SnO2的研究
二氧化锡的制备及研究样本
分子式(Formula): SnO2
分子量(Molecular Weight): 150.69
CAS No.: 18282-10-5
以上是二氧化锡的主要参数。中国生产二氧化锡已有较长历史,但均采用传统的硝酸法生产工艺。即将锡溶于硝酸,生成偏锡酸,经多次水洗、 干燥、 煅烧、 粉碎,得到黄色的二氧化锡,该法硝酸消耗大,环境污染严重,锡消耗高,产品纯度低,色泽达不到高档用品要求。因此,尽管中国是锡出口国,却要高价进口二氧化锡。
二氧化锡的制备及研究
一、二氧化锡
二氧化锡别名氧化锡, 化学式SnO₂。主要用途: 本产品用作电子元器件生产、 搪瓷色料、锡盐造、大理石及玻璃的磨光剂;制造不透明玻璃、 防冻玻璃和高强度玻璃等, 还可用于对有害气体的监测。
1基本内容
二氧化锡 tin oxide ; stannic oxide:stannic anhydride;
制备
1.天然产的是锡石.可由锡在空气中灼烧而制得.锡在空气中灼烧或将Sn(OH)4加热分解可制得。
2.金属锡硝酸氧化法:将洗刷净的锡锭熔化,然后用铁勺缓缓倒入冷水中爆成锡花。再将锡花缓缓加到稀释至20°Bé的硝酸中进行反应,待作用至无氧化氮逸出,同时没有锡剩余,反应液经澄清,将上部清液吸出重复使用,生成的β-锡酸用沸水漂洗,再用去离子水洗涤至铁及重金属分析合格,经脱水在120℃烘干,在1250℃煅烧,粉碎,过筛制得二氧化锡。
二氧化锡的制备及研究
7.制动块
8.催化作用和气体探测的的高级表面活性材料。（SnO₂为敏感材料制成的“气——电”转换器。）
4安全性
用聚乙烯塑料袋包装,扎紧袋口,再密封在铁桶中,每桶净重25kg。贮存在通风、干燥的库房中。禁止与强酸、强碱及食用物品共贮混运。防止受潮和雨淋。失火时,可用水扑救。毒性及防护:长期(15～20年)受二氧化锡作用的人会患尘埃沉着症,即尘肺。空气中最大容许浓度为10mg/m3(换算成金属锡计)。粉尘多时使用防毒口罩,并注意保护皮肤。应注意防尘和除尘。
分子式(Formula)： SnO2
分子量(Molecular Weight)： 150.69
CAS No.： 18282-10-5
以上是二氧化锡的主要参数。我国生产二氧化锡已有较长历史,但均采用传统的硝酸法生产工艺。即将锡溶于硝酸,生成偏锡酸,经多次水洗、干燥、煅烧、粉碎,得到黄色的二氧化锡,法硝酸消耗大,环境污染严重,锡消耗高,产品纯度低,色泽达不到高档用品要求。因此,尽管我国是锡出口国,却要高价进口二氧化锡。
三、掺杂二氧化锡的应用研究进展
二氧化锡（SnO2）是一种宽禁带n型金属氧化
物半导体材料。SnO2晶体属于四方晶系正方形晶
体，晶体呈双锥状、锥柱状，有时呈针状，为金红
二维材料氧化锡的拉曼特征峰位
二维材料氧化锡的拉曼特征峰位氧化锡是一种重要的二维材料，具有许多特殊性质和广泛的应用前景。
在研究二维材料氧化锡的过程中，拉曼光谱是一种常用的表征手段。
通过研究氧化锡的拉曼特征峰位，可以了解其晶体结构、振动模式和表面性质等信息，从而为材料的合成、改性和应用提供指导。
首先，让我们来了解一些关于氧化锡的基本信息。
氧化锡（SnO2）是由锡和氧原子组成的二元化合物。
它的结构可以分为两种形式：金红石结构和木犀石结构。
金红石结构是氧化锡的最常见的晶体形态，其晶格参数为a=4.738 Å、c=3.188 Å。
金红石结构是由Sn4+离子和O2-离子通过共享氧原子形成的。
