硅光二极管的使用方法
光电二极管阵列使用方法
光电二极管阵列使用方法
光电二极管阵列是一种常见的光电检测器件，其可广泛应用于工业控制、光电
传感、光通信等领域。
下面将介绍光电二极管阵列的使用方法。
1. 预备工作：首先，检查所使用的光电二极管阵列是否完好无损，检查接线是
否正确。
确保光电二极管阵列的接口与使用设备的接口相匹配。
2. 光源选择：根据实际需求选择合适的光源。
光源可以是LED灯、激光器等，在选择光源时需确保其波长与光电二极管阵列的响应波段相一致。
3. 连接光源：将选择的光源适当连接到光电二极管阵列的输入端。
确保连接的
稳固可靠，防止接触不良导致信号干扰。
4. 输出信号采集：将光电二极管阵列的输出端连接至信号采集设备。
可以使用
模数转换器、数据采集卡等设备来采集光电二极管阵列的输出信号。
5. 灵敏度调节：根据实际需求，调整光电二极管阵列的灵敏度。
灵敏度可以通
过调整光电二极管阵列的工作电压、工作电流以及配套电路等来实现。
6. 实时检测：开启光源，观察光电二极管阵列的输出信号。
根据不同实际应用
需求，可以使用示波器、数据采集软件等设备来实时检测并记录输出信号的变化。
7. 维护保养：定期清洁光电二极管阵列的表面，防止灰尘或污渍影响其工作效果。
此外，定期检查连接线路是否松动，保证设备的正常工作。
光电二极管阵列的使用方法需要根据不同的应用场景进行调整和优化。
以上介
绍的步骤是基本的使用指南，希望能对您有所帮助。
请确保在操作光电二极管阵列时注意安全，避免触电和光源对眼睛的伤害。
甲醛检测仪器操作使用说明
仪器操作使用说明1．测试项目：甲醛、苯、氨、甲苯、二甲苯、TVOC2. 测量范围：甲醛（0.01~1.2mg/m3）苯（0.05~4mg/m3）氨（0.05~ 3mg/m3）甲苯（0.05~4mg/m3）二甲苯（0.05~4mg/m3）TVOC（0.05~4mg/m3）3. 流量范围：流量6X2.5升/分4. 光源：LED硅光二极管，波长630nm5. 准确度：±10%读数,甲醛测量精度≤5%.6. 现场热敏打印定制格式的检测报告。
7. 流量稳定性：>95%8. 定时控制：0—99分钟9. 功率：6X6瓦10. 电源：220V交流电11．主机尺寸：340×260×145(mm)12. 重量：4kg13. 兰色背景灯，便于阴暗天气使用14. 可同时检测6种气体仪器操作仪器的前面板分为定时操作区、甲醛流量调节区、甲醛测定区三个部分，通过定时操作可以设定各个检测项目所需要的的检测时间，检测甲醛时可以通过向左向右调节流量计下方的圆形旋扭来调整检测甲醛时每分钟的空气通过量，甲醛测定区通过操作可以进行甲醛测定、传感器校零、数据打印等工作。
机器的后面板有电源开关和电源插线接口及玻璃气泡吸收管的挂板支架螺丝，检测项目接口从右向左依次为：甲醛、苯、氨、甲苯、二甲苯、TVOC。
机器的左面是内置式热敏打印机，在此可以打印定制的甲醛测试报告。
间重新设置，以免不需要检测的项目的气泵空转，影响机器的使用寿命。
甲醛检测操作：转移吸收液：将混合后的吸收液倒入玻璃吸收瓶内。
连接到仪器：将玻璃吸收瓶放到仪器支架上，与仪器的橡胶管连接（甲醛接口），连接方法如上注意：不能接反，否则会产生倒吸，损坏仪器。
将仪器放置到在呼吸带高度（0.8-1.5米），用三脚架或高度合适的桌面（以室内空气检测为例）。
接好仪器电源，按“定时操作”的方法进行定时定时操作：从左至右四个数码管依次为：第一个是项目区，显示数字1-6依次对应相应的检测项目，1-甲醛、2-苯、3-氨、4-甲苯、5-二甲苯、6-TVOC，设定采样时间，建议采样时间10分钟（流量1升/分钟，共采样10升，在采样体积不变的情况下可自行调节时间和流量）。
硅光电二极管
硅光电二极管硅光电二极管是当前普遍应用的半导体光电二极管。
下面我们谈谈2CU和2DU两种类型硅光电二极管的种类、构造以及应用上的一些问题。
