模拟电子技术:3章 多级放大电路题解

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第三章 多级放大电路

第三章  多级放大电路
U CEQ 2 = V CC I EQ 2 R 6
(2)求解 A u ,Ri和Ro.
为了求出第一级的电压放大倍数A 为了求出第一级的电压放大倍数 u1,首先应求出其负载 电阻,即第二级的输入电阻: 电阻,即第二级的输入电阻:
R i 2 = R 5 // [r be 2 + (1 + β )( R 6 // R L ) ]
【 】
内容 回顾
场效应管同样有三个极; 场效应管同样有三个极;其功能和三极管对应 相似;只是三极管用电流控制电流, 相似;只是三极管用电流控制电流,场效应管用电 压控制电流. 压控制电流. 场效应管放大电路的组成原则和三极管放大 电路相似, 电路相似,即: 场效应管必须工作在恒流区.( .(电路的静态工 1,场效应管必须工作在恒流区.(电路的静态工 作点合适) 作点合适) 交流信号能顺畅传输.(交流通路合理) .(交流通路合理 2,交流信号能顺畅传输.(交流通路合理) 场效应管放大电路仅要求了解即可. 场效应管放大电路仅要求了解即可.
2,交流信号在放大电路中能顺畅传输. ,交流信号在放大电路中能顺畅传输.
3. 输入信号能通过输入回路作用于放大管. 输入信号能通过输入回路作用于放大管. 4. 输出回路将变化的电流作用于负载. 输出回路将变化的电流作用于负载.
当ui=0时,称放大电路处于静态. 时
【 】
内容 回顾
(IBQ,UBEQ) ( ICQ,UCEQ )
Au =
(1+ β ) Re Rb + rbe + (1+ β ) Re
Au =
βRc r + (1 + β ) R e
be
R i = R b + rbe + (1 + β ) R e

2019华南理工模拟电子技术平时作业答案-

2019华南理工模拟电子技术平时作业答案-

教材模拟电子技术基础(第四版)清华大学模拟电子技术课程作业第1章半导体器件1将PN结加适当的正向电压,则空间电荷区将( b )。

(a)变宽(b)变窄(c)不变2半导体二极管的主要特点是具有( b )。

(a)电流放大作用(b)单向导电性(c)电压放大作用3二极管导通的条件是加在二极管两端的电压( a )。

(a)正向电压大于PN结的死区电压(b)正向电压等于零(c)必须加反向电压4电路如图 1所示,设D1,D2均为理想元件,已知输入电压u i=150sintV如图2所示,试画出电压u O的波形。

D1D2++u i/V15040k 40ku Ou I+ +20V 100V t - - - -图1 图2u i/V150100600 tu i/V100600 t 答:5电路如图1所示,设输入信号uI1,uI2的波形如图2所示,若忽略二极管的正向压降,试画出输出电压u O的波形,并说明t 时间内二极管D,D2的工作状态。

1,t2 1uI1/V D12uI1+ 0t1tD2t2R Lu I2 uO -2u I2/V- 2图10 t-2图2答:u O/V0t1t t2-2t1:D1导通,D2截止t2:D2导通,D1截止第2章基本放大电路1下列电路中能实现交流放大的是图( b )。

+ U CC+ U CC+ ++ + + ++u o+u i u i u o-- - -(a)(b)+ U CC+ U CC+ ++ ++ ++ +u ou i u ou i----(c) (d)2图示电路,已知晶体管60,UBE0.7V ,R C 2k,忽略U BE ,如要将集电极电流I C 调整到1.5mA ,R B 应取( a )。

(a)480k (b)120k(c)240k(d)360kRC 12VRB + C1C 2 + + + u iu o--3固定偏置放大电路中,晶体管的 β=50,若将该管调换为 β=80的另外一个晶体管,则该 电路中晶体管集电极电流IC 将( a )。

模拟电子技术基础(童诗白 华成英)课后答案第3章

模拟电子技术基础(童诗白 华成英)课后答案第3章

第三章 多级放大电路自 测 题一、判断下列说法是否正确,凡对的在括号内打“√”,否则打“×”。

(1)现测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数均为-100,将它们连成两级放大电路,其电压放大倍数应为10000。

