TATB基PBX纳米孔隙的正电子湮没寿命谱
正电子湮没谱实验数据处理方法

正电子湮没谱实验数据处理方法陈志权1. 正电子寿命谱分析方法:通常正电子湮没的寿命谱可以写为一到几个指数成分之和:∑==ni i I t L 1i(1) texp(-)(τ其中τi 及I i 为正电子在处于不同湮没态时的湮没寿命及其强度。
上式是在理想情况下的正电子寿命谱表达式。
在实际测量中,由于仪器存在时间分辨率,我们测量所得到的寿命谱变成了理想寿命谱与谱仪时间分辨函数的卷积:∑∫=∞′−′′−=ni t i t t d e t t R I N t Y i 1(2) )()(λN t 为实验测量寿命谱的总计数。
R(t)为谱仪的时间分辨函数。
通常认为是高斯函数形式:(3) 2log 2,1)(2)/(FWHM e t R t ==−σπσσ其中FWHM 为高斯函数的半高宽(Full Width at Half Maximum),σ为标准偏差。
则Y(t)可变换成如下的形式:(4) )/2/(21)(2)2/(1σσλσλλt erfc e I N t Y i t n i i t i i −=+−=∑其中,erfc(x)称为误差余函数,它的定义为:(5) 21)(1)(02dt e x erf x erfc xt∫−−=−=π在正电子寿命谱中,时间零点不是在t=0,而是在t 0处。
因此上式实际上为:(6) 2(21)(0)2/()(120σσλσλλt t erfc e I N t Y i t t n i i t i i −−=+−−=∑另外,在实际的正电子寿命谱测量中,Y(t)通常是以多道分析器(MCA)中每一道的计数来表示的。
为考虑道宽的影响,应建立每道中计数的数学表达式,即第j 道的计数Y j 应为从时间t j-1到t j 的积分,即为:(7) )(1dt t Y Y jj t t j ∫−=(8) )]()([201101,,σσλt t erf t t erf Y Y I Y j ni j j i j i iij −+−−−=−=−∑ 式中: (9) 2()2/()(,20σσλσλλt t erfc eY j i t t j i i j i −−=+−−利用高斯-牛顿非线性拟合算法,对实验测量的正电子寿命谱进行拟合,即可得到正电子在各个湮没态下的寿命τi及其强度I i。
超高分子量聚苯乙烯中的正电子寿命谱

超高分子量聚苯乙烯中的正电子寿命谱
张水合;齐陈泽
【期刊名称】《核技术》
【年(卷),期】1998(021)004
【摘要】以2,3-二氰基-2,3-二(p-X取代苯基)丁二酸二乙酯(X=H,CH3,Cl)为引发剂,用本体法合超高分子量聚苯乙烯,研究了不同引发剂对苯乙烯聚合物正电子湮没寿命谱的影响。
通过比较聚合物的分子量和自由体积,表明引发剂的分解速率对自由体积有较大的影响,而浓度对自由体积的影响不大。
【总页数】3页(P227-229)
【作者】张水合;齐陈泽
【作者单位】兰州大学;兰州大学
【正文语种】中文
【中图分类】O631.2
【相关文献】
1.纳米晶合金Fe73.0 Cu1.0 Nb1.5 Mo
2.0 Si1
3.5 B9.0中缺陷的正电子湮没寿命谱研究 [J], 殷俊林;尤富强;高国华;王景成
2.用Monte-Carlo方法计算正电子湮没寿命谱中的衬底效应 [J], 雷海乐;应三丛;张一云;徐家云
3.辐照LiF单晶中色心的正电子寿命谱研究 [J], 彭郁卿;李胜华
4.非掺杂半绝缘态InP中补偿缺陷正电子寿命谱的研究 [J], 杨勋;戴剑;王世超;邓
爱红
5.应用于聚合物中的正电子湮没寿命谱技术 [J], 马俊涛;黄荣华
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正电子湮没寿命谱

正电子湮没寿命谱
正电子湮没寿命谱是一种重要的粒子物理学测量工具。
它可以用来研究物质中的电子和正电子的相互作用,从而深入了解物质的组成和结构。
正电子湮没寿命谱测量的原理是,正电子在物质中遇到电子时会发生湮没,产生两个光子。
这两个光子的能量和动量都与原始正电子的能量和动量相等,但方向则是随机的。
通过测量这两个光子的时间间隔和相对能量可以确定正电子的寿命。
由于正电子的寿命非常短,通常只有几纳秒,所以正电子湮没寿命谱需要用到高精度的时间测量和能量分辨技术。
