集成电路原理及应用期末复习资料
集成电路分析期末复习总结要点
集成电路分析集成工业的前后道技术：半导体（wafer）制造企业里面，前道主要是把mos管，三极管作到硅片上，后道主要是做金属互联。
集成电路发展：按规模划分，集成电路的发展已经历了哪几代？参考答案：按规模，集成电路的发展已经经历了：SSI、MSI、LSI、VLSI、ULSI及GSI。
它的发展遵循摩尔定律解释欧姆型接触和肖特基型接触。
参考答案：半导体表面制作了金属层后，根据金属的种类及半导体掺杂浓度的不同，可形成欧姆型接触或肖特基型接触。
如果掺杂浓度比较低，金属和半导体结合面形成肖特基型接触。
如果掺杂浓度足够高，金属和半导体结合面形成欧姆型接触。
、集成电路主要有哪些基本制造工艺。
参考答案：集成电路基本制造工艺包括：外延生长，掩模制造，光刻，刻蚀，掺杂，绝缘层形成，金属层形成等。
光刻工艺：光刻的作用是什么？列举两种常用曝光方式。
参考答案：光刻是集成电路加工过程中的重要工序，作用是把掩模版上的图形转换成晶圆上的器件结构。
曝光方式：接触式和非接触式25、简述光刻工艺步骤。
参考答案：涂光刻胶，曝光，显影，腐蚀，去光刻胶。
26、光刻胶正胶和负胶的区别是什么？参考答案：正性光刻胶受光或紫外线照射后感光的部分发生光分解反应，可溶于显影液，未感光的部分显影后仍然留在晶圆的表面，它一般适合做长条形状；负性光刻胶的未感光部分溶于显影液中，而感光部分显影后仍然留在基片表面，它一般适合做窗口结构，如接触孔、焊盘等。
常规双极型工艺需要几次光刻？每次光刻分别有什么作用？参考答案：需要六次光刻。
第一次光刻--N+隐埋层扩散孔光刻；第二次光刻--P+隔离扩散孔光刻第三次光刻--P型基区扩散孔光刻；第四次光刻--N+发射区扩散孔光刻；第五次光刻--引线接触孔光刻；第六次光刻--金属化内连线光刻掺杂工艺：掺杂的目的是什么？举出两种掺杂方法并比较其优缺点。
参考答案：掺杂的目的是形成特定导电能力的材料区域，包括N型或P型半导体区域和绝缘层，以构成各种器件结构。
集成电路原理与应用复习总结
Ui Ui I i I1 I
由
U U Ui U o 和 o 3 得 U 3 2U i R2 2 R1 R1 R2 Ui Ui R1 R
所以 I i
因此 Ri
Ui RR1 I i R R1
当 R R1 时， Ri ， I I1 4. 几中常见的积分电路 ①反相积分器 ②同相积分器
第一章 集成运放的基础知识 1. 集成运放是一种高增益直接耦合放大器。 2. 跨导的计算 ①晶体管：������������ = ������������ ������ =
������������
������������
������������������ ������������
������ (
������������ ������������ ) ������������
2
解法一：用两级反相求和电路 ������ ������ = −5(������������2 + ������ ������4 ) − 5(−(������ ������1 + ������ ������3 )) ∴������1 = ������2 = ������3 = ������4 = 20������������ ������������1 = ������������2 = ������5 = 100������������ ������������1 = ������1 ∕∕ ������3 ∕∕ ������������1 ≈ 333.3������������ ������������2 = ������2 ∕∕ ������4 ∕∕ ������5 ∕∕ ������������2 ≈ 6.25������������ 接法二：两个同相求和电路和一个差动放大器 ������ ������ = 5[(������������1 + ������ ������3) − (������ ������2 + ������ ������4 )] ∴������1 = ������2 = ������3 = ������4 = ������������1 = ������������2 = ������6 = 100������������ ������5 = 20������Ω ������������ = 100������Ω， ������������ = 50������Ω 【例 2-3】试分析图 1 所示电路是什么电路，有何