木犀石结构是一种高压相，其晶格参数为a=3.618 Å、b=3.914 Å、c=5.511 Å。
在木犀石结构中，锡原子和氧原子都存在八面体的配位构型。
拉曼光谱是一种通过测量样品中散射的光子能量和强度来研究材料振动模式的技术。
在氧化锡的拉曼光谱中，通常可以观察到几个显著的特征峰位。
这些特征峰位的位置和强度与材料的晶体结构、结晶度和缺陷特性等息息相关。
在金红石结构的氧化锡中，最常见的特征峰位是Eg模式（147 cm-1）和A1g模式（637 cm-1）。
Eg模式是由于氧原子在结晶格点上的振动引起的，它属于铁电活性模式。
A1g模式表示晶体中Sn原子的红外活动模式。
除了这两个主要的特征峰位，金红石结构的氧化锡中还存在一些次要的特征峰位，如B2g模式（464 cm-1）和Eg（627 cm-1）模式。
这些特征峰位的位置和强度可以提供有关晶体结构和缺陷的信息。
木犀石结构的氧化锡的拉曼光谱也具有一些特征峰位。
最常见的特征峰位是A1g模式（634 cm-1）和B1g模式（470 cm-1）。
与金红石结构的氧化锡相比，木犀石结构中的特征峰位峰值位置稍微有些不同，但整体趋势相似。
此外，研究也发现，木犀石结构的氧化锡中还存在其他弱的特征峰位，如Eg模式（133 cm-1）和E1g模式（305 cm-1）。
介孔／多孔状结构SnO2锂离子电池负极材料的研究进展
广 州化 工
・ ９・ ｌ
介孔／ 多孔 状 结构 ＳＯ ｎ ２锂 离子 电池 负极 材 料 的研 究进展 木
贾铁 昆 ，王晓峰 ，刘 红飞 ，廖桂华 ，刘 缙
（ １洛 阳理 工 学院材料 科 学与 工程 系，河南 洛 阳 ４ １２ ；２武 汉理工 大 学材 料 复合新技 术 国家重点 实验 室， ７０ ３ 湖北 武 汉 ４ ０ ７ ） ３００
１０ ｍ ／ ， 径 为 ０ ３ ｍ ／ 。介 孑 ｎ 米 晶 组 装 成 电池 ， ６ ｇ孔 ．４ｃ ｇ Ｌ Ｏ 纳 Ｓ 在 充 电 电压 ０—１２Ｖ、 电 电 流 密度 ４０ｍＡ ｇ 件 下 进 行 充 放 电 ． 充 ０ ／ 条
电化学性能进行研究 ， 相关结果已经 申请 国家发明专利 。 通过以上综述 电纺 丝法 、 板法 和水 热／ 剂热法 制备 多 模 溶 孔／ 介孔 Ｓ Ｏ ｎ 的特点 ， 我们认为 ， 水热 法／ 溶剂热合成方法简单 、 易行 ， 过调整Ｔ艺参数 ， 制水热 或溶剂化 过程 ， 用结晶 一 通 控 利 溶 解 一结 晶或 奥 斯 瓦 尔 多 熟 化 机 理 ， 得 多 孔／ 孑 结 构 。该 方 获 介 Ｌ 法 无 须后 续 的高 温热 处 理 Ｔ艺 ， 保证 产物 结 构 的稳定 性 ， 种 可 是一 大面积 、 高产率获得较 为理想 的多孔／ 介孔 Ｓ Ｏ 方法 ， 成产物 ｎ， 合
１ 多孔 氧 化 锡 锂 电池 材 料 的合 成 方 法
１ １ 电 纺 丝 法 ．
电纺丝法是 一种 通过 高 压 静 电来获 得 纳米 纤 维 的技 术方
基金 项 目 ： 南 省 基 础 与 前 沿 研 究 计 划项 目（ ｏ １ ２ ０ ４ ０ ７ ） 洛 阳理 Ｔ 学 院项 日（ ０ ９ ０ ） 助 。 河 Ｎ ０ ３ ０ １ １２ 和 ２ ０ ＹＺ ４ 资
SnO2纳米线制备及缺陷态发光研究
备了 Ｓ ｎ Ｏ 纳 米 片 ， 并获得了 ４ ４ ５ ｎ ｍ 处 的 蓝 光 发
射． Ｌ ５ 现有文献中， 普遍认为不同的发射峰与材料缺
粉末置于陶瓷舟 内． 将陶瓷舟放人石 英管 中（ 长： ３ ０