利用正电子湮没寿命谱可以研究固体、液体、气体等各种物质的性质,还可以用来检测材料的缺陷和探测生物分子的结构。
- 1 -。
正电子湮没寿命谱数据处理方法

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and meir co玎espondillg witll廿le fittiIlg
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to
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least squares
而且能较方便地制成适合于正电子寿命谱测量所用的源(源强为几pCi~几十pCi);它的
能量为1.28MeV的伴随丫射线很适合于作为寿命谱的起始信号。轴a衰变产生的正电
子能谱连续分布,峰值为178 eV,最大值为O.545 MeV,其衰变纲图如图1-2所示。
珠a
22Ne
激发态
丫’
22Ne
基态 图1_2 22Na的衰变纲图 Fig
(1.1)
变成丫光子的现象,这个现象称为正电子湮没。根据e+每对湮没后发射光子的数目不同, 可分为单光子湮没、双光子湮没和多光子湮没。以双光子湮没为例,如果e+.e。对湮没前 是静止的,按(1.1)式,湮没后所产生的两个丫光子的能量均为51lkeV。图1.1是e+吒-
双光子湮没示意图。
广西大学硕士掌位截咒炙
1.1.1正电子与正电子湮没 正电子(e+)是电子(e-)的反粒子,Dimc于1931年首先在理论上预言了它的存
SPEK-C膜的正电子湮灭寿命谱学研究

SPEK-C膜的正电子湮灭寿命谱学研究马卫涛;张永明;朱大鸣;阴泽杰;徐铜文;图图英【期刊名称】《中国科学技术大学学报》【年(卷),期】2005(35)3【摘要】利用正电子湮灭寿命谱(PALS)法及原子力显微镜(AFM),研究了磺化及溶剂蒸发对(磺化)酚酞侧基聚芳醚硐(SPEK-C)膜制备的影响.结果表明:磺化基团的引入,降低了分子间的作用力,使得分子间排列不紧密,导致聚合物的自由体积大小与强度同时增加;铸膜液溶剂挥发,聚合物浓度增加,胶束聚集体的相互聚集产生较大的胶束聚集体孔,使自由体积减小而强度增大,聚合物的自由体积较好地反映了胶束聚集体的聚集特征.【总页数】6页(P434-439)【作者】马卫涛;张永明;朱大鸣;阴泽杰;徐铜文;图图英【作者单位】中国科技大学近代物理系,安徽,合肥,230026;中国科技大学近代物理系,安徽,合肥,230026;中国科技大学近代物理系,安徽,合肥,230026;中国科技大学近代物理系,安徽,合肥,230026;中国科技大学化学系,安徽,合肥,230026;中国科技大学近代物理系,安徽,合肥,230026【正文语种】中文【中图分类】O64【相关文献】1.高能氩离子辐照SiO2玻璃的正电子寿命谱学研究 [J], 朱智勇;孙友梅;金运范;李长林;侯明东;刘昌龙;张崇宏;孟庆华;王志光;陈克勤;鲁光军2.14烷酸铅(LM)皂膜晶体的正电子湮没寿命谱学法研究 [J], 史子康;俞贤椿3.正电子淹没寿命谱学检测石英片上硬脂酸铅皂膜晶体(LS)质量 [J], 史子康;俞贤椿4.高能Ar+离子辐照SiO2玻璃的正电子寿命谱学研究 [J], 朱智勇;孙友梅5.理想正电子湮灭寿命谱解析程序DPSⅠ [J], 杨树军因版权原因,仅展示原文概要,查看原文内容请购买。
【国家自然科学基金】_谱学特性_基金支持热词逐年推荐_【万方软件创新助手】_20140803

推荐指数 2 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1
2010年 序号 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35
科研热词 推荐指数 高自旋 1 镍 1 软手征振动 1 转晕态 1 谱学相似性 1 谱学特性 1 角关联 1 裂变 1 表征 1 缺陷 1 磷化铟 1 磁转动 1 石墨粉(≤30μ m) 1 电子辐照 1 浸渍 1 氧化-插层 1 正电子湮没谱学 1 正电子寿命谱 1 普洱茶 1 晒青绿茶 1 斜轴推转(tac)计算 1 手征对称破缺 1 多糖 1 壳模型计算 1 固态发酵 1 可膨胀石墨 1 双幻核132sn 1 光谱性质 1 丰中子核 1 三轴形变 1 γ 射线三重符合 1 γ -al2o3 1 n=83同中数链 1 gammas-phere多探测器系统 1 252cf 1