种类与构造一、2CU型硅光电二极管：2CU型硅光电二极管是用N型硅单晶制作的，根据外形尺寸的大小它又可分2CU1，2CU2，2CU3等型号，其中2CU1与2CU2体积较大，2CU3稍小些（见图1（a））。
这种类型的光电二极管多用带透镜窗口的金属管壳封装，下端有正、负两个电极引线，它们分别与管心中的光敏面（P型层）和N型衬底相连。
光线从窗口射入后经透镜聚焦在管心上，由于这种聚光作用增强了光照强度，从而可以产生较大的光电流。
二、2DU型硅光电二极管：2DU型硅光电二极管是用P型硅单晶制作的，从外形上分有2DUA，2DUB等类型，其中2DUA型管子体积较小些（见图1（b））。
2DU型硅光电二极管目前多采用陶瓷树脂封装，入射光的窗口不带透镜。
这类管子引线共有三条，分别称作前极、后极、环极（见图1（b））。
前极即光敏区（N型区）的引线；后极为衬底（P型区）的引线；环极是为了减小光电管的暗电流和提高管子的稳定性而设计的另一电极。
光电管的暗电流是指光电二极管在无光照、最高工作电压下的反向漏电流。
我们要求暗电流越小越好，这样的管子性能稳定，同时对检测弱光的能力也越强。
为什么加了环极后就可以减小2DU型硅光电二极管的暗电流呢？这要从硅光电二极管的制造工艺谈起。
在制造硅光电二极管的管心时，将硅单晶片经过研磨抛光后在高温下先生长一层二氧化硅氧化层，然后利用光刻工艺在氧化层上刻出光敏面的窗口图形，利用扩散工艺在图形中扩散进去相应的杂质以形成P－N结。
然后再利用蒸发、压焊、烧结等工艺引出电极引线。
由于2DU型硅光电二极管是用P型硅单晶制造的，在高温生长氧化层的过程中，容易在氧化层下面的硅单晶表面形成一层薄薄的N型层，这一N型层与光敏面的N型层连在一起则使光电管在加上反向电压后产生很大的表面漏电流，因而使管子的暗电流变得很大。
硅光敏二极管
硅光敏二极管摘要随着光电子技术的不断发展，硅光敏二极管作为其核心器件之一，在各种光电转换应用中发挥着重要作用。
本文详细介绍了硅光敏二极管的工作原理、结构特性、性能参数及其在各个领域的应用实例。
通过对硅光敏二极管的深入研究，我们可以更好地理解其在现代光电技术中的重要地位和应用潜力。
关键词：硅光敏二极管、光电转换、工作原理、特性、应用一、引言硅光敏二极管，又称硅光电二极管，是一种基于光电效应原理工作的半导体器件。
它能够将光信号转换为电信号，是实现光电转换的关键元件之一。
硅光敏二极管具有响应速度快、灵敏度高、噪声低、稳定性好等优点，被广泛应用于光通信、光电检测、自动控制等领域。
二、硅光敏二极管的工作原理硅光敏二极管的工作原理基于光电效应。
当光子入射到硅光敏二极管的PN结上时，光子能量被硅材料吸收，激发出电子-空穴对。
在PN结内建电场的作用下，电子和空穴被分离并分别向N区和P区漂移，形成光生电动势。
当外接电路闭合时，光生电动势驱动电流流过负载，从而实现光信号到电信号的转换。
三、硅光敏二极管的结构特性硅光敏二极管通常采用扩散工艺或合金工艺制备，其结构特点是在N型或P型硅基片上形成一层浅结的P型或N型区域，构成PN结。
为了提高光电转换效率，硅光敏二极管的结面积通常做得较大，并尽量减少表面复合速度。
此外，硅光敏二极管还具有以下特性：光谱响应范围：硅光敏二极管对可见光和近红外光具有较高的灵敏度，其光谱响应范围主要集中在400nm至1100nm波长范围内。
响应速度：硅光敏二极管的响应速度较快，一般在纳秒级。
这使得它适用于高速光电转换应用。
暗电流：在无光照条件下，硅光敏二极管仍存在一定的反向电流，称为暗电流。
暗电流的大小与器件的温度、结构等因素有关，优质的硅光敏二极管应具有较低的暗电流。
电容效应：硅光敏二极管在工作时会产生一定的结电容，这会影响其高频响应特性。
因此，在设计高速光电转换电路时，需要考虑硅光敏二极管的电容效应。
硅电压调整二极管用途