［ 基金项 目］国家 自然科学基金 （ 项 目编号 ： １ １ １ ４１ ０ １ ９ ） ， 江 苏省青 蓝工程优 秀青 年骨干教 师计划 ， 江苏 科技大学 博士科 研 启动基金 ， ２ ０ １ ２江苏省高等学校大学生实践 创新 训练计划及 ２ ０ １ ３江苏科 技大学本科生创新 计划项 目．
利用 气相 传 输 法 生 长 氧 化 锡 纳 米 线 ． 首 先 通 过
丙酮、 无水 乙醇和去 离子 水依 次超 声清 洗 １ × ４ ａ ｍ的
硅 片 ５分 钟 ， 然后 利 用 氮气 吹 干． 以质 量 比 １ ： １称取
碳 粉和 氧化锡 粉末 （ ９ ９ ． ９ ９ ％） ， 充 分研 磨 后 ， 取１ ． ０ ｇ
机制．
一
光） 、 紫外 吸收 系数 大 、 电 阻率 低 等光 电性 质 ， 目前 该 材 料 已被广 泛 应 用 于 气 敏 元 件 、 透 明 电极 等 半 导 体 电子元 器件 领 域 ． ¨－ ２ ］ 纳米尺度的 Ｓ ｎ Ｏ 有 着 传 统 固
体 材料 所不 具 有 的 显 著 的量 子 尺 寸 效 应 、 表 面 与 介 面效 应 、 小 尺寸 效应 和 宏 观 量 子 隧道 效 应 ． 纳 米 二 氧 化 锡在 室温 下 可 以实现 短 波 长 光发 射 ， 一维 Ｓ ｎ Ｏ 纳 米 材料 在光 学 性 质 领 域 的研 究 越 来 越 多 ． 二 氧 化 锡
２ ０ １ ３年 ８月
江苏 教育 学 院学报 （自然科 学 ）
sno2功函数
sno2功函数SNO2功函数SNO2是一种重要的半导体材料，具有广泛的应用领域。
在材料科学和电子工程领域，研究人员经常关注SNO2的功函数，因为它是评估材料电子性质的重要参数之一。
本文将介绍SNO2功函数的概念、影响因素以及其在实际应用中的意义。
一、SNO2功函数的概念功函数是指材料表面能级与真空能级之间的能量差，通常以电子伏特（eV）为单位。
SNO2功函数的测量可以通过光电子能谱（PES）等实验方法进行，它能够提供材料电子结构的信息。
二、SNO2功函数的影响因素1. 表面处理：表面处理可以改变材料表面的化学成分和结构，从而影响功函数。
例如，通过氧化、还原或金属沉积等表面处理方法，可以改变SNO2的功函数。
2. 温度：温度对SNO2的功函数也有影响。
随着温度的升高，SNO2的功函数通常会降低。
这是因为温度升高会导致电荷传输和界面反应，从而改变材料表面的能级分布。
3. 气体环境：不同气体环境下，SNO2的功函数也会发生变化。
例如，氧气的存在可以增加SNO2的功函数，而还原气体如氢气则会降低功函数。
三、SNO2功函数的意义SNO2功函数的准确测量对于理解材料的电子性质、设计和优化器件具有重要意义。
在光电子器件中，SNO2作为透明导电层的材料，它的功函数直接影响器件的电子传输性能。
通过调节SNO2的功函数，可以提高器件的效率和稳定性。
SNO2功函数的研究还有助于了解材料与其他材料之间的界面行为。
例如，在太阳能电池中，SNO2作为电子传输层与活性层之间的界面材料，其功函数的匹配程度直接影响光电转换效率。
SNO2功函数是评估材料电子性质的重要参数之一。
它的测量和研究对于理解材料的电子结构、优化器件性能以及设计新型功能材料具有重要意义。
通过合理调控SNO2的功函数，可以进一步推动半导体材料在电子工程和能源领域的应用。
一维sno2纳米结构的电学性质
