还原再氧化工艺烧结温度对PTCR热敏材料性能的影响

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PTC特性与各种使用条件对PTC发热体的影响

PTC特性与各种使用条件对PTC发热体的影响时间:03-21 11:39 阅读:1338次*温馨提示：点击图片可以放大观看高清大图简介：PTC特性与各种使用条件对PTC发热体的影响一、PTC特性:1. 电阻—温度特性。

Rmax为最大电阻，Rmin为最小电阻，R25为常温电阻，Tmin为最小电阻对应温度，Tsw为开关温度，Ts 为发热表面温度，Tmax最大电阻对应温度。

当PTC热敏电阻的温度上升到开关温度Tsw 以上时，其电阻将迅速增加1000倍以上。

2. 电流——时间特性。

PTC 热敏电阻的起始电阻比较小，所以，当稳定的电压施加到其上时，会出现比较大的起始电流；然后，P TC的温度上升，电流达到最大电流；随后，PTC的电阻增加，电流因而下降，最后降到稳定值。

从另一个角度考虑，PTC具有比较大的起始电流，使PTC的发热速度加快，有利于尽快使温度达到稳定。

3. 稳定功率。

对于同一个PTC 发热体，其稳定功率随着散热条件的不同而改变。

相关材料的导热系数，绝缘层的厚度，导热面的间隙，都会影响散热，从而影响稳定功率。

各种因素对PTC稳定功率的影响，见热平衡节的详细描述。

此外，PTC片的厚度减薄时，会使导热加快，从而使功率增加。

散热较快时的PTC稳定功率可能会比散热较慢时大几十倍。

PTC 发热体的开关温度越高，则稳定功率也越大。

大多数的新用户都要求PTC生产厂提供PTC发热体的功率数据，但是应当知道，功率是随散热条件而变化的。

在确定的电压下，PTC发热体的起始功率和最大功率基本上不受散热条件的影响；但是稳定功率取决于使用场合的散热条件。

虽然在不同的使用电压下，PTC的起始功率不同，但稳定功率相差不大。

4. 发热与散热的平衡。

发热与散热平衡，是指PTC 的发热功率与散热功率一致，PTC相对稳定在某个温度点。

以下是各种因素对PTC热平衡的影响的示意图。

散热功率P(dis) = H*(Ts-Te)H 是散热系数，其取决于传热用的金属材料、绝缘材料的导热系数，绝缘材料的厚度，接触面的状况，散热面的尺寸和形状，冷却风流、水流等。

PTC特性与各种使用条件对PTC发热体的影响

PTC特性与各种使用条件对PTC发热体的影响时间:03-21 11:39 阅读:1338次*温馨提示：点击图片可以放大观看高清大图Rmax为最大电阻，Rmin为最小电阻，R25为常温电阻，PTC 热敏电阻的起始电阻比较小，所以，当稳定的电压施加到其上时，会出现比较大的起始电流；然后，PTC的温度上升，电流达到最大电流；随后，PTC的电阻增加，电流因而下降，最后降到稳定值。

