发光机制分析

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化学发光测定仪在药品质量控制中的应用研究

化学发光测定仪在药品质量控制中的应用研究

化学发光测定仪在药品质量控制中的应用研究引言:药品质量控制对于保障人们的生命安全和健康至关重要。

化学发光测定仪作为一种快速、高灵敏度、高选择性的分析技术,在药品质量控制中得到了广泛应用。

本文将就化学发光测定仪在药品质量控制中的应用进行研究和讨论。

一、化学发光原理及基本分析流程1. 化学发光原理化学发光是指在反应中产生的化学能转化为光能,从而使样品发出可见光的现象。

该原理是通过激发光敏物质分子的电子,使其跃迁到激发态能级,并在跃迁回基态时释放出能量,产生发光。

化学发光的发光机制包括电解促发光、酶促发光、荧光物质发光等。

2. 基本分析流程化学发光测定仪的基本分析流程包括样品的准备、荧光标记、反应系统构建、化学发光测定和数据处理等步骤。

首先,样品经过适当的前处理,使得待测成分转化为适合进行化学发光测定的形式。

然后,选择合适的荧光标记物与样品反应,使样品中的目标成分与荧光物质结合。

接下来,构建适当的反应系统,调节反应条件,以获得最佳的发光信号。

最后,通过化学发光测定仪对荧光强度进行测定,并利用数据处理方法得出结果。

二、化学发光测定仪在药品质量控制中的应用1. 药物含量测定化学发光测定仪在药品质量控制中常用于药物含量的测定。

传统的测定方法如高效液相色谱法和紫外光谱法存在操作复杂、分析时间长等问题,而化学发光测定仪则具有快速、灵敏度高等优点。

通过合适的前处理和标记技术,药物样品中的目标成分可以与特定的荧光标记物结合,并利用化学发光测定仪测定荧光强度,从而确定药物的含量。

2. 高效筛选活性成分药品研发过程中,需要快速、高效地筛选出具有治疗作用的活性成分。

化学发光测定仪在活性成分的筛选中具有重要的应用价值。

通过构建适当的反应系统,可以选择特定的信号响应反应,将样品与潜在的治疗物质进行反应,并通过化学发光测定仪测定荧光强度,从而筛选出具有显著活性的成分,为药物研发提供了便利。