硅电压调整二极管用途硅电压调整二极管，也被称为稳压二极管或Zener二极管，是一种特殊的二极管。
与普通二极管相比，硅电压调整二极管在反向击穿时具有非线性的电流电压特性。
硅电压调整二极管的主要用途是提供稳定的电压参考。
当外部电压超过硅电压调整二极管的反向击穿电压时，稳压二极管开始导通，将电压稳定在设定的值上。
这使得硅电压调整二极管能够被用于多种不同的应用。
一种常见的应用是电压稳定器。
在许多电子设备中，需要稳定的电压供应以确保电路的正常工作。
硅电压调整二极管可以作为电压稳定器的核心元件，通过控制反向击穿电压来提供稳定的输出电压。
在这种应用中，稳压二极管能够防止电路中其他元件由于电压变化而受到损害。
另一个常见的应用是电压检测和限制。
硅电压调整二极管可以用于检测电路中的电压是否超过了设定值，并在超过时将多余的电流导通到地。
这可以保护其他敏感元件免受过高电压的损害，并确保电路的稳定工作。
此外，硅电压调整二极管还可以用于电压参考源。
在一些应用中，需要一个稳定的参考电压作为其他元件或电路的参考点。
硅电压调整二极管可以提供一个稳定的参考电压，以供其他电路使用。
硅电压调整二极管还可以应用于模拟信号处理、传感器输出调节、温度补偿等各种电路中。
在这些应用中，稳压二极管可以提供稳定的工作条件，以保证电路的精确性和可靠性。
此外，硅电压调整二极管还有其他一些特殊的应用。
例如，在通信系统中，它可以用于传输线路的匹配和保护。
在汽车电子中，硅电压调整二极管可以用于电源管理和电路保护。
在激光驱动器和电源电路中，也可以使用硅电压调整二极管来稳定输出电压。
总结来说，硅电压调整二极管在电子领域中有着广泛的应用。
它能够提供稳定的电压参考，用于电压稳定器、电压检测和限制、电压参考源以及其他各种电路中。
这些应用使得硅电压调整二极管成为电子设备中不可或缺的元件之一，对于保证电路的正常工作和稳定性起着重要的作用。
音频信号光纤传输技术实验
音频信号光纤传输技术实验[目的要求]1.熟悉半导体电光/光电器件的基本性能及主要特性的测试方法。
2.了解音频信号光纤传输的结构及选配各主要部件的原则。
3.学习分析集成运放电路的基本方法。
4.训练音频信号光纤传输系统的测试技术。
[仪器设备]1.YOF—B型音频信号光纤传输技术实验仪。
2.音频信号发生器。
3.示波器。
4.数字万用表。
[实验原理]一．系统的组成图（1）示给出了一个音频信号直接光强调制光纤传输系统的结构原理图, 它主要包括由LED及其调制、驱动电路组成的光信号发送器、传输光纤和由光电转换、I—V变换及功放电路组成的光信号接收器的三个部分。
图1 音频信号光纤传输实验系统原理图本实验采用中心波长0.85μm附近的GaAs半导体发光二极管（LED）作光源、峰值响应波长为0.8~0.9μm的硅光二极管（SPD）作光电检测元件。
由于光导纤维对光信号具有很宽的频带, 故在音频范围内, 整个系统的频带宽度主要决定于发送端调制放大电路和接收端功放电路的幅频特性。
二．光导纤维的结构及传光原理光纤按其模式性质通常可以分成两大类①单模光纤②多模光纤。
无论单模或多模光纤, 其结构均由纤芯和包层两部分组成。
纤芯的折射率较包层折射率大, 对于单模光纤, 纤芯直径只有5~10μm, 在一定的条件下, 只允许一种电磁场形态的光波在纤芯内传播, 多模光纤的纤芯直径为50μm或62.5μm, 允许多种电磁场形态的光波传播；以上两种光纤的包层直径均为125μm。
按其折射率沿光纤截面的径向分布状况又分成阶跃型和渐变型两种光纤, 对于阶跃型光纤, 在纤芯和包层中折射率均为常数, 但纤芯一包层界面处减到某一值后, 在包层的范围内折射率保持这一值不变, 根据光射线在非均匀介质中的传播理论分析可知: 经光源耦合到渐变型光纤中的某些光射线, 在纤芯内是沿周期性地弯向光纤轴线的曲线传播。
本实验采用阶跃型多模光纤作为信道, 现应用几何光学理论进一步说明这种光纤的传光原理。