从另一个角度考虑，PTC具有比较大的起始电流，使PTC的发热速度加快，有利于尽快使温度达到稳定。

3. 稳定功率。

对于同一个PTC 发热体，其稳定功率随着散热条件的不同而改变。

相关材料的导热系数，绝缘层的厚度，导热面的间隙，都会影响散热，从而影响稳定功率。

各种因素对PTC稳定功率的影响，见热平衡节的详细描述。

此外，PTC片的厚度减薄时，会使导热加快，从而使功率增加。

散热较快时的PTC稳定功率可能会比散热较慢时大几十倍。

PTC 发热体的开关温度越高，则稳定功率也越大。

大多数的新用户都要求PTC生产厂提供PTC发热体的功率数据，但是应当知道，功率是随散热条件而变化的。

在确定的电压下，PTC发热体的起始功率和最大功率基本上不受散热条件的影响；但是稳定功率取决于使用场合的散热条件。

虽然在不同的使用电压下，PTC的起始功率不同，但稳定功率相差不大。

4. 发热与散热的平衡。

发热与散热平衡，是指PTC 的发热功率与散热功率一致，PTC相对稳定在某个温度点。

以下是各种因素对PTC热平衡的影响的示意图。

金属导热系数比较大，约为绝缘材料的10~100倍，所以，绝缘材料对导热的影响更大。

当有风吹时，PTC发热组件的散热系数H 会增加5~10倍。

Ts是PTC发热体的表面温度，Te是环境温度。

PTC热敏电阻实验报告

功能材料—PTC热敏陶瓷制备与性能的综合实验一、实验目的通过实验，使学生加深对“电子信息材料专业方向”中有关基础理论知识的理解。

1.了解PTC热敏陶瓷制备原理及方法2.使学生熟练掌握PTC电阻的测试方法二、实验原理PTC效应与许多因素有关，PTC热敏电阻(正温度系数热敏电阻)是一种具温度敏感性的半导体电阻，一旦超过一定的温度(居里温度) 时，它的电阻值随着温度的升高几乎是呈阶跃式的增高。

也可以说，PTC(positive temperature coefficient) 电阻是指在某一温度下电阻急剧增加、具有正温度系数的热敏电阻或材料。

当PTC 陶瓷元件接通电源后，电流将随电压的升高而迅速增加，达到居里温度时，电流达到最大值，这时PTC 陶瓷元件进入PTC 区域，此时当电压继续升高时，由于PTC 陶瓷元件的电阻急剧增大，电流反而减小。

纯BaTiO3陶瓷是良好的绝缘体，是一种优良的陶瓷电容器材料，也是一种典型的钙钛矿型结构的铁电材料。

纯的BaTiO3在常温下几乎是绝缘的，电阻率大于1012Ω•cm，通过不等价取代在BaTiO3中掺杂微量的元素后，会使其性能发生变化，出现PTC效应，并且伴随着室温电阻率的大幅度下降。

制成的钛酸钡基PTC 陶瓷具有较大的正温度系数和开关阻温特性，通过掺杂，它的居里温度可在很宽的范围内(室温～400 ℃) 任意调节，所以，在航空航天、电子信息通讯、自动控制、家用电器、汽车工业、生物技术、能源及交通等领域，它得到了广泛的应用。

钛酸钡基PTC 陶瓷的组成：（1）移峰剂——添加后能够移动居里点（BaTiO3瓷120o C）添加物与主晶相形成固溶体使铁电陶瓷的特性在居里温度处出现的峰值发生移动的现象，称为移峰效应。

居里温度通常满足以下经验公式：t c =tc1(1-x)+tc2x（x-摩尔分数）该添加物称为移峰剂。

PTC 陶瓷中常用钙钛矿型铁电体的移峰剂有两种：钛酸铅、PbTiO3（490℃）、钛酸锶SrTiO3(-250℃)。

还原条件下烧结的Ba(Ti,Zr)O3陶瓷特性

还原条件下烧结的Ba(Ti,Zr)O3陶瓷特性Christiane Hofer a,*, Rene′ Meyer a, Ulrich Bo¨ ttger a, Rainer Waser a,ba Institut fu¨r Werkstoffe der Elektrotechnik II, RWTH Aachen, D-52056 Aachen, Germanyb IFF/EKM, Forschungszentrum Ju¨lich, D-52425 Ju¨lich, Germany摘要在过去几年中，无铅弛豫铁电介质在工业应用方面尤其普遍。

