ZnO荧光薄膜的发光机理研究
蓝宝石衬底ZnO薄膜的发光特性

1引 言
强的吸收峰, 说 明我们 的 Z n O薄膜 质量是 比较 高
的L 2 J 。通过 能 量 换算 , 可 以得 到该 样 品 的禁 带 宽 度 E 一 3 . 3 2 e V, 这 与先前 的报道_ 3 , 4 ( 3 . 3 7 e V) 非 常
室温 下 , 在 五种 不 同的激 发 光 强度 下 我们 测 量
为 了解 该样 品光 致 发光 的激 发情 况 , 我 们 测 量 了该样 品 的激 发 光 谱 。监 测 波 长 选 择 为 4 6 6 n m, 实 验 结果 显示 其有 效 激发 峰 波 长位 于 3 7 O h m左右 , 由 此 看 出 激 发 光 谱 和 吸 收 光 谱 是 吻 合 的。 如 图 4
比较 高 , 化 学稳 定 性 也 很 好 , 材 料 来 源 亦 非 常 的 丰 富, 非常适 合 制造 紫外 光 电子器 件 。 2实验 结果 与讨 论 利用 激光 光谱 技术 对样 品的发 光特 陛进行 了研 究, 该样 品 的淬火 温度 为 7 0 0 。 C。 2 . 1吸收谱
接近 。
Z n O是一种结 构为六方 晶体结构 的半导体 材
料, 具有 光 电特 性 和压 电特 性 。 常温 下 它 的禁 带 宽 度为 3 . 3 7 e V, 是 比较 典 型 的直 接 带 隙宽 禁 带 的半 导
忉
体材料 , 激子结合 能达到 6 0 m e V之高 , 具备 了室温 下紫 外发 光 的必 要 条 件 ¨ 】 。此 外 , Z n O 的导 电性 能
Zn取向对氧化法制备ZnO薄膜光致发光性能的影响研究

( 0 ) 驱 金 属 膜 制 备 的 试 样 具 有 更 高 的 P 强 度 。 02 前 I 未 完全氧化 的 Z n所 形 成 的 缺 陷 是 P 强 度 较 高 的 原 L
基 片上 制备 的薄膜 优先 生长方 向为( 0 ) 向 , 1 1方 另一 种 为( 0 ) 向 。接 着 , 两 种 Z 0 2方 将 n薄膜 暴 露 在 空气 中放 入 加热 炉 中 4 0 0 ℃保 温 3 , h 即可 制备 出 Z O 薄膜 。 n 利 用荷 兰帕 纳 科公 司生 产 的 X’ et r 射 线 P r P oX 衍 射装 置对制 备 的 Z O 薄膜 进 行 X D 分 析 , 用 场 n R 采 发射 电子 显 微 镜 J M一7 O S 6 0 F对 试 样 进行 表 面形 貌 分 析 。 同时还对 制备 的试样 分别 进 行 光 学 特性 测 量 , 分
光度 计 和铂 金 埃 尔 默 公 司 生 产 的 P r iEme ¥ 5 ekn l rL 5 荧光 分光 光 度计 进 行 了光 吸 收 谱 和 光 致 发 光 ( L 谱 P )
的测 量 。
3 结 果 与 讨 论
图 1 不 同取 向 的 Z 是 n薄 膜 和 经 4 0C氧 化 制 备 0。 的 Z O 试样 X n RD图谱 。
样 品有 较 好 的 光 致 发 光 特 性 口 Al o , i v等 人 _ v 1 不 同 在