( )(2)阻容耦合多级放大电路各级的Q 点相互独立,( )它只能放大交流信号。

( )(3)直接耦合多级放大电路各级的Q 点相互影响,( )它只能放大直流信号。

( )(4)只有直接耦合放大电路中晶休管的参数才随温度而变化。

( ) (5)互补输出级应采用共集或共漏接法。

( )解:(1)× (2)√ √ (3)√ × (4)× (5)√二、现有基本放大电路:A.共射电路B.共集电路C.共基电路D.共源电路E.共漏电路根据要求选择合适电路组成两级放大电路。

(1)要求输入电阻为1k Ω至2k Ω,电压放大倍数大于3000,第一级应采用 ,第二级应采用 。

(2)要求输入电阻大于10M Ω,电压放大倍数大于300,第一级应采用 ,第二级应采用 。

(3)要求输入电阻为100k Ω~200k Ω,电压放大倍数数值大于100,第一级应采用 ,第二级应采用 。

(4)要求电压放大倍数的数值大于10,输入电阻大于10M Ω,输出电阻小于100Ω,第一级应采用 ,第二级应采用 。

(5)设信号源为内阻很大的电压源,要求将输入电流转换成输出电压,且1000io >I U A ui &&&=,输出电阻R o <100,第一级应采用 ,第二级应采用 。

解:(1)A ,A (2)D ,A (3)B ,A (4)D ,B (5)C ,B三、选择合适答案填入空内。

(1)直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是 。

A .电阻阻值有误差 B .晶体管参数的分散性 C .晶体管参数受温度影响 D .电源电压不稳定 (2)集成放大电路采用直接耦合方式的原因是 。

A .便于设计B .放大交流信号C .不易制作大容量电容(3)选用差分放大电路的原因是 。

《模拟电子技术基础》详细习题答案童诗白,华成英版,高教版)章 放大电路中的反馈题解

《模拟电子技术基础》详细习题答案童诗白,华成英版,高教版)章 放大电路中的反馈题解

精品行业资料,仅供参考,需要可下载并修改后使用!第六章 放大电路中的反馈自测题一、在括号内填入“√”或“×”,表明下列说法是否正确。

(1)若放大电路的放大倍数为负,则引入的反馈一定是负反馈。

( )(2)负反馈放大电路的放大倍数与组成它的基本放大电路的放大倍数量纲相同。

( )(3)若放大电路引入负反馈,则负载电阻变化时,输出电压基本不变。

( )(4)阻容耦合放大电路的耦合电容、旁路电容越多,引入负反馈后,越容易产生低频振荡。

( )解:(1)× (2)√ (3)× (4)√二、已知交流负反馈有四种组态:A .电压串联负反馈B .电压并联负反馈C .电流串联负反馈D .电流并联负反馈选择合适的答案填入下列空格内,只填入A 、B 、C 或D 。

(1)欲得到电流-电压转换电路,应在放大电路中引入 ;(2)欲将电压信号转换成与之成比例的电流信号,应在放大电路中引入 ;(3)欲减小电路从信号源索取的电流,增大带负载能力,应在放大电路中引入 ;(4)欲从信号源获得更大的电流,并稳定输出电流,应在放大电路中引入 。

解:(1)B (2)C (3)A (4)D三、判断图T6.3所示各电路中是否引入了反馈;若引入了反馈,则判断是正反馈还是负反馈;若引入了交流负反馈,则判断是哪种组态的负反馈,并求出反馈系数和深度负反馈条件下的电压放大倍数f u A 或fs u A 。

设图中所有电容对交流信号均可视为短路。

图T6.3解:图(a )所示电路中引入了电流串联负反馈。

反馈系数和深度负反馈条件下的电压放大倍数fu A 分别为 L 31321f 32131 R R R R R R A R R R R R F u ⋅++≈++= 式中R L 为电流表的等效电阻。

