内存条发展史

作为PC不可缺少的重要核心部件——内存，它伴随着DIY硬件走过了多年历程。

从286时代的30pin SIMM内存、486时代的72pin SIMM 内存，到Pentium时代的EDO DRAM内存、PII时代的SDRAM内存，到P4时代的DDR内存和目前9X5平台的DDR2内存。

内存从规格、技术、总线带宽等不断更新换代。

不过我们有理由相信，内存的更新换代可谓万变不离其宗，其目的在于提高内存的带宽，以满足CPU不断攀升的带宽要求、避免成为高速CPU运算的瓶颈。

那么，内存在PC领域有着怎样的精彩人生呢？下面让我们一起来了解内存发展的历史吧。

一、历史起源——内存条概念如果你细心的观察，显存（或缓存）在目前的DIY硬件上都很容易看到，显卡显存、硬盘或光驱的缓存大小直接影响到设备的性能，而寄存器也许是最能代表PC硬件设备离不开RAM的，的确如此，如果没有内存，那么PC将无法运转，所以内存自然成为DIY用户讨论的重点话题。

在刚刚开始的时候，PC上所使用的内存是一块块的IC，要让它能为PC服务，就必须将其焊接到主板上，但这也给后期维护带来的问题，因为一旦某一块内存IC 坏了，就必须焊下来才能更换，由于焊接上去的IC不容易取下来，同时加上用户也不具备焊接知识（焊接需要掌握焊接技术，同时风险性也大），这似乎维修起来太麻烦。

因此，PC设计人员推出了模块化的条装内存，每一条上集成了多块内存IC，同时在主板上也设计相应的内存插槽，这样内存条就方便随意安装与拆卸了（如图1），内存的维修、升级都变得非常简单，这就是内存“条” 的来源。

图1，内存条与内存槽的出现小帖士：内存(Random Access Memory，RAM)的主要功能是暂存数据及指令。

我们可以同时写数据到RAM 内存，也可以从RAM 读取数据。

由于内存历来都是系统中最大的性能瓶颈之一，因此从某种角度而言，内存技术的改进甚至比CPU 以及其它技术更为令人激动。

计算机基础-内存发展史

内存发展简史（一）其实这个题目两个月前就答应过别人的，一直偷懒没动手。

今天和同学聊起来，又谈到这个话题，上网找了点资料，决定还是采用ctrlCV大法写吧。

一.在谈内存发展历史前首先要问什么是内存？计算机内的存储器按其用途可分为主存储器(Main Memory，简称主存)和辅助存储器(Auxiliary Memory，简称辅存)，主存储器又称内存储器(简称内存)，辅助存储器又称外存储器(简称外存)。

内存的实质上是一组或多组具备数据输入输出和数据存储功能的集成电路。

内存按存储信息的功能可分为只读存储器(Read Only Memory)、可改写的只读存储器EPROM(Erasable Programmable ROM)和随机存储器RAM(Random Access Memory)。

我们平常所说的内存是指RAM。

其主要作用是存放各种输入、输出数据和中间计算结果，以及与外部存储器交换信息时作缓冲用。

由于CPU只能直接处理内存中的数据，所以内存的速度和大小对计算机性能的影响是相当大的。

RAM又分成两种Static RAM（静态随机存贮器）和Dynamic RAM（动态随机存贮器）。

SRAM曾经是一种主要的内存，SRAM速度很快而且不用刷新就能保存数据不丢失。

它以双稳态电路形式存储数据，结构复杂，内部需要使用更多的晶体管构成寄存器以保存数据，所以它采用的硅片面积相当大，制造成本也相当高，所以现在只能把SRAM用在比主内存小的多的高速缓存上。

随着Intel将L2高速缓存整合入CPU（从Medocino开始）后，SRAM失去了最大应用需求来源，还好在移动电话从模拟转向数字的发展趋势中，终于为具有省电优势的SRAM寻得了另一个需求成长的契机，再加上网络服务器、路由器等的需求激励，才使得SRAM市场勉强得以继续成长。