一维sno2纳米结构的电学性质SNO2纳米结构是目前最广泛研究并应用到电子器件中的一种纳米结构，它具有表面施加压力降低机械损伤性能并且在热可塑性良好的特性。
一、SNO2纳米结构的特性1. 尺寸：SNO2纳米结构的尺寸通常在1-100nm之间，具有较小的原子间距，具有理想的导电性能；2. 结构：SNO2纳米结构的层状和团簇结构形态分布均衡，稳定性高；3. 性能：SNO2纳米结构具有较高的蓝宝石晶体结构和表面张力，是电子元件中极好的硬质样材料；4. 热稳定性：SNO2纳米结构具有良好的热稳定性，可以在较低温度条件下获得良好的性能；5. 高抗压力：SNO2纳米结构能够有效地抵抗外部的压力，从而保证其稳定的性能及其所形成的电子器件结构的完整性；6.机械稳定性：根据颗粒安排的形态可以明显减少机械损伤的可能性，具有良好的稳定性；7.高电学性质：SNO2纳米结构具有良好的导电能力和电容器寿命，是制造电子器件的优良原料。
二、SNO2纳米结构的电学性质1. 电阻：SNO2纳米结构具有较低的静态电阻，且电阻会随着温度的升高而减小；2. 温度稳定性：它具有良好的温度稳定性，它的电特性参数（如电容量和电阻）在室温下可持续长达7天的测量时间，而且它的电性能参数不会受到很大的影响；3. 电容：SNO2纳米结构具有较高的电容容量，能够稳定地存储大量电量；4. 电容器寿命：SNO2纳米结构具有500次循环以上的电容放电寿命，以及较高的耐久性；5. 热电性：SNO2纳米结构具有较高的热电性，具有0.17mW/mK的导热系数。
综上所述，SNO2纳米结构具有很高的热稳定性，有良好的静态电阻和电容容量；它的热电性和耐久性良好，外加较低的机械损伤性能，因此在电子元件的应用领域中，SNO2纳米结构是一种优良的硬质材料。
V掺杂SnO2染料敏化太阳能电池性能探究
V掺杂SnO2染料敏化太阳能电池性能探究1. 引言1.1 背景介绍太阳能作为清洁可再生能源的重要形式，受到了广泛的关注。
染料敏化太阳能电池因其简单制备工艺、高效能转换和低成本而备受研究者青睐。
目前染料敏化太阳能电池在光电转换效率、稳定性和成本方面仍面临着挑战。
本研究旨在探究V掺杂SnO2材料在染料敏化太阳能电池中的应用，并通过性能测试和结果分析来评估其在提高光电转换效率和稳定性方面的作用。
本研究对于推动染料敏化太阳能电池的发展，提高清洁能源利用效率具有一定的意义和价值。
1.2 研究目的研究目的是通过V掺杂SnO2材料制备染料敏化太阳能电池，探究其性能特点和优势。
具体目的包括：1.研究V掺杂SnO2材料的制备方法，优化制备工艺，提高材料的光电转换效率。
2.深入了解染料敏化太阳能电池的工作原理，探讨V掺杂SnO2材料在电池中的作用机制。
3.通过对V掺杂SnO2染料敏化太阳能电池的性能测试，分析其光电性能、稳定性和耐用性等指标。
4.对实验结果进行详尽的分析和讨论，探讨V掺杂SnO2材料在染料敏化太阳能电池中的潜在应用前景和价值。
本研究旨在为提高染料敏化太阳能电池的性能和推动新型光电材料的发展提供理论和实验依据，具有一定的理论和实践意义。
1.3 研究意义V掺杂SnO2染料敏化太阳能电池是近年来备受关注的研究领域。
其性能的优劣直接影响着太阳能电池的效率和稳定性。
通过对V掺杂SnO2染料敏化太阳能电池性能的探究，可以为提高太阳能电池的光电转换效率、延长电池的使用寿命提供重要参考。
研究V掺杂SnO2染料敏化太阳能电池的性能，也有助于深入理解染料敏化太阳能电池的工作原理，为构建更高效的太阳能电池系统奠定基础。