图(b )所示电路中引入了电压并联负反馈。

反馈系数和深度负反馈条件下的电压放大倍数fu A 分别为 12f 2 1R R A R F u -≈-= 图(c )所示电路中引入了电压串联负反馈。

模拟电子技术基础学习指导与习题解答(谢红主编)第三章思考题与习题解答

模拟电子技术基础学习指导与习题解答(谢红主编)第三章思考题与习题解答

模拟电⼦技术基础学习指导与习题解答(谢红主编)第三章思考题与习题解答第三章思考题与习题解答3-1 选择填空(只填a 、b 、c 、d)(1)直接耦合放⼤电路能放⼤,阻容耦合放⼤电路能放⼤。

(a.直流信号,b.交流信号,c.交、直流信号)(2)阻容耦合与直接耦合的多级放⼤电路之间的主要不同点是。

(a.所放⼤的信号不同,b.交流通路不同,c.直流通路不同)(3)因为阻容耦合电路 (a1.各级Q 点互相独⽴,b1.Q 点互相影响,c1.各级Au 互不影响,d1.Au 互相影响),所以这类电路 (a2.温漂⼩,b2.能放⼤直流信号,c2.放⼤倍数稳定),但是 (a3.温漂⼤,b3.不能放⼤直流信号,c3.放⼤倍数不稳定)。

⽬的复习概念。

解 (1)a 、b 、c ,b 。

(2)a 、c 。

(3)a1,a2,b3。

3-2 如图题3-2所⽰两级阻容耦合放⼤电路中,三极管的β均为100,be1 5.3k Ωr =,be26k Ωr =,S 20k ΩR =,b 1.5M ΩR =,e17.5k ΩR =,b2130k ΩR =,b2291k ΩR =,e2 5.1k ΩR =,c212k ΩR =,1310µF C C ==,230µF C =,e 50µF C =,C C V =12 V 。

图题3-2(a)放⼤电路;(b)等效电路(答案)(1)求i r 和o r ;(2)分别求出当L R =∞和L 3.6k ΩR =时的S u A 。

⽬的练习画两级放⼤电路的微变等效电路,并利⽤等效电路求电路的交流参数。

分析第⼀级是共集电路,第⼆级是分压供偏式⼯作点稳定的典型电路,1V 、2V 均为NPN 管。

解 (1)求交流参数之前先画出两级放⼤电路的微变等效电路如图题3-2(b)所⽰。

注意图中各级电流⽅向及电压极性均为实际。

第⼀级中b1I 的⽅向受输⼊信号i U 极性的控制,⽽与1V 的导电类型(NPN 还是PNP)⽆关,i U 上正下负,因此b1I 向⾥流,输出电压o1U 与i U 极性相同;第⼆级中b 2I 的⽅向受o1U 极性的控制,o1U 上正下负,因此b 2I 向⾥流,也与2V 的导电类型⽆关,或者根据c1I 的⽅向(由1c 流向1e )也能确定b 2I 的⽅向是向⾥流。

电子技术精品课程-模拟电路-第3章 多级放大电路 18页

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注意:
第3章 多级放大电路
①计算前级的电压放大倍数时必须把后级的输入电阻考虑到前
级的负载电阻之中。即RL1=Ri2。
② 整个电路的输入电阻就是第一级的输入电阻。 ③ 整个电路输出电阻就是最后一级的输出电阻。
2020年6月18日星期四
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2. 阻容耦合分析
第3章 多级放大电路
RS
vs
RB11
RB11
RC1
+Vcc
RB21
RC2
+ C3
1.计算静态Q点
C1 +
vi
RB12
+
T1 C2
RE1
CE2
T2 RB22
RE1
RL
vo
CE2
VB1
RB2 VCC RB1 RB2
1512 4V 30 15
IC1
IE1
VB1 VBE RE1
4 0.7 3
1.1mA
VCE1 VCC IC1(RC1 RE1) 12 1.1(3 3) 5.4V
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② 零点漂移
第3章 多级放大电路
R1 RC1 R2
+VCC RC2
vo
T1Βιβλιοθήκη T2voviRE2
t
0
前一级的温漂将作为后一级的输入信号,使得当 vi 等于零 时,vo不等于零。有时会将有用信号淹没
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引起零点漂移的因素
第3章 多级放大电路
Vo1 Vi
Vo Vi2
Av1
Av2
vs

