 生产产品的品种（即成本计算对象）进行分配和 归集，计算各种产品的总成本和单位成本。
节约成本的方法：
1、提高生产效率，提高产量 2、优化工艺步骤，减少单位原材料损耗 3、原材料的国产化、本地化
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湿法腐蚀
9
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Mesa干法蚀刻
N-GaN
10
干法蚀刻
蓝宝石衬底不导电，露出部分N-GaN ICP干法蚀刻： 影响因素：气体、流量、比例、压力、 时间； 参数：蚀刻深度、表面状况
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P、N电极蒸镀
PN电极
undercut 光刻图形
11
•PN打线盘 •N型欧姆接触电极 •金属蒸镀参数： 蒸发源纯度、真空度、 蒸发速率 黏附性、欧姆接触
芯片封装测试流程详解培训资料
时间等参数符合工艺要求。
固化后需要对塑封后的芯片进行 检查，确保没有气泡、空洞和裂
缝等缺陷。
去飞边、切筋整形
去飞边是将塑封材料的外边缘去除的过程，以使芯片外观更加整洁美观。
切筋整形是将塑封材料按照芯片的形状进行修剪和整理的过程，以使芯片符合产品 要求。
在去飞边和切筋整形过程中需要注意保护芯片和引脚不受损伤，同时保持外观整洁 美观。
05 封装测试设备与材料
测试设备介绍
测试机台
用于对芯片进行性能和 功能测试的设备，具备
高精度和高可靠性。
显微镜
观察芯片封装结构的细 节，确保封装质量。
探针台
用于连接芯片引脚和测 试设备的工具，确保信
号传输的稳定性。
温度箱
模拟不同温度环境，检 测芯片在各种温度下的
性能表现。
测试材料介绍
0102Βιβλιοθήκη 0304焊锡膏
用于将芯片与基板连接的材料 ，要求具有优良的导电性和耐
热性。
粘合剂
用于固定芯片和基板的材料， 要求具有高粘附力和耐久性。
绝缘材料
用于保护芯片和线路不受外界 干扰的材料，要求具有高绝缘
性能。
引脚
用于连接芯片和外部电路的金 属脚，要求具有优良的导电性
和耐腐蚀性。
06 封装测试常见问题及解决 方案
芯片贴装
芯片贴装是将芯片放置在PCB板 上的过程，通常使用自动贴装机
完成。
贴装前需要检查芯片和PCB板的 型号、规格是否匹配，以及芯片
的外观是否有破损或缺陷。
贴装过程中，需要调整好芯片的 位置和角度，确保芯片与PCB板 对齐，并保持稳定的贴装压力和
温度。
引脚焊接
引脚焊接是将芯片的引脚与 PCB板上的焊盘进行焊接的过 程，通常使用热压焊接或超声 波焊接。
固化后需要对塑封后的芯片进行 检查，确保没有气泡、空洞和裂
缝等缺陷。
去飞边、切筋整形
去飞边是将塑封材料的外边缘去除的过程，以使芯片外观更加整洁美观。
切筋整形是将塑封材料按照芯片的形状进行修剪和整理的过程，以使芯片符合产品 要求。
在去飞边和切筋整形过程中需要注意保护芯片和引脚不受损伤，同时保持外观整洁 美观。
05 封装测试设备与材料
测试设备介绍
测试机台
用于对芯片进行性能和 功能测试的设备，具备
高精度和高可靠性。
显微镜
观察芯片封装结构的细 节，确保封装质量。
探针台
用于连接芯片引脚和测 试设备的工具，确保信
号传输的稳定性。
温度箱
模拟不同温度环境，检 测芯片在各种温度下的
性能表现。
测试材料介绍
0102Βιβλιοθήκη 0304焊锡膏
用于将芯片与基板连接的材料 ，要求具有优良的导电性和耐
热性。
粘合剂
用于固定芯片和基板的材料， 要求具有高粘附力和耐久性。
绝缘材料
用于保护芯片和线路不受外界 干扰的材料，要求具有高绝缘
性能。
引脚
用于连接芯片和外部电路的金 属脚，要求具有优良的导电性
和耐腐蚀性。
06 封装测试常见问题及解决 方案
芯片贴装
芯片贴装是将芯片放置在PCB板 上的过程，通常使用自动贴装机
完成。
贴装前需要检查芯片和PCB板的 型号、规格是否匹配，以及芯片
