锑掺杂量对ATO薄膜结构及光、电性能的影响
透明导电薄膜用Sb掺杂SnO2光电特性研究[设计+开题+综述]
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开题报告电子信息科学与技术透明导电薄膜用Sb掺杂SnO2光电特性研究一、选题的背景与意义近年来,随着科技的进一步发展,太阳能电池,高分辨率,大尺寸平面显示器,节能红外反射膜等广泛应用,对透明导电膜的需求越来越大。
透明导电膜主要用于透明电极、屏幕显示、热反射镜、透明表面发热器、柔性发光器件、液晶显示器等领域。
这就要求透明导电膜不但要有好的导电性,还要有优良的可见光透光性。
根据材料的不同,透明导电膜可分为金属透明导电薄膜,氧化物透明导电膜、非氧化物透明导电薄膜及高分子透明导电薄膜。
当前,氧化物及其复合氧化物薄膜的研究十分引人关注。
本课题主要研究的是Sb掺杂SnO2(简称ATO)体系。
ATO主要成分的SnO2因其优良的光电性能而被广泛应用于透明导电、固态气体传感器及催化等领域。
在透明导电膜中,SnO2因其优异的光电性能已被广泛应用,二氧化锡膜是较早获得商业应用的透明导电材料之一,SnO2是透明n 型宽禁带半导体材料,其Eg=3.6 eV(300 K),纯SnO2的电阻率通常较高,其载流子浓度由氧空位决定,在SnO2中掺入少量的Sb离子能大幅度降低SnO2的电阻率并保持良好的透光性。
而随着电子工业以及相关高新技术产业的高速发展,具有半导体特性金属氧化物导电粉末尤其是超细粉末(如掺杂锑的氧化锡)由于其独特的稳定性和广泛的应用领域而得到迅速发展。
ATO(锑掺杂的二氧化锡)是一类新型浅色透明导电粉,它利用锑掺杂取代锡形成缺陷固融体时形成的氧空位或电子作为载流电子导电的。
ATO可做优良隔热粉、导电粉使用。
其良好隔热性能,被广泛的应用于涂料、化纤、高分子膜等领域。
此外作为导电材料,在分散性、耐活性、热塑性、耐磨性、安全性有着其他导电材料无法比拟的优势。
被应用于光电显示器件、透明电极、太阳能电池、液晶显示、催化等方面。
目前制备ATO粉末的方法有多种,主要包括固相法、溶胶-凝胶法、喷雾热解法、金属醇盐水解法、化学共沉淀法、水热法、网络聚合法等等。
氧化锡锑ato电导率

氧化锡锑ATO电导率的研究一、引言氧化锡锑ATO,又名铟锡氧化物(Indium Tin Oxide,ITO),是一种重要的透明导电材料,广泛应用于触控屏、太阳能电池、OLED显示器等领域。
其性能的优劣主要取决于电导率,因此对氧化锡锑ATO电导率的研究具有重要的理论和实际意义。
二、氧化锡锑ATO的结构与性质氧化锡锑ATO是一种混合金属氧化物,由In2O3和SnO2按照一定比例混合而成。
其中,In2O3提供高的电导率,而SnO2则可以改善其光学性能和稳定性。
氧化锡锑ATO具有良好的透明性和导电性,是目前最常用的透明导电膜材料之一。
三、影响氧化锡锑ATO电导率的因素1. 成分比例:In2O3和SnO2的比例直接影响ATO的电导率。
通常情况下,In2O3含量越高,电导率越高。
2. 制备方法:不同的制备方法会对ATO的微观结构产生影响,从而影响其电导率。
例如,溅射法制备的ATO薄膜的电导率通常高于溶胶-凝胶法制备的ATO薄膜。
3. 热处理条件:热处理温度和时间会影响ATO的晶粒大小和结晶度,进而影响其电导率。
四、提高氧化锡锑ATO电导率的方法1. 优化成分比例:通过调整In2O3和SnO2的比例,可以在保证透明度的同时,尽可能提高电导率。
2. 改进制备工艺:采用更先进的制备技术,如磁控溅射、脉冲激光沉积等,可以得到具有更高电导率的ATO薄膜。
3. 优化热处理条件:通过精细控制热处理过程,可以得到具有优异电导率的ATO。
五、结论氧化锡锑ATO作为一种重要的透明导电材料,其电导率的高低对其应用性能有重要影响。
通过对影响ATO电导率的因素进行深入研究,并采取有效措施提高其电导率,将有助于进一步提升其在相关领域的应用价值。
锑光伏中的用量