《模拟电子技术基础》(童诗白、华成英第四版)习题解答

《模拟电子技术基础》(童诗白、华成英第四版)习题解答

模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答山东大学物理与微电子学院目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确,用“×”和“√”表示判断结果填入空内。

(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。

( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。

( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。

( √ )(4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。

( ×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压,才能保证R大的特点。

( √)其GSU大于零,则其输入电阻会明显变小。

( ×) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。

(l) PN 结加正向电压时,空间电荷区将 A 。

A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。

A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。

A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。

A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D=0.7V。

模拟电子技术基础 胡宴如 耿苏燕 高等教育出版社 第三章 课后答案

模拟电子技术基础 胡宴如 耿苏燕 高等教育出版社 第三章 课后答案

Ri = R B1 // R B 2 // rbe = (62 // 16 // 1.3)kΩ = 1.2kΩ uo Ri 1.2 × (−144) = Au = = −96 u s Rs + Ri 0.6 + 1.2
− 60 × ( 4.3 // 5.1 ) = −140 1 Ri = ( 62 // 16 // 1 )kΩ = 0.93kΩ Ro = RC = 4.3kΩ Au =
.c
图 P3.3
om
(2)画 H 参数等效电路,求 Au、Ri、Ro
U BQ =
RB 2 16 × 24V VCC = = 4.92V RB1 + RB 2 62 + 16 U BQ − U BEQ 4.92 − 0.7 I CQ = = mA = 1.92 mA RE 2 .2 U CEQ = VCC − I CQ ( RC + RE ) = 24V − 1.92 × ( 4.3 + 2.2 )V = 11.5V
rbe = 200Ω + 81×
由图(c)可得
Au =
u o − β ( R B 2 // RC // R L ) − 80 × (100 // 3.9 // 10)kΩ = = = −157 ui rbe 1.4kΩ
w w
所以
w
求 Au、Ri、Ro。
3.6 放大电路如图 P3.6 所示,已知三极管的β=50,rbb’=200Ω,UBEQ=0.7V,各电容
.c
om
求静态工作点 ICQ、UCEQ; (2)画出 H 参数小信号等效电路,求 Au、Ri、Ro; (3)求源电压增 益 Aus。 解: (1)求静态工作点
U BQ = I CQ ≈
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放大电路自测题一、判断下列说法是否正确,凡对的在括号内打“√”,否则打“×”。

(1)现测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数均为-100,将它们连成两级放大电路,其电压放大倍数应为10000。

( )(2)阻容耦合多级放大电路各级的Q点相互独立,( )它只能放大交流信号。

( )(3)直接耦合多级放大电路各级的Q点相互影响,( )它只能放大直流信号。

( )(4)只有直接耦合放大电路中晶休管的参数才随温度而变化。

( ) (5)互补输出级应采用共集或共漏接法。

( )二、选择合适答案填入空内。

(1)直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是。

A.电阻阻值有误差B.晶体管参数的分散性C.晶体管参数受温度影响D.电源电压不稳定(2)集成放大电路采用直接耦合方式的原因是。

A.便于设计B.放大交流信号C.不易制作大容量电容(3)选用差分放大电路的原因是。

A.克服温漂B.提高输入电阻C.稳定放入倍数(4)差分放大电路的差模信号是两个输入端信号的,共模信号是两个输入端信号的。

A.差B.和C.平均值(5)用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻R e,将使电路的。

A.差模放大倍数数值增大B.抑制共模信号能力增强C.差模输入电阻增大(6)互补输出级采用共集形式是为了使。

A.电压放大倍数大B.不失真输出电压大C.带负载能力强r=100三、电路如图PT3.4所示,所有晶体管均为硅管,β均为60,'bbΩ,静态时|U B E Q|≈0.7V。