的外观是否有破损或缺陷。
贴装过程中，需要调整好芯片的 位置和角度，确保芯片与PCB板 对齐，并保持稳定的贴装压力和
温度。
引脚焊接
引脚焊接是将芯片的引脚与 PCB板上的焊盘进行焊接的过 程，通常使用热压焊接或超声 波焊接。
LED基础知识培训(芯片)
LED基础知识培训
二、外延片
外延片是指用外延工艺在衬底表面生长薄膜所生片的单晶硅片。一般外 延层厚度为2-20微米，作为衬底的单晶硅片厚度为610微米左右。 外延工艺：外延生长技术发展于20世纪50年代末60年代初，为了制造高 频大功率器件，需要减小集电极串联电阻。生长外延层有多种方法，但 采用最多的是气相外延工艺，常使用高频感应炉加热，衬底置于包有碳 化硅、玻璃态石墨或热分解石墨的高纯石墨加热体上，然后放进石英反 应器中，也可采用红外辐照加热。为了克服外延工艺中的某些缺点，外 延生长工艺已有很多新的进展：减压外延、低温外延、选择外延、抑制 外延和分子束外延等。外延生长可分为多种，按照衬底和外延层的化学 成分不同，可分为同质外延和异质外延；按照反应机理可分为利用化学 反应的外延生长和利用物理反应的外延生长；按生长过程中的相变方式 可分为气相外延、液相外延和固相外延等。
LED基础知识培训
三、LED外延片工艺流程如下：
衬底 - 结构设计 - 缓冲层生长 - N型GaN层生长 - 多量子阱发光层生 - P型GaN层生长 - 退火 - 检测（光荧光、X射线） - 外延片 外延片- 设计、加工掩模版 - 光刻 - 离子刻蚀 - N型电极（镀膜、退 火、刻蚀） - P型电极（镀膜、退火、刻蚀） - 划片 - 芯片分检、分 级 重点设备：金属有机物化学气相淀积（Metal-Organic Chemical Vapor Deposition，简称 MOCVD）， 1968年由美国洛克威尔公司提出来的一项 制备化合物半导体单品薄膜的新技术。该设备集精密机械、半导体材料、 真空电子、流体力学、光学、化学、计算机多学科为一体，是一种自动 化程度高、价格昂贵、技术集成度高的尖端光电子专用设备，主要用于 GaN（氮化镓）系半导体材料的外延生长和蓝色、绿色或紫外发光二极管 芯片的制造，也是光电子行业最有发展前途的专用设备之一。
LED芯片制造工艺基础培训讲课文档
ITO工艺
P/N Pad工艺
去胶、清洗
去胶后每批抽1片进行刻蚀深度测试，确保已经刻到N-GaN重掺 层，刻蚀过深或过浅都会影响到芯片的多项光电参数（Vf1等）。
SiO2工艺
检测
去膜剂
刻蚀深度测试 第十一页，编辑于星期五：十三点 九分。
综合站 黄光站 化学站 综合站 化学站
前处理
1去铟球 2外延清洗
P/N Pad工艺
10 P/N Pad光刻 11Plasma清洗 12 P/N Pad蒸镀 13金属剥离去胶
SiO2工艺 14SiO2沉积 15光刻SiO2 16 SiO2蚀刻、去胶 17金属熔合
检测
18电性 19打线 20推力 21拉膜 22外观
p MQW
N 衬底
实 物 图
EPI
EPI
EPI
EPI
曝光台
P/N Pad工艺
SiO2工艺
软烤、坚膜
检测
365nm紫外光
匀正胶
软烘
曝光
显影
坚膜
第八页，编辑于星期五：十三点 九分。
综合站 黄光站 化学站 综合站 化学站
前处理
1去铟球 2外延清洗
Mesa工艺 3Mesa光刻
ITO工艺
P/N Pad工艺
光刻知识：
光刻胶的主要成分：
•Resin : Film material (Polymer) :酚醛树脂，提供光刻胶的粘附性、化 学 抗蚀性，当没有溶解抑制剂存在时，线性酚醛树脂会溶解在显影液 中的 •PAC : Photo Active Compound,光敏化合物，最常见的是重氮萘醌（DNQ） ，在曝光前，DNQ是 一种强烈的溶解抑制剂，降低树脂的溶解速度。在紫外 曝光后，DNQ在光刻胶中化学 分解，成为溶解度增强剂，大幅提高显影液中 的溶解度因子至100或者更高。这种曝光反应会在DNQ中产生羧酸，它在显 影液中溶解度很高。 •Solvent ::醋酸溶剂，提高流动性