集成电路设计期末复习
一、 CMOS器件基本概念问题
漏区、源区、沟道区的 材料有何区别？
nFET和pFET有何区别？
沟道为何有时导电、有
时不导电？
沟道
3
Copyright
一、 MOSFET的结构
Polysilicon
Aluminum
4
Copyright
一、 MOSFET的特点
优点（与双极型器件相比）
更接近于理想开关，寄生效应弱 集成密度高，单元器件占芯片面积小 制造工艺相对“简单”，因而制造大而复杂的电路时成
优点（与单nFET相比）
传输门与多路选择器
双向导通：数据可沿任一方向流动 传输全范围电压：[0，VDD] 0电平由nFET传输，1电平由pFET传输，无阈值电压损失
缺点
要求有两个FET 必须有一个反相器将s变为 S
传输门可以用来构造多种逻辑门
19
Copyright
六、关于开关与逻辑
有0→1翻转
抗噪声能力强：输出反相器可根据扇出来优化 开关速度非常快：只有输出上升沿的延时（tpHL=0），预充电、求
值时的负载电容均为内部电容
抵抗电荷泄漏能力强：反相器加1个pMOS管即可构成电平恢复器 缺点 非反相门，难以实现诸如XOR、XNOR这样需要NOT运算的逻辑 必须有时钟 输出有电荷泄漏及电荷分享等寄生效应 26
静态CMOS、准nMOS、C2MOS、动态CMOS、CVSL的性能特点，
如何用这些方式构造基本逻辑门？
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复习原则
扩大覆盖面，降低难度
重在理解，尽量避免死记硬背，无需记任何复杂公式 所有试题及答案出自讲义 参照《复习要点》 与“半导体器件原理”及“集成电路制造基础”课程重
集成电路期末复习127页PPT
41、俯仰终宇宙，不乐复何如。 42、夏日长抱饥，寒夜无被眠。 43、不戚戚于贫贱，不汲汲于富贵。 44ห้องสมุดไป่ตู้欲言无予和，挥杯劝孤影。 45、盛年不重来，一日难再晨。及时 当勉励 ，岁月 不待人 。
56、书不仅是生活，而且是现在、过 去和未 来文化 生活的 源泉。 ——库 法耶夫 57、生命不可能有两次，但许多人连一 次也不 善于度 过。— —吕凯 特 58、问渠哪得清如许，为有源头活水来 。—— 朱熹 59、我的努力求学没有得到别的好处， 只不过 是愈来 愈发觉 自己的 无知。 ——笛 卡儿
拉
60、生活的道路一旦选定，就要勇敢地 走到底 ，决不 回头。 ——左
集成电路原理及应用期末复习资料..
1.什么是差动放大电路？什么是差模信号？什么是共模信号？差动放大器对差模信号和共模信号分别起什么作用？差动放大电路是把两个输入信号分别输入到运算放大器的同相和反相输入端，然后在输出端取出两个信号的差模成分，而尽量抑制两个信号的共模成分的电路。
共模信号：双端输入时，两个大小相同，极性相同的信号。
差模信号：双端输入时，两个大小相等，极性相反的信号。
对差模输入信号的放大作用、对共模输入信号的抑制作用2.集成运放有哪几部分组成？各部分的典型电路分别是什么？输入级、中间级、输出级、偏置电路四大部分组成输入级的典型电路是差动放大电路, 利用它的电路对称性可提高整个电路的性能，减小温漂；中间级的典型电路是电平位移电路, 将电平移动到地电平，满足零输入时零输出的要求；输出级的典型电路是互补推挽输出放大电路，使输出级输出以零电平为中心，并能与中间电压放大级和负载进行匹配；偏置电路典型电路是电流源电路，给各级电路提供合适的静态工作点、所需的电压3.共模抑制比的定义？集成运放工作于线性区时，其差模电压增益Aud与共模电压增益Auc之比4.集成运放的主要直流参数：输入失调电压Uos、输入失调电压的温度系数△Uos/△T、输入偏置电流、输入失调电流、差模开环直流电压增益、共模抑制比、电源电压抑制比、输出峰--峰电压、最大共模输入电压、最大差模输入电压5.集成运放主要交流参数：开环带宽、单位增益带宽、转换速率、全功率带宽、建立时间、等效输入噪声电压、差模输入阻抗、共模输入阻抗、输出阻抗。
6.理想集成运放的基本条件。