试求:(1)静态时T1管和T2管的发射极电流。

(2)若静态时u O>0,则应如何调节R c2的值才能使u O=0V?若静态u O =0V ,则R c 2=?电压放大倍数为多少?图T3.4解:(1)T 3管的集电极电流I C 3=(U Z -U B E Q 3)/ R e 3=0.3mA 静态时T 1管和T 2管的发射极电流 I E 1=I E 2=0.15mA (2)若静态时u O >0,则应减小R c 2。

当u I =0时u O =0,T 4管的集电极电流I C Q 4=V E E / R c 4=0.6mA 。

R c 2的电流及其阻值分别为Ω≈+=-=-=k 14.7mA14.0C2c1BEQ4E4E4c2CQ4C2B4C2R R I U R I R I I I I I =β电压放大倍数求解过程如下:Ω≈++=Ω≈++=k 74.2mV26)1(k 7.10mV26)1(EQ4bb'be4EQ2bb'be2I r r I r r ββ{}29718)1( 5.16 2])1([21e4be4c42be2e4be4c21-∥≈⋅=-≈++-=≈++=u u u u u A A A R r R A r R r R A ββββ习 题3.1 判断图P3.1所示各两级放大电路中,T 1和T 2管分别组成哪种基本接法的放大电路。

设图中所有电容对于交流信号均可视为短路。

图P 3.1解:(a )共射,共基 (b )共射,共射 (c )共射,共射 (d )共集,共基 (e )共源,共集 (f )共基,共集3.2 设图P3.2所示各电路的静态工作点均合适,分别画出它们的交流等效电路,并写出uA 、R i 和R o 的表达式。

图P 3.2解:(1)图示各电路的交流等效电路如解图P3.2所示。

(2)各电路uA 、R i 和R o 的表达式分别为 图(a ){}22be23o be11i 32be232be1132be2211)1()1(])1([βββββ++=+=+++⋅+++-=R r R R r R R R r R r R R r R A u∥∥图(b )4o be2321be11i be242be2321be1be2321)])(1([)())(1())(1(R R r R R r R R r Rr R R r r R R A u=++=-⋅+++=∥∥∥∥∥∥∥ββββ图(c ){}3o be11i d2be232be11d 2be221])1([])1([R R r R R r r R r R r r R A u=+=++-⋅+++-=ββββ∥图(d )8o 213i 2be 82be2764m )()]([R R R R R R r R r R R R g A u =+=-⋅-=∥∥∥∥β解图P 3.23.3 基本放大电路如图P3.3(a )(b )所示,图(a )虚线框内为电路Ⅰ,图(b )虚线框内为电路Ⅱ。

由电路Ⅰ、Ⅱ组成的多级放大电路如图(c )、(d )、(e )所示,它们均正常工作。

试说明图(c )、(d )、(e )所示电路中 (1)哪些电路的输入电阻比较大; (2)哪些电路的输出电阻比较小;(3)哪个电路的s u A =so U U 最大。

图P3.3解:(1)图(d)、(e)所示电路的输入电阻较大。

(2)图(c)、(e)所示电路的输出电阻较小。

A 最大。

(3)图(e)所示电路的s u3.4电路如图P3.1(a)(b)所示,晶体管的β均为50,r b e均为1.2kΩ,A 、R i和R o。

Q点合适。

求解u解:在图(a)所示电路中Ω==Ω≈=-≈⋅===+⋅-=k 3k 93.012512513o be121i 21be2322be12be211R R r R R R A A A r R A r r A u u u u u ∥∥ βββ在图(b )所示电路中Ω==Ω≈+=≈⋅=-≈-=-≈⋅-=k 1k 2.1)(21004250)(4o be1325i 21be2422be1be2111R R r R R R R A A A r R A r r R A u u u u u ∥∥∥ ββ3.5 电路如图P3.1(c )(e )所示,晶体管的β均为80,r b e 均为1.5k Ω,场效应管的g m 为3mA/V ;Q 点合适。

求解uA 、R i 和R o 。

解:在图(c )所示电路中Ω==Ω≈=≈⋅=-≈-=-≈⋅-=k 2k 5.1663410762)(4i be11i 21be2422be1be2311R R r R R A A A r R A r r R A u u u u u ∥∥ ββ在图(e )所示电路中{}Ω≈++=Ω==-≈⋅=≈+++=-≈-≈++-=431M 1061)1()1(6])1([2be 4o 1i 214be 4224be 21ββββR r R R R R A A A R r R A R g R r R g A u u u u m m u ∥∥3.6 图P3.6所示电路参数理想对称,β1=β2=β,r b e 1=r b e 2=r b e 。