推荐指数 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1
2009年 序号 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
科研热词 谱学特性 自由体积分布 纳米复合材料 环氧树脂 温度 沉淀法 正电子湮没 染料敏化剂:电子结构 带隙 密度泛函理论 吸收谱 ceo2纳米晶 bi2s3纳米带
2008年 序号 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
科研热词 谱学特性 表面迁移 自由体积 结构转变 纳米复合材料 纳米cuo 红外光谱 环氧树脂 正电子湮没 正电子寿命 均匀沉淀法 四氮杂卟啉 分子设计 共混膜 光致变色 介电损耗 介电常数 二芳基乙烯 两亲性共聚物
正电子湮灭谱

正电子湮灭谱一种研究物质微观结构的方法。
正电子是电子的反粒子,两者除电荷符号相反外,其他性质(静止质量、电荷的电量、自旋)都相同。
正电子进入物质在短时间内迅速慢化到热能区,同周围媒质中的电子相遇而湮没,全部质量(对应的能量为2meс2)转变成电磁辐射──湮没γ光子(见电子对湮没)。
50年代以来对低能正电子同物质相互作用的研究,表明正电子湮没特性同媒质中正电子-电子系统的状态、媒质的电子密度和电子动量有密切关系。
随着亚纳秒核电子学技术、高分辨率角关联测量技术以及高能量分辨率半导体探测器的发展,可以对正电子的湮没特性进行精细的测量,从而使正电子湮没方法的研究和应用得到迅速发展。
现在,正电子湮没谱学已成为一种研究物质微观结构的新手段。
实验测量方法主要有正电子寿命测量、湮没γ角关联测量和湮没谱线多普勒增宽测量三类。
正电子寿命谱通常用22Na作正电子源,源强为几微居里到几十微居里。
测量设备类似核能谱学中常用的符合系统,称之为正电子寿命谱仪(见彩图),图1是快-快符合系统方框图。
谱仪时间分辨率一般为3×10-10s左右,最好的已达1.7×10-10s。
22Na放射的正电子入射到测试样品中,同其中的电子发生湮没,放出γ射线。
用1.27MeV的γ光子标志正电子的产生,并作为起始信号,511keV的湮没辐射γ光子标志正电子的“死亡”,并作为终止信号。
两个信号之间的时间就是正电子的寿命。
在凝聚态物体中,自由正电子湮没的平均寿命在(1~5)×10-10s范围内。
正电子湮没寿命谱(PALS)常被用来研究固体中的缺陷,尤其是半导体中的空位型缺陷。
邻位正电子的寿命取决于184个邻位正电子的寿命,而邻位正电子的寿命受邻位正电子周围空位缺陷的影响。
因此,PALS可以看作是一种时域特征描述技术。
双γ角关联图2是一维长狭缝角关联测量系统示意图。
正电子源通常为64Cu、22Na、Co,测量时相对于固定探头以z方向为轴转动另一探头,测出符合计数率随角度的分布,就可以得到电子在某个方向上的动量分布。
分析正电子的湮没寿命或者电子的动量分布

1.28MeV
2.6% 2.9%
1.18MeV
4.2% 4.4%
1.33MeV
3.1% 3.3%
Байду номын сангаас
数据获取系统一
时间测量精度小于64ps
测试结果
时间精度测试
时间线性测试
数据获取系统二
核信号输 入
预放处理 (Preamplifier
)
触发输入
预放处理 (Preamplifier
)
抗混叠滤波 (Antialiasing)
正电子二维关联谱
正电子进入材料后经过热化、扩散和捕获等过程与 材料中的电子发生湮没而放出γ光子,通过测量产生 的γ光子的时间,能量,角度,分析正电子的湮没寿 命或者电子的动量分布,从而得到材料内部缺陷的 信息。
• 封装:石英玻璃
• 尺寸:φ25*16-18
光产额 Photons/kev
衰减时间 τ /ns
支出科目 1、科研业务费 2、实验材料费
3、仪器设备费 经费支出合计
预算
购LaBr晶体4万元 数据采集系统的元器件及制
板费用
购光电倍增管4万人民币 高压电源
累计支出
1万元 1万元
5万2千元 4千元 7万6千
结论
• 测量得到正电子二维关联谱 • 在提高计数率方面的改进
谢谢!