DRAM，顾名思义即动态RAM。

DRAM的结构比起SRAM来说要简单的多，基本结构是一只MOS管和一个电容构成。

内存条发展史

内存条发展史
内存条简介
内存是电脑中的主要部件，它是相对于外存而言的。
内存条是连接 CPU 和其他设备的通道，起到缓冲和数据交换作用。电脑中安装的软件必须调入内存中运行，才能真正使用、72线、168线内存条。
30线内存条
历史起源——内存条
红（威刚海盗船金威本金邦刚）士8G顿B8GD8BDGDRBD3DR1D33R31331单333条3（3（窄千笔版禧记条）套装）万紫千金士顿4GB DDR3 1333（笔记本）
DDR2-400
DDR2-800
DDR2时代
当前的主流
DDR3时代
是从某种角度讲，DDR3为了解决DDR2发展所面临的限制而催生的产物。
当前市面上的DDR3规格：DDR3-1333、DDR3-1600、 DDR3-1800、DDR3-2000、DDR3-2133
当前热门的内存条展示
16008GDBoDmDinRa3to1r63020G(B DDR3
在最初并没有内存条的概念，而是焊接在主板上的一块块IC。
而后推出了模块化的条装内存，每一条上集成了多块内存IC，同时主板上也设计了相应内存插孔。
内存条就方便随意安装与拆卸，内存的维修、升级都变得非常简单，这就是内存“条” 的来源。
开山鼻祖——SIMM 内存
自 1982 年 PC 进入民用市场一直到现在，搭配 80286处理器的30pin SIMM 内存是内存领域的开山鼻祖。
30pin SIMM
72pin SIMM
EDO DRAM
SDRAM时代
PC66
PC100 PC133
市场上出现了一些PC150、PC166规范的内存

计算机内存发展史

现代的DRAM
1980年代
现代的DRAM出现，容量大幅增加，速度也有所提升。
1990年代至今
随着技术的不断进步，DRAM的容量和速度持续提升，同时成本也在逐渐降低。
DDR内存
1990年代
DDR内存出现，它是一种同步内存，具有更高的运行速度和更低的功耗。
VS
2000年代至今
DDR内存逐渐成为计算机内存的主流选择，其技术不断升级，容量和速度持续提升。
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THANKS
），它们分别存储最近使用过的数据和指令，并按照访问速度和容量
逐渐增加。
03
CPU高速缓存的作用
CPU高速缓存能够提高CPU的执行效率，因为它可以减少CPU访问主
内存的次数，避免因为访问主内存而造成的延迟。
主存高速缓存
什么是主存高速缓存
主存高速缓存是位于主内存和硬盘之间的存储器，它能够暂时存储最近使用的数据和指令，以减少主内存访问硬盘的次数，提高内存的访问速度。
03
高速缓存（Cache）的引入
CPU高速缓存
01
什么是CPU高速缓存
CPU高速缓存（Cache）是位于CPU和主内存之间的存储器，它能够
暂时存储最近使用的数据和指令，以减少CPU访问主内存的次数，提
高内存的访问速度。
02
CPU高速缓存的种类
CPU高速缓存分为一级缓存（L1）、二级缓存（L2）和三级缓存（L3
主存高速缓存的种类
主存高速缓存分为RAMDisk和RAMSan，它们分别使用部分RAM来模拟硬盘，以提供比硬盘更高的访问速度。
主存高速缓存的作用
主存高速缓存能够提高系统的整体性能，因为它可以减少主内存访问硬盘的次数，避免因为访问硬盘而造成的延迟。同时，它也可以作为系统的一部分，用于存储经常使用的数据和程序，提高系统的响应速度。