本研究具有重要的理论和实际意义，对推动太阳能电池领域的发展具有积极的推动作用。
2. 正文2.1 V掺杂SnO2材料的制备方法V掺杂SnO2材料的制备方法是一项关键的步骤，直接影响着染料敏化太阳能电池的性能。
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二氧化锡膜气敏传感器核心研究深入探讨摘要：在论述二氧化锡气敏机理的基础上，介绍了通过掺杂金属、金属离子、金属氧化物等方法制备二氧化锡膜气敏传感器的研究成果以及二氧化锡传感器阵列电鼻子的研究现状，并对其发展趋势进行了展望。
一、引言随着纳米技术的发展，与该项技术相结合的气敏传感器的研究已经成为热门课题。
这类传感器以其较好的灵敏度和选择性、良好的响应和恢复时间以及较长的使用寿命，而被广泛应用于各种有毒有害气体、可燃气体、工业废气、环境污染气体的检测。
1931年，研究人员发现金属氧化物 Cu2O的电导率随H2O蒸汽的吸附而改变，从此拉开了材料气敏特性研究的序幕，并将这种特性与传感器技术相结合而制成气敏传感器。
气敏传感器的敏感材料主要是导电聚合物、金属氧化物和复合氧化物。
导电聚合物包括聚吡咯、聚噻吩、聚吲哚、聚呋喃等;金属氧化物则包括SnO2、ZnO、WO3、Fe2O3、 TiO2、CeO2、Nb2O5、Al2O3、In2O3、LnMO3(Ln=La、Gd ，M=Cr、Mn、Fe、Co)等，其中又以SnO2、 ZnO、Fe2O3 三大体系为主;复合氧化物主要为MxSnO3(M=Cr、Mn、Fe、Co)。
目前普遍采用的方法是以二氧化锡(SnO2)为基材，通过掺杂等方法制备出气敏传感器，用以检测某种气体的成分和浓度。
二、二氧化锡气敏机理的理论模型SnO2 属于N型半导体，含有氧空位或锡间隙离子，气敏效应明显。
关于其气敏机理的理论模型有多种[1]，一般认为其气敏机理是表面吸附控制型机制[2]，即在洁净的空气(氧化性气氛)中加热到一定的温度时对氧进行表面吸附，在材料的晶界处形成势垒，该势垒能束缚电子在电场作用下的漂移运动，使之不易穿过势垒，从而引起材料电导降低;而在还原性被测气氛中吸附被测气体并与吸附氧交换位置或发生反应，使晶界处的吸附氧脱附，致使表面势垒降低，从而引起材料电导的增加，通过材料电导的变化来检测气体。
理论模型中的一种为：Oo------Vo++e+1/2O2 (1)Oo+------Vo2++e+1/2O2 (2)SnSn-------S NI2++2e (3)SnSn-------SnI4++4e (4)三、二氧化锡气敏传感器的最新研究成果为了提高传感器的灵敏度和选择性，或为了扩大其应用范围，通过掺杂金属或金属氧化物等以提高SnO2半导体表面催化活性的各种气敏传感器已被制备出来，最新研究成果主要表现在以下几个方面。
1、 SnO2 膜传感器的研究Sberveglieri G.等人[3]提出了液延生长—热氧化 (Rheotaxial Growth and Thermal Oxidation， RGTO)技术，该方法是采用磁控溅射在温度稍高于Sn熔点(232°C)的基片上沉积约150nm厚度的Sn膜层，即液延生长，然后使金属Sn膜在高温下产生热氧化反应，从而制备成SnO2膜。