University of Science and Technology of China
时间优值 τ /(photons/keV)
BaF2
1.8
BrilLanCe380 63
LSO
27
NaI(Tl)
38
GSO
8
BGO
9
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和聚合 物 的研 究 中具 有 广泛 的应 用
, 在 含能 材 但
料 领 域 应 用 还 很 少 。 H w l等 使 用 P L o el A S研 究 了 TT A B基 P X的 孑 隙 分 布 , 敬 明 等 … 采 用 P L B L 李 A S研 究 了热处 理 前后 T T A B基 P X 孔 隙 的 变 化 。 本 研 究 B
10 60
1 0 80
c n e ha n 1
20 00
20 20
2 2 实 验 .
图 1 P X及 其 两 组 分 寿命 谱 B
Fg. i 1 Sp ta ofPBX an i w o c ec r d t t om p s onen s t
选 取 密 度 约 1 9 g ・ m 的 P X、 A B、 橡 胶 . c B T T 氟
中 图分 类 号 :T5 J 5;05 2 7 文 献 标 识 码 :A DOI 3 6 j i n 1 0 — 9 . 0 . 2 01 :1 9 9/.s . 6 9 41 2 1 O . 0. s 0 1 7
辨 能力使 其成 为表征纳 米孔 隙的首选 方法 。
1 引 言
2O O
杨 仍 才 ,田勇 , 伟 斌 , 宇 张 杜
文 章 编 号 :1 0 9 41 2 1) 2—2 0—4 0 6—9 ( 01 0 0 0 0
TT A B基 P X纳 米 孑 隙 的 正 电 子 湮 没 寿 命 谱 B L
杨仍才, 勇, 田 张伟斌, 宇 杜
(中国 工程 物 理 研 究 院 化工 材 料 研 究 所 ,四川 绵 阳 6 0 21 0) 9
为 能 对 比 分 析 正 电子 在 P X样 品 中 的 湮 没 成 分 , B
布方 面 Ma g和 W i y等 n l l e
用 小 角 散射 方 法研 究
2 0 MP 3 a下压 制 P X、A B 氟橡 胶 粘结 剂 F 3 4样 B T T 、 21
品 各 一 组 , 度 约 为 1 9 g ・ m ~。 再 在 不 同 压 制 强 密 . c 度 下 制 备 密 度 不 同 的 P X样 品 多 组 , 样 品 的 压 制 强 B 其 度 及 压 制 密 度 等 参 数 如 表 1所 示 。 由 于 同 一 强 度 压 制 的样 品 结 构 差 异 可 能 很 大 , 此 使 用 压 制 后 的 密 度 作 因 为 表 征 压 制 过 程 的 参 量 , 假 定 压 制 到 同 一 密 度 的 样 即 品 的 微 观 结 构 是 基 本 一 致 的 。 由 于 每 个 寿 命 谱 的 测 量 需 要 两 发 结 构 相 近 的 样 品 , 此 通 过 挑 选 , 证 每 对 样 因 保
过 程 的研 究 , 正 电 子 湮 没 寿 命 谱 技 术 纳 米 尺 度 的 分 而
收稿 日期 : 0 0 0 —4; 回 日期 : 0 0 0 —9 2 1 -4 1 修 2 1 —7 2
基 金 项 目 :国防 预先 研 究 ( 2 0 0 0 0 ) 4 6 4 3 4 1 作 者 简 介 :杨仍 才 ( 8 1 6一) 男 , 读 硕 士 研 究 生 , 要 从 事 炸 药 无 损 9 , 在 主
正 电子 有 三 种 湮 没 方 式 : 整 晶 格 中 为 自 由 态 湮 完
