2二极管和三极管
常用二三极管品牌
常用二三极管品牌一、引言二三极管（二极管和三极管）是电子元器件中常用的一种电子器件。
它们广泛应用于电路中的开关、放大、整流等功能。
在市场上，有许多不同品牌的二三极管可供选择。
本文将介绍几个常用的二三极管品牌及其特点。
二、常用二三极管品牌及特点1. 三极管品牌A品牌A是市场上知名的二三极管供应商之一，其产品质量可靠，性能稳定。
该品牌的二三极管具有以下特点：- 高可靠性：品牌A的二三极管采用优质材料创造，经过严格的质量控制，具有较低的故障率和长寿命。
- 低功耗：品牌A的二三极管具有低功耗特性，能够在电路中提供高效的性能。
- 大电流承受能力：品牌A的二三极管能够承受较大的电流，适合于需要高电流驱动的应用。
2. 二极管品牌B品牌B是二极管领域的知名品牌，其产品广泛应用于各种电子设备中。
该品牌的二极管具有以下特点：- 快速开关速度：品牌B的二极管具有快速的开关速度，能够在电路中实现高频率的开关操作。
- 低反向漏电流：品牌B的二极管具有较低的反向漏电流特性，可以有效减少功耗和能量损失。
- 小尺寸：品牌B的二极管体积小巧，适合在空间有限的电路中使用。
3. 三极管品牌C品牌C是一家专注于高性能三极管的创造商。
其产品在市场上享有很高的声誉，具有以下特点：- 高频特性：品牌C的三极管能够在高频率下工作，适合于需要高频放大的应用。
- 低噪声：品牌C的三极管具有低噪声特性，能够提供清晰的信号放大效果。
- 温度稳定性：品牌C的三极管在不同温度下的性能变化较小，适合于各种工作环境。
4. 二三极管品牌D品牌D是一家国际知名的电子元器件供应商，其二三极管产品具有以下特点：- 多样化选择：品牌D提供多种不同类型、封装和规格的二三极管，能够满足不同应用的需求。
- 高性价比：品牌D的二三极管性价比较高，价格相对较为合理，适合大规模生产和应用。
- 全球服务网络：品牌D在全球范围内建立了完善的销售和技术支持网络，能够及时响应客户需求。
三、结论以上介绍了几个常用的二三极管品牌及其特点。
二极管与三极管
二极管三极管区别
二极管三极管区别一、根本区别二极管与三极管的根本区别在于：二极管有两个脚，三极管三个脚，三极管有电流放大作用（即，基极电流对集电极电流的控制作用。
）二极管没有放大作用，它具有单向导电的特性。
放大：是基极电流对集电极电流的控制作用，表现为：基极的电流变化，反映在集电极就是一个成比例（集电极电流=基极电流乘以三极管的放大倍数）的电流变化。
放大的实质是通过三极管的电流控制功能，从电源获取能量，将基极输入的模拟量放大输出在集电极负载上（电流的变化，在负载上又表现为电压的变化）。
所以，实际放大的是基极输入的模拟量。
二、工作原理的区别二极管是一种具有单向导电的二端器件，有电子二极管和晶体二极管之分，电子二极管现以很少见到，比较常见和常用的多是晶体二极管。
二极管的单向导电特性，几乎在所有的电子电路中，都要用到半导体二极管，它在许多的电路中起着重要的作用，它是诞生最早的半导体器件之一，其应用也非常[1]广泛。
三极管的工作原理三极管是一种控制元件，主要用来控制电流的大小，以共发射极接法为例（信号从基极输入，从集电极输出，发射极接地），当基极电压UB有一个微小的变化时，基极电流IB也会随之有一小的变化，受基极电流IB的控制，集电极电流IC会有一个很大的变化，基极电流IB越大，集电极电流IC也越大，反之，基极电流越小，集电极电流也越小，即基极电流控制集电极电流的变化。
但是集电极电流的变化比基极电流的变化大得多，这就是三极管的放大作用。
IC 的变化量与IB变化量之比叫做三极管的放大倍数β（β=ΔIC/ΔIB, Δ表示变化量。
），三极管的放大倍数β一般在几十到几百倍。
三极管在放大信号时，首先要进入导通状态，即要先建立合适的静态工作点，也叫建立偏置 ,否则会放大失真。
二级管主要就是单向导电性，三极管主要是电压，电流的放大。
三、种类区别晶体管：最常用的有三极管和二极管两种。
三极管以符号BG（旧）或（T）表示，二极管以D表示。
二极管和三极管原理ppt课件
37
① N沟道结型场效应管
基底:N型半导体
D（drain）
两边是P区
G（grid）
N PP
D G
