第3章内存储器详解
第3章 存储设备
桥接芯片
晶振
ROM芯片
缓存Байду номын сангаас片
硬盘
硬盘的内部结构
硬盘盘体内部由固定面板、前置控制电路、磁头组件、盘片、主轴、电机、 接口及其他附件组成。
外壳
磁盘盘片 紧固螺孔 主轴 读写磁头 传动手臂
电机磁头驱动小车
前置控制电路
转动轴
硬盘
硬盘的结构
前置控制电路
电磁线圈电机 磁头驱动小车
数据保护与震动保护技术
自动检测并分析硬盘的运转状况，及时修正硬盘发生的问题，提供最高级 别的数据完整性和可靠度保护。 在意外碰撞发生时，尽可能避免磁头和磁盘表面发生撞击，有效地提高硬 盘的抗震性能，减少由此引起的磁盘表面损坏。
MTBF(连续无故障时间)
指硬盘从开始运行到出现故障的最长时间，单位是小时。
永磁体
电磁线圈
读写磁头
传动臂
转动轴
磁头
磁头驱 动机构
盘片和主轴组件
盘片
主轴组件
硬盘
硬盘的逻辑结构
硬盘的术语中有磁头、磁道、扇区、交叉因子等概念，这些都是逻辑的 概念，是为了方便对磁盘上数据的读写而进行的虚拟化操作的称谓。
扇区 磁道
柱面
磁道和扇区
柱面
硬盘
硬盘的接口技术
USB、1394
IDE
硬盘
硬盘的性能参数
平均访问时间（Average Access Time）
又称平均存取时间，包括平均寻道时间、平均潜伏时间与相关的内务操作 时间平均访问时间≈平均寻道时间+平均潜伏时间。
数据传输率（Data Transfer Rate）
包括内部数据传输率和外部数据传输率。
第3章内存储器详解
第三章内存储器教学提示：本章主要介绍了内存的概念和发展，了解内存的性能指标和结构，学会识别区分各种内存，掌握内存条的选购和测试。
教学目标：A级：（基本要求）1. 了解内存的基本知识和性能指标。
2. 掌握内存的安装和基本设置。
B级：（较高要求）1. 了解识别内存条的基本方法。
2. 掌握条据需要选购内存条的方法。
3. 对内存进行测试和维护。
历史回顾：计算机内存的诞生。
世界上第一台数字计算机可以追溯到上个世纪30 年代宋到40 年代初，约翰阿塔纳索夫和他的学生贝瑞在美国艾奥瓦州立大学组装出了世界上第一台数字计算机。
该计算机具备了许多现代计算机的设计思想．包括使用二进制数字、可再生存储器、并行计算以及将计算单元和存储单元分离开来等。
约翰阿塔纳索夫计算机的存储系统使用的是一个大的磁鼓，这也是计算机内存储器的雏形。
图3-1 早期的计算机的存储系统使用的是一个大的磁鼓内存储器（内存）是微型计算机主机的组成部分，用来存放当前正在使用的或随时要使用的程序。
在计算机的存储系统中内存储器直接决定CPU的工作效率，它是CPU与其它部件进行数据传输的纽带。
内存储器是计算机中仅次于CPU的重要部件，内存的容量及性能是影响计算机性能主要因素之一。
因此配置和维护计算机就要了解和掌握内存储器的基本知识。
知识补充：内部存储器按存储信息的功能可分为只读存储器（ROM ）、可改写的只读存储器EPROM和随机存储器RAM三大类。
存放在RAM上的数据既可以快速写入，也能快速读出。
“中转仓库”一般就是用RAM来搭建的。
因此，如果不是特别说明，内存一般指的就是RAM。
3.1 基础知识：认识内存储器内存储器有很多种类，通常所说的内存就是指内存条，下面就逐步介绍内存条。
3.1.1 认识内存条1．内存的工作原理当CPU 在工作时，需要从硬盘等外部存储器上读取数据，但由于硬盘这个“仓库”太大，加上离CPU 也很“远”，运输“原料”数据的速度就比较慢，会使CPU 的生产效率降低。
计算机内部存储器课件
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详细描述
辅助存储器是计算机中用于长期存储数据的设备，通常包括硬盘、固态硬盘（SSD）等。与主存储器相比，辅助 存储器的访问速度较慢，但它具有较大的容量和较低的成本。辅助存储器通常用于存储操作系统、应用程序、用 户数据等。
03 存储器层次结构
存储器层次结构的概念
存储器层次结构是指计算机系统中各 种存储器从上到下形成的多层次结构 ，包括CPU寄存器、高速缓存、主存 、硬盘等。
存储器的性能指标
容量
