电力电子习题(木答案)

《电力电子技术》教学容及要求

绪论

掌握电力电子技术的基本概念、学科地位、基本容和发展历史

了解电力电子技术的应用围

了解电力电子技术的发展前景

了解本课程的容、任务与要求

第1章电力电子器件

掌握各种二极管

重点掌握半控型器件：晶闸管

重点掌握典型全控型器件：GTO、电力MOSFET、IGBT、BJT

了解IGCT、MCT、SIT、STIH等其他电力电子器件

掌握电力电子器件的驱动电路

了解功率集成电路和智能功率模块

掌握电力电子器件的保护

掌握电力电子器件的串并联

第2章整流电路

掌握单相可控整流电路

重点掌握三相可控整流电路

掌握变压器漏抗对整流电路的影响

掌握电容滤波的二极管整流电路

掌握整流电路的谐波和功率因数

了解大功率整流电路

掌握整流电路的有源逆变工作状态

了解晶闸管直流电动机系统

掌握相位控制电路

第3章直流斩波电路

重点掌握降压斩波电路

重点掌握升压斩波电路

掌握升降压斩波电路

掌握复合斩波电路

了解多相多重斩波电路

第4章交流—交流电力变换电路

重点掌握单相相控式交流调压电路

掌握三相相控式交流调压电路

掌握交流调功电路

了解交流电子开关

掌握单相输出交—交变频电路

了解三相输出交—交变频电路

了解矩阵式变频电路

第5章逆变电路

掌握换流方式

重点掌握电压型逆变电路

掌握电流型逆变电路

掌握多重逆变电路和多电平逆变电路

第6章脉宽调制（PWM）技术

重点掌握PWM控制的基本原理

掌握PWM逆变电路的控制方式

掌握PWM波形的生成方法

了解PWM逆变电路的谐波分析

了解跟踪型PWM控制技术

了解PWM整流电路及其控制方法

第7章软开关技术

了解软开关的基本概念

掌握软开关技术的分类

掌握各种软开关电路的原理及应用

第8章组合变流电路

掌握间接交流变流电路

交—直—交变频电路（VVVF）

恒压恒频变流电路（CVCF）

掌握间接直流变流电路（间接DC/DC变换器）

开关电源

结束语

了解电力电子技术的发展趋势

第一章电力电子器件

填空题：

1.电力电子器件一般工作在________状态。

2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为________，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为________。

3.电力电子器件组成的系统，一般由________、________、________三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加________。

4.按部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为________、________、________三类。

5.电力二极管的工作特性可概括为________。

6.电力二极管的主要类型有________、________、________。

7.肖特基二极管的开关损耗________快恢复二极管的开关损耗。

8.晶闸管的基本工作特性可概括为 ____ 正向有触发则导通、反向截止 ____ 。

9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL________IH 。

10.晶闸管断态不重复电压UDRM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDRM________Ubo。

11.逆导晶闸管是将________与晶闸管________（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。

12.GTO的________结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。

13.功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为________。

14.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的________、前者的饱和区对应后者的________、前者的非饱和区对应后者的________。

15.电力MOSFET的通态电阻具有________温度系数。

16.IGBT 的开启电压UGE（th）随温度升高而________，开关速度________电力MOSFET 。

17.功率集成电路PIC分为二大类，一类是高压集成电路，另一类是________。

18.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为________和________两类。

19.为了利于功率晶体管的关断，驱动电流后沿应是________。

20.GTR的驱动电路中抗饱和电路的主要作用是________。

21.抑制过电压的方法之一是用________吸收可能产生过电压的能量，并用电阻将其消耗。在过电流保护中，快速熔断器的全保护适用于________功率装置的保护。

22.功率晶体管缓冲保护电路中的二极管要求采用________型二极管，以便与功率晶体管的开关时间相配合。

23.晶闸管串联时，给每只管子并联相同阻值的电阻R是________措施，给每只管子并联RC支路是________措施，当需同时串联和并联晶闸管时，应采用________的方法。

24.IGBT的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有________温度系数，在1/2或1/3额定电流以上区段具有________温度系数。

25.在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属于不可控器件的是________，属于半控型器件的是________，属于全控型器件的是________；属于单极型电力电子器件的有________，属于双极型器件的有________，属于复合型电力电子器件得有________；在可控的器件中，容量最大的是________，工作频率最高的是________，属于电压驱动的是________，属于电流驱动的是________。

第二章整流电路

填空题：

1.电阻负载的特点是________，在单相半波可控整流电阻性负载电路中，晶闸管控制角α的最大移相围是________。

2.阻感负载的特点是________，在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中，晶闸管控制角α的最大移相围是________，其承受的最大正反向电压均为________，续流二极管承受的最大反向电压为________（设U2为相电压有效值）。

3.单相桥式全控整流电路中，带纯电阻负载时，α角移相围为________，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为________和________；带阻感负载时，α角移相围为________，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为________和________；带反电动势负载时，欲使电阻上的电流不出现断续现象，可在主电路中直流输出侧串联一个________。

4.单相全控桥反电动势负载电路中，当控制角α大于不导电角时，晶闸管的导通角=________; 当控制角小于不导电角时，晶闸管的导通角=________。

5.从输入输出上看，单相桥式全控整流电路的波形与________的波形基本相同，只是后者适用于________输出电压的场合。