单片机教案第6章存储器的扩展

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单片机教案(第6章存储器的扩展)

单片机教案(第6章存储器的扩展)

单片机教案(第6章存储器的扩展)第六章MCS—51单片机存储器的扩展MCS-51单片机内部有4KB的程序存储器(8031除外)和128B数据存储器。

在实用中往往不够用,必须加以扩展。

而8031没有内部的程序存储器也必须通过扩展才能使用。

在扩展时采用了外部三总线结构:地址总线、数据总线、控制总线。

它们分别传递各自的信息。

一、地址总线(16根)1、P0口传递低8位地址信息(A7~A0);2、P2口传递高8位地址信息(A15~A8)。

二、数据总线(8根)P0口传递8位数据信息(分时传送)。

三、控制总线(5根)1、程序存储器读控制信号为PSE N;2、数据存储器的读控制信号RD或写控制信号WR;3、地址锁存控制信号为ALE;4、片内/片外选择信号为E A。

4-1 程序存储器的扩展一、外部存储器与单片机的连接原理1、内、外部存储器的地址分配①内部程序存储器的地址为0000H~0FFFH;②当E A=1时:内、外存储器地址相接,内部从0000H~0FFFH,外部从1000H~0FFFFH,内外连成一个整体;③当E A=0时:只有外存储器能使用,其地址从0000H~0FFFFH。

二、外部存储器与单片机的连接框图1、由ALE提供选通信号,控制地址锁存器,使P0口分时传送地址或数据信息。

2、P2口直接与程序存储器的高8位地址相连。

3、PSE N与OE相连,控制程序存储器中8位数据的读操作。

三、外部程序存储器读周期的时序图1、ALE (地址锁存信号)在一个程序存储器读周期内两次有效;2、在ALE 第1个下降沿将P0口输出的低8位地址存入地址锁存器;3、同时高8位地址由P2口直接送到程序存储器;4、PSE N (程序存储器读控制信号)在低电平时有效,便将数据读出;5、读出的数据通过P0口送回单片机。

四、常用的地址锁存器74LS373是一个典型的TTL 带三态输出的8位地址锁存器。

1、74LS373框图及每个锁存位的原理图74LS373地址锁存器有8个输入端(D8~D1),8个输出端(Q1~Q8),1个输入选通端(G),1个三态控制端(OE ),1个接地端(GND),1个电源端(CC V )。

单片机6-2 程序存储器和数据存储器的扩展

单片机6-2 程序存储器和数据存储器的扩展
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单片机原理及应用
2. EPROM芯片的工作方式
(1)读出方式 片选控制线为低, 输出允许为低,Vcc为+5V,指定 地址单元的内容从D7~D0上读出。 (2)禁止输出方式 输出呈高阻状态,不写入程序 (3)未选中方式 片选控制线为高电平。 (4)编程方式 Vpp端加规定高压, CE*和OE*端加合适电平,就 能将数据线上的数据写入到指定的地址单元。 (5)编程校验方式 (6)编程禁止方式 输出呈高阻状态,不写入程序。
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;1B ;1B ;1B ;3B ;2B
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第6章 单片机系统的并行扩展 单片机原理及应用 电子教案 3、EPROM和RAM的综合扩展 (1)综合扩展的硬件接口电路 例: 采用线选法扩展2片8KB的RAM和2片8KB的 EPROM, RAM选6264,EPROM选2764。
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单片机原理及应用
电子教案
第6章 单片机系统的并行扩展
IC2和IC4占用地址空间为2000H~3FFFH共8KB。同理 IC1、IC3地址范围4000H~5FFFH(P2.6=1、P2.5=0、 P2.7=0)。 例:采用译码器法扩展2片8KB EPROM,2片8KB RAM。 EPROM选用2764,RAM选用6264。共扩展4片芯片。
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第6章 单片机系统的并行扩展
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第6章 单片机系统的并行扩展