PD芯片知识培训
零偏下的PN结，当以适当的能量光照射PN 结。使光生电场E=Ei-Ep=0即Ei已被削减为零。 耗尽区不存在。这时光生载流子虽仍在P-N中 产生。但无电场引导和加速。在杂乱的扩散 过程中，大部份光生空穴和光生电子相继复 合而消失。不能形成外部电流。
A、零偏置有大弊端
①器件的响应率很差且很易饱和
②依靠扩散动动形成的光电流响应速度很慢
PIN PD 芯片知识
1
培训内容
➢ PD芯片基本理论 ➢ PD 芯片设计说明 ➢ PD芯片工艺流程 ➢ PD芯片参数及测试 ➢ PD芯片检验 ➢ 结束语
2
1、什么是PD芯片？ PD——Photo Devices 光电探测器
Photo Dioder 光电二极管
2、为什么要做PD芯片？
光纤通信均采用光谱很窄的单色光源，要求所采用的检测器具有
由于PN结的横向扩展，结离金属电极边缘的实际距离起到了保护 结的作用。
11
三次版图
380
560
560 20
380 20
300
20 20
55二次版图
55二次版图
图4．三次版图
三次版图为P面电极图形，电极材料为Cr-Au，它由光敏面电极及
延伸电极组成。光敏面电极要大于二次版电极环尺寸，延伸电极是
为了避免键合应力直接施加在光敏面上而设计的。由于它延伸到介
6
1．前言
随着光电子技术的高速发展，对光电探测器的可靠性提出 了越来越高的要求。器件是否能长期稳定可靠地工作，成为光 电探测器件的设计、制造所要解决的关键问题之一。
2. 芯片结构设计
Φ300μm
SiNx
Cr-Au
Zn扩散
SiNx
n--InP顶层
A、零偏置有大弊端
①器件的响应率很差且很易饱和
②依靠扩散动动形成的光电流响应速度很慢
PIN PD 芯片知识
1
培训内容
➢ PD芯片基本理论 ➢ PD 芯片设计说明 ➢ PD芯片工艺流程 ➢ PD芯片参数及测试 ➢ PD芯片检验 ➢ 结束语
2
1、什么是PD芯片？ PD——Photo Devices 光电探测器
Photo Dioder 光电二极管
2、为什么要做PD芯片？
光纤通信均采用光谱很窄的单色光源，要求所采用的检测器具有
由于PN结的横向扩展，结离金属电极边缘的实际距离起到了保护 结的作用。
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三次版图
380
560
560 20
380 20
300
20 20
55二次版图
55二次版图
图4．三次版图
三次版图为P面电极图形，电极材料为Cr-Au，它由光敏面电极及
延伸电极组成。光敏面电极要大于二次版电极环尺寸，延伸电极是
为了避免键合应力直接施加在光敏面上而设计的。由于它延伸到介
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1．前言
随着光电子技术的高速发展，对光电探测器的可靠性提出 了越来越高的要求。器件是否能长期稳定可靠地工作，成为光 电探测器件的设计、制造所要解决的关键问题之一。
2. 芯片结构设计
Φ300μm
SiNx
Cr-Au
Zn扩散
SiNx
n--InP顶层
(完整版)2.讲座之一--PD芯片知识培训
三次版图
4. 工艺设计 4．1 基片材料设计 衬底晶向设计为（100）。 （100）晶面的界面态密度最小，而且与其它晶向相比，便于划片或解理，因此 可避免由此给管芯带来的晶格损伤。 设计的衬底掺杂元素为（S）。 硫有明显抑制位错的作用，在相同的掺杂浓度下，位错密度可低0.5～1个数量级。 要求衬底位错密度越低越好。但鉴于国内目前n—InP位错密度的最好水平就是5×103cm2。因此设计此参数。 厚度：34010m； 表面：无波纹，无腐蚀坑，表面平整、光亮。