3. 药效评价药物的药效评价对于确定其疗效和安全性具有重要意义。

光学材料的发光性能研究

光学材料的发光性能研究

光学材料的发光性能研究光学材料作为一种重要的功能性材料,具有广泛的应用前景。

其中,发光性能是光学材料的重要性能之一,对于光电器件、显示技术等领域具有重要意义。

本文旨在探讨光学材料的发光性能以及相关研究进展。

一、发光机制光学材料的发光机制多种多样,可以通过多种途径激发其发光特性。

其中,最常见的包括:激发态自发辐射发光、荧光发光和磷光发光。

这些发光机制在不同条件下表现出不同的性能,因此深入了解光学材料的发光机制对于优化其发光性能具有重要意义。

二、影响因素分析光学材料的发光性能受到多种因素的影响,其中包括材料的化学组成、结构、形貌和外界环境等。

化学组成是影响材料发光性能的关键因素之一,不同元素的掺杂可以改变材料的能带结构,从而影响材料的发光特性。

此外,材料的晶体结构和形貌也会对其发光性能产生显著影响。

最后,外界环境因素如温度、压力等也会对光学材料的发光性能产生一定的影响。

三、发光性能研究方法为了深入研究光学材料的发光性能,科学家们提出了各种研究方法。

其中,最常用的包括荧光光谱、磷光光谱、显微镜观察、光电子能谱和扫描电镜等。

这些方法可以提供关于材料的发光峰值、发光强度、荧光寿命等信息,以及对材料结构和形貌进行表征。

四、研究进展随着科技的进步和研究的深入,光学材料的发光性能研究得到了广泛关注。

目前,研究者们在发光材料的合成、改性和应用方面取得了重要进展。

例如,一些新型的有机荧光材料和无机发光材料被设计和合成出来,其发光性能得到了显著提高。

此外,利用纳米技术和表面修饰等手段也为光学材料的发光性能研究提供了新的思路和方法。

五、应用前景光学材料的发光性能对于光电器件、显示技术以及生物医学领域具有广泛的应用前景。

例如,在光电器件领域,发光材料可作为发光二极管(LED)的关键材料,广泛应用于照明、显示等方面。

同时,在生物医学领域,发光材料的应用可以用于荧光探针、细胞成像等方面,为生物学研究提供了有力的工具。

六、总结光学材料的发光性能研究在科学界和工业界具有重要的意义。

化学发光分析法

化学发光分析法
化学发光分析法
应用
➢ 直接作用:增敏和抑制作用
过渡金属:Cu2+,Cr3+,Ni2+,Co2+,Fe2+
维生素B6,维生素B12,维生素C,吗啡,可待 因,肾上腺素,多巴胺,细胞色素
➢ 间接作用
如 Fe2+对鲁米诺-H2O2体系有催化增敏作用,而 蛋白质却抑制此作用,据此可建立检测血清中蛋 白质含量的方法。
合成
高沸点溶剂(如二甘醇)
3-硝基邻苯二甲酸 + 肼
缩合反应
H2O + 3-硝基邻苯二甲酰肼 保险还粉原(强还原剂) 3-氨基邻苯二甲酰肼(鲁米诺)
化学发光分析法
发光体系 ➢鲁米诺-H2O2体系 ➢鲁米诺-KIO4体系
化学发光分析法
鲁米诺-H2O2的反应是自身化学发光反应
在PH=11的水溶液中发光效率最大 鲁米诺与氢氧化物反应时生成了一个双负离子(Dianion),它可被过氧化 氢分解出的氧气氧化,产物为一个有机过氧化物。该过氧化物很不稳定, 立即分解出氮气,生成激发态的3-氨基邻苯二甲酸。 激发态至基态转化中,释放的能量以光子的形式存在,波长位于可见光的 蓝光部分
化学发光分析法
➢基本原理 ➢常用的化学发光物质 ➢仪器装置 ➢影响化学发光的因素 ➢定性定量分析
化学发光分析法
• 化学发光(chemiluminescence):又称为 冷光,它是在没有任何光、热或电场等激 发的情况下由化学反应而产生的光辐射。
由于不需要外源性激发光源,避免了背景光和杂 散光的干扰,降低了噪声,大大提高了信噪比。 具有灵敏度高,线性范围宽,设备简单,操作方 便,易于实现自动化,分析快等特点。在生物工 程学,药物学,分子生物学,临床和环境化学等 各个领域正显示出它蓬勃的生机。