氧分压 下 , 在各 种 基 片 上制 备 了 Z O 薄 膜 , 进 行 了 n 并 光学 和电学 测量 , 现 随着 温 度 的 升 高 以及 氧 分压 减 发 小情况 下 , 氧化薄膜 发光性 能得 到提 高 。 在 氧化法 制备 Z O薄膜 过程 中 , n 目前还 没 有前 驱 相Z n薄膜 的取 向对 制备 的 Z O 薄膜 性能 影 响 的相 关 n 研究 , 本文 中 , 者对 ( 0 ) ( 0 ) 向 的 Z 在 作 0 2 和 1 1取 n薄 膜 进行空气 中热处 理制 备 出 Z O 薄膜 , n 并研 究 了前驱 相
ZnO薄膜的制备与性能研究

ZnO薄膜的制备与性能研究ZnO是众所周知的一种半导体材料,近年来,它的应用领域不断扩大,包括光电技术、传感器技术、气敏技术、生物技术等领域。
其具有较高的透明度、电阻率、热稳定性和高电子迁移率等优异特性,使得其在各个领域中拥有巨大市场前景。
在这些应用中,ZnO薄膜则是ZnO材料的重要组件之一。
本文主要探讨ZnO 薄膜的制备及其性能研究。
一、ZnO薄膜制备方法1.溶胶-凝胶法ZnO薄膜制备的一种常见方法为溶胶-凝胶法。
该方法主要涉及将预先制备好的ZnO溶胶放置于合适的基底上,然后通过热退火的方式完成ZnO薄膜的制备。
使用该方法,可以获得良好的薄膜质量和较大的薄膜面积,同时可以随意控制薄膜厚度。
2.物理气相沉积法物理气相沉积法是ZnO薄膜制备中最常用的方法之一。
其主要通过采用物理气相沉积设备将高温气体通入反应室,然后将蒸汽通过传输管道沉积在基底上完成ZnO薄膜的制备。
该方法具有制备ZnO晶体中空气杂质较少、晶粒精细等显著的优点。
3.MBE法MBE法是利用分子束外延设备在超高真空环境下生长晶体的方法。
该方法制备的ZnO薄膜具有非常高的晶体质量。
然而,需要难以实现的极限条件,如超高真空环境和较高的晶体表面温度。
二、ZnO薄膜性能研究1.光电性能ZnO薄膜是光学和电学交叉的半导体薄膜。
关于ZnO薄膜的光学性能,已有许多研究。
例如,有研究人员证实了ZnO条纹薄膜在光学上具有比等宽薄膜更高的透射比,这是由于条纹薄膜的形态依赖性的折射率引起的。
此外,ZnO薄膜具有优越的光电转换性能,可用于太阳能电池、传感器等领域。
2.气敏性能ZnO薄膜的气敏性能是其另一个重要的应用领域,具有广泛的市场前景。
研究表明,ZnO薄膜的气敏性能受到薄膜厚度、沉积温度和掺杂类型等多个因素的影响。
例如,掺杂ZnO薄膜的气敏性能不仅可以提高灵敏度,还可以增加电阻率等方面的特性。
3.化学性质关于ZnO薄膜的化学性质,研究人员通常需要从其表面性质、表面反应等多个方面进行分析。
ZnO薄膜发光特性的实验研究

司生产 的双光束 紫 外 可见 分 光 光度 计 测 得 的 , 型 其
号为 T 一9 1室 温下 , n U 10 . Z O薄膜 样 品 的 吸 收光 谱 如
图 1 示. 所
中代表 深 能级 发射 的缺 陷较 少 , 膜 的质 量 和结 晶 薄
状态都 很好 , 发光性 能有 了很大 的改善 .
47 .2 47 1 47 .O 46 .9 0 04 . 2 . 06 08 1 . 0 1 . 2 1 . 4 l l 6
1 m Vc ]V / m2
图 3 石 英 衬底 Z O 紫 外 发 光 强 度 与 a a
激发 光 强度 关 系图
14 激 发光谱 .