锑光伏中的用量
随着可再生能源的发展和应用,光伏发电作为一种清洁能源形式受到了越来越多的关注。
而锑光伏作为一种新型的光伏材料,其在光伏领域中的应用也逐渐受到重视。
在锑光伏中,合理的用量是确保其性能和效率的关键因素之一。
锑作为一种半导体材料,其在光伏中的用量需要根据具体的应用需求来确定。
通常情况下,锑的掺杂浓度会直接影响到光伏电池的性能。
在设计锑光伏电池时,需要考虑到锑的掺杂方式和掺杂浓度,以确保电池的光电转换效率和稳定性。
锑在光伏材料中的用量也会影响到光伏电池的光吸收能力。
适当的锑用量可以提高光伏电池对太阳光的吸收率,从而提高电池的发电效率。
然而,过量的锑用量可能会导致光伏电池吸收光子的能力过强,从而使其发生光伏饱和现象,降低光伏电池的效率。
锑在光伏电池中的用量还会影响到电池的稳定性和寿命。
适量的锑用量可以提高光伏电池的稳定性,延长电池的使用寿命。
然而,过量的锑用量可能会导致电池内部的不均匀性增加,从而影响电池的稳定性和寿命。
在实际应用中,设计锑光伏电池时需要综合考虑以上因素,确定合理的锑用量。
通过精确控制锑的用量,可以提高光伏电池的性能和效率,推动光伏技术的发展和应用。
同时,也需要不断探索和研究
锑在光伏中的作用机制,以进一步优化锑光伏电池的性能和稳定性。
总的来说,锑光伏中的用量是影响光伏电池性能和效率的重要因素之一。
合理的锑用量可以提高光伏电池的性能和稳定性,推动光伏技术的发展和应用。
因此,在设计和制备锑光伏电池时,需要充分考虑锑的用量,以实现最佳的光伏效果。
Fe 3+、 La 3+掺杂对TiO2薄膜结构和光性能的影响

马弗炉 中热处理 ,梯度 升温 (  ̄/ i )至所 需温 度 , 3 mn C
保温 2 ,随炉冷却得到所 需 TO 薄膜样品 。 h i2 22 实验 表征仪器 、 X射线 衍射仪 ( rk r 司 D8A v ne型 )分析 Bue 公 d ac
算公 =1 . 1/), 式 : ( 0  ̄ .一 其中1 、I分 +8 / A R 别是锐
钛矿 相和金 红石 相衍 射特 征 峰的 强度 ,相 含 量分别 为
要是过渡金 属和稀有金属 ,普遍认为[过渡 金属掺杂 是 4 1 通过增加表 面缺陷来提 高二氧 化钛薄膜 的光 催化性 能。 而稀土元素具 有丰富 的能级和 4 f电子跃迁特 性 ,易产 生多电子组态 ,有着特殊 的光 学性质 ,在 TO 改性和 i2 构造 新型光催化 剂体系方面 ,越来越得 到重视 。本实验 从 晶相 转变、 表面形貌 、 紫外. 可见 吸收等方 面研 究 F ¨ e、
L¨ a 掺杂对 T O 薄膜 的影响, 比二者对 薄膜 的改性机 i2 对
3. 1 %、1 . 和 1. 7 23 % 04 %。掺杂浓度大于 02 %时, O 为 . 5 2 纯锐钛矿相 。图 1( )是不同 L 3 b a 掺杂浓度的 TO 粉末 i2
在 60 0 ℃热处理下的 XR 图谱。掺杂后的粉末 为纯锐钛 D
方 法。
的搅拌下滴加 至 A溶液 中 , 滴加完毕搅拌 3 mi, 别 0 n分 采用盐酸和氨 水的异丙醇溶 液调节其 p 值约为 7 H ,之
后室温下搅 拌 3 ,得到均匀 透明稳定 的溶胶 ,溶胶 在 h 室温下 陈化 1 。以洁净 的载 波片为基底提 拉镀膜 ,拉 d
纳米锑掺杂氧化锡(ATO)的研究及其在透明隔热涂料中的应用

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20 11
年 第
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第 3 8 卷 总第 2
期
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67
纳 米 锑 掺 杂 氧 化锡 (A T O ) 的研 究 及 其在 透 明 隔 热 涂 料 中 的应 用
龚圣
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f 仲 恺 农 业 工 程 学 院 化 学化 工 学 院
广东 广州
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锑掺杂对二氧化锡薄膜结构及发光性质的影响