D G
S
S
S（source）
精导品pp电t 沟道
38
② P沟道结型场效应管
D（drain）
G（grid）
P NN
S（source）
精品ppt
D G
D G
S
S
39
工作原理（以P沟道为例）
① 栅源电压UGS对导电沟道的影响
14
+
Si
Si
B
BSi
Si
Si
Si
空穴
掺硼的半导体中，空穴的数目远大于自由电子的数目。空
穴为多数载流子，自由电子是少数载流子，这种半导体称为空 穴型半导体或P型半导体
一般情况下，掺杂半导体中多数载流子的数量可达到少数
载流子的1010倍或更多精。品ppt
15
二、半导体二极管
精品ppt
16
PN 结的形成
精品ppt
26
由于少数载流子数量很少，因此反向电流不大，即 PN结呈现的反向电阻很高。 （换句话说，在P型半导 体中基本上没有可以自由运动的电子，而在N型半导体 中基本上没有可供电子复合的空穴，因此，产生的反向 电流就非常小。）
值得注意的是：因为少数载流子是由于价电子获 得热能(热激发)挣脱共价键的束缚而产生的，环境温度 愈高，少数载流子的数目愈多。所以温度对反向电流的 影响很大。
在金属导体中只有电子这种载流子，而半导体中存在空
穴和电子两种载流子，在外界电场的作用下能产生空穴流和
电子流，它们的极性相反且运动方向相反，所以，产生的电
二极管和三极管常识介绍
晶体二极管在电路中常用“D”加数字表示，如：D5表示编号为5的二极管。
1、作用：二极管的主要特性是单向导电性，也就是在正向电压的作用下，导通电阻很小；而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大。
正因为二极管具有上述特性，无绳电话机中常把它用在整流、隔离、稳压、极性保护、编码控制、调频调制和静噪等电路中。
电话机里使用的晶体二极管按作用可分为：整流二极管（如1N4004）、隔离二极管（如1N4148）、肖特基二极管（如BAT85）、发光二极管、稳压二极管等。
2、识别方法：二极管的识别很简单，小功率二极管的N极（负极），在二极管外表大多采用一种色圈标出来，有些二极管也用二极管专用符号来表示P极（正极）或N极（负极），也有采用符号标志为“P”、“N”来确定二极管极性的。
发光二极管的正负极可从引脚长短来识别，长脚为正，短脚为负。
3、测试注意事项：用数字式万用表去测二极管时，红表笔接二极管的正极，黑表笔接二极管的负极，此时测得的阻值才是二极管的正向导通阻值，这与指针式万用表的表笔接法刚好相反。
晶体三极管在电路中常用“Q”加数字表示，如：Q17表示编号为17的三极管。
1、特点：晶体三极管（简称三极管）是内部含有2个PN结，并且具有放大能力的特殊器件。
它分NPN型和PNP型两种类型，这两种类型的三极管从工作特性上可互相弥补，所谓OTL电路中的对管就是由PNP型和NPN型配对使用。
电话机中常用的PNP型三极管有：A92、9015等型号；NPN型三极管有：A42、9014、9018、9013、9012等型号。
2、晶体三极管主要用于放大电路中起放大作用，在常见电路中有三种接法。
为了便于比较，将晶体管三种接法电路所具有的特点列于下表，供大家参考。
名称共发射极电路共集电极电路（射极输出器）共基极电路输入阻抗中（几百欧～几千欧）大（几十千欧以上）小（几欧～几十欧）输出阻抗中（几千欧～几十千欧）小（几欧～几十欧）大（几十千欧～几百千欧）电压放大倍数大小（小于1并接近于1）大电流放大倍数大（几十）大（几十）小（小于1并接近于1）功率放大倍数大（约30～40分贝）小（约10分贝）中（约15～20分贝）三极管的导通条件：三极管的导通条件是：发射结加正向电压，集电结加反向电压。
三极管检波和二极管检波
三极管检波和二极管检波三极管检波和二极管检波都是无线电通信中用于检测调制在高频信号上的低频信号（即信息）的方法。
以下是这两种检波方式的区别：
1. 工作原理：三极管检波的工作原理是利用三极管的放大作用，将高频信号通过三极管放大后，再将其输出到负载上。
而二极管检波则是利用二极管的单向导电性，将高频信号通过二极管整流后，输出低频信号。
2. 输出信号：由于三极管具有放大作用，因此三极管检波的输出信号幅度较大，可以驱动较大的负载。