4.3.1 耐压强度用现有的PECVD工艺制作的膜，其耐压为6106V/cm，若膜厚为1.30～1.40m，耐压强度则为165～192V。芯片工作电压的最大额定值为-10V，而且器件的击穿电压均60V左右，因此设计指标完全能满足要求。 4.3.2折射率1.85～2.0 折射率反映了膜的致密程度及化学组份，它与淀积条件密切相关。PECVD SiN膜的折射率一般在1．8～2.1之间。实验中我们发现折射率越高，膜越容易龟裂，因此我们将容易生产龟裂的第一层SiN膜折射率设计为1.85～1.9,不易裂且起钝化作用.由于SiN与InP的热膨胀系数不一致，界面产生的应力较大，尤其是PECVD SiN摸呈现压缩应力，在高真空闭管扩散中，膜稍厚就会因应力造成龟裂而失去掩膜作用。因此在设计最佳厚度时应考虑此因素，我们设计SiN掩膜厚度为0.08～0.12m。
SiNx Cr-Au Zn扩散 SiNx n--InP顶层 n--InGaAs吸收层 n+-InP缓冲层 n+-InP衬底 Au
1．前言 随着光电子技术的高速发展，对光电探测器的可靠性提出了越来越高的要求。器件是否能长期稳定可靠地工作，成为光电探测器件的设计、制造所要解决的关键问题之一。 2. 芯片结构设计
4. 工艺设计 4．1 基片材料设计 衬底晶向设计为（100）。 （100）晶面的界面态密度最小，而且与其它晶向相比，便于划片或解理，因此 可避免由此给管芯带来的晶格损伤。 设计的衬底掺杂元素为（S）。 硫有明显抑制位错的作用，在相同的掺杂浓度下，位错密度可低0.5～1个数量级。 要求衬底位错密度越低越好。但鉴于国内目前n—InP位错密度的最好水平就是5×103cm2。因此设计此参数。 厚度：34010m； 表面：无波纹，无腐蚀坑，表面平整、光亮。
4.3.1 耐压强度用现有的PECVD工艺制作的膜，其耐压为6106V/cm，若膜厚为1.30～1.40m，耐压强度则为165～192V。芯片工作电压的最大额定值为-10V，而且器件的击穿电压均60V左右，因此设计指标完全能满足要求。 4.3.2折射率1.85～2.0 折射率反映了膜的致密程度及化学组份，它与淀积条件密切相关。PECVD SiN膜的折射率一般在1．8～2.1之间。实验中我们发现折射率越高，膜越容易龟裂，因此我们将容易生产龟裂的第一层SiN膜折射率设计为1.85～1.9,不易裂且起钝化作用.由于SiN与InP的热膨胀系数不一致，界面产生的应力较大，尤其是PECVD SiN摸呈现压缩应力，在高真空闭管扩散中，膜稍厚就会因应力造成龟裂而失去掩膜作用。因此在设计最佳厚度时应考虑此因素，我们设计SiN掩膜厚度为0.08～0.12m。
SiNx Cr-Au Zn扩散 SiNx n--InP顶层 n--InGaAs吸收层 n+-InP缓冲层 n+-InP衬底 Au
1．前言 随着光电子技术的高速发展，对光电探测器的可靠性提出了越来越高的要求。器件是否能长期稳定可靠地工作，成为光电探测器件的设计、制造所要解决的关键问题之一。 2. 芯片结构设计
芯片类培训教程
电路设计基础
电路分析基础
学习电路的基本概念和分析方法 ，如欧姆定律、基尔霍夫定律等 。
数字电路设计
掌握数字电路的基本概念和设计 方法，如门电路、组合逻辑电路 、时序逻辑电路等。
01 02 03 04
模拟电路设计
了解模拟电路的基本原理和设计 方法，如运算放大器、滤波器、 振荡器等。
混合信号电路设计
学习混合信号电路的设计方法和 技巧，如模数转换器（ADC）、 数模转换器（DAC）等。
技术创新与挑战
先进制程技术
01
随着制程技术不断进步，芯片性能得到提升，但制造成本也相
应增加。
新型材料与器件
02
新型材料和器件的研究与应用为芯片技术创新带来新的可能，
如碳纳米管、二维材料等。
封装与测试技术
03
先进的封装技术可以提高芯片集成度和性能，同时降低功耗和
成本；高效的测试技术可以确保芯片质量和可靠性。
关键设备与材料
01
关键设备
介绍芯片制造过程中使用的关键设备，如光刻机、蚀刻机、离子注入机
、化学气相沉积设备等，以及它们的工作原理和性能指标。
02
关键材料
阐述芯片制造所需的关键材料，如硅晶圆、光刻胶、靶材、气体等，以
及它们的特性和选用原则。
03
设备与材料的国产化进展
概述我国在芯片制造设备与材料方面的国产化进展和面临的挑战。