. I
1 实 验 结 果 与讨 论
利用激光 光 谱技 术 对 以 石 英 为 衬 底 的 Z O薄 n 膜 的发 光 特 性 进 行 了研 究 , 样 品 的淬 火 温 度 为 该
7 0℃ . 0
图 2是 激 发波 长 为 3 5n 5 / n时记 录的 室温 下 以
石 英 为衬底 的 Z O薄膜 的荧光 光谱 , 带 的 中心 位 n’ 谱 置在 3 3n 附 近 , 紫外 发 射 . 谱 中前 后 的两 个 9 / n 为 光 尖 峰是散 射 的激光信 号分别 为 3 5n 5 / 5 2n . n和 3 / 我 n
维普资讯
20 0 8年 5月
第 2期
吉林 师 范大 学学报 ( 自然科 学版 ) Junl f inN r a U i r t N t a Si c d i ) ora o l o l nv sy( au l c neE i n Ji m ei r e t o
罂
10 2 0 3 0 4 0 0 0 0 0 50 6 0 7 0 8 0 0 0 0 0
ZnO半导体薄膜的研究进展

1 Z O半导体薄膜 的制备技术 n
ZO薄膜的制备方法多种 多样 , 以适应不 同的需 求 。传 n 可
统的方 法主要有重力沉淀法 、 电泳法等 。重力沉淀法( 简称沉淀 法) 是在液体介质 中依靠 重力作用沉 淀荧光物 质来制造荧 光屏 的方法 , 其原理是基 于胶体溶液 的形成 和破坏 。电泳方法 是利 用 直流电场使悬浮溶液 中的带 电离子包 裹住 粒子在 电性相反的 电极板 上沉积一层均匀 的薄膜 。
( olg fS in e C l eo ce c ,U nv riyo h n h ifrS in ea dTeh oo y,S a g a 0 0 3 e iest fS a g a o ce c n c n lg hnhi 09 ) 2
Absr c ta t
S v rld p st n meh d fZ O i a e ito u e , icu ig ma n to s u tr g h mia e ea e o ii t o so n fl r nr d c d n ldn g er p tei ,c e c l o m n
种 自激 活 的半 导 体 材 料 , 有 六 角 纤 锌 矿 结 构 , 带 宽 度 为 具 禁
3 2 V, . e 属于宽禁 带 直接 间隙 半导 体 。Z O 的激 子能 量 大 ( 0 n 6
Me , V) 有望在室 温下实现紫外 受激辐射 。Z O还具 有熔点 高、 n 制备简单 、 沉积温度低 等优点_ , 2 从理论上 分析 , 该具备蓝 光 ] 应
Ke r s y wo d
Z O e c n u trt i i ,I n s mi d co hn fl o m TO i ,f l miso ah d tras fm l i de s in c to emaeil,LED e
ZnO薄膜的制备及其光学性质的研究

山东建筑大学硕士学位论文
关键词:ZnO薄膜,射频磁控溅射,光波导,X一射线衍射,c轴取向
山东建筑大学硕士学位论文
Preparation and Investigation of Optical Properties of ZnO Films
ABSTRACT
Zinc oxide(ZnO)is an important II-IV compound semiconductor with a wide direct band gap of 3.3eV at room temperature and a large excitation binding enery of 60meV.ZnO films have many realized and potential applications in many fields, such as surface acoustic wave devices,transparent electrodes,ultraviolet photodetectors,light emitting diodes,piezoelectric devices,gas sensors and planar optical waveguides,etc,due to their excellent optical and piezoelectric properties.In recent years,with widespread developing in short wavelength luminescent devices,