存储器的容量决定了可以存储的数据和程序的大 小。
速度
存储器的速度决定了数据读取和写入的速度，直 接影响到计算机的运行效率。
可靠性
存储器的可靠性决定了数据存储的安全性和稳定 性。
02 计算机内部存储器类型
寄存器
总结词寄存器是计算机中Fra bibliotek小容量的存储单元，用于存储指令或数 据。
详细描述
存储器层次结构的实现方式
01
实现存储器层次结构的方式有多种，其中最常见的是分级 存储体系。
02
分级存储体系将存储器分为多个层次，每个层次都有不同 的访问速度和容量。例如，CPU寄存器和高速缓存位于最 高速的层次，主存位于较高速的层次，而硬盘则位于较低 速的层次。
03
在分级存储体系中，数据在各个层次之间进行迁移和替换 ，以保证CPU能够快速访问到所需数据。
存储器技术的未来发展趋势
向更高密度发展
01
随着技术的进步，存储器的容量和密度将不断提高，以满足不
断增长的数据存储需求。
向更快速度发展
02
新型存储器技术如PCM和RRAM等具有更高的速度，未来存储
器的速度将不断加快。
向更低功耗发展
内存储器介绍
内存储器存储器是计算机的记忆和存储部件，用来存放信息。
对存储器而言，容量越大，存储速度越快越好。
计算机中的操作，大量的是与存储器交换信息，存储器的工作速度相对于CPU的运算速度要低很多，因此存储器的工作速度是制约计算机运算速度的主要因素之一。
计算机存储器一般分为两部分；一个是包含在计算机主机中的内存储器，它直接和运算器、控制器交换数据，容量小，但存取速度快，用于存放那些正在处理的数据或正在运行的程序；另一个是外存储器，它间接和运算器、控制器交换数据，存取速度慢，但存储容量大，价格低廉，用来存放暂时不用的数据。
内存又称为主存，它和CPU一起构成了计算机的主机部分。
内存由半导体存储器组成，存取速度较快，由于价格上的原因，一般容量较小。
存储器由一些表示二进制数0和1的物理器件组成，这种器件称为记忆元件或记忆单元。
每个记忆单元可以存储一位二进制代码信息（即一个0或一个1）。
位、字节、存储容量和地址等都是存储器中常用的术语。
（1）位又称比特（Bit）。
用来存放一位二进制信息的单位称为1位，1位可以存放一个0或一个1。
位是二进制数的基础单位，也是存储器中存储信息的最小单位。
（2）字节（Byte）。
8位二进制信息称为一个字节，用B来表示。
内存中的每个字节各有一个固定的编号，这个编号称为地址。
CPU在存取存储器中的数据时是按地址进行的。
所谓存储器容量即指存储器中所包含的字节数，通常用KB、MB、GB和TB作为存储器容量单位。
它们之间的关系为：1KB=1024B 1MB=1024KB 1GB=1024MB 1TB=1024MB内存储器按其工作方式的不同，可以分为随机存储器RAM和只读存储器ROM两种。
RAM是一种可读写存储器，其内容可以随时根据需要读出，也可以随时重新写入新的信息。
这种存储器又可以分为静态RAM和动态RAM两种。
静态RAM 的特点是，存取速度快，但价格也较高，一般用作高速缓存。
动态RAM的特点是，存取速度相对于静态较慢，但价格较低，一般用作计算机的主存。
[计算机硬件及网络]第3章-80C51单片机的存储器结构
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般用于存放的是外部数据存储器和程序存储器的地 址（外部数据存储器的地址也是16位）。存储器结 构见图3-7所示。
图3-7 外部数据存储器结构
FFFFH
外部数据 储存器64K (SRAM）
0000H
3.3.3 特殊功能寄存器（SFR）
80C51系列单片机内的锁存器、定时器、 串行口、数据缓冲器及各种控制寄存器、状 态寄存器都以特殊功能寄存器（SFR）的形 式出现，它们离散地分布在高128位片内 RAM 80H~FFH中。51子系列共有18个特殊 功能寄存器，占用21个单元，其余107个单 元用户不好使用（AT89C51)。
★ 这32个单元可以使用“直接寻址” 方 式，也可使用“寄存器寻址”方式来进行访 问。
★ 4组中的R0和R1除了“直接寻址”和 “寄存器寻址”外，还可采用“寄存器间接 寻址”方式来访问。