测试原理与方法
测试目的与分类
明确芯片测试的目的，介绍测试 的分类（如功能测试、性能测试
、可靠性测试等）。
测试原理与流程
详细阐述芯片测试的基本原理， 包括测试信号的输入与输出、测 试模式的设置等，并介绍典型的
测试流程。
半导体制造工艺培训课程(56页)
图1-9 PN结电容结构
13
1.2 基本半导体元器件结构
图1-10 MOS场效应晶体管电容结构
14
1.2 基本半导体元器件结构
1.2.2 有源器件结构 有源器件，如二极管和晶体管与无源元件在电子控制方式上
有很大差别，可以用于控制电流方向，放大小的信号，构成复杂的 电路。这些器件与电源相连时需要确定电极（+或-）。工作时利用 了电子和空穴的流动。 1.二极管的结构
4. CMOS结构
图1-15 CMOS反相器电路的电路图、顶视图和剖面图
19
1.3 半导体器件工艺的发展历史
图1-16 生长型晶体管生长示意图
20
1.3 半导体器件工艺的发展历史
图1-17 合金结结型晶体管示意图
21
1.3 半导体器件工艺的发展历史
图1-18 台面型结型晶体管示意图
22
1.3 半导体器件工艺的发展历史
50
1.8 芯片制造的生产环境
1.8.1 净化间沾污类型 净化间沾污类型可以分为5大类：颗粒、金属杂质、有机物沾污、
自然氧化层和静电释放。 1.颗粒
图1-30 颗粒引起的缺陷
51
1.8 芯片制造的生产环境
2.金属杂质 3.有机物沾污 4.自然氧化层 5.静电释放 1.8.2 污染源与控制
应严格控制硅片加工生产厂房里的各种沾污，以减小对芯片的 危害。作为硅片生产厂房的净化间其主要污染源有这几种：空气、 人、厂房、水、工艺用化学品、工艺气体和生产设备。 1.空气
30
1.4 集成电路制造阶段
表1-2 1μm以下产业的技术节点列表
(2)提高芯片的可靠性 芯片的可靠性主要指芯片寿命。 (3)降低芯片的成本 半导体芯片的价格一直持续下降。
13
1.2 基本半导体元器件结构
图1-10 MOS场效应晶体管电容结构
14
1.2 基本半导体元器件结构
1.2.2 有源器件结构 有源器件，如二极管和晶体管与无源元件在电子控制方式上
有很大差别，可以用于控制电流方向，放大小的信号，构成复杂的 电路。这些器件与电源相连时需要确定电极（+或-）。工作时利用 了电子和空穴的流动。 1.二极管的结构
4. CMOS结构
图1-15 CMOS反相器电路的电路图、顶视图和剖面图
19
1.3 半导体器件工艺的发展历史
图1-16 生长型晶体管生长示意图
20
1.3 半导体器件工艺的发展历史
图1-17 合金结结型晶体管示意图
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1.3 半导体器件工艺的发展历史
图1-18 台面型结型晶体管示意图
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1.3 半导体器件工艺的发展历史
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1.8 芯片制造的生产环境
1.8.1 净化间沾污类型 净化间沾污类型可以分为5大类：颗粒、金属杂质、有机物沾污、
自然氧化层和静电释放。 1.颗粒
图1-30 颗粒引起的缺陷
51
1.8 芯片制造的生产环境
2.金属杂质 3.有机物沾污 4.自然氧化层 5.静电释放 1.8.2 污染源与控制
应严格控制硅片加工生产厂房里的各种沾污，以减小对芯片的 危害。作为硅片生产厂房的净化间其主要污染源有这几种：空气、 人、厂房、水、工艺用化学品、工艺气体和生产设备。 1.空气
30
1.4 集成电路制造阶段
表1-2 1μm以下产业的技术节点列表
(2)提高芯片的可靠性 芯片的可靠性主要指芯片寿命。 (3)降低芯片的成本 半导体芯片的价格一直持续下降。
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芯片切割
