《材料物理性能》测试题汇总

《材料物理性能》测试题1、利用热膨胀曲线确定组织转变临界点通常采取的两种方法是： 、2、列举三种你所知道的热分析方法： 、 、3、磁各向异性一般包括 、 、 等。

4、热电效应包括 效应、 效应、 效应，半导体制冷利用的是 效应。

5、产生非线性光学现象的三个条件是 、 、 。

6、激光材料由 和 组成，前者的主要作用是为后者提供一个合适的晶格场。

7、压电功能材料一般利用压电材料的 功能、 功能、 功能、 功能或 功能。

8、拉伸时弹性比功的计算式为 ，从该式看，提高弹性比功的途径有二： 或 ，作为减振或储能元件，应具有 弹性比功。

9、粘着磨损的形貌特征是 ，磨粒磨损的形貌特征是 。

10、材料在恒变形的条件下，随着时间的延长，弹性应力逐渐 的现象称为应力松弛，材料抵抗应力松弛的能力称为 。

1、导温系数反映的是温度变化过程中材料各部分温度趋于一致的能力。

（ ）2、只有在高温且材料透明、半透明时，才有必要考虑光子热导的贡献。

（ ）3、原子磁距不为零的必要条件是存在未排满的电子层。

（ ）4、量子自由电子理论和能带理论均认为电子随能量的分布服从FD 分布。

（ ）5、由于晶格热振动的加剧，金属和半导体的电阻率均随温度的升高而增大。

（ ）6、直流电位差计法和四点探针法测量电阻率均可以消除接触电阻的影响。

（ ）7、 由于严格的对应关系，材料的发射光谱等于其吸收光谱。

（ ）8、 凡是铁电体一定同时具备压电效应和热释电效应。

（ ）9、 硬度数值的物理意义取决于所采用的硬度实验方法。

（ ）10、对于高温力学性能，所谓温度高低仅具有相对的意义。

（ ）1、关于材料热容的影响因素，下列说法中不正确的是 （ ）A 热容是一个与温度相关的物理量，因此需要用微分来精确定义。

B 实验证明，高温下化合物的热容可由柯普定律描述。

C 德拜热容模型已经能够精确描述材料热容随温度的变化。

D 材料热容与温度的精确关系一般由实验来确定。

2、 关于热膨胀，下列说法中不正确的是 （ ）A 各向同性材料的体膨胀系数是线膨胀系数的三倍。

B 各向异性材料的体膨胀系数等于三个晶轴方向热膨胀系数的加和。

C 热膨胀的微观机理是由于温度升高，点缺陷密度增高引起晶格膨胀。

D 由于本质相同，热膨胀与热容随温度变化的趋势相同。

3、下面列举的磁性中属于强磁性的是 （ ）A 顺磁性B 亚铁磁性C 反铁磁性D 抗磁性4、关于影响材料铁磁性的因素，下列说法中正确的是 （ ）A 温度升高使得M S 、B R 、HC 均降低。

B 温度升高使得M S 、B R 降低，H C 升高。

C 冷塑性变形使得C H μ和均升高。

D 冷塑性变形使得C H μ和均降低。

5、下面哪种效应不属于半导体敏感效应。

（ ）A 磁敏效应B 热敏效应C 巴克豪森效应D 压敏效应6、关于影响材料导电性的因素，下列说法中正确的是 （ ）A 由于晶格振动加剧散射增大，金属和半导体电阻率均随温度上升而升高。

B 冷塑性变形对金属电阻率的影响没有一定规律。

C “热塑性变形＋退火态的电阻率”的电阻率高于“热塑性变形＋淬火态”D 一般情况下，固溶体的电阻率高于组元的电阻率。

7、下面哪种器件利用了压电材料的热释电功能 （ ）A 电控光闸B 红外探测器C 铁电显示器件D 晶体振荡器8、下关于铁磁性和铁电性，下面说法中不正确的是 （ ）A 都以存在畴结构为必要条件B 都存在矫顽场C 都以存在畴结构为充分条件D 都存在居里点9、下列硬度实验方法中不属于静载压入法的是 （ ）A 布氏硬度 B肖氏硬度 C 洛氏硬度 D显微硬度10、关于高温蠕变性能，下列说法中不正确的是（）A 蠕变发生的机理与应力水平无关。