而二极管检波的输出信号幅度较小，通常需要经过放大器进行放大后才能驱动较大的负载。
3. 响应速度：由于三极管内部存在电荷移动，因此三极管检波的响应速度较慢，无法适应高速信号的检波。
而二极管检波的响应速度较快，可以适应高速信号的检波。
4. 适用场景：三极管检波适用于需要放大低频信号的场景，例如音频信号的放大。
而二极管检波适用于需要高速响应的场景，例如通信、雷达等。
综上所述，三极管检波和二极管检波各有其特点，具体选择哪种检波方式需要根据实际需求来决定。
二极管三极管测量方法
二极管三极管测量方法二极管是一种最基本的电子元件，通常用于整流、稳压和开关等电路中。
而三极管是一种更为复杂的电子元件，可以用作放大器、开关和振荡器等。
在实际测量中，我们可以使用以下方法来测量二极管和三极管的特性。
二极管的测量方法：1.直流正向电压测量：将电压表的正极接在二极管的正极上，负极接在二极管的负极上，此时电压表显示的电压即为二极管的正向电压。
2.直流反向电压测量：将电压表的正极接在二极管的负极上，负极接在二极管的正极上，此时电压表显示的电压即为二极管的反向电压。
3.正向电流测量：将电流表的正极接在二极管的正极上，负极接在二极管的负极上，此时电流表显示的电流即为二极管的正向电流。
4.反向电流测量：将电流表的正极接在二极管的负极上，负极接在二极管的正极上，此时电流表显示的电流即为二极管的反向电流。
5.正向电阻测量：使用万用表的正向电阻档测量二极管的电阻值，连接方法类似于正向电流测量。
6.反向电阻测量：使用万用表的反向电阻档测量二极管的电阻值，连接方法类似于反向电流测量。
三极管的测量方法：1.静态工作点测量：使用直流电压源和电压表、电流表对三极管进行静态工作点测量。
首先将直流电压源的正极接在三极管的第一极（发射极或基极）上，负极接在三极管的第三极（集电极或射极）上。
将电压表和电流表的正负极依次接在三极管的各极上，可以测量出各极的电压和电流值。
2.动态工作点测量：使用示波器和信号源对三极管进行动态工作点测量。
通过连接示波器的探头，可以测量出三极管不同极的输出信号波形。
同时，通过连接信号源的输入端，可以调整输入信号的频率和幅度，以观察三极管的放大效果和变化情况。
3.负载线测量：将三极管的输入端连接到信号源，输出端连接到负载电阻上。
通过改变输入信号的幅度和频率，可以测量出三极管的负载线，即输入信号和输出信号之间的关系曲线。
在测量二极管和三极管时，需要注意以下几点：1.测量前确认测量仪器的选择和连接方式是正确的，避免出现误差。
二、三极管命名法
半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。五个部分意义如下：
第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管
第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。
4、国际电子联合会半导体器件型号命名方法
德国、法国、意大利、荷兰、比利时等欧洲国家以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等东欧国家，大都采用国际电子联合会半导体分立器件型号命名方法。这种命名方法由四个基本部分组成，各部分的符号及意义如下：
第一部分：用字母表示器件使用的材料。A-器件使用材料的禁带宽度Eg=0.6~1.0eV如锗、B-器件使用材料的Eg=1.0~1.3eV如硅、C -器件使用材料的Eg>1.3eV如砷化镓、D-器件使用材料的Eg<0.6eV如锑化铟、E-器件使用复合材料及光电池使用的材料
第四部分：用数字表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号。两位以上的整数-从“11”开始，表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号；不同公司的性能相同的器件可以使用同一顺序号；数字越大，越是近期产品。
第五部分：用字母表示同一型号的改进型产品标志。A、B、C、D、E、F表示这一器件是原型号产品的改进产品。