电化学发光的原理及应用

电化学发光的原理及应用

电化学发光的原理及应用1. 导言电化学发光(Electrochemiluminescence,ECL)是一种在电化学反应过程中产生光辐射的现象。

它在许多领域有着广泛的应用,包括生物传感、荧光探针、分析化学等。

本文将介绍电化学发光的原理和一些常见的应用领域。

2. 原理电化学发光的原理可以归结为电化学反应和发光反应的耦合。

通过在电极上施加电势,引发电化学反应,在此反应过程中产生出激发态的物种。

这些激发态的物种发生能量转移,通过放出光量子产生发光现象。

电化学发光主要分为两种类型:2.1 化学发光型电化学发光化学发光型电化学发光是通过在电化学反应过程中产生的激发态物种发生化学发光反应而产生的。

这种类型的电化学发光通常需要较多的化学试剂和较长的反应时间。

2.2 电致发光型电化学发光电致发光型电化学发光是通过在电化学反应过程中产生的激发态物种发生能量转移并发光的过程。

与化学发光型电化学发光不同,电致发光型电化学发光无需化学发光试剂,且反应时间较短。

3. 应用领域电化学发光具有许多独特的性质,使其在多个领域中得到广泛应用。

以下是一些常见的应用领域:3.1 生物传感电化学发光在生物传感领域具有重要的应用意义。

它可以用于检测和定量分析生物标志物,如蛋白质、核酸、细胞等。

通过与生物分子的特异性识别和结合,可以实现高灵敏度和高选择性的生物传感。

3.2 荧光探针电化学发光可用于制备荧光探针。

通过改变探针的结构和组成,可以实现不同目标物的高灵敏度检测。

电化学发光荧光探针具有较高的稳定性和灵敏度,并且可以通过调控电位来实现信号的调节。

3.3 分析化学电化学发光在分析化学中的应用也日益广泛。

它可以用于检测和分析各种物质,实现快速、高灵敏度的分析。

与传统的分析方法相比,电化学发光具有操作简便、灵敏度高、检测范围广等优势。

3.4 环境监测在环境监测领域,电化学发光可用于检测和定量分析各种环境污染物。

它可以实现对微量有机物、重金属等污染物的高灵敏度检测,为环境保护和治理提供有力的手段。

化学发光免疫分析技术

化学发光免疫分析技术

• 化学发光免疫分析仪是通过检测患者血清内待测物质从而 对人体进行免疫分析的医学检验仪器。将定量的患者血清 和辣根过氧化物(HRP)加入到固相包被有抗体的白色不 透明微孔板中,血清中的待测分子与辣根过氧化物酶的结 合物和固相载体上的抗体特异性结合。分离洗涤未反应的 游离成分。然后,加入鲁米诺Luminol发光底液 ,利用化 学反应释放的自由能激发中间体,从基态回到激发态,能 量以光子的形式释放。此时,将微孔板置入分析仪内,通 过仪器内部的三维传动系统,依次由光子计数器读出各孔 的光子数。样品中的待测分子浓度根据标准品建立的数学 模型进行定量分析。最后,打印数据报告,以辅助临床诊 断。
血清FT3和FT4降低: ⑴甲减病人两者皆下降,但轻型甲减、甲减初期多 以FT4下降为主;⑵低T3综合征仅有FT3下降; ⑶某些药物,如苯妥英 钠、多巴胺、糖皮质激素也可使FT3和FT4降低。
• T3、T4均升高:高TBG血症、甲亢、甲状腺激素不敏感综合征。
化学发光免疫分析
一、化学发光免疫技术的概念 二、化学发光免疫分析基本原理 三、化学发光免疫分析的类型 四、临床应用 五、发展与展望
一、化学发光免疫技术的概念
化学发光免疫技术:化学发光分析是根据化学反应统与免疫反应相结合,用化学发光相关的物质标记抗体或抗原,与 待测的抗原或抗体反应后,经过分离游离态的化学发光标记物,加入 化学发光系统的其它相关物产生化学发光,进行抗原或抗体的定量或 定性检测。
磁微粒模式图
特点 – 抗原和抗体结合与未结合 部分的易分离
Y
3.2、化学发光酶免疫分析
化学发光酶免疫分析(chemiluminescence enzyme immunoassay,CLEIA)是用参与催化某一化学发光反应的酶 如辣根过氧化物酶(HRP)或碱性磷酸酶(ALP)来标记抗原或抗 体,在与待测标本中相应的抗原(抗体)发生免疫反应后,形成固 相包被抗体-待测抗原-酶标记抗体复合物,经洗涤后,加入底物 (发光剂),酶催化和分解底物发光,由光量子阅读系统接收,光 电倍增管将光信号转变为电信号并加以放大,再把它们传送至 计算机数据处理系统,计算出测定物的浓度。

