计算机组成原理内存条历史
DRAM的发展
DRAM的发展1. 简介DRAM（Dynamic Random Access Memory）是一种常见的半导体存储器，用于电子设备中的主存储器。
它具有高速读写、容量大和低功耗等优点，因此在计算机、手机、平板电脑和其他消费电子产品中广泛应用。
本文将详细介绍DRAM的发展历程。
2. DRAM的起源DRAM的起源可以追溯到上世纪60年代。
当时，计算机使用的主存储器是磁芯存储器，但它的成本高昂且容量有限。
为了解决这些问题，DRAM被发明出来。
它使用了电容器和晶体管来存储和读取数据，具有较高的集成度和较低的成本。
3. DRAM的发展历程3.1 第一代DRAM第一代DRAM于1970年代初问世，采用了单晶体管和电容器的结构。
它的容量较小，速度较慢，但相对于磁芯存储器来说，它的成本更低，因此得到了广泛应用。
3.2 第二代DRAM第二代DRAM于1970年代末和1980年代初出现。
它采用了MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）作为存储单元，并引入了刷新技术，解决了电容器漏电的问题。
这使得DRAM的容量和速度都有了显著的提升。
3.3 第三代DRAM第三代DRAM于1990年代初问世，采用了存储单元中的多个电容器和晶体管，称为多晶体管DRAM（Multi-transistor DRAM）。
它的容量进一步增加，速度也有所提升。
3.4 第四代DRAM第四代DRAM于2000年代初出现，采用了新的存储单元结构和制造工艺。
其中最重要的是DDR（Double Data Rate）DRAM，它在同一时钟周期内进行两次数据传输，提高了数据传输速度。
DDR DRAM在计算机和消费电子产品中得到广泛应用。
3.5 当前的DRAM技术目前，DDR4和DDR5是最常见的DRAM技术。
DDR4于2014年发布，相对于DDR3，它提供了更高的频率、更低的功耗和更大的容量。
DDR5于2020年发布，进一步提升了频率和容量，为高性能计算和数据中心提供了更好的支持。
简述内存发展历史
简述内存发展历史内存发展历史可以追溯到计算机发明的早期阶段。
以下是内存发展历史的主要里程碑：1. 真空管内存（1940年代）：最早的计算机中使用了真空管作为存储器件，真空管内存具有很小的存储容量，价格昂贵且需要频繁维护。
2. 磁鼓存储器（1950年代）：使用旋转磁鼓储存数据，磁鼓存储器能够容纳更多数据，但读写速度较慢。
3. 磁芯存储器（1960年代）：磁芯存储器使用了磁性材料制成的小环，可以保存二进制数据。
磁芯存储器相对较小、昂贵，但速度更快和更可靠。
4. 动态随机存储器（DRAM）（1970年代）：DRAM是第一种现代内存技术，它使用电容器来存储数据，以及由于电容器需要不断刷新而被称为“动态”的特征。
DRAM具有更高的容量和较低的成本，成为主流内存技术。
5. 静态随机存储器（SRAM）（1980年代）：SRAM是另一种常见的内存技术，它使用了触发器来存储数据，相对于DRAM更快速和更稳定，但价格也更高。
6. 扩展内存技术（1990年代）：随着个人计算机的普及，内存需求不断增加。
因此，一些技术被开发用于扩展内存，如虚拟内存和缓存。
7. 变址RAM（2000年代）：变址RAM（e.g. DDR SDRAM）是现代计算机中常用的内存类型，具有更高的速度和较大的容量。
8. 非易失性内存（NVM）（近年来）：非易失性内存是一种新兴的内存技术，能够保持数据即使在断电的情况下。
NVM比传统的存储器技术具有更快的读写速度和更高的可靠性。
总的来说，内存的发展历史可以总结为不断追求更大、更快、更稳定的内存技术，以满足计算机性能和存储需求的不断提升。
计算机内存发展历程
内存发展历程作为PC不可缺少的重要核心部件一一内存，它伴随着DIY硬件走过了多年历程。
从286时代的30pin SIMM内存、486时代的72pin SIMM内存，至U Pentium 时代的EDODRA内存、PII时代的SDRA内存，至U P4时代的DDF内存和目前9X5 平台的DDR2内存。
内存从规格、技术、总线带宽等不断更新换代。
不过我们有理由相信，内存的更新换代可谓万变不离其宗，其目的在于提高内存的带宽，以满足CPU不断攀升的带宽要求、避免成为高速CPU运算的瓶颈。
