半导体名词解释

1. 何谓PIE? PIE的主要工作是什幺?

答：Process Integration Engineer(工艺整合工程师), 主要工作是整合各部门的资源, 对工艺持续进行改善, 确保产品的良率（yield）稳定良好。

2. 200mm，300mm Wafer 代表何意义?

答：8吋硅片(wafer)直径为 200mm , 直径为 300mm硅片即12吋.

3. 目前中芯国际现有的三个工厂采用多少mm的硅片(wafer)工艺？未来北京的Fab4(四厂)采用多少mm的wafer工艺？

答：当前1~3厂为200mm(8英寸)的wafer, 工艺水平已达0.13um工艺。未来北京厂工艺wafer将使用300mm(12英寸)。

4. 我们为何需要300mm?

答：wafer size 变大，单一wafer 上的芯片数(chip)变多，单位成本降低

200→300 面积增加2.25倍,芯片数目约增加2.5倍

5. 所谓的0.13 um 的工艺能力(technology)代表的是什幺意义？

答：是指工厂的工艺能力可以达到0.13 um的栅极线宽。当栅极的线宽做的越小时，整个器件就可以变的越小，工作速度也越快。

6. 从0.35um->0.25um->0.18um->0.15um->0.13um 的technology改变又代表的是什幺意义？

答：栅极线的宽（该尺寸的大小代表半导体工艺水平的高低）做的越小时，工艺的难度便相对提高。从0.35um -> 0.25um -> 0.18um -> 0.15um -> 0.13um 代表着每一个阶段工艺能力的提升。

7. 一般的硅片(wafer)基材(substrate)可区分为N,P两种类型（type）,何谓 N, P-type wafer?

答：N-type wafer 是指掺杂 negative元素(5价电荷元素，例如：P、As)的硅片, P-type 的wafer 是指掺杂 positive 元素(3价电荷元素, 例如：B、In)的硅片。

8. 工厂中硅片（wafer）的制造过程可分哪几个工艺过程(module)？

答：主要有四个部分：DIFF（扩散）、TF(薄膜)、PHOTO（光刻）、ETCH（刻蚀）。其中DIFF又包括FURNACE(炉管)、WET(湿刻)、IMP(离子注入)、RTP(快速热处理)。TF包括PVD(物理气相淀积)、CVD(化学气相淀积) 、CMP(化学机械研磨)。硅片的制造就是依据客户的要求，不断的在不同工艺过程（module）间重复进行的生产过程，最后再利用电性的测试，确保产品良好。

9. 一般硅片的制造常以几P几M 及光罩层数(mask layer)来代表硅片工艺的时间长短，请问几P几M及光罩层数(mask layer)代表什幺意义？

答：几P几M代表硅片的制造有几层的Poly(多晶硅)和几层的metal(金属导线).一般0.15um 的逻辑产品为1P6M( 1层的Poly和6层的metal)。而

光罩层数（mask layer）代表硅片的制造必需经过几次的PHOTO（光刻）.

10. Wafer下线的第一道步骤是形成start oxide 和zero layer? 其中start oxide 的目的是为何？

答：①不希望有机成分的光刻胶直接碰触Si 表面。

②在laser刻号过程中,亦可避免被产生的粉尘污染。

11. 为何需要zero layer?

答：芯片的工艺由许多不同层次堆栈而成的, 各层次之间以zero layer当做对准的基准。

12. Laser mark是什幺用途? Wafer ID 又代表什幺意义?

答：Laser mark 是用来刻wafer ID, Wafer ID 就如同硅片的身份证一样,一个ID代表一片硅片的身份。

13. 一般硅片的制造(wafer process)过程包含哪些主要部分？

答：①前段（frontend）-元器件(device)的制造过程。

②后段（backend）-金属导线的连接及护层（passivation）

14. 前段（frontend）的工艺大致可区分为那些部份?

答：①STI的形成(定义AA区域及器件间的隔离)

②阱区离子注入（well implant）用以调整电性

③栅极(poly gate)的形成

④源/漏极（source/drain）的形成

⑤硅化物(salicide)的形成

15. STI 是什幺的缩写? 为何需要STI?

答：STI: Shallow Trench Isolation(浅沟道隔离)，STI可以当做两个组件（device）间的阻隔, 避免两个组件间的短路.

16. AA 是哪两个字的缩写? 简单说明 AA 的用途?

答：Active Area, 即有源区，是用来建立晶体管主体的位置所在，在其上形成源、漏和栅极。两个AA区之间便是以STI来做隔离的。

17. 在STI的刻蚀工艺过程中，要注意哪些工艺参数？

答：①STI etch（刻蚀）的角度；

②STI etch 的深度；

③STI etch 后的CD尺寸大小控制。

(CD control, CD=critical dimension)

18. 在STI 的形成步骤中有一道liner oxide（线形氧化层）, liner oxide 的特性功能为何？

答：Liner oxide 为1100C, 120 min 高温炉管形成的氧化层，其功能为：

①修补进STI etch 造成的基材损伤；

②将STI etch 造成的etch 尖角给于圆化( corner rounding)。

19. 一般的阱区离子注入调整电性可分为那三道步骤? 功能为何？

答：阱区离子注入调整是利用离子注入的方法在硅片上形成所