发光的几种原理

发光的几种原理

发光的几种原理发光是物体发出光线的现象,我们可以通过不同的原理来解释不同种类物体的发光机制。

以下是几种常见的发光原理:1. 热辐射发光原理热辐射发光是物体在受到热能作用下发出的光线。

根据普朗克的辐射定律,热辐射的波长和强度与温度有关,当物体加热时,其分子和原子内部发生振动,释放出辐射能量,从而导致物体的温度升高,并产生热辐射光线。

常见的例子是火焰的红色发光,以及白炽灯的发光原理。

2. 电子跃迁发光原理电子跃迁发光是指物质中的电子在不同能级之间跃迁时放出能量,并以光的形式辐射出去。

这种发光机制包括荧光、磷光、激光等。

- 荧光发光是物质受到外界激发后,其电子从基态跃迁到激发态,再从激发态返回基态时放出能量的过程,发出荧光光线。

- 磷光发光是通过自发辐射实现的,物质受激后电子处于激发态,然后通过非辐射跃迁进入一个持续较长时间的较低激发态,最后返回基态时辐射出能量,并产生磷光。

- 激光是一种通过电子跃迁产生高度相干的光辐射的现象。

激光由激光介质中的电子跃迁产生的光子引起的,激光的发光机制与电子与光子的相互作用有关。

3. 半导体发光原理半导体发光是通过半导体材料电子能带结构的特殊性质实现的。

半导体材料中,导带和价带之间有一个能量差,当电子从导带跃迁到价带时,会释放出能量,产生发光现象。

发光二极管(LED)就是利用这个原理实现的。

当电流通过LED 时,半导体材料中的电子重新排布,从而导致电子从导带跃迁到价带,放出能量形成光子,这些光子进一步通过放大和捕捉,最终形成LED的发光。

4. 化学发光原理化学发光是指通过化学反应产生的化学发光现象。

在一些特定的化学反应中,当化学物质发生反应时,会释放出能量,并产生光。

这种化学发光的现象被广泛应用于生物荧光实验、化学分析等领域。

常见的例子是荧光染料标记的蛋白质在标记物表达后被探针激发,产生荧光发光现象。

总之,发光的原理涉及了多个领域的知识,包括热辐射、电子能级跃迁、半导体材料和化学反应等。

发光材料教学实验报告

发光材料教学实验报告

一、实验目的1. 了解发光材料的基本性质和分类;2. 掌握发光材料制备的基本方法;3. 熟悉发光材料在各个领域的应用;4. 培养学生的实验操作能力和团队协作精神。

二、实验原理发光材料是指在外部能量的作用下,能够发出可见光的材料。

根据发光机制,发光材料主要分为以下几类:1. 发光二极管(LED):利用半导体材料在正向偏压下,电子与空穴复合时释放的能量,产生光子;2. 激光材料:利用受激辐射原理,使光放大并形成单色光;3. 发光有机材料:利用有机分子在激发态下,通过辐射跃迁产生光;4. 发光陶瓷材料:利用陶瓷材料中的离子或杂质在激发态下,通过辐射跃迁产生光。

本实验主要研究LED材料的制备及其光学性能。

三、实验仪器与材料1. 实验仪器:高温炉、紫外可见分光光度计、拉曼光谱仪、电子显微镜、X射线衍射仪等;2. 实验材料:半导体材料、有机发光材料、陶瓷材料等。

四、实验步骤1. 准备实验材料:根据实验要求,选取合适的半导体材料、有机发光材料和陶瓷材料;2. 制备LED材料:将半导体材料、有机发光材料和陶瓷材料进行混合、研磨、烧结等处理,制备出所需的LED材料;3. 测试材料性能:利用紫外可见分光光度计、拉曼光谱仪、电子显微镜、X射线衍射仪等仪器,对制备的LED材料进行光学性能测试;4. 分析实验结果:根据实验数据,分析LED材料的发光机理、光谱特性、结构特征等。