第6章 MCS-51单片机系统扩展技术

第6章  MCS-51单片机系统扩展技术

6.3 数据存储器扩展
6.3.1 静态RAM扩展电路
6.3.2 动态RAM扩展电路
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6.3.1 静态RAM扩展电路
常用的静态RAM芯片有6116,6264,62256等,其 管脚配置如图6-13所示。
1.6264静态RAM扩展 额定功耗200mW,典型存取时间200ns,28脚双列直插 式封装。表6-1给出了6264的操作方式,图6-14为6264静 态RAM扩展电路。
图 6 9
A EEPROM
28 17
扩 展 电 路
写入数据
不是指令
查询 中断 延时
2.2864A EEPROM 扩展
2864A有四种工作方式: (1)维持方式 (2)写入方式 (3)读出方式 (4)数据查询方式
图 6 12
28 64
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A EEPROM
扩 展 电 路
串行E2PROM简介 串行E2PROM占用引线少、接线简单,适用于作为数据存储 器且保存信息量不大的场合。 以AT93C46/56/57/66为例,它是三线串行接口E2PROM, 能提供128×8、256×8、512×8或64×16、128×16、256×16 位,具有高可靠性、能重复擦写100,000次、保存数据100年 不丢失的特点,采用8脚封装。
第6章 MCS-51单片机系统扩展技术
6.1 MCS-51单片机系统扩展的基本概念
6.2 程序存储器扩展技术
6.3 数据存储器扩展 6.4 输入/输出口扩展技术
T0 T1
时钟电路
ROM
RAM
定时计数器
CPU
并行接口 串行接口 中断系统
P0 P1 P2 P3
TXD RXD
INT0 INT1

第6章 80C51单片机的系统扩展

第6章 80C51单片机的系统扩展

80C51单片机的系统扩展 第6章 80C51单片机的系统扩展
6.1.2 常用程序存储器芯片
1、Flash(闪速 、 闪速)ROM 闪速
FlashROM是一种新型的电擦除式存储器,它是在EPROM工艺的基础上 增添了芯片整体电擦除和可再编程功能。它即可作数据存储器用,又可作程序 存储器用,其主要性能特点为: (1)电可擦除、可改写、数据保持时间长。 (2)可重复擦写/编程大于1万次。 (3)有些芯片具有在系统可编程ISP功能。 (4)读出时间为ns级,写入和擦除时间为ms级。 (5)低功耗、单一电源供电、价格低、可靠性高,性能比EEPROM优越。 FlashROM型号很多,常用的有29系列和28F系列。29系列有29C256 (32K×8)、29C512(64K×8)、29C010(128K×8)、29C020 (256K×8)、29040(512K×8)等,28F系列有28F512(64K×8)、 28F010(128K×8)、28F020(256K×8)、28F040(512K×8)等。
80C51单片机的系统扩展 第6章 80C51单片机的系统扩展
6.2.1 常用数据存储器芯片
静态存储器(SRAM)具有存取速度快、使用方便和价 格低等优点。但它的缺点是,一旦掉电,内部所有数据信 息都会丢失。常用的SRAM有6116(2KB×8)、6264 (8KB×8)、62128(16KB×8)、62256(32KB×8) 等芯片。常用SRAM芯片管脚和封装如图6-8所示,引脚功 能如下。 ① A0~A15:地址输入线。 ② D0~D7:双向三态数据总线,有时也用I/O0~I/O7表示。 ③CE:片选线,低电平有效。6264的26脚(CS)必须接高 电平,并且CE为低电平时才选中该芯片。 ④OE:读选通线,低电平有效。 ⑤WE:写选通线,低电平有效。 ⑥ VCC:电源线,接+5V电源。 ⑦ NC:空。 ⑧ GND:接地。

第6章 89c51系列单片机的扩展

第6章 89c51系列单片机的扩展

74LS373,直接从P0口送到数据总线上。
2. 最小系统工作时序
如下图所示:
一个机器周期 S1 ALE
一个机器周期
S2 S3
S4
S5
S6
S1
S2 S3
S4
S5
S6
PSEN
P2 PCH输出
PCH输出
PCH输出
PCH输出
PCH输出
PCH输出
输入
PCL
输出
指令 输入
PCL
输出
指令 输入
PCL
输出
指令 输入
PCL
输出
PCL输出有效
PCL输出有效
PCL输出有效
PCL输出有效
最小系统的工作时序
PCL 输出 有效
P2口送PCH 信息,P0口送PCL 信息和输 入指令。在每一个Tcy中,ALE两次有效, PSEN两次有效。ALE第一次发生在S1P2和 S2P1期间,在S2状态周期内,ALE下降沿将P0 口低8位地址信息PCL锁入74LS373。在S4状 态周内,PSEN上升沿将指令读入CPU。
VppVccCE GND
A7 A8 23 22 A10 19
I/O
74LS373 8Q 8D
GND G OE
A0
2716
28 39 O0 . . O7 OE 20
32
P0口具有分时传送低8位地址和8位数据 信息的复用功能。通过ALE信号与地址锁存
器配合使用,从而使得地址信息和数据信息
区分开。
工作原理如下:
2. 具体应用
使用单片E2PROM扩展外部程序存储器
一 片 2864E2PROM 和 地 址 锁 存 器
74LS373构成MCS-51系列单片机中8031