B粗化晶粒是提高钢持久强度的途径之一。

C 松弛稳定性可以评价材料的高温预紧能力。

D 蠕变的热激活能与材料的化学成分有关。

四、简答题（每题6分，共30分）：1、以杜隆－珀替定律为例，简要回答热容模型的推导步骤。

2、直接交换作用是如何解释自发磁化现象的？3、什么是霍耳效应，简要回答其在电学性能中的应用。

4、如何理解反射系数和折射率的关系？5、以BaTiO3晶体为例，简要说明热运动引起的自发极化。

铁磁性材料的技术磁化过程分为哪几个阶段，请用简图表示并用文字简单说明各阶段的含义，指出如何从该图求得自发磁化强度。

压电体：某些电介质施加机械力而引起它们内部正负电荷中心相对位移，产生极化，从而导致介质两端表面内出现符号相反的束缚电荷。

在一定应力范围内，机械力与电荷呈线性可逆关系这类物质导体：在外电场的作用下，大量共有化电子很易获得能量，集体定向流动形成电流的物体半导体：能带结构的满带与空带之间也是禁带，但是禁带很窄，导电性能介于导体和半导体之间的物体绝缘体：在外电场的作用下，共有化电子很难接受外电场的能量，难以导通电流的物体热电效应：当材料存在电位差时会产生电流，存在温度差时会产生热流的这种现象电光效应：铁电体的极化能随E而改变，因而晶体的折射率也将随E改变，这种由外电场引起晶体折射率的变化一般吸收：在光学材料中，石英对所有可见光几乎都透明的，在紫外波段也有很好的透光性能，且吸收系数不变的这种现象选择吸收: 对于波长范围为3.5—5.0μm的红外光却是不透明的，且吸收系数随波长剧烈变化的这种现象发光效率：发光体把受激发时吸收的能量转换为光能的能力受激辐射：当一个能量满足hv=E2-E1的光子趋近高能级E2的原子时，入射的光子诱导高能级原子发射一个和自己性质完全相同的光子的过程因瓦效应：将与因瓦反常相关联的其它物理特性的反常行为简答题电介质导电的概念、详细类别、来源。

概念：并不是所有的电介质都是理想的绝缘体，在外电场作用下，介质中都会有一个很小的电流类别：一类是源于晶体点阵中基本离子的运动，称为离子固有电导或本征电导，这种电导是热缺陷形成的，即是由离子自身随着热运动的加剧而离开晶格点阵形成。

另一类是源于结合力较弱的杂质离子的运动造成的，称为杂质电导来源（导电方式）：电子与空穴（电子电导）；移动额正负离子电导（离子电导）。

对于离子电导，必须需要指出的是：在较低场强下，存在离子电导；在高场强下，呈现电子电导。

硬磁材料与软磁材料各自的特点与区别。

软磁材料：磁滞回线瘦长，μ高、 Ms高、 Hc小、 Mr低，如变压器铁芯，常用材料如工业纯铁、硅铁、铁镍合金、铁钴合金等。

硬磁（永磁）材料：磁滞回线短粗，μ低、 Hc与 Mr高，常用材料如铁氧体、铝镍、稀土钴、稀土镍合金等，80年代发展的Nd-Fe-B系合金Mr/Ms接近于1的矩形回线材料即矩磁材料是理想的磁记录材料。

请简要回答热电性的三个基本热电效应。

电滞回线的各个物理量的名称和物理意义。

极化强度P，外加电场E，饱和极化强度Ps，剩余极化强度Pr，矫顽电场强度Ec磁滞回线的各个物理量的名称和物理意义。

Hs称为使磁化强度达到饱和时的磁场强度，饱和磁感应强度Bs，Ms称为饱和磁化强度，Mr称为剩余磁化强度，要使M 降至0，必须施加一反向磁场－Hc， Hc称为磁矫顽力，请基于磁化率给物质磁性分类，并说明各类的物质磁化难以程度。