由于低成本基础金属电极（BME）的使用，样品必须在还原气氛中烧结。

本文研究了不同Zr (x=0–100 at.%)含量对在还原气氛下烧结的掺杂Mn的Ba(Ti x Zr1-x)O3陶瓷介电性的影响。

通过对温度范围为T= -150~300o C和频率范围为f=5-10mHz的阻抗谱的研究可知：我们所使用的等效电路能够分别阻断大部分晶界线或电极。

结果表明，还原烧结最高可使介电常数降低大约20%。

另外，可以观察到居里温度向低温转变。

与氧化气氛下烧结的材料相比，还原气氛下烧结的样品相对Zr含量变化曲线具有相对稳定的居里温度，这一结果可从立方相的逆磁性得出。

【关键词】BaTiO3和钛酸盐；介电性；阻抗；钙钛矿；弛豫振荡器1、前言Ba(Ti,Zr)O3这类高κ值弛豫体材料具有广泛的相变，它适用于做商用电容器的电介质。

应环境要求，电介质材料还要求无铅。

BTZ满足无铅要求。

但是，BaTiO3的居里温度为120o C，这一温度远远高于广泛应用的多方向电容器（MLC）的平均工作温度。

一个理想铁电体的最大介电常数εr可通过外斯定律表述：εr=C w/(T-T Curie)（1）C w表示居里常数；T Curie是指1000/εr的延长线与横坐标的交点（图1）。

BBSM烧结助剂对低温烧结PTCR陶瓷性能的影响

BBSM烧结助剂对低温烧结PTCR陶瓷性能的影响孔明日;姜胜林;涂文芳;黄兆祥【期刊名称】《电子元件与材料》【年(卷),期】2009(028)011【摘要】为了提高低温烧结BaTiO_3基热敏陶瓷的PTC效应,提出在BaO-B_2O_3-SiO_2烧结助剂中加入MnO(以Mn(NO_3)_2形式加入)的方法,研究了BaO-B_2O_3-SiO_2-MnO (BBSM)烧结助剂对Y~(3+)掺杂BaTiO_3基热敏陶瓷的低温烧结和PTC特性的影响.结果表明:含有x[Mn(NO_3)_2]为0.06%的BBSM 烧结助剂的样品,在1 050 ℃保温3 h下烧结后,其室温电阻率为306 Ω·cm,升阻比为4.23×10~3.%In order to enhance the PTC effect of BaTiO_3 based thermistor ceramics sintered at low temperature, adding MnO (asMn(NO_3)_2) in BaO-B_2O_3-SiO_2 sintering aid was proposed. And the effects of BaO-B_2O_3-SiO_2-MnO (BBSM)sintering aids on the low temperature sinter and PTC properties of BaTiO_3 based thermistor ceramics doped with Y~(3+) were investigated. The results indicate that the samples with x[Mn(NO_3)_2] = 0.06% in the BBSM sintering aids can provide the room-temperature resistivity of 306 Ω·cm and jump range of 4.23×10~3. The sample is sintered at 1 050 ℃ for 3 h.【总页数】3页(P23-25)【作者】孔明日;姜胜林;涂文芳;黄兆祥【作者单位】华中科技大学,电子科学与技术系,湖北,武汉,430074;金策工业综合大学,半导体研究所,平壤,999093;华中科技大学,电子科学与技术系,湖北,武汉,430074;华中科技大学,电子科学与技术系,湖北,武汉,430074;华中科技大学,电子科学与技术系,湖北,武汉,430074【正文语种】中文【中图分类】TM283【相关文献】1.BaO-B2O3-SiO2玻璃助剂中SiO2对低温烧结PTCR陶瓷性能的影响 [J], 孔明日;姜胜林;涂文芳2.复合烧结助剂对ZnNb2O6陶瓷的低温烧结与性能的影响 [J], 晏忠;黄金亮;顾永军;李谦3.烧结助剂对氧化铝陶瓷低温烧结的影响 [J], 吴懋亮;孙翰霆;刘中俊;蔡杰4.复合烧结助剂对Ca_(0.3)(Li_(0.5)Sm_(0.5))_(0.7)TiO_3微波介质陶瓷低温烧结与性能研究 [J], 张斌;李月明;张华;廖润华5.MgO-MnO_2-TiO_2-SiO_2烧结助剂中SiO_2的量对低温烧结氧化铝陶瓷材料性能的影响 [J], 顾皓;吕珺;黄丽芳;郑治祥因版权原因，仅展示原文概要，查看原文内容请购买。