课件:第6章 单片机总线与存储器的扩展

课件:第6章  单片机总线与存储器的扩展

信号,因此单片机的 PSEN 连接ROM的输出允许端OE;

外接数据存储器和I/O口:

由于数据存储器可读可写,而RD(P3.7)和WR
• (P3.6)为数据存储器(RAM)和I/O口的读写控制信号, 因此单片机的RD应连接扩展芯片的OE (输出允许)或RD 端,单片机的WR应连接扩展芯片的WR或WE端。
第6章 单片机总线与存储器的扩展
• 地址线的连接

如前面所述,和计算机接口的专用芯片会有N根
地址线引脚,用于选择片内的存储单元或端口,称为
字选或片内选择;为区别同类型的不同芯片,外围芯
片通常都有一个片选引脚,仅当该引脚为有效电平
(通常为低电平)该片才被选中。

一个芯片的某个单元或某个端口的地址由片选
6.1单片机系统总线和系统扩展方法

单片机是通过地址总线,数据总线和控制总线与外部交换信息的。
MCS-51单片机的总线接口信号见图
第6章 单片机总线与存储器的扩展
• 由图可见:
• 1)由于Po分时传送地址/数据信息,在
接口电路中,通常配置地址锁存器,有ALE
信号锁存低8位地址Ao~A7,以分离地址和数
• •
所有谓的全高译 位码 地就 址是 线用进片行内译寻码址。剩下的AAAn11...+541 ...所译 码 器
An CE (b)
• 该法的缺点是要增加地址译码器。
• 全译码法的优点是地址唯一。见左图
第6章 单片机总线与存储器的扩展
• 3)片选端可直接接地。

当接入单片机的某类芯片仅
一片时,片选端可直接接地使它始
(a)混合逻辑表示
(b)正逻辑表示

《单片机技术应用》课件——第六章 单片机并行存储器扩展

《单片机技术应用》课件——第六章 单片机并行存储器扩展
A8
74LS 373
18
17 14 13
8
D7
D6 D5
D4 D3
Q7
Q6 Q5
Q4 Q3
19
16 15
12 9
1 2 3
4 5
A7
A6 A5
A4 A3
7 4
3
D2 D1
D0G
Q2 Q1
OEQ0
6 5
2
6 7
8
A2 A1
A0
2732 4K×8
11 1
GND 17 O7
16 15
14
13 11 10
O6 O5
(2K×8位)、6264(8K×8位)、62256(32K×8位) 等。根据题目容量的要求,我们选用SRAM 6116。 6116的管脚与EPROM 2716管脚兼容,管脚如图所示。
1 A7
VCC 24
2 3
A6 A5
6116
A8 A9
23 22
4
5 6
A4 A3
A2
WE OE
A10
21
20 19
GND 31
EA
P2.3 P2.2
P2.1 P2.0
24
23 22 21
8031
P0.7
P0.6 P0.5
P0.4 P0.3
32
33 34
35 36
P0.2 P0.1
P0.0
37
38 39
ALE 30 PSEN 29
+5 V
GND
24 12 18
21 VCC GND CE
19 22
23
A11 A10 A9
EPROM 27512 64KB 16根地址线

单片机基础(第3版)_第6章 单片机并行存储器扩展

单片机基础(第3版)_第6章 单片机并行存储器扩展

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(2)译码法寻址 常用译码器芯片:74LS138(3-8译码器)、 74LS139(双2-4译码器)、74LS154(4-16译码器) 当译码器的输入为某一个固定编码时,其输出只有 某一个固定的引脚输出为低电平,其余的为高电平。
15
74LS138译码器的逻辑功能真值表
输入端 C B A
0 0 0 0 1 1 1 1 0 0 1 1 0 0 1 1 0 1 0 1 0 1 0 1
第6章 单片机并行存储器扩展
存储器用来存储程序和数据,是计算机的 重要组成部分。 MCS-51的存储器配置方式与其他常用的微 型计算机不同。它把程序存储器和数据存储器 分开,各有自己的寻址系统、控制信号和功能。 通常,程序存储器用来存放程序和表格常数; 数据存储器用来存放程序运行所需要的给定参 数和运行结果。
12
A15 A14 A13 A12 A11 A10 A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 2716:1 1 1 1 0 X X X X X X X X X X X F7FFH~F000H 6116:1 1 1 0 1 X X X X X X X X X X X EFFFH~E800H 8255:1 1 0 1 1 X X X X X X X X X X X DFFFH~D800H 0832:1 0 1 1 1 X X X X X X X X X X X BFFFH~B800H 8279:0 1 1 1 1 X X X X X X X X X X X 7FFFH~7800H
7
b、锁存器8282 功能及内部结构与74LS373完全一样,只是其引脚的排列与 74LS373不同
8
9
10
6.1.2 并行扩展系统的I/O编址和芯片选取 1. 单片机外扩展地址空间
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第六章MCS—51单片机存储器的扩展MCS-51单片机内部有4KB的程序存储器(8031除外)和128B数据存储器。

