光电作业_最终版

第二章 光电测量的光学基础2.1 试述光通量、发光强度、和光照度的定义和单位。

解：光通量（v Φ）又称光功率，是指发光强度为v I 的光源在单位立体角内的辐射通量，即v v d I d Φ=Ω，其单位为流明（lm ）。

发光强度为（v I ）是指点辐射源在给定方向上的单位立体角内辐射的光通量，即vv d I d Φ=Ω，其单位为坎德拉（cd ）。

光亮度（V L ）是指光源在某方向的单位投影面积上，在单位立体角中发射的光通量，单位坎德拉每平方米（cd/m 2）。

照度（v E ）是指投射到单位面积的光通量v v d E dA Φ= ，单位为流明每平方米（lm/m 2）2.2 试述光照度余弦定律和朗伯定律的含义。

解：光照度余弦定律具体描述为：任意表面上的照度随该表面法线与辐射能传播方向之间的夹角余弦变化。

光照度余弦定律又称为布给定律。

朗伯定律具体描述为：当被光照的表面是理想漫反射表面时（朗伯辐射表面），则由该表面辐射的光强也服从余弦定律，即朗伯辐射表面在某方向辐射光强随该方向和表面法线之间夹角余弦而变化： 0cos I I θθ= 式中，0I 是理想漫反射表面法线方向上的光强；I θ是与法线方向夹角为θ方向的辐射光强。

此时又称为朗伯余弦定律。

2.5 某光源功率为100W ，发光效率为10lm/W,发散角为90°，设光在发散角内均匀。

求该光源的光通量、发光强度，距离光源1m 处与光源指向垂直的平面上的光照度，该平面上0.1s 内的曝光量。

解：（1）∵光源的功率为100W,且发光效率为10lm/W∴光通量∅v=100×10=1000lm（2）∵球体立体角为4π又∵光源的发散角为90°即为球体立体角的四分之一∴光源的发射立体角为π且I v=d∅v dΩ=1000π即光亮度为1000πcd（3）∵光照度E v=d∅v dA其中A=πr2=1×π=π∴照度E v=d∅v dA=1000πlx（4）∵曝光量是照度在时间上的积分0.101000π=100πlx∙s即H v=∫E v dt=0.1×第三章光电测量系统中的光源与光源系统3.1表征光源质量的基本参数有哪些 ?答：表征光源质量的基本参数有如下几个：φ与产（1）发光效率。

它是指在给定的波长范围内，某一光源所发出的光通量v生该光通量所需要的功率i p之比；（2）寿命。

光源的寿命是指灯及其电源的无故障工作时间，评价的指标有全寿命、平均额定寿命和有效寿命；（3）光谱功率谱分布。

光源输出的功率与光谱有关，即与光的波长λ有关，称为光谱的功率分布；（4）空间光强分布特性。

由于光源发光的各向异性，许多光源的发光强度在各个方向是不同的。

若在光源辐射光的空间某一截面上，将各方向发光强度的矢量的端点连线，就得到该光源在该截面的发光强度曲线，称为配光曲线；（5）光源光辐射的稳定性。

光辐射的稳定性是指光源出射光的功率或者光的频率保持随时间恒定不变的能力；（6）光源的色温和显色性。

辐射源发射光的颜色与黑体在某一温度下辐射光的颜色相同，则黑体的这一温度称为该辐射源的色温；显色性是指光源的光照射到物体上所产生的客观效果。

3.4 说明半导体发光器的工作原理。

它有什么特点和应用答：原理：PN结正向偏压时P区空穴和N区电子向对方扩散运动，在PN结附近产生导带电子和价带空穴的复合，释放出与材料性质有关的复合能量，此能量会以热能或光能的形式辐射出来。

辐射光的波长取决于半导体材料的禁带宽度。

特点和应用：LED的主要优点是低功耗和长寿命带来的经济效益，其次是体积小、坚固耐用、抗冲击和启动快。

起初只用作各种电气和电子设备的彩色指示灯，随着其高亮度化和多色化已发展到用作信号灯和通用照明灯。

在光电测量中也因其经久耐用而广泛用为光源。

3.5 氦-氖激光器有什么特点及其使用要点？答：特点：单色性、方向性好；输出功率和频率控制得很稳定，因此是精密计量中应用最广泛的一种激光器。

使用要点如下：（1）注意激光的模态：在使用He-Ne激光器作为光电测量的光源时，一般都选用单模激光。

（2）功率：光电测量中所用的He-Ne激光光源功率一般都在0.3毫瓦到十几毫瓦之间。

如果测量系统需要多次分光，为保证干涉场具有足够的照度和信噪比可用光功率略大些的激光器。

（3）稳功率和稳频：He-Ne激光器输出的功率变化比较大，当作非相干测量的光源时，由于光电器件直接检测入射于其光敏面上的平均光功率，这时光源的功率波动对测量影响很大。

（4）激光束的漂移：虽然He-Ne激光器具有很好的单色性和方向性，但它也是有漂移的，尤其是用作精密尺寸测量和准直测量时尤应注意。

3.6 半导体激光器有什么特点及其使用要点。

答：半导体激光器特点：半导体激光器简称LD，它是用半导体材料制成的面结型二极管。

半导体材料是LD的激活物质，在半导体的两个端面精细加工磨成解理面而构成谐振腔。

给半导体施以正向外加电场，而产生电激励。

由于解理面谐振腔的共振放大作用实现受激反馈，半导体激光器的输出功率和注入电流在一个很大范围内，存在线性关系。

其输出的波长范围与工作物质材料有关，从紫外到红外均可发光。

以及体积小，重量轻，运转可靠，耗电少，效率高等特点。

使用要点：（1） LD发出的光束是近似高斯光束，光束截面与激活介质的横截面一样是矩形，发散角又较大，因此用LD作为平行光照明时应该用柱面镜将光束整形，再用准直镜准直。