1.差模电压增益为无穷大2.输入电阻为无穷大3.输出电阻为04.共模抑制比CMRR为无穷大5.转换速率为无穷大即Sr=006.具有无限宽的频带7.失调电压·失调电流极其温漂均为08.干扰和噪声均为07.理想集成运放的两个基本特性：虚短和虚断。
代表的实际物理意义。
其实，虚短和虚断的原因只有一个，那就是：输入端输入电阻无穷大。
集成电路设计复习资料
集成电路设计复习资料集成电路设计是一门涉及电子工程、计算机科学和物理学等多学科交叉的领域，对于现代电子技术的发展起着至关重要的作用。
以下是为大家整理的集成电路设计的复习资料，希望能对大家的学习有所帮助。
一、集成电路的基本概念集成电路（Integrated Circuit，简称 IC）是将大量的电子元件（如晶体管、电阻、电容等）集成在一个微小的芯片上，实现特定功能的电路。
其优点包括体积小、重量轻、性能高、可靠性强等。
集成电路的分类方式众多，按照集成度可分为小规模集成电路（SSI）、中规模集成电路（MSI）、大规模集成电路（LSI）、超大规模集成电路（VLSI）和特大规模集成电路（ULSI）；按照功能可分为数字集成电路、模拟集成电路和混合信号集成电路；按照制造工艺可分为双极型集成电路、CMOS 集成电路等。
二、集成电路设计流程集成电路设计是一个复杂而系统的工程，通常包括以下几个主要步骤：1、系统规格定义在这一阶段，需要明确设计的目标和要求，包括功能、性能、功耗、成本等方面的指标。
同时，还需要对市场需求、竞争情况进行分析，以确定设计的可行性和竞争力。
2、算法设计与优化对于数字集成电路，需要设计相应的算法，并对其进行优化，以提高性能和降低资源消耗。
例如，在图像处理领域，需要设计高效的图像压缩算法。
3、逻辑设计将算法转换为逻辑电路，使用硬件描述语言（如Verilog 或VHDL）进行描述。
逻辑设计包括组合逻辑和时序逻辑的设计。
4、电路设计根据逻辑设计，进行晶体管级的电路设计，包括晶体管尺寸的确定、偏置电路的设计等。
5、物理设计将电路设计转换为实际的版图，包括布局（确定各个元件在芯片上的位置）和布线（连接各个元件）。
物理设计需要考虑工艺规则、寄生效应等因素，以保证芯片的性能和可制造性。
6、验证与测试对设计进行各种验证，包括功能验证、时序验证、物理验证等，以确保设计的正确性。
同时，还需要进行芯片的测试，包括晶圆测试和封装测试。
集成电路复习知识点
填空题：1.集成电路的加工过程主要是三个基本操作，分别是：2.MOS极与衬底之间形成的电场，在半导体表面形成3. 用CMOS电路设计静态数字逻辑电路，如果4. MOS5. CMOS集成电路是利用CMOS集成电路。
在P型衬底上6.7. 1947并因此获得了1956年的诺贝尔物理学奖，1958年并获得2000年诺贝尔物理学奖。
8.静态CMOS逻辑电路中，一般PMOS NOMS电压；NMOS下拉网络的构成规律是：NMOS NMOS操作；PMOS上拉网络则是按对偶原则构成，即PMOS联实现与操作。
9.集成电路中非易失存储器包括三种，10. CMOSPd耗Ps。
13.判断题：1．N阱CMOS工艺是指在N阱中加工NMOS的工艺。
（ ）2. 非易失存储器就是只能写入，不能擦除的存储器。
（ ）3. 用二极管在电路中防止静电损伤就是利用二极管的正向导电性能。
（√）4. DRAM在存储的过程中需要刷新以保持所存储的值。
（√）5. MOS晶体管与BJT晶体管一样，有三个电极。
（ ）6.为保证沟道长度相同的PMOS管和NMOS 等效导电因子相同，PMOS管的沟道宽度一般比NMOS管的大。
（ ）7. 集成电路是以平面工艺为基础，经过多层加工形成的。
（√）8. 非易失存储器就是只能写入，不能擦除的存储器。
（ ）9. DRAM在存储的过程中需要刷新以保持所存储的值。
（√）10.用于模拟集成电路设计的SPICE模型中的“SPICE”是Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis的缩写。
（√）11. N阱CMOS工艺是指在N阱中加工NMOS的工艺。
（ ）12.ESD保护的定义为：为防止静电释放导致CMOS集成电路失效所采取的保护措施。
（√）13.用二极管在电路中防止静电损伤就是利用二极管的正向导电性能（√）简答题:1. 请画图并解释N 阱CMOS 结构中的闩锁效应。