在实用中往往不够用,必须加以扩展。

而8031没有内部的程序存储器也必须通过扩展才能使用。

在扩展时采用了外部三总线结构:地址总线、数据总线、控制总线。

它们分别传递各自的信息。

一、地址总线(16根)1、P0口传递低8位地址信息(A7~A0);2、P2口传递高8位地址信息(A15~A8)。

二、数据总线(8根)P0口传递8位数据信息(分时传送)。

三、控制总线(5根)1、程序存储器读控制信号为PSEN;2、数据存储器的读控制信号RD或写控制信号WR;3、地址锁存控制信号为ALE;4、片内/片外选择信号为EA。

4-1 程序存储器的扩展一、外部存储器与单片机的连接原理1、内、外部存储器的地址分配①内部程序存储器的地址为0000H~0FFFH;②当EA=1时:内、外存储器地址相接,内部从0000H~0FFFH,外部从1000H~0FFFFH,内外连成一个整体;③当EA=0时:只有外存储器能使用,其地址从0000H~0FFFFH。

二、外部存储器与单片机的连接框图1、由ALE提供选通信号,控制地址锁存器,使P0口分时传送地址或数据信息。

2、P2口直接与程序存储器的高8位地址相连。

3、PSEN与OE相连,控制程序存储器中8位数据的读操作。

三、外部程序存储器读周期的时序图1、ALE(地址锁存信号)在一个程序存储器读周期内两次有效;2、在ALE第1个下降沿将P0口输出的低8位地址存入地址锁存器;3、同时高8位地址由P2口直接送到程序存储器;4、PSEN(程序存储器读控制信号)在低电平时有效,便将数据读出;5、读出的数据通过P0口送回单片机。

四、常用的地址锁存器74LS373是一个典型的TTL带三态输出的8位地址锁存器。

1、74LS373框图及每个锁存位的原理图74LS373地址锁存器有8个输入端(D8~D1),8个输出端(Q1~Q8),1个输入选通端(G),1个三态控制端(OE),1个接地端(GND),1个电源端(CCV)。

2、74LS373的工作原理①当输入选通信号G=1时,锁存器Q输出端随D输入端的变化而变化。

(A7~A0传送的地址信息可以通过锁存器到达扩展的ROM)②当输入选通信号G=0(下降沿)时,锁存器被封锁,Q输出端不再随D输入端的变化而变化,一直保持其封锁值不变。

(A7~A0传送的是数据信息)③ G端的输入选通信号由单片机的ALE端提供。

五、常用的程序存储器EPROM芯片介绍以美国InteL公司的2764、27128、27256这三种EPROM芯片最具有代表性。

2764 ——存储容量为8K×8;27128——存储容量为16K×8;27256——存储容量为32K×81、结构特点:① EPROM(Erasable Programmable Read Only Memory),是紫外线可擦除的可编程半导体只读存储器。

一般以27开头。

②都是双列直插式28脚封装结构,只是存储容量成倍增加。

③掉电后信息不会丢失,编程时需要专用的编程器写入。

2、引脚功能:① 2764、27128和27256主电源脚都为Vcc(+5V),都有公共地端(GND); ② 它们的编程电源引脚都为Vpp ;③ 2764地址信号线为A12~A0,共有13根,KB 8213=;27128地址信号线为A13~A0,共有14根,KB 16214=;27256地址信号线为A14~A0,共有15根,KB 32215=。