发光二极管可控硅的调光与应用
实现 Ｌ Ｄ 的调光控制。 Ｅ 由于在 Ｐ ＷＭ 凋光控制下通过
Ｌ Ｄ的正向峰值 电流没有改变 ， Ｅ 所以 ， Ｅ Ｌ Ｄ的发光光
谱不会发生变化 。
２１３ Ｌ Ｄ 的相 控 调 光 ．． Ｅ
后 耙调光 （ 体 光器 型） 昌 营调 或ｃ
向电压随 电流增加而增加 ，但 随温度 的上升 而减少 。
在这方面 ，Ｌ Ｄ表现得像二极管 。不过 ，在工作期 间 Ｅ
Ｌ Ｄ的正 向电压 （ Ｅ ）是很大的 （ ～４Ｖ） ３ 。该 电压 与
电子 转 化 为 光 子 时 产 生 的 能 量 （ ｅ Ｖ）相 关 ，该 能 量 又
发光输 出流 明数与通过 Ｌ Ｄ正 向工作 电流成 比例的特 Ｅ 点来实现 Ｌ Ｄ 的调光 ，具有调节 方便 的优点 。但是 ， Ｅ 当 Ｌ Ｄ 的正向工作 电流发生变化时 ，Ｌ Ｄ 发光谱也 Ｅ Ｅ ６ ２ ８ 会发生变化 。Ｌ Ｄ发光波长 随工作 电流变化 的关 系曲 Ｅ
⑤ Ｌ Ｄ产 品的造 价和可 用性 等 。 Ｅ
４ 结 论
由于 Ｌ Ｄ调光节 能效果好 ， Ｅ 能满 足人们对照明使
用 的要求 ， 并且 随着 Ｌ Ｄ新调 光控制技术和驱动控制 Ｅ 芯片 的不 断推 出 ， Ｅ Ｌ Ｄ的调光 控制将 会得 到更加 广泛 的应用 。 了推广 Ｌ Ｄ 叮控硅调光技术 的应用 ， 界 为 Ｅ 世
可见 ，Ｌ Ｄ 的平均电流与 Ｐ Ｅ ＷＭ 波 的脉冲 占空 比 Ｄ有关 ，改变 Ｐ ＷＭ 波 的脉 冲占空 比 Ｄ就可以改变通 过 Ｌ Ｄ的平均电流 ，从而达剑 Ｌ Ｄ调光 目的。如果 Ｅ Ｅ Ｐ ＷＭ 波 的脉冲 占空 比Ｄ变化范围为 ０１ ．％～１０ 则 ０ ％， 调光范 围为 １０： ．＝１ ０ ，即可以达 到 １ ０ ０ ０１ ０ ０ ０倍的 ０ 调光范 围。Ｐ ＷＭ 调节控制技术 目前得到 了广泛的应 用 ，所以利用现有 Ｐ ＷＭ 的控制技术就可 以很方便地
【光电子技术基础考试题】光电子技术第二版答案
【光电子技术基础考试题】光电子技术第二版答案光电子技术，大家知道是什么技术？有哪些基础知识大家是知道的？一、选择题1.光通量的单位是（ B ）.A.坎德拉B.流明C.熙提D.勒克斯2. 辐射通量φe的单位是（ B ）A 焦耳 (J)B 瓦特 (W) C每球面度 (W/Sr) D坎德拉(cd)3.发光强度的单位是（ A ）.A.坎德拉B.流明C.熙提D.勒克斯4.光照度的单位是（ D ）.A.坎德拉B.流明C.熙提D.勒克斯5.激光器的构成一般由（ A ）组成A.激励能源、谐振腔和工作物质B.固体激光器、液体激光器和气体激光器C.半导体材料、金属半导体材料和PN结材料D. 电子、载流子和光子6. 硅光二极管在适当偏置时，其光电流与入射辐射通量有良好的线性关系，且动态范围较大。
适当偏置是（D）A 恒流B 自偏置C 零伏偏置D 反向偏置7.20xx年10月6日授予华人高锟诺贝尔物理学奖，提到光纤以SiO2为材料的主要是由于（ A ）A.传输损耗低B.可实现任何光传输C.不出现瑞利散射D.空间相干性好8.下列哪个不属于激光调制器的是（ D ）A.电光调制器B.声光调制器C.磁光调制器D.压光调制器9.电光晶体的非线性电光效应主要与（ C ）有关A.内加电场B.激光波长C.晶体性质D.晶体折射率变化量10.激光调制按其调制的性质有（ C ）A.连续调制B.脉冲调制C.相位调制D.光伏调制11.不属于光电探测器的是（ D ）A.光电导探测器B.光伏探测器C.光磁电探测器D.热电探测元件D 摄像器件的信息是靠（ B ）存储A.载流子B.电荷C.电子D.声子13.LCD显示器，可以分为（ ABCD ）A. TN型B. STN型C. TFT型D. DSTN型14.掺杂型探测器是由（ D ）之间的电子-空穴对符合产生的，激励过程是使半导体中的载流子从平衡状态激发到非平衡状态的激发态。