2、整流二极管后缀是数字，表示器件的最大反向峰值耐压值，单位是伏特。
3、晶闸管型号的后缀也是数字，通常标出最大反向峰值耐压值和最大反向关断电压中数值较小的那个电压值。
如：BDX51-表示NPN硅低频大功率三极管，AF239S-表示PNP锗高频小功率名法
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3.集-射极反向截止电流(穿透电流)ICEO
IB=0
– A + ICEO
ICEO受温度的影响大。 温度ICEO，所以IC 也相应增加。三极管的
温度特性较差。
4. 集电极最大允许电流 ICM
集电极电流 IC上升会导致三极管的值的下降， 当值下降到正常值的三分之二时的集电极电流即 为 ICM。
5. 集-射极反向击穿电压U(BR)CEO
(1) 稳定电压UZ 稳压管正常工作(反向击穿)时管子两端的电压。
(2) 电压温度系数ｕ
环境温度每变化1C引起稳压值变化的百分数。
(3) 动态电阻 rZ
UZ IZ
rZ愈小，曲线愈陡，稳压性能愈好。
(4) 稳定电流 IZ 、最大稳定电流 IZM
(5) 最大允许耗散功率 PZM = UZ IZM
14.5 半导体三极管
1）直观地分析管子的工作状态 2）合理地选择偏置电路的参数，设计性能良好的 电路 重点讨论应用最广泛的共发射极接法的特性曲线
14.5.4 主要参数
表示晶体管特性的数据称为晶体管的参数，晶体
管的参数也是设计电路、选用晶体管的依据。
1. 电流放大系数
当晶体管接成发射极电路时，
直流电流放大系数
___
IC
14.3.2 伏安特性
特点：非线性
I
反向击穿 电压U(BR)
反向电流 在一定电压 范围内保持 常数。
P– + N 反向特性
外加电压大于反向击 穿电压二极管被击穿， 失去单向导电性。
正向特性
P+ – N
导通压降
硅0.6~0.8V 锗0.2~0.3V
U
死区电压
硅管0.5V, 锗管0.1V。
外加电压大于死区 电压二极管才能导通。
文件名
尽信书，则不如无书
自由电子 本征半导体的导电机理
价电子在获得一定能量
（温度升高或受光照）后，
Si
Si
即可挣脱原子核的束缚， 成为自由电子（带负电），
同时共价键中留下一个空
Si
空穴
Si
价电子
位，称为空穴（带正电）。 这一现象称为本征激发。
温度愈高，晶体中产 生的自由电子便愈多。
在外电场的作用下，空穴吸引相邻原子的价电子
少子的漂移运动
动越强，而漂移使空间 电荷区变薄。
P 型半导体
内电场 N 型半导体
－－－－－－ + + + + + + －－－－－－ + + + + + + －－－－－－ + + + + + + 动画 － － － － － － + + + + + +
浓度差 多子的扩散运动
形成空间电荷区
扩散的结果使
空间电荷区变宽。
IC(mA) <0.001 0.70 1.50 2.30 3.10 3.95 IE(mA) <0.001 0.72 1.54 2.36 3.18 4.05
结论:
1）三电极电流关系 IE = IB + IC
2） IC IB ， IC IE
3） IC IB
把基极电流的微小变化能够引起集电极电流较大变
发射极电流放大倍数
IB ICBO ICE
N
P EC
B
ICEICICBOIC
IBE IBICBOIB
RB IBE N
EB
E IE
I C I B ( 1)I CB O I B I CEO
若IB =0, 则 IC ICE0集－射极穿透电流, 温度ICEO
忽 IC略 E ， O IC 有 IB(常用公式)
4. 二极管的反向电流受温度的影响，温度愈高反 向电流愈大。
14.4 稳压二极管
1. 符号
2. 伏安特性
I
_+
稳压管正常工作
时加反向电压
UZ
O
U
稳压管反向击穿
后，电流变化很大，
但其两端电压变化 很小，利用此特性，
UZ
IZ
IZ IZM
稳压管在电路中可 起稳压作用。
使用时要加限流电阻
3. 主要参数
化的特性称为晶体管的电流放大作用。
实质:用一个微小电流的变化去控制一个较大电流的
变化，是CCCS器件。
3.三极管内部载流子的运动规律
集电结反偏，
C
有少子形成的
反向电流ICBO。