ZnO薄膜近带边紫外发光的研究

lsrdp s i P D)me o n s gZ O crmi t gt srsuc ae a.T ep o lm — ae eoio t n( L t dad ui n ea c a e a eo rem tr 1 h h t u i h n r i o
n se c P ee n e( L)oii fte Z O ti l s dsu sd i eald L se tu o n hn r n o h n hn f mswa ic se n d ti .P p cr m fZ O ti g i e
(1 colfMaea c ne S eze nvrt;Seze e aoaoyo .Sh o o t il i c, hnhn U i sy hnhnK yL brt r Se ei rf
S e i lFu c in lMa ei l ,S e z e 8 6 p ca n to a tr s a h n h n 51 0 0,C i a; hn
¥Co rs o d n t o .E— i :y u@ S U e u c rep n i g Au h r ma l ml Z .d . n
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
A b t a t:Hi h oi n ae n p d Zn t i l s we e p e a e n c A1O3s b tae y p le sr c g re tt d u do e O h n f m r r p r d o - 2 u sr ts b u s d i
b n tao n . 0 V ( a d A a ru d3 3 9 e T=1 0 K)c n b lal b ev d w t n ra ei e eaueu o a e ce r o s re i ice s n tmp rtr p t y h
zno发光特点

ZnO发光特点1. 引言ZnO(氧化锌)是一种广泛研究的半导体材料,具有良好的电子传导性和光学性能。
由于其特殊的晶格结构和能带结构,ZnO能够发出可见光和紫外光,具有较高的光致发光性能。
本文将探讨ZnO的发光特点和相关性质。
2. ZnO晶格结构2.1. 六方晶系结构ZnO晶体结构属于六方晶系,具有紧密堆积的排列方式。
它的晶格常数为a=b≠c,晶格中的Zn和O离子通过共价键和离子键相互连接,形成稳定的结构。
3. ZnO能带结构3.1. 能带理论根据能带理论,ZnO晶体具有导带和价带。
导带是一系列能量较高的电子轨道,而价带是一系列能量较低的电子轨道。
能带之间的能隙决定了材料的电子传导和光学性质。
3.2. ZnO的带隙结构ZnO的能带结构非常有趣,具有大约3.37eV的直接带隙。
这意味着当外部能量激发ZnO晶体时,电子可以直接跃迁到导带中,从而产生发光现象。
4. ZnO的发光机制4.1. 缺陷相关发光ZnO晶体中的缺陷可以导致光致发光。
具体来说,氧空位和氧空位相关的缺陷在激发时会产生电荷载流子,从而引发发光现象。
这种发光被称为紫外发光,其波长通常在380-400nm之间。
4.2. 缺陷复合发光除了缺陷相关发光外,ZnO还可以通过掺杂和复合过程发出可见光。
通过控制掺杂材料的种类和浓度,可以实现可见光的发射。
例如,镍离子的掺杂可以产生蓝色发光,铜离子的掺杂可以产生绿色发光。
5. ZnO发光应用5.1. 发光二极管ZnO作为半导体材料,被广泛应用于发光二极管(LED)的制造。
通过合理设计LED 结构和掺杂材料,可以实现高亮度、高效率的发光效果。
ZnO发光二极管具有低成本、高稳定性和可调控性等优点,在照明和显示领域有着广阔的应用前景。
5.2. 激光器ZnO晶体还可以用于激光器的制造。
在控制紫外光激光器的工作条件下,可以获得高纯度的紫外光输出。
这对于生物医学、信息存储和材料加工等领域具有重要意义。
5.3. 光催化由于ZnO具有较高的光致发光性能,它在光催化领域也有着广泛的应用。
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电性,以承受较高的电流密度;(3)低的放气率,不能释放有害于阴极的
气体。ZnO:Zn 具有较低的阈值电压(几伏 ~ 十几伏)和较高的发光效
率,同时它的放气率较低,导电、导热性能良好,并且是一种非常稳定的