征 的 四方金红 石 结 构 多 晶薄 膜 , 样 品 内不存 在 独 立 在 的氧 化 锑 相 , b离 子 进 入 S O S n z晶格 , 成 替 位 式 掺 形
杂 。小 图为 由 X D 谱计 算 得 到 的 薄膜 晶 粒 尺寸 及 晶 R
薄膜 中的氧 空位 缺 陷及 掺 杂 所 致 的施 主一 主 对 之 间 受 的跃 迁 以及 电子 由其 激发 态向基 态 能级跃 迁等 因素有
关。
格 常数 随掺 杂量 的 变化 曲线 。可 以看 到 , 随着 掺 杂 量 的增 加 , 薄膜 晶粒 变小 , 晶格 常数增 大 。这说 明掺杂 离 子 以 S 件 为 主 , 掺 杂 浓 度 增 大 时 , 格 畸 变 增 大 b 当 晶 (b 、n 和 S 。 S什 S什 b 的离 子 半 径 分 别 为 0 0 0 0 0 3 . 9 、 . 8 和 0 0 4 n [ 造成 薄膜 晶粒 减小 。 . 7 0 锡薄膜结构及发光性质的
锑 掺 杂 对 二 氧 化 锡 薄 膜 结 构 及 发 光 性 质 的影 响
计 峰, 马 瑾 , 洪磊 马
( 山东 大学 物 理学 院 , 山东 济南 2 0 0 ) 5 1 0 摘 要 : 采 用 射 频磁 控 溅 射 方 法 在石 英玻 璃 衬底 上
始 关注 S O n z的发光 特性 [ 。在前 期 工作 中 , 2 州] 我们 曾
报道 了利 用 A C P VD方 法 制备 的 S O n 。薄 膜 的 光致 发
光效应 [ ; 文研 究 了利 用 射 频 磁 控 溅 射 方 法 制 备 的 5本 ]
S O。: b薄膜在 不 同 S n S b掺 杂浓 度下 的光致 发光 效应 并对 S O S n z: b的光 致 发光机 制 进行 了探 讨 。
Si掺杂对Al-Ti-N涂层的结构、力学性能和抗氧化性能的影响

Si掺杂对Al-Ti-N涂层的结构、力学性能和抗氧化性能的影响袁红梅;杨兵;李佳;吴明晶;陈利【摘要】Al-Ti-N and Al-Ti-Si-N coatings with similar atom ratio were deposited on the surfaces of Al2O3, low alloy steel and cemented carbide cutters by cathodic arc evaporation technology. Effect of Si on the structure, mechanical properties and oxidation resistance of Al-Ti-N coatings was studied by XRD, SEM, nano indentation, scratch and oxidation tests. The results show that Al-Ti-N coatings are mainly cubic structure and hexagonal structure. Si doping decreases the solution of Alin TiN. and the Al-Ti-Si-N coatings turn to be mainly hexagonal structure and cubic structure. The hardness of Al-Ti-N coating is 34.5 GPa, and thatof Al-Ti-Si-N is 28.7 GPa, which is the results of Si doping. The stress of coating increases with the addition of Si, resulting in the decrease of interfacial strength between matrix and coating. The oxidation resistanceof Al-Ti-N coating is improved significantly with the doping of Si, and the antioxidant temperature is over 1 000℃.%采用阴极弧蒸发技术在 Al2O3、低合金钢和硬质合金刀片上沉积 Ti 与 Al 原子比相近的 Al-Ti-N 和Al-Ti-Si-N 涂层,借助 X 射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、纳米压痕、划痕实验和氧化实验,研究 Si 掺杂对Al-Ti-N涂层的结构、力学性能和抗氧化性能的影响。
高价掺杂元素sb元素作用