④ 它们的数据信号线为O 7~O 0,共有8根; ⑤CE 为片选通信号输入端,CE =0时该芯片被选中,CE =1时该芯片不被 选中。

⑥OE 为允许数据输出(读)选通信号输入端,低电平有效。

⑦PGM 为编程脉冲输入端。

仅在编程时接收编程脉冲。

六、程序存储器扩展电路(用8031单片机与EPROM27256配套为例)1、 P0口的39~32脚输出的8位信号。

并分为两路。

① 一路作为地址总线送74LS373地址锁存器,为27256提供低8位地址信号。

②另一路作为数据总线,直接与27256相连接用于8位数据信号的读取。

2、P2口的21~28脚输出的8位信号。

(具体连接如下)⑴ 21~27脚直接与27256的A14~A8相连接,提供了高7位地址信号。

⑵ 28脚直接与27256的CE相连接:(功能如下)①当28脚为0时,即:P2.7=0,27256被选通,地址范围是0000H~7FFFH。

②当28脚为1时,即:P2.7=1,27256未被选通,不工作。

3、地址锁存信号ALE与74LS373地址锁存器输入选通端G相连,用于锁存P0口的送出的低8位地址信号。

4、读选通信号PSEN与27256的OE相连,用于读取数据。

4-2 数据存储器的扩展一、MCS-51单片机扩展数据存储器结构图1、P0口通过8位地址锁存器向外部数据存储器分时提供低8位地址信息和8位数据信息;2、单片机地址锁存信号ALE为8位地址锁存器提供选通信号;3、P2口向外部数据存储器提供高8位地址;4、P2口提供一个信号给译码器译码,用以得到RAM的片选信号;5、单片机读信号端RD可直接向数据存储器OE端发“读”命令,使信息从外部数据存储器经P0口数据总线进入单片机;6、单片机写信号端WR可直接向数据存储器WE端发“写”命令,使信息从单片机经P0口数据总线进入外部数据存储器。

二、外部数据存储器读/写周期时序图1、外部数据存储器读周期时序①在地址锁存信号ALE下降沿,P0口输出的低8位地址A7~A0被锁存;② P2口此时也将高8位地址直接送出;③读控制信号RD(低电平有效)到来,数据就从数据存储器中被读了出来;④读出来的数据经过P0口输入到单片机中,完成了一次读操作工作。

2、外部数据存储器写周期时序①在地址锁存信号ALE下降沿,P0口输出的低8位地址A7~A0被锁存;② P2口此时也将高8位地址直接送出;③写控制信号WR(低电平有效)到来,数据就从单片机中被写出来;④写出来的数据经过P0口输出到数据存储器中,完成了一次写操作工作。

三、常用数据存储器RAM芯片介绍外部数据存储器也称静态随机存储器RAM,常用的有6116、6264两种芯片。

它们都是双列直插式封装结构。

1、6116芯片(24脚)①主电源Vcc=+5V,接地端GND;②地址信号线A10~A0共11根;③数据信号线D7~D0共8根;④控制信号线CE/OE/WE3根;⑤存储容量为2KB×8位。

2、6264芯片(28脚)①主电源Vcc=+5V,接地端GND;②地址信号线A12~A0共13根;③数据信号线D7~D0共8根;④控制信号线CE/OE/WE3根;⑤存储容量为8KB×8位。

3、控制信号线的功能①CE为片选信号控制输入端:当CE=0时,该片被选中;当CE=1时,该片未被选中,不工作。

②OE为读信号控制输入端:当OE=0时,读信号线有效;当OE=1时,读信号线无效。

③WE为写信号控制输入端:当WE=0时,写信号线有效;当WE=1时,写信号线无效。

④功能表:CE WE OE方式功能0 0 1 写将单片机的内容,通过数据线O7~O0 写出到地址A7~A0所对应的单元中0 1 0 读将地址A7~A0所选中单元的内容, 通过数据线O7~O0读入单片机中。

1 ××未选中数据端口O7~O0呈高阻态四、数据存储器扩展电路(用8031单片机与一片6264配套为例)1、P0口的39~32脚输出的8位信号。

并分为两路。

①一路作地址总线送74LS373地址锁存器,为6264提供低8位地址信号。

②另一路作数据总线,直接与6264相连接用于传送8位数据信号。

2、P2口的21~25脚直接与6264的A12~A8脚相连接,提供了高5位地址信号。

3、地址锁存信号ALE与74LS373地址锁存器输入选通端G相连,用于锁存P0口的送出的低8位地址信号。

此接法的地址范围是0000H~1FFFH。

4、读信号RD(17脚)与6264的OE(20脚)相连,用于单片机读数据。

5、写信号WR(16脚)与6264的WE(21脚)相连,用于单片机写数据。

6、6264的片选信号CE(18脚)直接接地,保持常通。

五、程序/数据存储器综合应用实例1、配置分析由8031外扩一片27256(32KB)程序存储器和一片6264(8K×8)数据存储器,另加一片地址锁存器74LS373。

①程序存储器27256的地址范围是0000H~7FFFH;(A14~A0共15位地址)②数据存储器6264的地址范围是0000H~1FFFH。

(A12~A0共13位地址)2、外扩电路对存储芯片的选取要求①尽量选取大存储容量的芯片,以减少芯片的数量。

②芯片容量要留有余地,以备程序变动及增加功能。

③芯片要满足应用环境要求,如:电源、环境温度、工作速度等。

④芯片要有兼容性。

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