那么，内存在PC 领域有着怎样的精彩人生呢？下面让我们一起来了解内存发展的历史吧。
、历史起源一一内存条概念如果你细心的观察，显存（或缓存）在目前的DIY硬件上都很容易看到，显卡显存、硬盘或光驱的缓存大小直接影响到设备的性能，而寄存器也许是最能代表PC硬件设备离不开RAM勺，的确如此，如果没有内存，那么PC将无法运转，所以内存自然成为DIY用户讨论的重点话题。
在刚刚开始的时候，PC上所使用的内存是一块块的IC,要让它能为PC服务，就必须将其焊接到主板上，但这也给后期维护带来的问题，因为一旦某一块内存IC坏了，就必须焊下来才能更换，由于焊接上去的IC不容易取下来，同时加上用户也不具备焊接知识（焊接需要掌握焊接技术，同时风险性也大），这似乎维修起来太麻烦。
因此，PC设计人员推出了模块化的条装内存，每一条上集成了多块内存IC,同时在主板上也设计相应的内存插槽，这样内存条就方便随意安装与拆卸了（如图1），内存的维修、升级都变得非常简单，这就是内存“条”的来源。
图1，内存条与内存槽的出现小帖士：内存（Random Access Memory, RAM的主要功能是暂存数据及指令。
我们可以同时写数据到RAM内存，也可以从RAM读取数据。
由于内存历来都是系统中最大的性能瓶颈之一，因此从某种角度而言，内存技术的改进甚至比CPU以及其它技术更为令人激动。
内存条发展史
作为PC不可缺少的重要核心部件——内存，它伴随着DIY硬件走过了多年历程。
从286时代的30pin SIMM内存、486时代的72pin SIMM 内存，到Pentium时代的EDO DRAM内存、PII时代的SDRAM内存，到P4时代的DDR内存和目前9X5平台的DDR2内存。
内存从规格、技术、总线带宽等不断更新换代。
不过我们有理由相信，内存的更新换代可谓万变不离其宗，其目的在于提高内存的带宽，以满足CPU不断攀升的带宽要求、避免成为高速CPU运算的瓶颈。
那么，内存在PC领域有着怎样的精彩人生呢？下面让我们一起来了解内存发展的历史吧。
一、历史起源——内存条概念如果你细心的观察，显存（或缓存）在目前的DIY硬件上都很容易看到，显卡显存、硬盘或光驱的缓存大小直接影响到设备的性能，而寄存器也许是最能代表PC硬件设备离不开RAM的，的确如此，如果没有内存，那么PC将无法运转，所以内存自然成为DIY用户讨论的重点话题。
在刚刚开始的时候，PC上所使用的内存是一块块的IC，要让它能为PC服务，就必须将其焊接到主板上，但这也给后期维护带来的问题，因为一旦某一块内存IC 坏了，就必须焊下来才能更换，由于焊接上去的IC不容易取下来，同时加上用户也不具备焊接知识（焊接需要掌握焊接技术，同时风险性也大），这似乎维修起来太麻烦。
因此，PC设计人员推出了模块化的条装内存，每一条上集成了多块内存IC，同时在主板上也设计相应的内存插槽，这样内存条就方便随意安装与拆卸了（如图1），内存的维修、升级都变得非常简单，这就是内存“条” 的来源。
图1，内存条与内存槽的出现小帖士：内存(Random Access Memory，RAM)的主要功能是暂存数据及指令。
我们可以同时写数据到RAM 内存，也可以从RAM 读取数据。
由于内存历来都是系统中最大的性能瓶颈之一，因此从某种角度而言，内存技术的改进甚至比CPU 以及其它技术更为令人激动。
计算机存储器的发展历史
计算机存储器的发展历史1. 早期计算机存储器的发展早期计算机存储器的发展可以追溯到二十世纪四十年代末和五十年代初。
当时的计算机存储器主要采用了一种叫做“延迟线存储器”的技术。
延迟线存储器是一种利用声波在长绳上传播的原理来存储和读取数据的技术。
这种存储器虽然容量较小且读取速度较慢，但是在当时来说已经是一项重要的技术突破。
2. 磁芯存储器的出现到了五十年代中期，磁芯存储器开始出现并逐渐取代了延迟线存储器。
磁芯存储器利用小巧而坚固的磁铁环来表示二进制数据，这些环可以通过电流来改变其磁性状态，从而实现数据的读写操作。
相比于延迟线存储器，磁芯存储器容量更大、速度更快，并且更加可靠。
3. 位片式DRAM随着计算机技术不断发展，DRAM（动态随机访问内部）逐渐取代了磁芯存储器成为主流存储器技术。