高价掺杂元素sb元素作用在科学研究中,高价掺杂元素sb元素具有重要的作用。
sb元素,也被称为锑元素,是一种化学元素,其原子序数为51。
它在自然界中以化合物的形式存在,常见的化合物有锑矿石和锑化合物。
锑具有一些独特的物理和化学性质,使得它在许多领域都有广泛的应用。
sb元素在材料科学领域具有重要的作用。
通过高价掺杂sb元素,可以改变材料的电子结构和性质,从而实现对材料性能的调控。
例如,在半导体材料中掺杂sb元素可以增加材料的导电性能,使其成为一种优良的N型半导体。
这对于电子器件的制造非常重要,因为N型半导体可以用于制作晶体管、二极管等元件,广泛应用于电子设备中。
sb元素还可以用于制备阻燃材料。
由于锑化合物具有良好的阻燃性能,因此在塑料、橡胶等材料中掺入sb元素可以显著提高材料的阻燃性能。
这对于提高材料的安全性和防火性非常重要,尤其是在建筑、交通等领域中,可以有效减少火灾事故的发生。
sb元素还可以用于制备光学玻璃。
由于锑化合物具有良好的光学性能,因此在玻璃制备过程中掺入sb元素可以改变玻璃的折射率和透过率,从而实现对光的调控。
这对于制备光学器件、光纤等具有重要意义,广泛应用于光通信、光学仪器等领域。
sb元素还可以用于制备电池材料。
由于锑化合物具有良好的电化学性能,因此在电池中掺入sb元素可以提高电池的容量和循环寿命,从而提高电池的性能。
这对于发展可再生能源、提高电动车等领域的电池技术具有重要意义。
高价掺杂元素sb元素在科学研究中具有广泛的应用。
通过掺杂sb 元素可以改变材料的性质,实现对材料性能的调控,从而在材料科学、阻燃材料、光学玻璃、电池材料等领域发挥重要作用。
sb元素的独特性质使得它成为科学研究的重要对象,也为人类的发展带来了许多机遇和挑战。
我们应该继续深入研究sb元素的性质和应用,为人类社会的进步做出更大的贡献。
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第4 4卷 第 1期
21 0 2年 1月
无 机 盐 工 业
I 0RGAN C CHE C S I N I MI AL ND量对 A O薄 膜 结构 及 光 、 T 电性 能 的影 响 水
杨 保 平 钟 小 华 , 。 张晓 亮。崔 锦峰 贾均红。易戈 文。 , , ,
中图分类号 :Q 3 . 1 T 15 3 文献标识码 : A 文章编号 :0 6— 9 0 2 1 ) 1 0 1 0 10 49 (0 2 O — 09— 3
Efe t fSb do i m o t o t uc u e a r s iso ee t i o e t fATO l f c s o p ng a un n sr t r nd tan m si n, l c rc pr p r y o i f ms
(. 1 兰州 理工 大学石油化工学 院 , 甘肃兰州 70 5 ;. 3 0 02 中国科学 院兰州化学物 理研 究所 固体润滑 国家重点实验室 )
摘
要: 以四氯化锡 和三氯化锑为主要原料 , 采用溶胶 一凝 胶法制 备 了不 同锑掺 杂量 的纳米锑掺 杂二 氧化锡
(T ) A O 薄膜 。分别利用 X D、 E E 紫外可见分光光度计和 四探 针 电阻仪对 晶体 结构 、 R F S M、 薄膜形 貌 、 光透过 率和薄 膜方 块电阻进行表征 , 考察锑 掺杂量对 A O薄膜 晶体 结构 、 T 晶粒尺寸 、 光透过率 和导 电性能 的影 响。结果表 明 : 所 制备 的 A O薄膜为 ( 1 ) T 10 面择优取 向的 四方 相锡 石结 构 , 晶粒 尺寸小 于 2 m, 6n 当锑 掺杂量 为 1% ( 0 物质 的量分 数 ) ,T 时 A O薄膜具有最小 的方块 电阻( 0 1r 6 . 口) 可见光透过率 大于 8 %。 , 5 关键词 : T A O纳米 薄膜 ;b S 掺杂量 ; l e 法 ;6 s —gl Y 透过率 ; o 方块 电阻
fr d o et i a bevda 10)l eteae g rs i a s ta 6n adi he rs t c a 0 — e e r nao w s sre s( pa , vr ec t s e seshn2 m,n s etei a e s b r i tn o 1 n h a y a zw l l ts s n w
w t i e e tS o i g a u t w r y t e ie i d f r n b d p n mo n s e e s n h s d.Mi r s u t r f m  ̄h l g ,rn miso a d s e t e i a c e e h f z c o t cu e, l mo o o t s s in, n h e ss n e w r r i a r t c a a t r e y XRD, E EM , h rc ei d b z F S UV —v s l p cr s o y a d fu - rb e it i / q a e r ssa c e tr a d t e ef cs ii e s e t c p , n o r o e r s i t s u r e itn e tse , n h f t b o p s vy e 0 b d p n mo n so r sal e mi rsr cu e, r sa ie t n miso a d c n u t i r p r e ft e AT l fS o ig a u t n c y tli co t tr c t sz -r s s in- n o d ci t p o et s o h O f ms n u y l a vy i i we ei v sia e y t ma ial . s l h we a ep e a e T f msh d tta o a a str e s u t r n ep e r n e tg t d s se t l Re u t s o d t t h rp rd A O i a er g n l s i i t cu e a d t r — c y s h t l c et r h