内存发展史

内存发展史在了解内存的发展之前，我们应该先解释一下几个常用词汇，这将有助于我们加强对内存的理解。

RAM就是Random Access Memory（随机存贮器）的缩写。

它又分成两种Static RAM （静态随机存贮器）和Dynamic RAM（动态随机存贮器）。

SRAM曾经是一种主要的内存，SRAM速度很快而且不用刷新就能保存数据不丢失。

它以双稳态电路形式存储数据，结构复杂，内部需要使用更多的晶体管构成寄存器以保存数据，所以它采用的硅片面积相当大，制造成本也相当高，所以现在只能把SRAM用在比主内存小的多的高速缓存上。

随着Intel将L2高速缓存整合入CPU（从Medocino开始）后，SRAM失去了最大应用需求来源，还好在移动电话从模拟转向数字的发展趋势中，终于为具有省电优势的SRAM寻得了另一个需求成长的契机，再加上网络服务器、路由器等的需求激励，才使得SRAM 市场勉强得以继续成长。

DRAM，顾名思义即动态RAM。

DRAM的结构比起SRAM来说要简单的多，基本结构是一只MOS 管和一个电容构成。

具有结构简单、集成度高、功耗低、生产成本低等优点，适合制造大容量存储器，所以现在我们用的内存大多是由DRAM构成的。

所以下面主要介绍DRAM内存。

在详细说明DRAM存储器前首先要说一下同步的概念，根据内存的访问方式可分为两种：同步内存和异步内存。

区分的标准是看它们能不能和系统时钟同步。

内存控制电路（在主板的芯片组中，一般在北桥芯片组中）发出行地址选择信号（RAS）和列地址选择信号（CAS）来指定哪一块存储体将被访问。

在SDRAM之前的EDO内存就采用这种方式。

读取数据所用的时间用纳秒表示。

当系统的速度逐渐增加，特别是当66MHz频率成为总线标准时，EDO内存的速度就显得很慢了，CPU总要等待内存的数据，严重影响了性能，内存成了一个很大的瓶颈。

因此出现了同步系统时钟频率的SDRAM。

DRAM的分类 FP DRAM：又叫快页内存，在386时代很流行。

内存发展历史及未来趋势

内存发展历史及未来趋势作为PC不可缺少的重要核心部件——内存，它伴随着DIY硬件走过了多年历程。

从286时代的30pin SIMM内存、486时代的72pin SIMM 内存，到Pentium时代的EDODRAM内存、PII时代的SDRAM内存，到P4时代的DDR内存和目前9X5平台的DDR2内存。

内存从规格、技术、总线带宽等不断更新换代。

不过我们有理由相信，内存的更新换代可谓万变不离其宗，其目的在于提高内存的带宽，以满足CPU不断攀升的带宽要求、避免成为高速CPU运算的瓶颈。

那么，内存在PC领域有着怎样的精彩人生呢？下面让我们一起来了解内存发展的历史吧。

一、历史起源——内存条概念如果你细心的观察，显存（或缓存）在目前的DIY硬件上都很容易看到，显卡显存、硬盘或光驱的缓存大小直接影响到设备的性能，而寄存器也许是最能代表PC硬件设备离不开RAM的，的确如此，如果没有内存，那么PC将无法运转，所以内存自然成为DIY用户讨论的重点话题。

在刚刚开始的时候，PC上所使用的内存是一块块的IC，要让它能为PC服务，就必须将其焊接到主板上，但这也给后期维护带来的问题，因为一旦某一块内存IC坏了，就必须焊下来才能更换，由于焊接上去的IC不容易取下来，同时加上用户也不具备焊接知识（焊接需要掌握焊接技术，同时风险性也大），这似乎维修起来太麻烦。

因此，PC设计人员推出了模块化的条装内存，每一条上集成了多块内存IC，同时在主板上也设计相应的内存插槽，这样内存条就方便随意安装与拆卸了（如图1），内存的维修、升级都变得非常简单，这就是内存“条”的来源。