位片式DRAM是DRAM的一种重要形式，它的出现使得存储器的容量得以大幅提升。
位片式DRAM是一种基于半导体技术的存储器，它将大量的存储单元集成在一片芯片上，使得容量可以达到几百兆字节甚至几十吉字节。
4. SRAM和DRAM的竞争在位片式DRAM流行之后，静态随机访问内存（SRAM）也开始逐渐发展起来。
SRAM和DRAM之间存在着一些差异。
首先，SRAM不需要刷新操作，因此读写速度更快；其次，SRAM相对于DRAM来说更加稳定可靠；最后，SRAM相对于DRAM来说也更加昂贵。
这些差异使得SRAM和DRAM在不同应用场景中各有优势。
5. 闪存技术的兴起随着计算机应用场景不断扩大以及移动计算设备日益普及，闪存技术开始逐渐兴起并成为主流存储器技术之一。
闪存是一种基于非易失性内部（NAND）原理的半导体内部，在断电情况下也能够保持数据。
闪存具有容量大、体积小、耐用性强等优点，因此被广泛应用于移动设备、存储卡等领域。
6. 存储器技术的未来发展在当前的技术发展趋势下，存储器技术也在不断演进。
一方面，DRAM 和闪存等传统存储器技术仍在不断优化和升级，以满足更高容量和更快速度的需求。
DRAM的发展
DRAM的发展DRAM（Dynamic Random Access Memory）是一种常见的计算机内存芯片，用于存储和读取数据。
随着科技的不断进步，DRAM的发展也在不断推进。
本文将详细介绍DRAM的发展历程、技术特点以及未来的发展趋势。
一、发展历程DRAM最早出现在上世纪70年代，当时的DRAM容量较小，速度较慢，且价格昂贵。
然而，随着集成电路技术的进步，DRAM开始逐渐发展壮大。
在80年代，DRAM容量得到了显著提升，速度也有了明显改善，成为了主流的计算机内存产品。
二、技术特点1. 容量：DRAM的容量不断增大，从最初的几KB到现在的几GB，甚至更高。
这使得计算机能够处理更多的数据，提高了系统的性能。
2. 速度：DRAM的速度也在不断提高。
随着技术的进步，DRAM的访问速度大幅度增加，从而提高了数据的读取和写入效率。
3. 功耗：DRAM的功耗逐渐降低。
随着制程工艺的改进，DRAM芯片的功耗越来越低，这有助于降低整个系统的能耗。
4. 可靠性：DRAM的可靠性也得到了提高。
通过引入纠错码（ECC）等技术，DRAM能够检测和纠正内存中的错误，提高系统的稳定性和可靠性。
5. 成本：DRAM的成本逐渐降低。
随着技术的成熟和市场的竞争，DRAM的价格逐渐下降，使得更多的用户能够购买到高性能的内存产品。
三、未来发展趋势1. 容量持续增加：随着计算机应用的不断扩大，对内存容量的需求也在不断增加。
未来，DRAM的容量将持续增加，以满足大数据处理、人工智能等领域的需求。
2. 速度进一步提升：随着计算机处理速度的提高，对内存速度的要求也越来越高。
未来，DRAM的速度将进一步提升，以满足高性能计算的需求。
3. 低功耗设计：随着节能环保意识的增强，DRAM的低功耗设计将成为未来的发展方向。
通过采用新的材料和结构设计，降低DRAM芯片的功耗，以提高系统的能效。
4. 新技术的应用：未来，随着新的技术的涌现，如3D堆叠技术、新型存储器技术等，将会对DRAM的发展产生重要影响。
DRAM的发展
DRAM的发展概述：动态随机存取存储器（DRAM）是一种常见的计算机内存类型，被广泛应用于个人电脑、服务器、挪移设备等各种计算设备中。
本文将详细介绍DRAM的发展历程、技术特点以及未来的发展趋势。
一、DRAM的历史发展：1. 早期DRAM的诞生：20世纪60年代末，美国IBM公司的研究人员发明了第一款DRAM芯片，其存储容量为1K位。
这标志着DRAM技术的诞生，为计算机存储领域带来了革命性的变革。
2. 发展阶段：1970年代，DRAM技术经历了多个发展阶段。
首先是DRAM存储容量的不断增加，从最初的几千位增加到了几十万位。
其次是DRAM存取时间的缩短，使得数据读写速度得到了显著提升。
此外，DRAM芯片的集成度也不断提高，从单片集成到多片集成，进一步提高了存储容量和性能。
3. 现代DRAM的发展：进入21世纪，DRAM技术继续取得了巨大的突破。
首先是DRAM存储容量的大幅增加，从几百兆字节增加到了数十兆字节。
其次是DRAM的能耗和成本的不断降低，使得DRAM成为了主流的计算机内存选择。