ICBO ICE
N
基区空穴
B
向发射区的
P
扩散可忽略。
RB IBE
N
进入P 区的电 子少部分与基区
EB
E IE
的空穴复合，形
IC
mA
IB
+
A
RB
+
V UBE + 输– 入回–路
V UCE
+ EC
输出回路 –
–
EB 共发射极电路
发射极是输入回路、输出回路的公共端
1. 输入特性 IBf(UB)EUCE 常 数
特点:非线性
IB(A) 80 60 40
20 O 0.4
UCE1V
正常工作时发射结电压： NPN型硅管
UBE 0.6~0.7V PNP型锗管
动画 掺入三价元素 空穴 掺杂后空穴数目大量
增加，空穴导电成为这 种半导体的主要导电方 式，称为空穴半导体或 P型半导体。 在 P 型半导体中空穴是多 数载流子，自由电子是少数 载流子。
无论N型或P型半导体都是中性的，对外不显电性。
14.2 PN结
14.2.1 PN结的形成
内电场越强，漂移运
空间电荷区也称 PN 结
UBE 0.2 ~ 0.3V
0.8 UBE(V)
死区电压： 硅管0.5V， 锗管0.1V。
2. 输出特性 ICf(UCE )IB常 数
输出特性曲线通常分三个工作区：
IC(mA ) 4 3
2 放大区
1 O3 6 9
(1) 放大区
100A 80A
在放大区有 IC= IB ， 也称为线性区，具有恒
60A 流特性。
（3）饱和区 当UCE UBE时，晶
体管工作于饱和状态。
在饱和区，IB IC， 发射结处于正向偏置，
集电结也处于正偏。
1 O3
20A IB=0
6 9 12 UCE(V)
截止区
深度饱和时，
硅管UCES 0.3V， 锗管UCES 0.1V。
1.5.3 特性曲线
即管子各电极电压与电流的关系曲线，是管子 内部载流子运动的外部表现，反映了晶体管的性能， 是分析放大电路的依据。 为什么要研究特性曲线：
40A
在放大区，发射结处
20A 于正向偏置、集电结处 IB=0 于反向偏置，晶体管工 12 UCE(V) 作于放大状态。
（2）截止区
IB < 0 以下区域为截止区，有 IC 0 。 在截止区发射结处于反向偏置，集电结处于反
向偏置，晶体管工作于截止状态。
IC(mA )
饱4 和 区3
2
100A
80A 60A 40A
当集—射极之间的电压UCE 超过一定的数值时， 三极管就会被击穿。手册上给出的数值是25C、 基极开路时的击穿电压U(BR) CEO。 6. 集电极最大允许耗散功耗PCM
14.5.1 基本结
构
NPN型
集电极
发射极
C NP N E
PNP型
集电极
发射极
PN P
C
E
基极
B
符号：
NPN型三极管
基极
B PNP型三极管
C IC B
C IC B
IB E
IE
IB E
IE
结构特点：
集电区： 面积最大
集电结 基极 B
集电极 C
N P N
基区：最薄， 掺杂浓度最低
发射结
E 发射极
发射区：掺 杂浓度最高
Si
Si
pS+i
Si
多
掺杂后自由电子数目
余 大量增加，自由电子导电
电 成为这种半导体的主要导
子 电方式，称为电子半导体
动画 或N型半导体。
失去一个 电子变为 正离子
磷原子
在N 型半导体中自由电子 是多数载流子，空穴是少数
载流子。
14.1.2 N型半导体和 P 型半导体
Si
Si
BS–i
Si
硼原子 接受一个 电子变为 负离子
P IF
内电场 N
外电场
+–
形成较大的 扩散电流。
PN 结加正向电压时，PN结变窄，正向电流较 大，正向电阻较小，PN结处于导通状态。
2. PN 结加反向电压（反向偏置）P接负、N接正
－－－ － －－ + + + + + +
动画
－－－ － －－ + + + + + +
－－－ － －－ + + + + + +
14.5.3 特性曲线
即管子各电极电压与电流的关系曲线，是管子 内部载流子运动的外部表现，反映了晶体管的性能， 是分析放大电路的依据。 为什么要研究特性曲线：
1）直观地分析管子的工作状态 2）合理地选择偏置电路的参数，设计性能良好的 电路 重点讨论应用最广泛的共发射极接法的特性曲线
测量晶体管特性的实验线路
P
内电场 外电场
N
–+
2. PN 结加反向电压（反向偏置）P接负、N接正