芯片切割两种方法：
金刚刀切割 激光切割
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芯片切割
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测试与分拣
芯片的光电参数： 1、芯片测试 2、芯片分选 其中LED芯片测试机对芯片光电参数的一致性起着主要 作用，分选机的性能及使用方式也会部分地影响到芯片 光电参数的一致性。
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钝化层生长及开窗口
SiO2
影响参数： 生长温度、功率、流量、 折射率、腐蚀速率、黏附 性吸水性
12
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LED芯片制程---清洗
清洗车间 目的： 表面清洗、去胶、化学腐蚀，去除金 属、
有机物、氧化物、表面杂质等； 所需： 511、去胶液、ITO腐蚀液、金属腐蚀液、
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LED芯片制造工艺流程
外 延 片 清 洗
CBL
ITO
蒸 镀
平 台 刻 蚀
N
P、N
电 SiO2 打
极沉 线
镀积 电
膜
极
封
成 品
成
切
研
装 入测割 磨
库
6
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CBL制作
P-GaN N-GaN
Sapphire
CBL
• CBL (Current blocking layer) • SiO2：SiH4+N2O→SiO2 • 影响因素：生长温度、功率、流
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芯片分捡
老式分选机
芯片按WLD、Iv、Vf、Vz、Ir进行分类
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芯片分捡
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பைடு நூலகம்
德豪润达光电科技有限公司
以上是一个GaN LED生产基本制程的， 但不是唯一，其中很多步骤顺序可以调换、 简化，还有很多地方需要我们一起努力去改 善、优化。
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LED芯片制程
芯片生产周期
一般芯片的制造周期大约10天左右时间，分为 以下几个阶段： 1、外延片生产阶段 2、外延片验证阶段 3、芯片工艺完成阶段 4、磨切阶段 5、前目检阶段 6、点测和分拣阶段 7、后目检和打标签入库阶段
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LED芯片制程
芯片制造成本计算
芯片制造与所有工业制品一样，其成本计算无外 乎以下：
芯片相关参数及其测量
电参数部分： 1，保证测试机供电稳定。 2，保证测试机内部电路元件处于正常工作状态。 3，保证探针与测试模组之间、探针与探针夹具之间，探针与芯片 电极之间的接触正常。 光参数部分： 1，保证测试机校准系数准确。 2，保证测试机光学探头的位置与状态稳定不变。 3，保证显微镜放大倍率及显微镜机构位置稳定不变。 4，保证待测芯片位置始终与显微镜光路保持同轴，且芯片发光中 心与显微镜中心位置对准不变。 5，保证测试机光学模组内部的各项元件处于正常工作状态。
BOE、O2 plasma
13
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LED芯片制程---光刻
光刻车间 目的: 匀胶、对版曝光、显影、定胶； 参数：
光刻胶的厚度及均匀性、曝光功率及时间、 显影后图形的完整、定胶的时间等，对后 道工序都将产生很大影响。