氧化物,因而 ZnO 作为样机荧光薄膜必然会具有良好的工作特性。
1. ZnO 绿光的发光机制
+
1.1 单个电离的氧空位 VO与价带之间的复合跃迁
宽度 3.2eV,同时由于人们普遍所认为 VO 为浅能级的施主,作者判定
VZn 为受主,从而推断出绿光来自于电子从浅能级施主 VO 到浅能级受
主 VZn 之间的跃迁。
1.3 锌填隙 Zni ZnO 的绿光的发射源于 ZnO 中的锌填隙也是较为普遍的一种观
点。例如:M.Liu[7]等人通过研究压缩的多晶粉体 ZnO 的阴极射线发光谱
论,则应减少薄膜中氧的含量。所以,可见薄膜绿光的发光机理仍需进
一步的研究。
2. 其它光的发光机制
除了蓝 - 绿光的发射外,ZnO 薄膜紫外光的发射也是人们关注的
焦点。然而不同于蓝 - 绿光的是紫外光的发光机理得到了人们的共识,
即:紫外光源于带边激子的复合[9,10],其发光强度受薄膜结晶质量的影
响,结晶质量好的薄膜发射的紫外光的强度高。
此外,在研究 ZnO 薄膜的发光过程中,人们发现 ZnO 还可发射红
光、橙光、黄光和紫光。对于这些谱带的解释为:ZnO 红光与橙光与富氧
的 ZnO 结构[11]或与沉积过程中形成的自然缺陷[12]有关。黄光的发射与过
剩的氧形成的氧填隙[7]、或者与一种 ZnO2 的配比结构[3]有关。紫光来自 于晶界产生的辐射缺陷能级与价带之间的跃迁[13]。
tin orbital)计算 ZnO 中的几种本征缺陷:氧空位 VO、锌空位 VZn、氧填隙 Oi、锌填隙 Zni 以及氧位错缺陷 OZn 的能级如图 1 所示。计算得到从导带 底到 OZn 能级的能量差为 2.38eV,与绿风的能量大致相等,导带底与 Oi 的能量差为 2.28eV,也近似等于绿光的能量,但由于氧离子的半径
光与锌填隙[7,4,12]有关。此外,最近几年有些人提出与上述解释相反的观
点,认为绿光来自导带底到氧空位缺陷能级之间的跃迁[8]。但大部分研
究者都支持氧空位与价带空穴之间的复合跃迁产 (下转第 86 页)
— 84 —
科技信息
高校理科研究
钠、叔丁醇。叔丁基过氧化氢较为活泼,易与还原剂发生反应生成叔丁 醇,叔丁醇为生物难降解物质。安息香酸钠为生物可降解物质,但超过 一定浓度时,对微生物活动会产生一定的抑制作用。根据有关资料,安 息香酸钠对降解生物的毒性浓度限值为 480mg/l。叔丁醇虽然难以生物 降解,但因含量相对较小,所以能够达标排放。安息香酸钠含量相对较 小,且可生化去除一部分,也能够达标排放。
衍射角比退火之前增加了 0.4℃,说明退火之后样品的晶格常数减小。
作者将此归结于样品的退火处理导致薄膜中产生了一些空位。根据
Liu[7]等人曾分析出的 ZnO 中存在 VO 及 VZn 两种空位,作者推断薄膜的 发光必然与 VO 及 VZn 有关。由于绿光的能量 2.36eV 远小于 ZnO 的禁带
+
+
降,并且探测出 ZnO:Zn 粉末中的 VO全部以 VO的形式存在。可见 VO浓
+
度高的 ZnO:Zn 粉末比 VO 浓度低的 ZnO 粉末具有更高的绿光发光强
+
度,并且随着 ZnO:Zn 粉末中 VO浓度的降低,其绿光的强度也随之降
低。此外作者结合粒子表面的弯带效应,推断出绿光源于单个电离的氧
+
别进行了研究。研究发现,ZnO 发射绿光的强度与 ZnO 中 VO 的浓度密
切相关。施主氧空位 VO 在 ZnO 中以三种形式存在[5]:束缚两个电子的氧
+
空位 V(O 相对晶格而言为中性)、单个电离的氧空位 VO(相对晶格带一
++
个正电荷)以及双电离的氧空位 VO(相对晶格带两个正电荷)。对于 ZnO
表 1 废有机溶液主要成分
成分
柴油稀释前(%) 柴油稀释后(%)
过氧化物
11.4
3.8
环己醇
6.3
2.10
乙基己醇
12.8
4.27
脂肪酸如:特戊酸、乙基己酸、异 34.3
壬酸、新癸酸等
11.43
丙酮
7.9
2.63
无臭溶剂油
0.9
0.30
其它柴油
0
66.67
总计
100
100
根据该企业国外同类项目环保经验,废有机溶液用柴油进行稀释, 将混合物中的活性氧降到 1%以下或有机过氧化物含量降到 10%以下, 可有效保证安全性。
的 ZnO 的表面发光谱中心波长为 520nm,而块体的发光中心波长为黄
光区的 573nm。此外研究发现掺 Mn 对 ZnO 发光谱线(绿区 530nm,黄
区的 570nm)的形状并未有影响,只是随掺 Mn 量的增加,发光强度有所