此外，DRAM的数据传输速率也得到了显著提升，满足了日益增长的计算需求。
二、DRAM的技术特点：1. 存储原理：DRAM采用电容存储原理，每一个存储单元由一个电容和一个开关构成，电容的充电状态表示存储的数据。
2. 数据刷新：由于电容会逐渐漏电，因此DRAM需要定期进行数据刷新，以保持数据的正确性。
数据刷新会带来额外的延迟，影响DRAM的访问速度。
3. 存取时间：DRAM的存取时间通常比静态随机存取存储器（SRAM）要长，这是由于DRAM需要经过一系列的行选通、列选通等操作才干读取或者写入数据。
4. 容量和集成度：DRAM的存储容量和集成度不断增加，目前已经发展到了数十兆字节的级别。
高集成度的DRAM芯片可以在较小的空间内实现更大的存储容量。
5. 数据传输速率：现代DRAM的数据传输速率已经达到了几千兆字节每秒的级别，可以满足高性能计算和大数据处理的需求。
详解内存(RAM,SRAM,SDRAM)工作原理及发展历程
详解内存(RAM，SRAM，SDRAM)工作原理及发展历程/csrwzt/blog/item/7ec462ef44e87fe9cf1b3e6f.htmlRAM（Random Access Memory）随机存取存储器对于系统性能的影响是每个PC 用户都非常清楚的，所以很多朋友趁着现在的内存价格很低纷纷扩容了内存，希望借此来得到更高的性能。
不过现在市场是多种内存类型并存的，SDRAM、DDR SDRAM、RDRAM等等，如果你使用的还是非常古老的系统，可能还需要EDO DRAM、FP DRAM（块页）等现在不是很常见的内存。
虽然RAM的类型非常的多，但是这些内存在实现的机理方面还是具有很多相同的地方，所以本文的将会分为几个部分进行介绍，第一部分主要介绍SRAM和异步DRAM（asynchronous DRAM），在以后的章节中会对于实现机理更加复杂的FP、EDO和SDRAM进行介绍，当然还会包括RDRAM和SGRAM等等。
对于其中同你的观点相悖的地方，欢迎大家一起进行技术方面的探讨。
存储原理：为了便于不同层次的读者都能基本的理解本文，所以我先来介绍一下很多用户都知道的东西。
RAM主要的作用就是存储代码和数据供CPU在需要的时候调用。
但是这些数据并不是像用袋子盛米那么简单，更像是图书馆中用有格子的书架存放书籍一样，不但要放进去还要能够在需要的时候准确的调用出来，虽然都是书但是每本书是不同的。
对于RAM等存储器来说也是一样的，虽然存储的都是代表0和1的代码，但是不同的组合就是不同的数据。
让我们重新回到书和书架上来，如果有一个书架上有10行和10列格子（每行和每列都有0-9的编号），有100本书要存放在里面，那么我们使用一个行的编号＋一个列的编号就能确定某一本书的位置。
如果已知这本书的编号87，那么我们首先锁定第8行，然后找到第7列就能准确的找到这本书了。
在RAM 存储器中也是利用了相似的原理。
现在让我们回到RAM存储器上，对于RAM存储器而言数据总线是用来传入数据或者传出数据的。
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内存条发展历史
一、内存诞生
1982年PC进入民用市场，而搭配80286处理器的30pin SIMM 内存是内存领域的开山鼻祖。
80286主板上的内存条采用了SIMM（Single In-lineMemory Modules，单边接触内存模组）接口，容量为30pin、256kb，必须是由8 片数据位和1 片校验位组成1个bank，所以30pin SIM一般是四条一起使用。
1988 ～1990 年，也就是386和486时代，此时CPU 已经向16bit 发展，30pin SIMM 内存再也无法满足需求，所以此时72pin SIMM 内存出现了，72pin SIMM支持32bit快速页模式内存，内存带宽得以大幅度提升。
72pin SIMM内存单条容量一般为512KB ～2MB，而且仅要求两条同时使用。
1991 年到1995 年，盛行EDO DRAM（Extended Date Out RAM 外扩充数据模式存储器）内存条。
此时EDO DRAM有72 pin和168 pin并存的情况，事实上EDO 内存也属于72pin SIMM 内存的范畴，不过它采用了全新的寻址方式。