14
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LED芯片制程---沉积与镀膜
干法刻蚀与沉积: 氮化镓、蓝宝石、SiO2蚀刻---ICP； 二氧化硅沉积---PECVD； 镀膜：
湿法腐蚀
9
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Mesa干法蚀刻
N-GaN
10
干法蚀刻
蓝宝石衬底不导电，露出部分N-GaN ICP干法蚀刻： 影响因素：气体、流量、比例、压力、 时间； 参数：蚀刻深度、表面状况
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P、N电极蒸镀
PN电极
undercut 光刻图形
11
•PN打线盘 •N型欧姆接触电极 •金属蒸镀参数： 蒸发源纯度、真空度、 蒸发速率 黏附性、欧姆接触
芯片相关参数及其测量
正向电压Vf：指在确定电流下器件两端的电压值，
所取的正向电流一般教大在10mA—30mA之间，在
实验室中所取If=20mA。
光通量Φv(Luminous Flux)：
2
德豪润达光电科技有限公司
LED产业区分
3
德豪润达光电科技有限公司
LED 制作流程
氮化鎵 (GaN)-蓝绿
p-GaN MQW n-GaN Sapphire
Au
p-GaN
MQW
n-GaN
Sapphire
Pad SiO2
ITO
4
德豪润达光电科技有限公司
LED芯片制程
芯片主要工艺 表面处理（Surface cleaning) 光刻 (Photolithography) 蚀刻（Etching) 湿法腐蚀(Wet Etch) 干法蚀刻(Dry Etching) 打线盘金属蒸镀(Evaporation) 沉积(Deposition) 研磨、切割 测试分拣
LED 芯片基础知识
刘娉娉
2010-7-19
LED及其应用
LED （Light Emitting Diode）是靠电子和空 穴的复合,将电能转换成光能的半导体器件。 LED具有寿命长、可靠性高、体积小、功耗 低、响应速度快、易于调制和集成等优点。 LED可应用于彩灯、交通灯、数码管、显示 屏、手机和笔记本电脑背光源等。
电子束蒸镀透明电极和打线焊盘； 主要的蒸镀材料有ITO、Au、Cr等金属。
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芯片研磨、切割
N电极
P电极 P-GaN N-GaN
蓝宝石
N电极
P电极 P-GaN
N-GaN
蓝宝石
～ 460μm
～ 85μm
参数：研磨厚度、翘曲、划痕等; 激光划片将采用隐形切割的方式
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量、速度等 • 参数：折射率等 • 光刻胶掩膜 BOE 湿法腐蚀
Oxford 800plus
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CBL制作流程
涂胶、光刻、显影、腐蚀、去胶
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ITO蒸镀及腐蚀
ITO
• p-GaP掺杂浓度高, 而p-GaN掺 杂浓度低,造成蓝绿光LED需要制 造TCL增加电流扩散, • 影响因素：源、温度、流量、 速率、环境等 • ITO参数：透光度、片电阻、 透射曲线、腐蚀速率 •湿法腐蚀： 侧向腐蚀
产品生产（制造）成本计算，就是将企业生 产过程中位制造产品所发生的各种费用，按照所 生产产品的品种（即成本计算对象）进行分配和 归集，计算各种产品的总成本和单位成本。
节约成本的方法：
1、提高生产效率，提高产量 2、优化工艺步骤，减少单位原材料损耗 3、原材料的国产化、本地化
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