图1，内存条与内存槽的出现内存(Random Access Memory，RAM)的主要功能是暂存数据及指令。

我们可以同时写数据到RAM 内存，也可以从RAM 读取数据。

由于内存历来都是系统中最大的性能瓶颈之一，因此从某种角度而言，内存技术的改进甚至比CPU 以及其它技术更为令人激动二、开山鼻祖——SIMM 内存在80286主板发布之前，内存并没有被世人所重视，这个时候的内存是直接固化在主板上，而且容量只有64 ～256KB，对于当时PC所运行的工作程序来说，这种内存的性能以及容量足以满足当时软件程序的处理需要。

DRAM技术发展史年表

DRAM技术发展史年表1959年，美国德州仪器（TI）公司Kilby在一块Ge衬底上做成两个以上的晶体管,标志着世界上第一块集成电路的诞生。

1960年，H H Loor和E Castellani发明了光刻工艺。

1963年，F.M.Wanlass和C.T.Sah首次提出CMOS技术，今天，95%以上的集成电路芯片都是基于CMOS工艺。

1968年，IBM的R.H.Dennard发明了DRAM的核心记忆单位1T1C（1个晶体管搭配一个电容器）。

这个结构成为所有计算机内最主要的读写元件，至今未曾改变。

1969年，英特尔推出了64位的SRAM芯片(双极静态随机存取存储器)，由于其成本缩减到了磁心存储器成本的l/10，因此获得了巨大的成功。

1970年，英特尔利用MOS工艺开发出1kb动态随机存取存储器(DRAM)—1103型存储器。

硅片直径为50mm,芯片面积为8.5mm2，集成度为5000，采用的主要技术为三晶体管单元和刷新技术。

相对于双极技术，MOS技术不仅能耗少而且集成度高，因此DRAM就成为了计算机存储指令和数据的主流技术。

在整个20世纪70年代，DRAM一直是英特尔的核心产品和主要利润来源，为其之后的发展奠定了雄厚的资金基础。

1972年，4 kb DRAM问世。

硅片直径为75mm,芯片面积为15.9mm2，集成度为11000，采用的主要技术为单晶体管单元、差分读出技术和地址多路选择技术。

1975年，16kb DRAM问世。

硅片直径为75-100mm,芯片面积为16.2mm2，集成度为37000，采用的主要技术为二层多晶硅技术。

1978年，64kb DRAM问世，标志着超大规模集成电路（VLSI）时代的来临。

硅片直径为100-125mm,芯片面积为26.6mm2，集成度为155000，采用的主要技术为循环位线、折叠数据线等技术。

1980年，256kb DRAM问世。

硅片直径为125-150mm,芯片面积为34.8mm2，集成度为555000，采用的主要技术为三层多晶硅和冗余技术。

计算机内存发展史

计算机内存发展史
计算机内存的发展可以追溯到1949年，当时贝尔实验室的工程师将磁性货币排列在一起，创造出了第一块存储计算机数据的记忆体，“磁针板”，并被称为“磁性登记簿”。

它可以实时存储几千个计算机指令，并有条件地执行它们。

磁针板的缺点是它存储的信息和指令有限，而且读取速度比较慢。

1951年，IBM推出了第一台使用硅片存储单元（SSU）的计算机，称为“701”。

硅片存储单元是以半导体技术构成的存储元件，可以存储多达18位的数字数据，其读取速度还比磁针板快得多。

但是，由于硅片存储单元费用昂贵，只有最大的计算机们才能拥有它。

1966年，Intel发明了第一块可编程只读存储器（PROM），它可以把数据固化到存储硅晶片上，而且不受环境影响，因此可以直接使用不用通过半导体技术。

只读存储器扩展了计算机的能力，使其可以存储大量的程序，并能够自动执行它们。

1970年，Intel发明了随机存取存储器（RAM），它以电容为介质，具有可编程和可擦除的特性，可以存储大量的计算机指令和数据。

它的主要缺点是被删除或注销数据的时间较长。

1971年，Intel发明了软盘，它是磁碟系统，可以用来存储大量数据和程序。