此时单条EDO 内存的容量已经达到4 ～16MB 。
EDO 内存条
二、SDRAM时代
第一代SDRAM 内存为PC66 规范，但很快由于Intel 和AMD的频率之争将CPU外频提升到了100MHz，所以PC66内存很快就被PC100内存取代，接着133MHz 外频的PIII 以及K7时代的来临，PC133规范也以相同的方式进一步提升SDRAM 的整体性能，带宽提高到1GB/sec以上。
由于SDRAM 的带宽为64bit，正好对应CPU 的64bit 数据总线宽度，因此它只需要一条内存便可工作，便捷性进一步提高。
在性能方面，由于其输入输出信号保持与系统外频同步，因此速度明显超越EDO 内存。
不可否认的是，SDRAM 内存由早期的66MHz，发展后来的100MHz、133MHz，尽管没能彻底解决内存带宽的瓶颈问题，但此时CPU超频已经成为DIY用户永恒的话题，所以不少用户将品牌好的PC100品牌内存超频到133MHz使用以获得CPU超频成功，值得一提的是，为了方便一些超频用户需求，市场上出现了一些PC150、PC166规范的内存。
SDRAM内存条
三、DDR时代
DDR SDRAM(Dual Date Rate SDRAM)简称DDR，也就是“双倍速率SDRAM”的意思。
DDR可以说是SDRAM的升级版本，DDR在时钟信号上升沿与下降沿各传输一次数据，这使得DDR的数据传输速度为传统SDRAM的两倍。
DDR 内存是作为一种在性能与成本之间折中的解决方案，其目的是迅速建立起牢固的市场空间，继而一步步在频率上高歌猛进，最终弥补内存带宽上的不足。
第一代DDR200 规范并没有得到普及，第二代PC266 DDR SRAM（133MHz时钟×2倍数据传输=266MHz带宽）是由PC133 SDRAM内存所衍生出的，它将DDR 内存带向第一个高潮，目前还有不少赛扬和AMD K7处理器都在采用DDR266规格的内存，其后来的DDR333内存也属于一种过渡，而DDR400内存成为目前的主流平台选配，双通道DDR400内存已经成为800FSB处理器搭配的基本标准，随后的DDR533 规范则成为超频用户的选择对象。
DDR内存条
四、DDR2时代
DDR2（Double Data Rate 2）SDRAM是由JEDEC（电子设备工程联合委员会）进行开发的新生代内存技术标准，它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力（即：4bit数据读预取）。
换句话说，DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据，并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。
此外，由于DDR2标准规定所有DDR2内存均采用FBGA封装形式，而不同于目前广泛应用的TSOP/TSOP-II封装形式，FBGA封装可以提供了更为良好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了坚实的基础
DDR2 能够在100MHz 的发信频率基础上提供每插脚最少400MB/s 的带宽，而且其接口将运行于1.8V 电压上，从而进一步降低发热量，以便提高频率。
此外，DDR2 将融入CAS、OCD、ODT 等新性能指标和中断指令，提升内存带宽的利用率。
从JEDEC组织者阐述的DDR2标准来看，针对PC等市场的DDR2内存将拥有400、533、667MHz等不同的时钟频率。
高端的DDR2内存将拥有800、1000MHz两种频率。
DDR-II内存将采用200-、220-、240-针脚的FBGA封装形式。
最初的DDR2内存将采用0.13微米的生产工艺，内存颗粒的电压为1.8V，容量密度为512MB。
PC-100的“接班人”除了PC一133以外，VCM(VirXual Channel Memory)也是很重要的一员。
VCM即“虚拟通道存储器”，这也是大多数较新的芯片组支持的一种内存标准，VCM 内存主要根据由NEC公司开发的一种“缓存式DRAM”技术制造而成，它集成了“通道缓存”，