李建平[4]等比较了RGTO、室温直流(CD)溅射、射频(RF)溅射制备的SnO2薄膜，得出的结论是：RGTO法制备的SnO2薄膜多孔、疏松、灵敏度高、稳定性好，但与微电子工艺不太兼容;室温直流(CD)溅射Sn源，然后使之热氧化而得到的SnO2薄膜由于晶粒结构和Sn/O比不合适，气敏特性不够理想;而室温混合气氛(Ar/O2比为8:2)条件下RF溅射SnO2靶，然后在大气中进行450°C退火处理而制备的SnO2气敏薄膜粒径大、多孔、疏松，并对甲醇、乙醇等有机分子有良好的气敏响应。
Jin Z.H.等人[5]利用溶胶—凝胶技术制备了纳米晶多孔 SnO2 薄膜(粒经为7~15nm，孔经为1.6~9nm)，并对其表面形貌、一氧化碳敏感性等进行了研究。
研究结果认为该薄膜对一氧化碳的响应快、恢复时间短。
Teeramong Konrasme A.等人[6]也用此法制备了SnO2薄膜，并用流动注射分析法对气敏特性进行研究，结果表明：样品浓度的对数与灵敏度的对数呈线性关系。
陆凡等人[7]利用溶胶—凝胶—超临界干燥技术制备超细SnO2颗粒，研究了不同吸附物的作用机理，由此提出了超细元件的氧溢流模型。
Williams G[8]利用激光蒸发技术，制备了SnO2纳米晶，用X-ray粉末衍射、透射和扫描电镜对其进行形貌和结构分析，结果表明与传统的湿化学方法相比，此法制备的材料对氢气、一氧化碳、甲烷混合气有很好的响应灵敏度。
Lee S.W.等人[9]采用金属有机化学气相沉积法(MOCVD)，以四乙基锡作为有机金属源制备 SnO2薄膜，利用XRD、SEM、AES等方法对其结构进行表征，并将之与采用金属有机分解法(MOD)制备的SnO2厚膜进行微结构比较，得出的结论是：MOCVD法制得的薄膜具有粗糙、浓密的柱状结构，而MOD法得到的厚膜具有孔结构，这两种传感器对氢气、一氧化碳都有很好的灵敏度。
王雅静[10]用等离子激活化学气相沉积法(Plasma Enhance Chemical Vapor Deposition， PECVD)制备非晶 SnO2膜，并在300°C下作烧结处理，IR、SEM、TEM的非晶特征研究结果表明它具有灵敏的响应特性。
Tanaka S. 等人[11]等利用脉冲激光溅射法，分别以SnO2 和纯Sn为靶制备了一种高质量的SnO2膜，并研究了膜层的结构和对氢气、乙醇的灵敏性能。
得出的结论是：在300℃的温度下制备的掺杂有Nb2O5和TiO2的SnO2传感器，在含有0.4ppm的NO2的空气中，其灵敏度的值为2或大于2。
Sergio Nicoletti 等人[12]用脉冲激光烧蚀法制备了检测芳香烃的SnO2薄膜传感器，同时对老化时间给薄膜微结构带来的影响进行研究，X-ray衍射表明，延长加热处理时间能够使残余的微应变明显减少，说明晶格缺陷有很大程度的减少。
在SnO2里，结构缺陷(如氧空位或错位)是电活性的，而且担载浓度的变化至少部分地与缺陷密度的变化有关。
Larciprete R.等人[13]则对用激光诱导化学气相沉积生成的有机Sn膜进行了原位表面分析，电测试表明传感器对NO2具有高灵敏度和很短的响应时间。
Onuma Y.等人[14]采用磁控溅射法，在氩气和氧气的混合气体中使用含Sn的靶沉积了SnO2多晶薄膜，并用XRD进行表征，薄膜显现出在(110)或(211)面的择优取向。
Chaturvedi A. 等人[15] 用氩等离子体处理厚膜SnO2气体传感器，并研究了对CCl4、C3H7OH、CO、N2O、CH4和LPG(液化石油气)等气体的响应，结果表明：与未经过这种处理的传感器相比，实施这一处理后的传感器具有更高的灵敏度，选择性也得到了改善，特别是经过氢等离子体处理的传感器变得对一氧化碳特别灵敏;此外，Chaturvedi A.等人还对经不同等离子体处理的SnO2进行了XRD表征，同时利用离子导电模型，根据SnO2内的化学计量的变化，分析了用等离子体处理后SnO2的结构变化。