烧结温度对LiMn2O4结构和性能的影响

烧结温度对LiMn2O4结构和性能的影响伊廷锋;霍慧彬;胡信国【期刊名称】《电池工业》【年(卷),期】2007(012)002【摘要】采用己二酸辅助溶胶-凝胶法在350～900 ℃制备了一系列LiMn2O4样品.运用SEM和XRD分析技术研究了不同烧结温度对LiMn2O4结构的影响.结果表明:烧结温度对LiMn2O4正极材料的晶相结构、电化学性能有显著影响,LiMn2O4正极材料晶粒的生成和长大的控制步骤为其合成的温度,材料合成的最佳温度为800℃.在800℃条件下合成的LiMn2O4具有较高的电化学活性和较好的晶相结构,首次放电比容量超过130mAh·g-1,40次循环后,放电容量保持率仍在85%以上.高温合成有利于提高LiMn2O4正极材料的放电容量,低温合成有利于提高其循环性能.【总页数】4页(P95-98)【作者】伊廷锋;霍慧彬;胡信国【作者单位】哈尔滨工业大学应用化学系,黑龙江,哈尔滨,150001;哈尔滨工业大学应用化学系,黑龙江,哈尔滨,150001;哈尔滨工业大学应用化学系,黑龙江,哈尔滨,150001【正文语种】中文【中图分类】TM912.9【相关文献】1.烧结温度对LiMn2O4基502030锂离子电池电化学性能的影响 [J], 李庆余;廖涛;赖飞燕;莫仁山;吴强;史洪峰2.后续反应温度对LiMn2O4结构和性能的影响 [J], 吕正中;周震涛3.固相烧结法中烧结温度对Pb(Zr0.2Ti0.8)O3结构和性能的影响 [J], 葛大勇;孙世通4.烧结温度对Fe-9Mn-4Al-0.4C低密度钢组织结构和性能的影响 [J], 王发仓; 马啸宇5.烧结温度对Cu-P金属结合剂堆积磨料结构和性能的影响 [J], 万隆;朱泳霖;刘小磐;李建伟;周仁宸因版权原因，仅展示原文概要，查看原文内容请购买。

高居里温度无铅PTCR陶瓷的研究现状与发展趋势

高居里温度无铅PTCR陶瓷的研究现状与发展趋势冷森林;贾飞虎;杨琴芳;钟志坤【摘要】BaTiO3-based positive temperature coefficient of resistivity (PTCR) ceramics is an important group of thermal materials. With the requirement of unleaded electronic components, the development of high curie temperature lead-free PTCR materials is an inevitable trend. In the paper, an introduction to the characteristics and applications of PTCR materials was provided. The present research status of high curie temperature lead-free PTCR materials were also reviewed, including composition, donor and acceptor doping, as well as the mechanisms of PTCR effect. Finally, the future development of PTCR materials was expected.%BaTiO3基正温度系数电阻( Positive temperature coefficient of resistivity,PTCR)陶瓷是一种重要的热敏材料.随着电子元器件的无铅化,开发高温无铅PTCR材料是一种必然的趋势.本文介绍了PTCR材料的特性和应用领域.然后从材料体系、施受主掺杂、PTCR效应机理等方面阐述了高温无铅PTCR材料的研究现状,并且展望了未来的发展趋势.【期刊名称】《铜仁学院学报》【年(卷),期】2015(017)004【总页数】5页(P78-82)【关键词】居里温度;无铅;正温度系数电阻【作者】冷森林;贾飞虎;杨琴芳;钟志坤【作者单位】铜仁学院材料与化学工程学院,贵州铜仁 554300;铜仁学院材料与化学工程学院,贵州铜仁 554300;铜仁学院材料与化学工程学院,贵州铜仁 554300;铜仁学院材料与化学工程学院,贵州铜仁 554300【正文语种】中文【中图分类】TB321热敏电阻按其电阻-温度特性可分为正温度系数热敏电阻（Positive temperature coefficient of resistivity，PTCR）和负温度系数热敏电阻（Negative temperature coefficient of resistivity，NTCR）。