（2） 位寻址区（20H~2FH）
这16个RAM 单元具有双重功能。它们既 可以像普通RAM 单元一样按字节存取，即 “直接寻址（direct）”也可以对每个RAM 单元中的任何一个二进制位单独存取，这就 是位寻址(bit)，80C51单片机为这些区域专 门设置了位处理器（一个1位的CPU），用于 这些空间的访问，如图3-6所示。
在指令系统中对于这些空间的访问有以下方法：
● 可以采用“直接寻址”的方式去访问这16个单元； 如：MOV A , 20H （MOV A , direct）
● 也可以采用“位寻址（bit）”的方式去访问这128个二进 制位。
如：MOV C , 00H （MOV C , bit） 该指令就是把00H中的一个二进制数送到C中。 指令中“bit”，指的就是位地址“00H~7FH”。
第3章_AT89S52存储器结构
哈佛结构
2 <
AT89S52存储器配置
AT89S52单片机的存储器从物理上分为片内程序存储器、 片外程序存储器、片内数据存储器和片外数据存储器。 从逻辑上看，上述四个存储空间，归为如下三点，即： 片内片外统一编址的64K的程序存储器 (也就是说逻辑 上只有一个程序存储器地址空间) AT89S52的片内程序存储器有8K字节，它和片外程 序存储器一起用来存放程序和固定的数据。 256字节的片内数据存储器空间 片内数据存储器比较小，用来存放数据和变量。数据 存储器的速度比程序存储器快。 64K的片外数据存储器 外部RAM、外设端口统一编址（0000--FFFFH）。
标准8051的SFR(续)
25 <
总结位地址空间
总范围256 bits: 00-FFH
其中 00-7FH: 对应RAM中20H-2FH单元的每一位 80-FFH: 对应SFR中可位寻址单元的每一位， 这些可位寻址单元地址为x0H或x8H.
26 <
与CPU相关的特殊功能寄存器
27 <
与定时器/计数器相关的特殊功能寄存器
2、位寻址区
15 <
3、普通RAM区
地址30H以上的RAM没有其他功能，
是普通RAM；
80H~FFH的RAM只有52系列才有，
这段RAM只能用间接寻址方式访问；
00~7FH均可以作为普通RAM使用，
既可以用直接寻址方式访问，也可以用 间接寻址方式访问；
可 见 ， 直 接 寻 址 方 式 可 以 访 问
0000H：初始化程序入口。CPU在复位后，总是从0单元开
始执行程序，所以，此处一般设置一条无条件转移指令
第3章内存储器课件
3.1 存储器概述
3.1.1 存储器分类 3.1.2 存储器的分级结构 3.1.3 存储器的技术指标
4
3.1.1 存储器分类（1/3）
按存储介质分
系统主存、 Cache
半导体存储器：用半导体器件(MOS管)组成的存储器； 软盘
磁表面存储器：用磁性材料(磁化作用)做成的存储器；
硬盘 磁带
光盘存储器：用光介质(光学性质)构成的存储器； 光盘
19
SRAM存储器的逻辑结构简图
存储体
•••
驱动器
•••
译码器
•••
MAR
地址总线
读
•• •
写 电 路
• • •
控制电路
读写
MDR
数据总线
20
32K×8位的SRAM逻辑结构图
X方向： 8根地址线 输出选中
256行
输入输出时 分别打开不 同的缓冲器
读写、 选通 控制
三维存储 阵列结构
Y方向： 7根地址线 输出选中
读 写 地址总线
主存
16
3.2.1 基本的静态存储元阵列
基本存储元 存储一位二进制信息； 非易失性的存储元
64×4位的SRAM结构图 存储体排列成存储元阵列，不一定以存储单元形式组织；
芯片封装后，3种外部信号线 地址线：2n个单元，对应有n根地址线；
地址信号经过译码电路，产生每个单元的字线选通信号；
数据线：每个单元m位，对应有m根数据线； 控制线：读写控制信号 R/W
R/W =1，为读操作；R/W =0，为写操作；
17
18
3.2.2 基本SRAM存储器逻辑结构
地址译码驱动方式 方法1：单译码
被选单元由字线直接 选定；
TMS320C54x系列DSP的CPU与外设——第3章存储器