A.禁带B.分子C.粒子D.能带15.激光具有的优点为相干性好、亮度高及（ B ）A色性好 B单色性好 C 吸收性强 D吸收性弱16.红外辐射的波长为（ D ）.A 100-280nmB 380-440 nmC 640-770 nmD 770-1000 nm17.可见光的波长范围为（ C ）.A 200—300nmB 300—380nmC 380—780nmD 780—1500nm18.一只白炽灯，假设各向发光均匀，悬挂在离地面1.5m的高处，用照度计测得正下方地面的照度为30lx，该灯的光通量为（ A ）.A .848lxB .212lxC .424lxD .106lx19.下列不属于气体放电光源的是（ D ）.A .汞灯B .氙灯C .铊灯D .卤钨灯20.ＬＣＤ是（Ａ）A.液晶显示器B.光电二极管C.电荷耦合器件D.硅基液晶显示器21.25mm的视像管，靶面的有效高度约为10mm，若可分辨的最多电视行数为400，则相当于（ A ）线对/mm.A.16B.25C.20D.1822. 光电转换定律中的光电流与 ( B ) .A 温度成正比 B光功率成正比 C暗电流成正比 D光子的能量成正比23. 发生拉曼—纳斯衍射必须满足的条件是( A )A 超声波频率低，光波平行声波面入射，声光作用长度短B 超声波频率高，光波平行声波面入射，声光作用长度短C 超声波频率低，光波平行声波面入射，声光作用长度长D 超声波频率低，光束与声波面间以一定角度入射，声光作用长度短24.光束调制中，下面不属于外调制的是 ( C )A 声光调制B 电光波导调制C 半导体光源调制D 电光强度调制25.激光具有的优点为相干性好、亮度高及 ( B )A 多色性好 B单色性好 C 吸收性强 D吸收性弱26.能发生光电导效应的半导体是 ( C )A本征型和激子型 B本征型和晶格型 C本征型和杂质型 D本征型和自由载流子型27.电荷耦合器件分 ( A )A 线阵CCD和面阵CCDB 线阵CCD和点阵CCDC 面阵CCD和体阵CCD D 体阵CCD和点阵CCD28.电荷耦合器件的工作过程主要是信号的产生、存储、传输和( C )A 计算B 显示C 检测D 输出29.光电探测器的性能参数不包括（D）A光谱特性 B光照特性 C光电特性 D P-I特性30.光敏电阻与其他半导体电器件相比不具有的特点是（B）A.光谱响应范围广B.阈值电流低C.工作电流大D.灵敏度高31.关于LD与LED下列叙述正确的是（C）A. LD和LED都有阈值电流 B .LD调制频率远低于LED C. LD发光基于自发辐射D .LED可发出相干光32.光敏电阻的光电特性由光电转换因子描述，在强辐射作用下（A ）A. ?=0.5B.? =1C. ?=1.5D. ?=233.硅光二极管主要适用于[D]A紫外光及红外光谱区 B可见光及紫外光谱区 C可见光区 D 可见光及红外光谱区34.硅光二极管主要适用于[D]A紫外光及红外光谱区 B可见光及紫外光谱区 C可见光区 D 可见光及红外光谱区35.光视效能K为最大值时的波长是（A ）A．555nm B.666nm C．777nm D.888nm36. 对于P型半导体来说，以下说法正确的是（D）A 电子为多子B 空穴为少子C 能带图中施主能级靠近于导带底D 能带图中受主能级靠近于价带顶37. 下列光电器件, 哪种器件正常工作时需加100-200V的高反压（C）A Si光电二极管B PIN光电二极管C 雪崩光电二极管D 光电三极管38. 对于光敏电阻，下列说法不正确的是：（D）A 弱光照下，光电流与照度之间具有良好的线性关系B 光敏面作成蛇形，有利于提高灵敏度C 光敏电阻具有前历效应D 光敏电阻光谱特性的峰值波长，低温时向短波方向移动39. 在直接探测系统中, (B)A 探测器能响应光波的波动性质, 输出的电信号间接表征光波的振幅、频率和相位B 探测器只响应入射其上的平均光功率C 具有空间滤波能力D 具有光谱滤波能力40. 