由高速寄存器进行配置和控制。
在实现高速数据传输的同时，VCM还维持着对传统SDRAM 的高度兼容性，所以通常也把VCM内存称为VCM SDRAM。
VCM与SDRAM的差别在于不论是否经过CPU处理的数据，都可先交于VCM进行处理，而普通的SDRAM就只能处理经CPU处理以后的数据，所以VCM要比SDRAM处理数据的速度快20%以上。
可以支持VCM SDRAM的芯片组很多，包括：Intel的815E、VIA的694X等。
RDRAM
Intel在推出：PC-100后，由于技术的发展，PC-100内存的800MB/s带宽已经不能满足需求，而PC-133的带宽提高并不大(1064MB/s)，同样不能满足日后的发展需求。
Intel为了达到独占市场的目的，与Rambus公司联合在PC市场推广Rambus DRAM(DirectRambus DRAM)，如图4-3所示。
Rambus DRAM是：Rambus公司最早提出的一种内存规格，采用了新一代高速简单内存架构，从而可以减少数据的复杂性，使得整个系统性能得到提高。
Rambus使用400MHz 的16bit总线，在一个时钟周期内，可以在上升沿和下降沿的同时传输数据，这样它的实际速度就为400MHz×2=800MHz，理论带宽为(16bit×2×400MHz/8)1.6GB/s，相当于PC-100的两倍。
另外，Rambus也可以储存9bit字节，额外的一比特是属于保留比特，可能以后会作为：ECC(ErroI·Checking and Correction，错误检查修正)校验位。
Rambus的时钟可以高达400MHz，而且仅使用了30条铜线连接内存控制器和RIMM(Rambus In-line MemoryModules，Rambus内嵌式内存模块)，减少铜线的长度和数量就可以降低数据传输中的电磁干扰，从而快速地提高内存的工作频率。
不过在高频率下，其发出的热量肯定会增加，因此第一款Rambus内存甚至需要自带散热风扇。
五、DDR3时代
DDR3相比起DDR2有更低的工作电压，从DDR2的1.8V降落到1.5V，性能更好更为省电；DDR2的4bit预读升级为8bit预读。
DDR3最高能够1600Mhz的速度，由于最为快速的DDR2内存速度已经提升到800Mhz/1066Mhz的速度，因而首批DDR3内存模组将会从1333Mhz的起跳。
在Computex大展我们看到多个内存厂商展出1333Mhz的DDR3模组。
DDR3在DDR2基础上采用的新型设计：
1．8bit预取设计，而DDR2为4bit预取，这样DRAM内核的频率只有接口频率的1/8，DDR3-800的核心工作频率只有100MHz。
2．采用点对点的拓扑架构，以减轻地址/命令与控制总线的负担。
3．采用100nm以下的生产工艺，将工作电压从1.8V降至1.5V，增加异步重置（Reset）与ZQ校准功能。
内存ddr,ddrii,ddr3的区别
内存条是连接CPU 和其他设备的通道，起到缓冲和数据交换作用。
我们平时使用的程序，一般都是安装在硬盘等外存上的，但仅此是不能使用其功能的，必须把它们调入内存中运行，才能真正使用其功能，通常我们把要永久保存的、大量的数据存储在外存上，而把一些临时的或少量的数据和程序放在内存上。
内存分为DRAM和ROM两种，前者又叫动态随机存储器，它的一个主要特征是断电后数据会丢失，我们平时说的内存就是指这一种；后者又叫只读存储器，我们平时开机首先启动的是存于主板上ROM中的BIOS程序，然后再由它去调用硬盘中的Windows，ROM 的一个主要特征是断电后数据不会丢失。
内存的性能指标
评价内存条的性能指标一共有四个：
(1) 存储容量：即一根内存条可以容纳的二进制信息量，如常用的168线内存条的存储容量一般多为32兆、64兆和128兆。
而DDRII3普遍为1GB到2GB。
(2) 存取速度（存储周期）：即两次独立的存取操作之间所需的最短时间，又称为存储周期，半导体存储器的存取周期一般为60纳秒至100纳秒。
(3) 存储器的可靠性：存储器的可靠性用平均故障间隔时间来衡量，可以理解为两次故障之间的平均时间间隔。
(4)性能价格比：性能主要包括存储器容量、存储周期和可靠性三项内容，性能价格比是一个综合性指标，对于不同的存储器有不同的要求。