TMS320C54x系列DSP的CPU与外设——第3章存储器第3章存储器本章介绍了TMS320C54x DSP存储器的构成和操作。
⼀般来说，C54x器件共有192K 16位字的存储窨，这个空间分成3个专⽤的部分：64K字程序、64K字数据和64K字I/O⼝。
在某些C54x器件中，存储器结构已经通过重叠和分页的⽅法加以改变，这样就增加了存储器空间的容量。
C54x体系结构上的并⾏特点和⽚内RAM的双存取能⼒使C54x可以在任意给定的机器周期内同时进⾏4个存储器操作：⼀条指令的读取操作、两个操作数读操作以及⼀个操作数写操作。
在⽚内存储器中操作有如下⼏个优点：Higher performance because no wait states are requiredLower cost than external memoryLower power than external memoryThe main advantage of operating from off-chip memory is the ability to access a larger memory space.3.1 存储器空间C54x DSP的存储器划分成3种独⽴可选的空间：程序、数据和I/O。
这些空间中的RAM、ROM、EPROM、EEPROM或者存储器映射的外设可以位于⽚内或⽚外。
程序存储器中包含要执⾏的指令和执⾏指令时所需的表，数据存储器空间存储指令所需的数据，I/O存储空间连接外部的存储器映射外设，也可作外部数据存储空间。
按芯⽚各类的不同，C54x的⽚内存储器有这样⼏种类型：双存取RAM(DARAM)、单存取(SARAM)、双向共享RAM和ROM。
RAM总是映射到数据空间，但也可以映射到程序空间。
ROM可以被激活并映射到程序空间，也可部分映射到数据空间。
在CPU状态寄存器中有3位影响存储器的结构。
这3位产⽣的影响因器件不同⽽不同。
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第三章内存储器教学提示：本章主要介绍了内存的概念和发展，了解内存的性能指标和结构，学会识别区分各种内存，掌握内存条的选购和测试。
教学目标：A级：（基本要求）1. 了解内存的基本知识和性能指标。
2. 掌握内存的安装和基本设置。
B级：（较高要求）1. 了解识别内存条的基本方法。
2. 掌握条据需要选购内存条的方法。
3. 对内存进行测试和维护。
历史回顾：计算机内存的诞生。
世界上第一台数字计算机可以追溯到上个世纪30 年代宋到40 年代初，约翰阿塔纳索夫和他的学生贝瑞在美国艾奥瓦州立大学组装出了世界上第一台数字计算机。
该计算机具备了许多现代计算机的设计思想．包括使用二进制数字、可再生存储器、并行计算以及将计算单元和存储单元分离开来等。
约翰阿塔纳索夫计算机的存储系统使用的是一个大的磁鼓，这也是计算机内存储器的雏形。
图3-1 早期的计算机的存储系统使用的是一个大的磁鼓内存储器（内存）是微型计算机主机的组成部分，用来存放当前正在使用的或随时要使用的程序。
在计算机的存储系统中内存储器直接决定CPU的工作效率，它是CPU与其它部件进行数据传输的纽带。
内存储器是计算机中仅次于CPU的重要部件，内存的容量及性能是影响计算机性能主要因素之一。
因此配置和维护计算机就要了解和掌握内存储器的基本知识。
知识补充：内部存储器按存储信息的功能可分为只读存储器（ROM ）、可改写的只读存储器EPROM和随机存储器RAM三大类。
存放在RAM上的数据既可以快速写入，也能快速读出。
“中转仓库”一般就是用RAM来搭建的。
因此，如果不是特别说明，内存一般指的就是RAM。
3.1 基础知识：认识内存储器内存储器有很多种类，通常所说的内存就是指内存条，下面就逐步介绍内存条。
3.1.1 认识内存条1．内存的工作原理当CPU 在工作时，需要从硬盘等外部存储器上读取数据，但由于硬盘这个“仓库”太大，加上离CPU 也很“远”，运输“原料”数据的速度就比较慢，会使CPU 的生产效率降低。
为了解决这个问题，在CPU 与外部存储器之间，建了一个“小仓库”：内存。