粉末合成温度对BaTiO3基PTCR性能的影响

ＡｂｔａｔｏｉｉｅｅｅａｕｅｏｆｉｉｎｒｓｓａｃＰＴＣＲ）ｏＢＴｉｃｒｍｉｓａｅｅｎａｒｃｔｄｙａｓｒｃ：Ｐｓｔｔｍｐｒｔｒｃｅｆｅｔｅｉｔｎｅ（ｖｃｆａＯ３ｅａｃｈｖｂｅｆｂｉａｅｂ
ｔａｈｏｅｓｃｌｉａｅｔ０ ℃ ｆｒ４ｈｕｓｈｖｅｎｆｒｅｕｅｐｒｖｋｔｔｕｔｒ。Ｐａｔｌｉｅｈｔｔｅｐｗｄｒａｃｎｔｄａ１００ｏｏｒａｅｂｅｏｍｄｐｒｅｏｓｉｓｒｃｕｅｅｒｉｅｓｚｃｄｓｒｂｔｎｒｓｌｓｉｄｃｔｈｔｗｈｎｃｌｉａｉｎｔｍｐｒｔｒｓｈｇｈｎ１００ ℃ ，ｙｒｕｉ．Ｔｈｐｉｌｉｔｉｕｉｅｕｔｎｉａｅｔａｅａｃｎｔｏｅｅａｕｅｉｉｈｔａ５ｏｉｍａｅｎｔｔｅｅｏｔｍａｅｅｔｉａｒｐｒｉｓｗｅｅｏｔｉｅｅｈｏｅｓｗｅｅｃｌｉｅｔａｏｔＴ：１００ ℃ ．Ｔｈｅｕｔｈｗｈｔｌｃｒｃｌｐｏｅｔｒｂａｎｄｗｈｎｔｅｐｗｄｒｒａｃｎｄａｂｕｅ０ｅｒｓｌｓｓｏｔａｔｅｇａｎｓｚｅｒａｅｗｉｎｒａｉｇｏａｃｎｔｎｔｍｐｒｔｒ．ｈｒｉｉｅｄｃｅｓｔｉｃｅｓｎｆｌｉａｉｅｅａｕｅｈｃｏＫｅｒｓＢＴｉ；ＰＴＣＲ；ｃｌｉａｉｎｅｅａｕｅｙｗｏｄ：ａＯ３ａｃｎｔｏｓｔｍｐｒｔｒ；ｍｉｒｓｒｃｕｅ；ｅｅｔｉａｒｐｒｉｓｃｏｔｕｔｒｌｃｒｃｌｐｏｅｔｅ