(1)写出R W 的滑动端在中点时A d 的表达式;(2)写出R W 的滑动端在最右端时A d 的表达式,比较两个结果有什么不同。

图P 3.6解:(1)R W 的滑动端在中点时A d 的表达式为beWc IOd )2( r R R u u A +-=∆∆=β(2)R W 的滑动端在最右端时IbeWc C2C1O IbecC2I beW c C1)2( 2 2)( ur R R u u u u r R u u r R R u ∆⋅+-=∆-∆=∆∆⋅+=∆∆⋅+-=∆βββ所以A d 的表达式为beWc IOd )2( r R R u u A +-=∆∆=β比较结果可知,两种情况下的A d 完全相等;但第二种情况下的C21C u u ∆∆>。

3.7 图P3.7所示电路参数理想对称,晶体管的β均为50,'bb r =100Ω,U B E Q ≈0.7。

试计算R W 滑动端在中点时T 1管和T 2管的发射极静态电流I E Q ,以及动态参数A d 和R i 。

图P 3.7解:R W 滑动端在中点时T 1管和T 2管的发射极静态电流分析如下:mA 517.02222e WBEQEE EQEE e EQ WEQ BEQ ≈-==+⋅+R R U V I V R I R I U + A d 和R i 分析如下:Ω≈++=-≈++-=Ω≈++=k 5.20)1(2972)1( k 18.5mV 26)1(W be i W be cd EQ bb'be R r R R r R A I r r ββββ3.8 电路如图P3.8所示,T 1管和T 2管的β均为40,r b e 均为3k Ω。

试问:若输入直流信号u I 1=20mv ,u I 2=10mv ,则电路的共模输入电压u I C =?差模输入电压u I d =?输出动态电压△u O =?图P 3.8解:电路的共模输入电压u I C 、差模输入电压u I d 、差模放大倍数A d 和动态电压△u O 分别为V67.0672 mV 10mV 152Id d O be cd I2I1Id I2I1IC -≈=∆-≈-==-==+=u A u r R A u u u u u u β 由于电路的共模放大倍数为零,故△u O 仅由差模输入电压和差模放大倍数决定。

3.9 电路如图P3.9所示,晶体管的β=50,'bb r =100Ω。

(1)计算静态时T 1管和T 2管的集电极电流和集电极电位;(2)用直流表测得u O =2V ,u I =?若u I =10mv ,则u O =?图P 3.9解:(1)用戴维宁定理计算出左边电路的等效电阻和电源为 V 5 , k 67.6CC Lc L 'CC L c 'L =⋅+=Ω≈=V R R R V R R R ∥ 静态时T 1管和T 2管的集电极电流和集电极电位分别为V15V23.3mA265.02CC CQ2'L CQ 'CC CQ1e BEQEE EQ CQ CQ2CQ1==≈-==-≈≈==V U R I V U R U V I I I I (2)先求出输出电压变化量,再求解差模放大倍数,最后求出输入电压,如下:△u O =u O -U C Q 1≈-1.23VmV 6.377.32)(2 k 1.5mA 26)1(d O I be b 'L d EQ 'bb be ≈∆=-≈+-=Ω≈++=A u u r R R A I r r ββ 若u I =10mv ,则V 9.2V327.0O 1CQ O I d O ≈∆+=-≈=∆u U u u A u3.10 试写出图P3.10所示电路A d 和R i 的近似表达式。

设T 1和T 2的电流放大系数分别为β1和β2,b-e 间动态电阻分别为r b e 1和r b e 2。

图P 3.10解:A d 和R i 的近似表达式分别为])1([2)1()2(be21be1i be211be L c 21d r r R r r R R A ββββ++=++-≈∥3.11 电路如图P3.11所示,T 1和T 2的低频跨导g m 均为2mA/V 。

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