2. 假设有两个逻辑信号A 、B ，在某状态下A 的上升沿先于B 的上升沿到达图1所示电路，为了使电路得到最好的瞬态特性，请在图1中标注出A 、B 接入方法，并解释其原因。
集成电路期末考试知识点复习资料
14、什么是欧姆接触和肖特基接触？
在半导体表面制作金属层后，如果参杂浓度较高，隧道效应抵消势垒的影响形成欧姆接触：如果参杂浓度较低，金属和半导体结合面就形成肖特基接触。
15、多晶硅的特点？多晶硅是单质硅的一种形态、特性随结晶度与杂质原子而改变、应用广泛
1
1、哪一年在哪儿发明了晶体管？发明人哪一年获得了诺贝尔奖？
1947贝尔实验室 肖克来 波拉坦 巴丁 发明了晶体管 1956获诺贝尔奖
2、世界上第一片集成电路是哪一年在哪儿制造出来的？发明人哪一年为此获得诺贝尔奖？
德州仪器公司1958年发明 2000获诺贝尔奖
3、什么是晶圆？晶圆的材料是什么？
晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，材料是硅
16、在 及双极型器件中，多晶硅可用来做什么？
栅极、源极与漏极（或双极器件的基区与发射区）的欧姆接触、基本连线、薄结的扩散源、高值电阻等
17、什么是材料系统？
由一些基本材料，如在, 或制成的衬底上或衬底内，用其它物质再生成一层或几层材料。
18、半导体材料系统？是指不同质的几种半导体(与与等)组成的层结构
4、目前主流集成电路设计特征尺寸已经达到多少？预计2016 年能实现量产的特征尺寸是多少？主流0.18 22
5、晶圆的度量单位是什么？当前主流晶圆的尺寸是多少？英寸12英寸
6、摩尔是哪个公司的创始人？什么是摩尔定律？英特尔芯片上晶体管数每隔18个月增加一倍
7、什么是？英文全拼是什么？片上系统
8、说出、 和 的中文含义。代工 无生产线 无芯片
双极性晶体管（）、结型场效应管（）、P型场效应管（）、N型场效应管（）、互补型金属-氧化物-半导体场效应管（）和双极性管（）等
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1.什么是差动放大电路？什么是差模信号？什么是共模信号？差动放大器对差模信号和共模信号分别起什么作用？差动放大电路是把两个输入信号分别输入到运算放大器的同相和反相输入端，然后在输出端取出两个信号的差模成分，而尽量抑制两个信号的共模成分的电路。
共模信号：双端输入时，两个大小相同，极性相同的信号。
差模信号：双端输入时，两个大小相等，极性相反的信号。
对差模输入信号的放大作用、对共模输入信号的抑制作用2.集成运放有哪几部分组成？各部分的典型电路分别是什么？输入级、中间级、输出级、偏置电路四大部分组成输入级的典型电路是差动放大电路, 利用它的电路对称性可提高整个电路的性能，减小温漂；中间级的典型电路是电平位移电路, 将电平移动到地电平，满足零输入时零输出的要求；输出级的典型电路是互补推挽输出放大电路，使输出级输出以零电平为中心，并能与中间电压放大级和负载进行匹配；偏置电路典型电路是电流源电路，给各级电路提供合适的静态工作点、所需的电压3.共模抑制比的定义？集成运放工作于线性区时，其差模电压增益Aud与共模电压增益Auc之比4.集成运放的主要直流参数：输入失调电压Uos、输入失调电压的温度系数△Uos/△T、输入偏置电流、输入失调电流、差模开环直流电压增益、共模抑制比、电源电压抑制比、输出峰--峰电压、最大共模输入电压、最大差模输入电压5.集成运放主要交流参数：开环带宽、单位增益带宽、转换速率、全功率带宽、建立时间、等效输入噪声电压、差模输入阻抗、共模输入阻抗、输出阻抗。
6.理想集成运放的基本条件。
1.差模电压增益为无穷大2.输入电阻为无穷大3.输出电阻为04.共模抑制比CMRR为无穷大5.转换速率为无穷大即Sr=006.具有无限宽的频带7.失调电压·失调电流极其温漂均为08.干扰和噪声均为07.理想集成运放的两个基本特性：虚短和虚断。
代表的实际物理意义。
其实，虚短和虚断的原因只有一个，那就是：输入端输入电阻无穷大。
虚短：集成运放两输入端的电位相等。
集成运放的两个输入端好像短路，但不是真正的短路，所以成为虚短，只有集成运放工作于线性状态时，才存在虚短虚断：集成运放两输入端的输入电流为零。