断是否有 长寿命 成分 即可知 道湮 没方 式 的类 型 。由图
1可 以 看 出 , B P X与 T T A B谱 形 相 似 , 减 较 快 , 明 它 衰 说 们长寿命湮没 成分 ( 即正 电子 素 湮 没 成 分 ) 度 很 小 , 强 即 主 要 为 自由态 湮 没 和 捕 获 态 湮 没 。 氟 橡 胶 粘 结 剂 的 衰 减 相 比 P X与 T T B A B要 慢 , 明它 具 有 较 多 正 电子 素湮 表 没 成 分 。 由此 可 以 认 为 , A B主 要 以 晶体 形 式 存 在 , TT 正
量 时 间 约 两 小 时 。 实 验 过 程 中 , 减 小 仪 器 温 度 漂 移 为 带 来 的 不 良影 响 , 验 室 温 度 保 持 在 ( 04 )o 实 2 1 C。 -
11 0
1。 0
10 60
10 80
can l hne
2 0 00
20 2O
图 2 不 同密 度 P X寿 命 谱 B
正 电 子 湮 没 寿 命 谱 技 术 ( o i o nh lt n P st n An i i i r ao
Lr i p crso y P L ) 利 用 正 电 子 在 材 料 的 it e meS e t c p , A S 是 o 不 同结 构 中湮 没 寿 命 不 同来 反 映 材 料 微 观 结 构 的 表 征 方 法 ~ 。 P S具 有 解 析 尺 度 为 纳 米 级 别 、 缺 陷 浓 AL 对 度 高 度 敏 感 、 测 过 程 简 单 无 损 等 优 点 , 金 属 、 金 检 在 合
1 3 5三 氨 基 一 , 6 三 硝 基 苯 ( A B) 一 种 常 ,,一 2 4,一 TT 是 用 高 能 钝 感 炸 药 , 主 要 特 点 是 机 械 感 度 和 热 感 度 等 其 较 低 , 有 良 好 的 安 全 性 和 稳 定 性 。 实 际 使 用 时 具 。 T T 中会 加 入 一 定 比 例 的 高 分 子 粘 结 剂 , 在 高 温 A B 再
含 能 材料
WW e e g t ・ tr l o g c W. n r ei ma ei s r . a c a.
TT A B基 P X纳 米 孔 隙 的 正 电 子 湮 没 寿 命谱 B
21 O
个 不 同 密 度 下 分 别 有 2对 、 2对 、 3对 、 样 品 符 合 条 7对
件 , 表 1所 示 。 如
剂 F 3 ) 寿 命 谱 对 比 , 2 为 部 分 不 同 压 制 密 度 21 的 4 图 P X 的 寿命 谱 。 B
表 1 样 品 压 制 参 数
T b e 1 S m p e p e sn a a t r a l a l r si g p mee s r
检 测 研 究 。e mal r一 9 9 3 c m — i :yБайду номын сангаас 9 9 @1 . o 6
C i s o r lf nr t Ma r l V 11 , , 0 1( 0 2 3 hn e un E e ec t is o. 9 No 2 2 1 2 0— 0 ) e j ao gi ea ,
粘 结剂 样 品各 一组 , 量并 对 比其寿命 谱 形状 的异 同 , 测
以 分 析 正 电子 在 这 些 样 品 中 的 湮 没 成 分 ;然 后 测 量 了
15 0
不 同压 制 密 度 的 P X样 品的 寿命 谱 , 过解 谱 分 析 , B 通
c 得 出 其 寿 命 分 布 随 压 制 密 度 的 s】 3ou 情 况 。 变化
寿 命 谱 Y即 为 以 相 应 寿 命 , 时 间 常 数 、 度 ,为 权 为 强