五、实验结果与分析1. 实验结果:(1)LED材料在紫外可见光区有较强的吸收;(2)LED材料在激发态下,具有明显的发光峰;(3)LED材料的发光光谱与激发波长密切相关;(4)LED材料的发光强度与制备工艺有关。

2. 实验分析:(1)LED材料的发光机理为电子与空穴复合,产生光子;(2)LED材料的发光光谱主要由半导体材料的能带结构决定;(3)LED材料的发光强度与材料内部的缺陷、掺杂浓度等因素有关;(4)通过优化制备工艺,可以提高LED材料的发光性能。

化学发光与电化学发光的基本原理与机制

化学发光与电化学发光的基本原理与机制

化学发光与电化学发光的基本原理与机制化学发光,指的是物质在一定条件下,通过化学反应产生光的现象。

电化学发光,则是在电化学系统中,通过氧化还原反应产生光的过程。

本文将重点探讨化学发光和电化学发光的基本原理与机制。

一、化学发光的基本原理与机制化学发光的基本原理可以归结为三个方面:有序激发态构成、反应活化、光子释放。

在化学发光的过程中,首先是物质被激发到有序激发态,然后通过反应活化,最后释放出光子。

1. 有序激发态构成有序激发态指的是物质在电子基态和激发态之间的高能态。

在化学发光中,通过化学反应使物质激发到有序激发态,从而形成化学发光现象。

有序激发态的产生,可以通过物质的激发剂、促进剂等辅助物质参与反应来实现。

2. 反应活化反应活化是指在化学发光过程中,物质的能量发生跃迁,由低能态向高能态转化的过程。

这一过程是通过化学反应来实现的,常见的反应活化方式包括能量转移、能量传递等。

通过反应活化,物质的电子在激发态和基态之间跃迁,产生能量释放和光子发射。

3. 光子释放光子释放是指通过电子的跃迁,产生光的现象。

当物质的激发态电子跃迁回基态时,它所携带的能量将以光的形式进行释放。

物质的发光特性由其分子结构和电子能级决定,不同的化学物质在发光时会产生不同的颜色。

二、电化学发光的基本原理与机制电化学发光是指在电化学系统中,通过氧化还原反应产生的电化学能转化为光能的过程。

与化学发光相比,电化学发光更加可控且效率更高。

1. 电化学系统电化学发光系统由电极、电解质和发光材料构成。

电极作为电子传输的通道,在电解质中产生氧化还原反应。

发光材料通常包括含有发光中心的物质,如金属离子或有机染料。

当电流通过电解质和电极之间的界面时,产生氧化还原反应,从而激发发光材料产生光。

2. 发光机制电化学发光的机制可以分为直接发光机制和间接发光机制。

直接发光机制是指在氧化还原反应过程中,发光材料本身发出光。

而间接发光机制是指氧化还原反应产生的反应物与发光材料间产生能量转移,并由发光材料发出光。

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低温下GaN基LED发光机制分 析
LED的发展
• 在20世纪最后十年间,半导体相关的材料技术、微芯片技术的快速发展使得 LED照明技术的性能得到了大幅度的提升,在1994年日本科学家中村秀二通 过在GaN基片上研发了一款蓝光半导体,这使得GaN技术在LED领域的应用 走入了一个高点,GaN基端的LED产品能够实现高亮度、全色彩的发光需求。 2014年4月1日在墨西哥,前贝尔实验室的研究员,GaNgleOptronix 首席 技术官、博士Hyam基德,在加勒比海“设备,电路,和系统 (ICCDCS2014)IEEE国际会议”上,宣读了一篇关于新型LED生产线的论文, 发布了白光功率LED发光效率达到300lm/W。可见,半导体照明产业正向更 高光效、更低成本、更多种类和更广泛应用方向发展。
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• (雷射光源) (光子) (声子)

光致发光可用来观察较块状半导体复杂成份结构的样品。它可用来研究样品 成长的好坏,及证实成长的成份。这是因为借由光致发光量测变化可知杂质 与结构上不同的能量差异。如能带图所示:

(a),(b)光吸收过程与(c),(d)光致发光。图(b)中指光吸收过程需要光子和声子 (x)。图(c)和(d)呈现除了光子放射外(PL),声子的放射是会发生的(*),因为和 光激发的长度有关,另外,对间接能隙(d)而言,声子的放射(o)为了动量守恒。

实验解释
• 对于droop的电流点随着温度的上升逐渐变大,与我们解释的droop原因相对 的,也可以归结为因为量子阱中束缚态的影响,因为束缚态的多少与温度之 间的原因也是密不可分的,随着温度的升高,束缚态的浓度对温度的敏感程 度变低,所以在温度升高时,其量子阱中束缚态达到饱和的极限值时的注入 电流反而变高了。 此外,在图1中,随着电流增大,其光谱的峰值发生了蓝移,对于此我们给出 的解释是因为在电流增大的同时,电压也变大了,所以导致了能带也发生从 了倾斜,随着倾斜的程度越大,其发生辐射复合的能带中心在不断上升,而 就有了蓝移的现象,而随着电流的继续增大,它又开始红移,这时的主要原 因可能是因为管子自身发热而导致了结温并不能稳定在我们设定的温度,所 以是温度导致的红移。
辐射激发的系统,在分类上是属于光学发光的技术。当入射光(电磁辐射)照射 在样品上时,导致电子被升高至激发态,描绘如图,典型的能带跃迁过程。 自从雷射可用来提供「足够的功率激发适当的讯号」后,入射光典型地来自 于雷射光源(能量)。当激发态电子返回初始能态时,它会生一个光子(能量), 也可能产生许多的声子(能量)。由量守恒,可将其表示为方程式
• •
外量子效率随电流变化趋势
• 图所表示的是在不同温度下,外量子效率(EQE)随电流变化的趋势图,在 上图中,我们可以看到,温度越低,其EQE是越高的,且在温度达到120K后 这种趋势更加明显,在更低温下虽然也有这样的趋势,但EQE曲线在小电流 是的重合度较高,而且下降的电流点随着温度的升高上升了。特别地对于小 电流时,随着温度的上升,其EQE的上升斜率变大了,在25K时,EQE在小 电流时已经变成了一条直线。

致谢
• 随着论文的截稿也预示着我四年的大学学习生涯即将画上句号,在大学的学 习生活给我的人生带来了巨大的影响,前半段的学习并不认真的我,越发的 知道对生活的态度决定我们以后的生活方式。在此毕业之际,向陪我度过四 年学习生涯的老师和同学表示感谢。 感谢朱丽虹老师对我的耐心指导,以及提供了众多资料。我专业知识并不擅 长,多亏了朱丽虹老师及她的学生我才能完成这次的论文。 最后,感谢为本文的研究提供文献参考的前辈,感谢你们为我提供的研究材 料,使得我在课题的研究上有所启发。同时,感谢各位老师以及同学的四年 多的朝夕相处,碰到问题互相探讨、团结合作,给予我很大的帮助。
实验解释
• 我们讨论的重点是对于大电流下EQE下降,从上面的实验数据的分析,先从 图3上看,在低温小电流下,其EQE是平的,通过查阅相关的文献,我们知道 在低温小电流下,局域态的影响非常大,所以在小电流下,其局域态对发光 复合起的主要作用,但同时随着电流的逐渐增大,解局域态是越来越明显的, 所以即使在低温下EQE也不会继续上升而是持平,而随着温度上升,开始了 解局域态,所以EQE普遍下降。 而对于后面的droop点而言,发生在30mA-70mA,此时对于半导体而言,其 发光机制应该主要是以带边辐射为主的,所以此时应该与量子阱中的束缚态 相关,光效下降的原因有很多,但我们猜测引起其变化的主要原因是因为载 流子的溢流,从图2的光谱中我们可以看到,随着温度升高,在峰值波长段, 其光谱变得没有低温下这么平坦,我们猜测对于大电流而言,其能束缚在量 子阱里面的电子数是有限的,所以在注入浓度达到一定的值后,更多的注入 载流子并不能引起辐射复合的增加,反而导致了电流溢出的现象产生,溢出 的电流直接从n区中跑到了p区,且从图1中我们可以看见,不同电流下的半波 宽是增加的。主要的原因是随着电流注入的增大,量子阱中占据的态也相对 变大,与此同时,费米能级也上升了,所以在量子阱中占据的态也变多了, 且逐渐向峰值波长靠拢,所以展宽的部分基本就是由于费米能级的变化而产 生的。