由于集成运放输入电阻为无穷大，不可能吸收任何电流，就像输入端被剪断了，跟断路了一样。
但是绝对不是真的断路，这大概就是虚断的由来。
1. 集成运放的线性电路包含哪些？非线性电路又包含哪些？线性电路包括：模拟集成电路的基本放大电路（反相放大器，同相放大器，差动放大器）积分电路，微分电路。
非线性电路包括：对数器和指数器，乘法器，二极管检波器和绝对值变换器，限幅器，二极管函数变换器，电压比较器1. 什么是反相放大器？如何计算其输入电阻？放大比例？以及其电路图？ 输入电压和输出电压的相位相反。
2. 什么是同相放大器？如何计算其输入电阻？放大比例？以及其电路图？ 输入电压与输出电压极性相同。
3. 什么是反相加法器？放大比例？以及其电路图？ 输出电压与输入电压的极性相反。
试分析图1所示电路是什么电路，有何特点？图中设3421R R R R =。
（图1）解：第一级运放为同相放大器。
对A 1：由“虚断”和“虚短”得 i 1=i 2，v -1=v +1=u 1i ，则u 1i =1211R R R u o +，即1121)1(i o u R Ru +=，对A 2：由“虚断”和“虚短”得 i 3=i 4，v -2=v +2=u 2i ， 则42321R u u R u u oi i o -=-，即134234)1(o i o u R R u R R u -+= 代入u 1o 得))(1(1234i i o u u R R u -+=， 因两个输入信号均从同相端输入，所以输入阻抗比较高。
该电路为高输入阻抗的差动放大器。
电压比较的原理及其分类?两个模拟电压比较，一个是待比较的模拟信号，另一个是门限电压或参考电压，他的比较结果是高低电平，即数字信号p92 单限电压比较器 迟滞电压比较器 窗口电压比较器 4. 单电压比较器的优缺点？电路简单，灵敏度高。
但是抗干扰性差，如果Ui 的值恰好在门限电平附近的话，输出电压Uo 会由于温漂或外界的干扰而不断在高低电平间跳跃，对于系统极其不利5. 迟滞电压比较器原理及其分析方法。
如何计算支持电压比较器的门限宽度？p95具有正反馈电路，从而获得迟滞性，同时也加速了比较器的转换过程。
上门限电位和下门限电位，两者之差为门限宽度。
迟滞电压比较器也可理解为加正反馈的单限电压比较器 6. 什么是上行特性？什么是下行特性？输入信号从反相端输入的为下行特性，输入信号从同相端输入的为上行特性 7. 什么是窗口电压比较器？p97有上下两个门限电位，二者之差为门限宽度，门限宽度内为一种逻辑电平，门限宽度外又为另一种逻辑电平求图3所示电路的增益A f ，并说明该电路完成什么功能。
解：该电路由两个集成运放构成，A1为主放大器接成反相运算放大器，A2为辅助放大器，A2也接成反相放大器，利用A2对A1构成正反馈，是整个电路向信号源索取的电流极少。
主放大器A 1：由“虚断”和“虚短”得21R u R u o i -=,则A f =121o o i i u u Ru u R ===- 辅助放大器A2的电压放大倍数：2212222o o VF i o u u RA u u R ===- 该电路为自举电路，目的是提高电路的输入电阻。
由1i ii i U U R I I I==- 由12i o U U R R =-和3212o U UR R =-得32i U U = 所以 1i ii U U I R R=- 因此11i i i U RR R I R R ==- 当1R R =时，i R →∞，1I I =求图4所示电路输出电压与输入电压的表达式，并说明该电路完成什么功能。
解：对A 1：由“虚断”和“虚短”得Ru R u o i 11-=，即u 1o =-u 1i 。
A 1为倒相器 对A 2：由“虚断”和“虚短”得f oi o R u R u R u -=+2211则u o =)(2211i f o f u R R u R R +-，A 2为反相放大器将u 1o =-u 1i 代入上式得u o =2211i f i f u R R u R R -故该电路为减法电路。
1. 什么是函数发生器？函数发生器是一种多波形的信号源。
它可以产生正弦波、方波、三角波、锯齿波，甚至任意波形。
有的函数发生器还具有调制的功能，可以进行调幅、调频、调相、脉宽调制和VCO 控制。
1. 滤波器的分类。