重 的 多 个 指 数 衰 减 成 分 的迭 加
Y=∑f x , p(一t' ) e /, r
’ : …
电子素形成 量很 少 ; 橡胶 粘结 剂 形 成正 电子 素 的量 氟 稍 多 , 粘结剂成分 在 P X中所 占比率较 小 , 但 B 在其 中的
1 0
们。
正 电子湮 没 寿命谱 二 量在 化工 材料 研究 所检 测 的测 。 技术 研 究 室 完 成 。寿 命 谱 仪 由美 国 OR E 公 司 生 TC
兽
暑
u
12 0
产, 探测 器材 料为 B F a ,闪 烁体 , 仪 的 时 问分 辨 率 约 谱
2 p 。实 验所 使用 的正 电子 来 自于 Na的 卢 1 s 0 衰 变 , 强度 为 5 c 左 右 。每个 寿命 谱 总 计 数 为 2 0万 , i 0 测
摘
要: 为研 究 压 制 参 数 对 T T A B基 高 聚物 粘 结 炸 药 ( B ) 观结 构 的 影 响 , 制 了 密 度 为 1 6~1 9 g・ m 的 P X, 用 了正 PX 微 压 . . c B 采
电 子湮 没 寿 命谱 ( AL ) 术 表 征 了其微 观结 构 , 论 了不 同 压 制 密 度 P X的纳 米 孔 隙 的 变 化 。结 果 显 示 : 制 密度 越 大 , B 中 P S技 讨 B 压 PX 纳 米孔 隙浓 度 越 小 , 均 尺寸 越 大 , 表 明压 制 过 程 中 , B 平 这 P X界 面孔 隙 不 断 减 小 , A B晶 体 内部 孔 隙却 不断 增 大 。 TT 关键 词 :高能 物 理 学 ; A B基 P X; 制 ; 米孔 隙 ;正 电子 湮 没 寿 命 谱 TT B 压 纳
没, 晶格缺 陷处 为捕获 态湮 没 , 分子 固体 中还存 在 正 电 子素湮 没 。三种 湮没 方 式 的寿命 一 般不 同 , 自由态 寿 命 最短 , 电子素 寿命 最长 , 湮没成 分 的相对 强 度会 正 各 受 到样 品 中缺陷浓 度 和正 电子 素形成 量 的影 响 。样 品
Fi 2 g. S cta ofPBX pe r w ih dier ntd t f e enstes f i i
3
结 果 与 讨 论
3. P X及 其 组 分 湮 没 成 分 分 析 1 B
所 有 存 在 缺 陷 的样 品都 有 这 两 种 湮 没 方 式 , 而 判 因
高压下压 制 成 具 有更 好 力 学 性 能 的 高 聚 物粘 结 炸药 (B) P X 。在压 制过程 中 , 炸药 的孔 隙 、 粒度分 布等 都会
发 生 变 化 , 响 其 性 能 ( 力 学 性 能 、 轰 性 能 影 如 爆 等) 。 因此 , 究 P X压 制 过 程 中 的 微 观 结 构 演 化 研 B 以及 压 制 参 数 对 P X微 观 结 构 的影 响具 有 重 要 意 义 。 B 现有对压 制过程 的研究 , 要 是针对 H 主 MX 基 PX B :如 S imoe等 研 究 了 多 种 HMX 基 P X 压 k d r B 制 过 程 的 微 观 结 构 变 化 ;P tr n等 研 究 了 压 制 强 ees o 度 对 P X9 0 B 5 1晶体 粒 度 分 布 的 影 响 ;T mpo o s n等 。 研 究 了 不 同 压 制 参 数 对 P X 9 0 的 力 学 性 质 的 影 B 一5 1 响; n Ma g等 用 中 子 超 小 角 散 射 研 究 了 不 同 压 制 强 度 导致 的 P X90 B 一5 1微 观 孔 隙 分 布 的 差 别 。 T T A B基 P X的 压 制 过 程 与 H B MX 类 似 , 其 压 制 后 的 孔 隙 分 在