在文献[16]中，A.Dieguez等人详细分析了通过Sn的热氧化形成SnO2膜的过程，特别强调了不完全氧化对传感器稳定性的影响，分析了传感响应漂移的演变根源，据此提出了一种完全结构特征的锡热氧化方法。
另外，该文献还证实了从Sn到SnO2转变过程中中间相的存在，同时通过对氧化过程中不同阶段传感行为的对比研究，讨论了完全氧化对传感响应稳定性的影响。
Nomura T. 等人[17]的研究则旨在开发脉冲加热的半导体SnO2传感器(在9V碱性电池下可使用2年，能量消耗大约在0.1mV)，并对现有传感器的结构进行优化。
热分析结果说明，与当前的传感器相比，修饰后的传感器在电池操作条件下，稳定性得到了明显的改善。
张硕等人[18] 利用共沉淀法制备了SnO2的低功耗一氧化碳敏感元件，气敏特性分析结果证实了该元件具有灵敏度高、选择性和稳定性好等优点。
Ho J.J. 等人[19]应用微电机系统(Micro-Electro-Mechanical Systems，MEMS)技术成功地制备了与固态加热器一体化的乙醇气体SnO2薄膜传感器，实验表明，与以往的乙醇气体传感器相比，新产品具有更好的气敏特性。
2 掺杂金属的SnO2膜传感器研究为了同时拥有化学气相沉积法和等离子体高活化能、低反应温度的优点，朱大奇等[20]利用等离子体化学气相沉积法制备了SnO2:Sb薄膜，并对沉积温度、极间距、掺杂Sb浓度和对NO2的气敏性能进行了理论分析。
得出的结论是：膜电阻随沉积温度升高、极间距离的减小而降低;当掺杂Sb浓度为2.5%时，膜阻有一极小值;SnO2:Sb具有负温度特性，为N半导体。
薄膜对NO2气体有较好的气敏性，温度升高气敏灵敏度增加，在170℃左右灵敏度变化快，可把工作点选在170℃。
Davis S.R.等人[21]利用溶胶-凝胶法制备 SnO2和掺杂Cu2+、Fe3+的纳米晶SnO2，研究了在空气中这些材料对一氧化碳的响应以及与烧结温度的关系，结论为：材料对一氧化碳的灵敏度随着晶粒的增大而减小;添加金属阳离子会阻碍晶体生长。
而在此之前的研究认为：由于材料被烧结，添加的金属阳离子将从有序的Sn4+晶格位置运动到更加无序的区域—最可能是表面区域，从而有助于晶体生长。
3、掺杂金属氧化物的SnO2膜传感器的研究Sumg J.H.等人[36]利用溶胶-凝胶法制备了H2S气敏的CeO2-SnO2薄膜传感器，并研究了其气敏机理和特性，实验表明它具有高选择性以及快的响应和恢复特性，与ZrO2-SnO2薄膜相比，该薄膜在室温下对低浓度的H2S更为敏感。
文献[37]和[38]则分别报道了 Katsuki A.等人采用化学气相沉积法制备出的对H2敏感的CeO2-SnO2薄膜和Teterycz H.等人利用网板印刷技术制备出的对CO敏感的CeO2-SnO2薄膜。
Teterycz H.还发现，与典型的SnO2膜传感器相反，在有还原性气体存在时，CeO2-SnO2薄膜传感器的电阻将增加。
四、结论当前，硅基微结构的气敏传感器已成为SnO2膜气敏传感器的主流。
这类传感器以硅为衬底、以SnO2为敏感材料，当敏感材料暴露在待测气氛中时，气体会和敏感材料发生作用，从而引起器件的电阻或其他参数的变化，进而给出包含气体种类和浓度的电信号，通过对这些电信号的处理来识别气体的成分和浓度。