简要回答物质磁性的来源任何物质由原子组成，原子又有带正电的原子核（核子）和带负电的电子构成。

核子和电子本身都在做自旋运动，电子又沿一定轨道绕核子做循规运动。

它们的这些运动形成闭合电流，从而产生磁矩。

材料磁性的本源是：材料内部电子的循规运动和自旋运动。

为什么自发磁化要分很多的磁畴。

交换能力图使整个晶体自发磁化至饱和，磁化方向沿着晶体易磁化方向，就使交换能和各向异性能都达到最小值。

但必然在端面处产生磁极，形成退磁化场，增加了退磁场能，从而将破坏已形成的自发磁化，相互作用的结果使大磁畴分割为小磁畴，即减少退磁能是分畴的基本动力。

分畴后退磁能虽减小，但增加了畴壁能，使得不能无限制分畴。

当畴壁能与退磁能之和最小时，分畴停止。

（局部的退磁场作用下，出现三角形畴（副畴，塞漏畴），与主磁畴路闭合，减少了退磁能，但增加各向异性能、磁弹性能）正常情况下，为什么半导体材料的电阻随着温度的升高而降低。

μυσρ22/1e n m **==载流子密度正常情况下，为什么金属的电导率随着温度的升高而降低。

金属材料随温度升高，离子热振动的振幅增大，电子就愈易受到散射，可认为μ与温度成正比，则ρ也与温度成正比。

影响金属导电性的因素有哪些。

为什么金属化合物的导电性要低于单一金属，请基于电离势能方面的差异进行简要说明。

（1）晶体点阵畸变；（2）杂质对理想晶体的破坏；（3）影响了能带结构，移动费米面及电子能态密度和有效电导电子数；（4）影响了弹性常数。

过渡金属与贵金属两组元固溶时：电阻异常高，原因它们的价电子可以转移到过渡金属的尚未被填满的d-或f-壳层中，从而使有效电导的电子数目减少。

原子键合的方式发生了变化，其中至少一部分由金属键变为共价键获离子键，使导电电子减少。

超导体为什么具有完全的抗磁性。

这是由于外磁场在试样表面感应产生一个感应电流，此电流由于所经路径电阻为0，故它所产生的附加磁场总是与外磁场大小相等，方向相反，因而使超导体内的合成磁场为零。

由于此感应电流能将外磁场从超导体内挤出，故称抗磁感应电流，又因其能起着屏蔽磁场的作用，又称屏蔽电流。

简述本证硅的导电机理。

导电机理：在热、光等外界条件的影响下，满带上的价电子获得足够的能量，跃过禁带跃迁至空带而成为自由电子，同时在满带中留下电子空穴，自由电子和电子空穴在外加电场的作用下定向移动形成电流。

简述硅中掺杂硼的导电机理（要有示意图）在本征半导体中，掺入3价元素的杂质（硼，铝，镓，铟），就可以使晶体中空穴浓度大大增加。

因为3价元素的原子只有3个价电子，当它顶替晶格中的一个4价元素原子，并与周围的4个硅（或锗）原子组成4个共价键时，缺少一个价电子，形成一个空位。

因为，3价元素形成的空位能级非常靠近价带顶的能量，在价电子共有化运动中，相邻的原子上的价电子就很容易来填补这个空位（较跃迁至禁带以上的空带容易的多），从而产生一个空穴。

所以每一个三价杂质元素的原子都能接受一个价电子，而在价带中产生一个空穴。

简述硅中掺杂砷的导电机理（要有示意图）本征半导体中掺入5价元素（磷，砷，锑）就可使晶体中的自由电子的浓度极大地增加。

因为5价元素的原子有5个价电子，当它顶替晶格中的一个4价元素的原子时，余下了1个价电子变成多余的，此电子的能级非常靠近导带底，非常容易进入导带成为自由电子，因而导带中的自由电子较本征半导体显著增多，导电性能大幅度提高。

简述介质损耗的几种形式及造成这几种损耗的原因。

介质损耗形式：1）电导（或漏导）损耗 实际使用的电介质都不是理想的绝缘体，都或多或少地存在一些弱联系带电离子或空穴，在 E 作用下产生漏导电流，发热，产生损耗。