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基金项目：国家“ ６ ” ８３计划资助项目（Ｑ０８Ａ３４７９０Ｓ２０Ａ０Ｚ４１６）收稿日期：００—１０收修改稿日期：００—１２２１２—１２１２— ４
第３期
２４
姚振宁等：于ＡＭ的三端式磁通门传感器基Ｒ
（．ｅａｔｎｆｌｔｏｉｃｎｅａｄＴｃｎｌｇ，ａｈｎｎｖｒｉｆｃｎｅａｄ１ＤｐｒｍｅｔｅｒｎｃＳｉｃｎｅｈｏｙＨｕｚｏｇＵｉｅｓｙｏｉｃｎｏＥｃｓｅｏｔＳｅ
Ｔｅｈｏｏｙ，ｕａ３０４，ｉａ；．ｔｔｙＬａｏａｏｙｏａｅｉｌＰｏｅｓｎｄＤｉｏｌｃｎｌｇＷｈｎ４０７Ｃｈｎ２ＳａｅＫｅｂｒｔｒｆＭｔｒａｒｃｓｉｇａｅＭｕｄｎ
料性能的影响。结果表明烧结温度在１１９５～１５℃ 范围内的还原气氛下烧结，２２瓷体均可半导化，瓷体的平均晶粒尺寸
随烧结温度升高而增大，大趋势由缓慢到逐步加快。再氧化处理前瓷体电阻率均小于１・ｍ．氧化后，增０１ｃ再２瓷体的电
２１０１
仪
表技
术
与
２０１１Ｎｏ３．
第３期
ＩｓｕｎＴｃｎｑｅｎｔｍｅｔｅｈｉｕｒ
还原再氧化工艺烧结温度对ＰＣ热敏材料性能的影响ＴＲ
傅邱云张，波赵程程龚树萍周东祥，，，
中图分类号：Ｎ７Ｔ３３
文献标识码：Ａ
文章编号：０２—１４（０１００００１０８１２１）３— ０１— ２
ＥｆｅｔｆＳｎｔｒｎｇＴｅｐｅａｕｒｎＰｒｐｒｉｓｏｆｃｓｏｉｅｉｍｒｔｅｏｏｅｔｅｆＰＴＣＲ
降低了电阻率。郝永德等采用双施主掺杂的传统固相法制备出了高性能的ＰＣＴＲ元件。陈勇等通过高施主掺杂获得
了细晶高性能ＰＣＴＲ的固相法制备方法。。为研究还原再氧。
体中加入一定比例的溶剂、散剂、分黏合剂和增塑剂，并进行混合球磨制备流延浆料。流延浆料被静置１进行过筛处理０ｈ后
去除残余气泡，然后利用流延成型制膜器进行流延，最终通过
烘干和切片得到实验所需的生坯样品。
化工艺制备叠层片式ＰＣＴＲ元件的方法，采用传统的固相法制备ＢＴＯ粉体，ａｉ在还原性气氛中进行烧结和在空气中进行再氧化处理，重点研究了还原性气氛下不同的烧结温度对瓷体性
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平行环电压／ｍＶ
图５磁场强度随电压变化曲线
１７
明：该传感器的设计方案切实可行，能够取得较好的稳定性和
２００３００４００５００
实验样品组成按Ｂ
ＹＴ１０００００３ｎＮ３２０ｉ０３＋．０Ｍ（Ｏ）＋５
ＳＯ（量分数为２）行称量，料ＢＣ３ＴＯ、ｉ：ｉ质％进原ａＯ、ｉ：Ｓ、ＯＭｎＮ３２ＹＯ的纯度分别为９．％，９６，９７，．５（Ｏ）、２３９７９．％９．％０２％和９．９９９％。按照粉料、玛瑙球、去离子水比例为１０２０１５的．：．：．方式在行星式球磨机上混合球磨３ｈ转速设定为３０ｒｍｎ然，５ｉ，／后对浆料进行烘干处理，并在空气炉中１１０℃保温２ｈ预烧。５将预烧后样品再次行星球磨３ｈ同样进行烘干处理后采用８，０目的筛子进行过筛得到样品的预烧后粉体。通过向预烧后粉
ｊｍｓｕｐ．
Ｋｅｒｓｔｅｉｏ；ＦＦＲ；ｒｄｃｉｎｒｏｉａｉｎｉｔｒｇｔｍｐｒｔｒｙｗｏｄ：ｒｓｒｈｍｔＣｅｕｔ — ｘｄｔ；ｓｅｉｏｅｏｎｎｅｅａｕｅ
０５言ｌ
能的影响。
ＴｈｅｍｉｔｒＰｒｏｒｄｂｄｔｏｒｏｉｔｏｏｅｓｒｓｏｅａｅｙＲｅｕｃｉｎ。ｅｘｄａｉｎＰｒｃｓ