InGaN/GaN多量子阱发光的机制
• 如图分别InGaN/GaN量子阱在未加极化电场,加上极化电场以及高载流子注 入时的能到结构对比图,如(a),(b)所示,加上电场后,有效禁带宽度比 未加时小,而(c)在大电流注入时,载流子屏蔽了部分的极化电场,使得量 子阱的禁带宽度变大,从而出现发光波长蓝移的现象。从(b),(c)中我 们可以看到,及极化场会使得电子空穴波函数分别往量子阱的两侧偏移,降 低电子空穴的复合几率,从而降低内量子效率。
时间分辨PL(TRPL)测试
• 半导体材料的能带结构、掺杂离子、晶体质量、缺陷状态严重影响着载流子 的复合过程。通过TRPL测试,可以得到样品的载流子寿命,从而分析以上性 质对载流子复合过程的影响。TRPL测试系统采用的是时间关联单光子计数方 法(Time Correlated single photo counting,TCSPC)来测量载流子寿命。 其原理是使用微弱脉冲光源激发样品,同时记录脉冲光源激发的初始时间, 使荧光进入单光子探测仪,每次脉冲激发记录特定波长的光子,将单荧光光 子出现的时间和脉冲激发初始时间的间距记录下来,多次计数,得出特定波 长荧光光子的时间分布,即为光强随时间的衰减曲线
低温下GaN基LED性能分析
• 如图所示,这是我们在低温25K下测试的在不同的电流下的绿光光谱图,随 移,但是蓝移到一定的程度后又开始红移。且从中我们可以看出,在大电流 下,其半波宽是明显展宽的,特别是在500mA后光谱的形状发生了明显的改 变,光谱的峰值波长出出现了尖峰。
光效分析图
• 在图中,我们通过测试从25K-300K中的光谱来分析droop效应,上图所示的 是在350mA下不同温度下的光谱。从上图中,我们可以看到,随着温度的上 升,光功率是整体下降的,而且还发生了略微的红移,有一种整个光谱被压 缩的感觉。且从光谱峰值波段看,其有明显变平的趋势,且光谱的光滑度降 低。
i
单位时间内注入的电子 空穴对数
外量子效率
ηe
单位时间内发射到外部的光子数 单位时间内有源区注入的电子 空穴对数
发光效率:发光效率表示的是LED发光系统将吸收的光子能量转换为输出光 能的效率,计量单位是1m/W 等等
InGaN/GaN MQWs LED的光学 性质的测试和分析
• 光致发光测试:光致发光,牵涉到一个由电磁(Electro-Magnetic)
LED相关理论
• 发光二极管原理
半导体二极管发光器件的主要组成结构是P-N结,是通过两端的电子注入而 进行发光,半导体材料一般是采用带隙材料,本课题研究的GaN就是属于带 隙材料。

LED效率
• • • • • • • LED的效率包含的范围有量子效率、发光效率、光提取效率等。 量子效率:量子效率是指LED在实际工作过程中,发光的电子由于内部吸收 和损耗而对理论的发光光子输出量造成的影响。量子效率可以分为内外两种。 内量子效率 η 单位时间内产生的光子数
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