内存虽然容量不大，一般只有几十MB 到几百MB ，但中转速度非常快，当CPU 需要数据时，事先可以将部分数据存放在内存中，这样提高了CPU的工作效率，同时也减轻了硬盘的负担。
由于内存只是一个“中转仓库”，因此它并不能用来长时间存储数据，当突然断电时，内存中的所有数据都会丢失。
内存的工作如图3-2所示。
图3-2 内存的工作示意图2．内存条的组成内存条主要由印刷电路板、内存芯片、SPD 芯片、金手指等组成。
如图3-3所示。
（1） 印刷电路板（PCB ）用来安装内存芯片、SFD 芯片、排阻等元器件的这块薄薄的、韧性很好的塑胶板。
也称之为PCB 板，它是所有元器件的载体，采用多层结构，层数越多，成本越高，但干扰越少，工作越稳定。
（2）内存芯片及封装内存芯片，也称内存颗粒，是内存条的灵魂，其结构和封装对速度、电气性能、散热效果及抗干扰等影响极大。
采用新封装技术的内存条存储容量也越来越大。
（3）SPD 芯片SPD 是一个8针的SOIC 封装256字节的EEPROM （电可擦写可编程只读存储器）芯片，里面主要保存着内存生产厂家在内存出厂时所设定的有关内存的相关资料，通常有内存条的容量、芯片模块的生产厂商、标称运行频率、是否具备ECC 校验等基本信息。
启动计算机后，主板BIOS 就会读取SPD 中的信息，主板北桥芯片组就会条据这些参数信息来自动调整内存的工作状态，确保内存处于正常的工作状态。
知识补充：SPD 是一组关于内存模组的配置信息，如P-Bank 数量、电压、行地址/列地址数量、位宽、各种主要操作时序（如CL 、tRCD 、tRP 、tRAS 等）。
如果在BIOS 中将内存设置选项定为“By SPD ”，那么在开机时，主板的北桥会条据SPD 中的参数信息来自动配置相应的内存时序与控制寄存器，避免人为出现设置错误而引起故障。
当然，也可以自由调整时序与控制参数（物理参数仍要借助SPD 或北桥自己检测CPU 的运算单元 一级缓存 二级缓存三级缓存内存主板上的“北桥”来确定）。
（4）触点触点也称金手指，是内存条与插槽直接接触的部分，触点是由很多的金属引脚构成的。
这些引脚是内存和外部进行数据传输的接口。
触点和主板插槽之间的接触良好是保证系统稳定工作先决条件。
图3-3 内存条的硬件构成使用技巧：由于触点是由金属构成的，因此在使用一段时期以后，金手指的表面可能出现氧化层（或污垢）。
导致金手指的导电性能变差，从而导致内存条与插槽接触不良，从而引发系统频繁死机、无法开机、稳定性差等。
解决的方法是用橡皮擦擦拭金手指，直到光亮如新为止，如图3-4所示。
通过该方法，一般能去掉金手指上的氧化层或污垢。
图3-4 用橡皮清洁内存条上的触点（5）排阻和电容在金手指的上方有一列十分整齐的电阻。
通常为了FCB 布线方便，都采用排阻的形式，排阻每边4 个引脚，集成了4 个相同的电阻，之间互不相通，目前大部分是用表面印有100 （等于10 欧）的或220 （等于22 欧）的排阻。
排阻、电容是内存条的重要组成部分，有些厂商在生产内存条时，为了降低成本，往往会省略这些排阻及电容。
此时虽然内存还能工作，但影响了内存的稳定性。
在挑选内存条时，内存芯片下方的排阻越多、越密，相对来说内存芯片触点排阻和电容做工及用料越好。
3.1.3 内存条的分类十年前，SDRAM、RAMBUS和DDR三足鼎立。
SDRAM是传统霸王，RAMBUS有Intel撑腰。
但最后获胜的却是性能比SDRAM强、价格比RAMBUS便宜的DDR内存。
如今，DDR 内存已经从和奔腾４CPU匹配的第一代DDR，与酷睿２匹配的二代DDR2发展到针对酷睿ｉ7系列的第三代DDR3了。
DDR 内存单面金手指针脚数量为92个（双面184个），缺口左边为52个针脚，缺口右边为40个针脚；DDR2 内存单面金手指120个（双面240个），缺口左边为64个针脚，缺口右边为56个针脚；DDR3内存单面金手指也是120个（双面240个），缺口左边为72个针脚，缺口右边为48个针脚。
三种类型的内存工作电压也完全不同，DDR内存的工作电压为2.5V；DDR2工作电压降至1.8V；到了DDR3内存时代，工作电压又降至1.5V。
从DDR内存发展到DDR3内存，工作电压的降低，意味着内存功耗越低，发热量也越低，工作也更稳定。