按元件分：有源，无源，陶瓷，晶体，机械，锁相环，开关电容 按信号处理方式：模拟、数字按通频带分：低通、高通、带通、带阻 2. 集成有源滤波器的特点？1．在制作截止频率或中心频率低的滤波器时，可做到体积小重量轻成本低 2.无须阻抗匹配 3.可方便制作截止频率或中心频率连续可调的滤波器 4.采用集成电路，受环境因素的影响小 5.受电磁干扰影响小6．实现滤波的同时，可得到一定的增益7.若使用电位器，可变电容器等，可使滤波器的精度达到百分之0.58.采用集成电路，可避免个滤波节之间的负载效应而使滤波器的设计和计算大大简化，且易于进行电路调试3. 高通/低通/带通/带阻滤波器的定义？传输函数?幅频特性？ 高通：滤除低频信号，使高频成分通过 低通：滤除高频信号，使低频成分通过带阻：阻滤波器是指能通过大多数频率分量、但将某些范围的频率分量衰减到极低水平的滤波器如图6所示电路为积分反馈式微分电路，试分析此电路的工作原理，并写出传递函数的表达式。
解：对A 1：由“虚断”得 v -1=v +1由“虚短”得2111R u v R v u o i -=---，41234o R v u R R +=+ 又R 3=R 1，R 4=R 2 整理得221()(()())o o i R u s u s u s R =- 对A 2：由“虚断”和“虚短”得2()1()o o u s u s SC R=-代入上式得()212()A s ()o i u s R u s R R SCR==-+ A 1为差动放大器，A 2以A 1的输出为反相输入，经过积分放大后的输出电压在电阻R 4上的分压作为A 1放大器的同相输入。
试分析如图3所示电路输出电压与输入电压之间的关系，并说明此电路在什么条件下能完成全波整流功能，此电路有什么特点？(习题3.7图) 解：对A 1：u i ≥0时，u -=u +=u i , VD 2导通，VD 1截止 , u 1o =u i对A 2：u -=u +=u i 故流过R 2f 的电流为零，故u o =u i当u i <0时，VD 2截止,VD 1导通, 对A 1：u 1o =(1+11R R f )u i , 对A 2：u -=u +=u i ，221f io o i R u u R u u -=- 此时u o =21R （R 2+R 2f --11R R f 1）u i当21R （R 2+R 2f 2211f f f R R R R --）=-1时，完成全波整流功能；由于为同相输入，故该电路输入电阻较高。
3.8 设计一个能实现图4所示曲线的二极管函数变换器。
（习题3.8图）页）解：设计图为：（可参考课本P88如图6所示电路为集成块BG307专用电压比较器，画出其传输特性（常温下输出高电平为3.2V ，低电平为-0.5V ）。
（图3.10） 解：由“虚断”和“虚短”得32R U U R U U oi -=-++ r U U U ==-+=3V故o i U U 314-= 则：()()()V U V U mh ml 16.45.031493.22.3314≈-⨯-=≈⨯-=其传输特性如下所示：求下图所示电路的输入阻抗，假定图中的集成运放满足理想条件。
（图4.1）解：o ooiii i SC U U R U U I U Z 1••••••-'+'==又'''1o i i o o s U U U U U I R SC R --=+=，i o U U = 则'00o si o s sR SCR R U U R SCR R R +=++将上式代入，则'01i i i s o s s U U I U R R SCR R R -==++因此 0110000100ii o s s iU Z R SCR R R j I ω==++=+ 4.2 求下图所示电路的输入阻抗，假定图中的集成运放满足理想条件。
（图4.2） 解：整体有：SCI U U io i 12=-••• 对2A 有：1222210o o o o U a U Ra U R U -=⇒-= 对1A 有：i o io i U a U a R U U R U 1111)1(=⇒--= 以上各式联立得：()Ca a j I U ii ω211(1+=••s R 10k ΩoR 100k ΩiZ oC 0.1μF A求如图3所示电路的输入阻抗，并说明其性质，假定图中的集成运放满足理想条件。