减弱。同时作者发现掺入 Mn 的样品并未出现新的 XRD 衍射峰,但是却 明显增加 ZnO 了电阻率,表明 Mn 在 ZnO 中是以填隙原子 Mni 的形式 存在。此外根据正电子寿命谱的结果,作者认为绿光的发射与 Zni 有关, 同时认为由于 Mni 与 Zni 的相互作用的结果从而减弱了绿光的强度,同 理由于 Mn 的掺入也减弱了黄光的强度,那么黄光的发射也必然与某些 填隙原子有关。作者又进一步分析,在湿润的空气中处理过的 ZnO 其表 面过剩的 Zn 会与水蒸气发生反应:Zn+H2O(g)→ZnO(s)+H(2 g),从而导 致块体内的 Zn 空位 VZn 与氧填隙 Oi 会相应增多,从而推断出黄光与氧 填隙 Oi 有关。
+
粉末,随还原退火温度的升高,绿光强度以及 VO 密度呈现出相同的变
+
化趋势,在 800℃时两者均达到最高值。VO与 ne 密度的变化虽然具有一
+
定的相关性,但是在数量上有较大的差别,这表明 VO 并不是 ZnO 粉末
中施主的主要形式。实验还发现 ZnO:Zn 粉末发射的绿光强度约为 ZnO
+
粉末的 50 倍,但其绿光强度、VO 以及 ne 密度随氧化温度的升高而下
EC
紫外峰
3.06eV Zni
1.62eV
2.38eV
2.28eV
3.18eV
VO
绿峰 Eg=3.36eV
2.9eV VZn
Oi OZn
EV
图 1 利用全势线性多重轨道的方法计算的 ZnO 本征缺陷的能级
1.4 导带底到氧位错缺陷能级之间的跃迁[8]
Sun 等人利用全势的线性多重轨道方法(full- potential liner muffin-
3. 结论
目前人们普遍关注的是 ZnO 薄膜蓝 - 绿光发射的特性,以便使其
作为一种绿色荧光材料应用于平板显示领域,或用于制备短波长二极
管。对子本征 ZnO 薄膜发射绿光的解释已提出了多种模型。研究者普遍
认为绿光与氧空位有关,例如认为绿光来自氧空位与价带空穴之间的
复合跃迁[3,4],氧空位与锌空位之间的跃迁[13]等。也有不少研究者认为绿
3.3 固废污染防治措施 废水预处理产生的废有机溶液经柴油混合后,外运委托有处理能 力的资质厂商焚烧处理。 该项目装运原辅材料的废空桶洗涤后出售给废品收购站。运盐的 废编织袋也出售给废品收购站。拟建项目产生的生活垃圾由当地环卫 部门处理。 废水预处理设施分离的废有机溶液较为复杂,稀释前后主要成分 见表 1。
0. 引言
场发射平板显示(Field Emission Display,FED)是一种兼具传统的
CRT 和平板显示优点的显示器件。FED 具有优异的性能及良好的发展
前景,但其发展会受到诸多因素的影响。就显示材料而言,根据 FED 工
作在低电压、高电流且处于真空的环境特点,FED 萤光层必须满足以下
几点要求[1,2]:(1)较低的发光电压下具有较高的发光效率;(2)一定的导
科技信息
高校理科研究
ZnO 荧光薄膜的发光机理研究
郑州轻工业学院技术物理系 杨艳丽 石 开 常玉花
[摘 要]氧化锌是宽禁带(3.3eV)直接带隙 n 型半导体材料,并具有较高的的激子束缚能(60eV)。这使其成为紫外激光器和真空荧 光显示的理想材料。在荧光显示方面,人们比较关注的是 ZnO 薄膜蓝 - 绿光发射特性,以便使其作为绿色荧光材料应用于平板显 示领域。本文主要探讨了 ZnO 的发光机理。 [关键词]ZnO 薄膜 发光机理
+
空位 VO与价带空穴之间的复合跃迁。
1.2 氧空位 VO 到锌空位 VZn 之间的复合跃迁 FU[6]等人利用磁控溅射的方法制备了近似单晶的 ZnO 薄膜,研究
发现退火之前 ZnO 薄膜不发光,然而经 800℃退火之后,薄膜发射绿光
和紫外光。通过比较退火前后薄膜的 XRD 结果,发现退火之后薄膜的
研究者普遍认为 ZnO 绿光的发射与氧空位有关。例如:K.Van-
heusden[3,4]等人将 ZnO 粉末在还原气氛(N2:H2=95:5)中进行了热处理,
同时将 ZnO:Zn 粉末在氧气中进行了热处理,热处理温度 500~1050℃。
然后利用 EPR,光吸收以及 PL 谱测量技术对这两种粉末的相关特性分
该项目根据废水水质情况,必要时在废水处理中加入 FeSO4 还原 剂,混凝沉淀,以充分去除叔丁基过氧化氢,减少对后续微生物处理的 抑制作用。
该企业国外工厂,如墨西哥、纽约、巴西、印度等,同类项目废水处 理均采用此类预处理撇去有机物,加入其他低盐分废水进行生化处理 的方法。韩国、日本、德国等其他企业同类项目废水也采用类似的方法 处理,均能够达标排放。