Ｆｉ—ｕＺＡＧＢＺＡｈｎ—ｈｎＧＮｈ —ｉｇ，ＨＵＤｎ—ｉｇ’ ＵＱｕｙｎ，ＨＮｏ，ＨＯＣｅｇｃｅｇ，ＯＧＳｕｐ ‘ＺＯｏｇｘａｎｎ
４０７；３０４（．中科技大学电子科学与技术系，北武汉１华湖
２华中科技大学材料成形与模具技术国家重点实验室，．湖北武汉
４０７）３０４
摘要：对片式正温度系数热敏电阻（ＴＲ传感器的还原再氧化制备工艺，究了还原性气氛下烧结温度对热敏材针ＰＣ）研
０
测量次数
．
线性度。对于文中设计方案可以进一步开展工作，主要是通过
采用可编程增益放大器进行量程调整或更高位数的转换器提
图４磁场强度变化曲线
高分辨率，这样可以进一步提高传感器测量精度。
参考文献：
［］刘大明．１舰船磁场测量．武汉：海军工程大学出版社，０．２５０
生坯样品放置于管式气氛烧结炉中进行气氛烧结处理，气氛组成为氮氢混合气体（７：３Ｈ）烧结曲线如图１ａ９％Ｎ，％：，（）
所示，高烧结温度分别设定为１２５ｏ１３１２５ｏ最１Ｃ、２５ｏ５Ｃ、Ｃ、１７５ｏ１９Ｃ，２Ｃ及５ｏ所有还原烧结的样品在空气中进行再氧化２工艺处理，再氧化处理曲线如图１ｂ所示。（）
由图４可知：２ｈ内测量结果最大变化为７个数字量大小（０ｎ２Ｔ左右）稳定性基本达到设计要求。，
４２线性度．闭环反馈磁通门的主要问题是ＤＡ转换器的非线性，／
它会直接影响整个传感器的非线性，以设计的传感器采用了所非线性误差较小的１数模转换器Ａ６０６位Ｄ６。该实验把三端式探头置于平行环中。首先在平行环没有通电情况下，量背景磁场。然后再由通电情况下所测磁场减测去背景磁场可得平行环电流产生的磁场。通电电压分别取
ｉｃｅｓｆｓｎｅｉｇｔｍｐｒｔｒ．ＩｄｉｏｔｅｈｇｅｅｘｄｔｎｔｍｐｒｔｒｅｕｔｄｉａｇｒｒｓｓｉｉｅｎｉｈｒＰＣｎｒａｅｏｉｔｒｅｅａｕｅｎａｄｔｎ，ｈｉｈｒｒｏｉａｉｅｅａｕｅｒｓｌｎｌｒｅｅｉｔｔｓａｄｈｇｅＴｎｉｏｅｖｉ
［］ＡＵＴＲＣｎｅｔｎｒｔｅｕｔｏｉＭｆｘａｅｍａｎ — ２ＳＥＴＨＵ．ｏｃｐａｄｆｓｒｓｌｆａｄ￣ｔｕｇｔｇｅｉｓｌ
ｔｍｅｒ．ａｕｅｎｃｅｃｎｅｈｏｏｙ１９（）４７—４１ｏｔＭｅｓｒｍｅｔｉｎｅａｄＴｃｎｌ，９５６：７ｅＳｇ８．
阻率和升阻比都呈现出了不同程度的增长，长幅度随烧结温度的升高而降低。此外，高再氧化温度可提高升阻比同增提
时会使瓷体电阻率增大。
关键词：热敏电阻；ＴＲ；ＰＣ还原再氧化；结温度烧
ｔｆｇｔｍｐｒｔｒｒｍ１ ℃ ｔ９ ℃ ．ｈｌｈｉｒｉｉｅｎｒａｅｍｕｈｆｓｒｗｔｈｎｒａｅｏｉｔｒｎｅｅａｅｎｅｅａｕｅｆｉｏ１２５ｏ１２５ｗｉｔｅｒｇａｎｓｚｓｉｃｅｓｃａｔｉｔｅｉｃｅｓｆｓｎｅｉｇｔｍｐｒ — ｅｅｈ
１实验
ＢＴＯ基正温度系数热敏电阻（ＴＲ）ａｉＰＣ传感器已被广泛运
用于电流控制、度传感控制等领域－］温２６近年来，敏电阻．热温度传感器越来越多地被应用到低阻限流保护、低压加热控制
等领域Ｊ。另一方面，随着表面贴装技术（Ｍ的进一步发ＳＴ）展，ＴＲ元件也开始向着微型化、ＰＣ集成化方向发展。因此，如何使得传统的ＰＣＴＲ元件在更小的尺寸下实现优越的性能成为当前热敏功能陶瓷领域的研究重点。ＰＣＴＲ元件的微型化要求ＢＴＯａｉ陶瓷必须具备小的平均晶粒尺寸、的电阻率和高的升低阻比。Ｋｙｍａａｉｉｉｓｋ等提出了叠层片式ＰＣｏＳＴＲ的制备方法从而