对于激光二极管（LD）和发光二极管（LED）来说，下列说法正确的是（D）A LD只能连续发光B LED的单色性比LD要好C LD内部可没有谐振腔D LED辐射光的波长决定于材料的禁带宽41. 对于N型半导体来说，以下说法正确的是（A）A 费米能级靠近导带底B 空穴为多子C 电子为少子D 费米能级靠近靠近于价带顶42. 依据光电器件伏安特性, 下列哪些器件不能视为恒流源: （D）A 光电二极管B 光电三极管C 光电倍增管D 光电池43. 硅光二极管在适当偏置时，其光电流与入射辐射通量有良好的线性关系，且动态范围较大。
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光电转换电路的设计与优化
摘要：通过对光电转换电路的前置放大及主放大电路设计的详细分析研究，给出了电路放大、滤波、降噪等优化处理方法，实现了将有用信号从噪声中分离并输出的目的。
对光电转换电路从原理设计到最终制板过程中影响其性能参数及稳定性的因素进行了深入的探讨，提出了对电路器件选择、排列、布线以及降噪等方法的选择标准和依据。
1光电转换- 前置放大电路的设计
光电二极管
光电二极管（Photo-Diode）和普通二极管一样，也是由一个PN结组成的半导体器件，也具有单方向导电特性。
但在电路中它不是作整流元件，而是把光信号转换成电信号的光电传感器件。
光电二级管是怎样把光信号转换成电信号的呢？普通二极管在反向电压作用时处于截止状态，只能流过微弱的反向电流，光电二极管在设计和制作时尽量使PN结的面积相对较大，以便接收入射光。
光电二极管是在反向电压作用下工作的，没有光照时，反向电流极其微弱，叫暗电流；有光照时，反向电流迅速增大到几十微安，称为光电流。
光的强度越大，反向电流也越大。
光的变化引起光电二极管电流变化，这就可以把光信号转换成电信号，成为光电传感器件。
凡是利用一定的物性（物理、化学、生物）法则、定理、定律、效应等把物理量或化学量转变成便于利用的电信号的器件。
传感器是测量系统中的一种前置部件，它将输入变量转换成可供测量的信号”。
按照Gopel等的说法是：“传感器是包括承载体和电路连接的敏感元件”，而“传感器系统则是组合有某种信息处理(模拟或数字)能力的系统”。
传感器是传感系统的一个组成部分，它是被测量信号输入的第一道关口。
光电二极管可以在2 种模式下工作，一是零偏置的光伏模式；一是反偏置的光导模式，具体电路如图1 所示。
在光伏模式时，光电二极管可以非常精确地线性工作；而在光导模式时，光电二极管能够实现较高的切换速度，但要牺牲线性；同时，反偏置模式下的光电二极管即使在无光照条件下也会产生一个极小的暗电流，暗电流可能会引入输入噪声。
因此选用光伏模式。
运算放大器（O perational A mplifier,简称OP、OPA、OPAMP）是一种直流耦合﹐差模（差动模式）输入、通常为单端输出的高增益电压放大器。
在实际电路中，通常结合反馈网络和不同的反馈方式，共同组成某些功能和特性不同的模块，这些模块是各种电子电路中最基本的环节。
可见运放在电子电路中的应用之广。
电阻，物质对电流的阻碍作用就叫该物质的电阻。
电阻小的物质称为电导体，简称导体。
电阻大的物质称为电绝缘体，简称绝缘体。
一般而言，A >=106，所以R in ≈0；即保证了光电二极管在光伏模式下的线性工作特性。
通过反馈电阻将光电二极管与运算放大器相连接，将其产生的微弱电流通过较大的反馈电阻Rf形成压降，从而实现光通量的改变——光电流——电压的I/ V前置放大转换。
图1 光电二极管的工作模式光电二极管的选择依据：
图2 光电二极管等效电路图2 中I sc 为光电流；Rd 为二极管内阻；C d 为二级管结电容
I ns 为二级管的散粒噪声电流；I nd为二极管内阻的热噪声电流。