并且内存带宽也大幅提升。
DDR 、DDR2和DDR3内存外观如图3-5所示。
图3-5 DDR 、DDR2和DDR3内存条比较3.1.4 内存的封装不同规格的内存，内存芯片的外形和体积不尽相同，这是因为内存芯片“封装”技术的不同导致的。
一般来说，DDR内存采用了TSOP封装技术，如图3-6所示。
而DDR2和DDR3内存均采用FBGA（底部球形引脚封装）封装技术，如图3-7所示。
图3-6 TSOP封装图3-7 BGA封装FBGA封装把DDR2和DDR3内存芯片比TSOP封装的要小巧很多，内存PCB基板上也看不到DDR内存芯片上的金属触点，因为其柱状焊点按阵列形式分布在封装下面，所有的触点就被“包裹”起来了，外面自然看不到。
其优点是有效地缩短了信号的传导距离。
FBGA封装形式在抗干扰、散热等方面优势明显。
知识补充：物理内存和虚拟内存是什么关系？物理内存是能看到的内存条。
而虚拟内存就是“假”的内存条，它是在硬盘上开辟的一个用于存储的空间，对于物理内存来说，它是一种扩展和补充。
当内存空间紧张时，系统就会将一些暂时用不到的数据转存到虚拟内存当中。
这就像在一个流动仓库中，管理员把一些滞销的货物先移到后备仓库去，将空间腾出来留给那些经常进出仓库的货物使用。
3.1.5 内存的技术指标1.内存的品牌内存品牌也就是生产该内存条的厂商的名字，例如Kingston（金士顿）、ADATA威刚、Hyundai（现代）、Kingmax（胜创）、GEIL（金邦科技）、Apacer（宇瞻）、KINGBOX（黑金刚）、Corsair（海盗船）、Samsung（三星）等。
通过标签上的商标可以看出来。
2.容量内存容量反映的就是一条内存条的总容量。
也就是“仓库”的“库容”。
DDR时代主流一条内存是512MB或1GB，而到了DDR2时代，两条1GB内存，或单条2GB的内存就只是标准配置了，DDR3时代4GB的内存将成为主流。
4.频率和带宽内存的频率是指内存工作的时钟频率，类似于CPU的主频，内存的频率也称等效频率，它反映了内存的速度；内存的带宽反映了内存和CPU交换数据要通过“桥梁”的宽窄。
桥越宽，可以通过的人就越多，通行速度就越快；同样，带宽足够大，才可以满足CPU的对数据传输要求。
带宽和频率的关系有一个公式：内存带宽＝内存位宽×频率÷8（内存位宽，如果是一条内存，也就是单通道的，位宽为64位；如果是两条参数完全一致的内存组成的双通道内存，位宽为128位。
除以8是把结果换算成字节来表示，1字节＝8位）。
比如CPU和内存之间的通道带宽为8.5GB/s，那么只要内存带宽等于或大于这个带宽就可以了。
同样通过带宽公式计算，8.5GB/s＝64bit×频率÷8，一条等效频率为1066MHz的内存就可以满足了；如果是组成双通道，内存位宽就会由64bit变为128bit，8.5GB/s＝128bit×频率÷8，所以两条等效频率为533MHz的内存组成双通道就可以满足CPU带宽的需要。
知识补充：前面讲到内存频率都是“等效频率”，和实际频率有区别。
DDR/DDR2/DDR3的等效频率分别除以“2”、“4”、“8”就是它们的实际频率。
比如，DDR3 1066的等效频率为1066MHz，实际频率就为1066MHz÷8=133MHz。
实际频率只要了解就行了，衡量内存的性能，要看等效频率。
DDR、DDR2和DDR3内存有个重要的特征就是越到后面的产品的等效频率就越高。
比如，DDR发展到DDR400时就到顶了，它的等效频率为400MHz，DDR2发展到DDR2 800也停了下来，而DDR3内存，市场上有DDR3 1066、DDR3 1333、DDR3 1600等众多型号,说明DDR3内存正处于一个发展阶段。
5.延迟时间延迟时间也称CAS延迟值，这就好像用字典查找某个字一样，不同的同学所需的时间是不一样的。
花费的时间越短，说明该同学的反应越快，同理内存的延迟值越小，传输速度越快。
延迟时间也是内存的一个重要指标，它包括CAS 延迟时间（简称CAS或CL）、RAS 到CAS的延迟时间（简称tRCD）、RAS 预充电时间（简称tRP ）、RAS Active Time （简称RAS）等几种。