（2）频率稳定性：由于其相干性较差，因此用LD作相干光源且测量距离较大时，必须对LD稳频。

（3）调频：由于改变LD的注入电流会使LD的输出频率产生变化。

如果注入电流是按某一频率变化规律变化的，那么输出的激光将被调频。

这种调频在LD内部实现，称为内调制。

由此原理制成的半导体激光器可用于外差测量。

应注意的是，以上调频的同时伴随着LD输出功率的改变，以此应注意功率变化对测量的影响。

第四章 光电测试常用器件4.1 试述光谱灵敏度与积分灵敏度，探测度与比探测度的定义与异同点。

答：光谱灵敏度又叫做单色灵敏度，用来表示光电传感器对单色辐射的入射光的响应能力。

用S （λ）表示：单色电压灵敏度：单色电流灵敏度： S I (λ)=I (λ)/Φ(λ)积分灵敏度表示探测器对连续入射光辐射的反应灵敏度。

电流（或电压）积分灵敏度：噪音等效功率NEP 倒数D 为光电器件探测度：与归一化噪声等效功率相应的归一化探测度又称为比探测度用D*表示：4.3 探测器的D*=1011cm·Hz 1/2·W -1，探测器的光敏面的直径为0.5cm ，用f=5×103Hz 的光电仪器，它能探测的最小辐射功率为多少？解：最小功率为： 103.1310NEP W −×s n v n /1U U S D NEP U ===Φ1/2*1/21/2d s n v d d *n ()/1()()NEP NEP A f U U S D A f A f U ∆===∆=∆Φ()()()V S U λλλ=Φ()()()010d I S S λλλλλλ∞=ΦΦ∫∫4.4 为什么负电子亲和势光电阴极材料的量子效率高？而且光谱范围课扩展到近红外区？答：因为负电子亲和势光电阴极NEA发射体导带底的店子能量高于真空能级，且冷电子的平均寿命较长，因为体内冷电子能量仍高于真空能级，所以它们运动到真空界面时，可以很容易逸出，且NEA的逸出深度可达1000nm，扩展到近红外区。

4.5 试述光电倍增管的工作原理，设管中有n个倍增极，每个倍增极的二次电子发射系数均为δ，试证明电流增益G=δn。

答：（1）光电倍增管由光电发射阴极K（光阴极）、聚焦电极、电子倍增极D和阳极A（电子收集极）组成。

管内真空度为10-4Pa。

当能量足够高光子照射到光电阴极时，将发生光电效应向真空中激发出光电子；光电子在聚焦极电场作用下进入倍增系统，通过进一步的二次电子发射得到倍增放大；放大后的电子被阳极收集形成电流或电压信号输出。

（2）因为，倍增系数μ等于各倍增电极的二次发射系数δ的乘积，由于每个倍增级的二次发射系数均为δ，故，μ=δn，则，I A=I Kδn,所以电流增益：G=I A I K⁄=δn。

4.7什么是光电发射效应？光电发射和二次电子发射有何不同？答：（1）金属或半导体在光的照射下吸收光子激发出自由电子，当吸收的能量足以克服原子核对电子的束缚时，电子就会脱离原子核逸出物质的表面，这就是物质的光电发射现象，也称为外光电效应。

（2）光电发射，一般的情况下十个光子也就是能激发出一个电子，而二次电子发射，则有可能一个电子激发出2—10个电子，因此二次电子发射具有放大电流的功能，而光电发射则是把光子转化成了电子，这个转化效率叫做量子效率，一般会低于20%，这个效率取决于金属的材料以及入射的波长等因素。

4.8设光电倍增管有10个倍增极，所有倍增极的二次电子发射系数δ=4，阴极灵敏度Sk=20μA/lm ,阳极电流不超过100μA时，试估算入射于阴极的光通量的上限。

解：∵I A=ϕλs kδn∴入射光通量ϕλ=I A s kδn=10020×410=4.77×10−6lm故入射于阴极的光通量上限为4.77×10−6lm。

4.9使用光敏电阻时应注意哪些问题？答：光照变化引起半导体材料电导变化的现象称为光电导现象。

它是光电导器件工作的物理基础。

半导体无光照时为暗态，此时材料具有暗电导；有光照时为亮态，此时具有亮电导。

如果给半导体材料外加电压，通过的电流有暗电流与亮电流之分。

亮电导G l与暗电导G d之差称为光电导G p：G p=G l−G d=(σl−σd)S L⁄=∆σS L⁄∆σ为光致电导率的变化量，亮电流与暗电流之差称光电流I p：I p=I l−I d=(G l−G d)U=G p U=∆σSU L⁄G——样品电导；下标d代表暗态；下标l代表亮态；σ——半导体材料电导率；S——样品横截面面积；L——样品长度；U——外加电压。

4.12已知CdS光电导探测器的最大功耗为50mW，光电导灵敏度Sg=0.5×10-6S/lx，暗电导g0=0，若给CdS光电导探测器加偏置电压25V，此时入射到CdS光电导探测器上的极限照度为多少勒克司？解：光敏电阻最大功耗：偏置电压：最大电流：光敏电阻的光电导：所以极限照度：故此时入射到CdS 光电导探测器上的极限照度为160勒克司4.14写出光照下光伏器件的P-N 结电流方程，并给出短路电流与开路电压的表达式。

答：（1）光伏光照下的PN 结电流方程：与热平衡时比较，有光照时，PN 结内将产生一个附加电流（光电流）I p ，其方向与PN 结反向饱和电流I o 相同，一般I p ≥I 。