薄膜材料制备与技术第四篇

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薄膜材料的制备及性能研究

薄膜材料的制备及性能研究

薄膜材料的制备及性能研究第一章:薄膜材料的基础知识薄膜材料是指厚度在一个纳米到几微米之间的材料,由于其具有较大的比表面积和界面能,从而表现出了明显的物理和化学性质,应用广泛。

薄膜材料可以制备出各种不同形态和结构的材料,包括单层,多层和复合薄膜。

薄膜可以用于制备各种功能性材料,例如光电材料,传感器,能源材料和生物医学材料等。

因此薄膜材料的制备和性能研究已经成为了材料科学中一个重要的研究方向。

第二章:薄膜制备技术薄膜制备技术可以分为物理气相沉积(PVD),化学气相沉积(CVD),溶液法和电化学法等。

其中PVD主要应用于粘附性要求高的金属材料,CVD是为了制作半导体器件而发展出来的技术。

溶液法和电化学法则可以用来制备具有大面积、低成本和环境友好等特点的薄膜材料,因此是应用最为广泛的制备技术之一。

采用这两种技术制备的薄膜具有谷电导,谷光导和电化学性质等。

第三章:薄膜材料的性能研究具体来说,薄膜材料的性能包括表面化学性质、表面结构、光电性质和力学性质。

如表面化学性质可以通过XPS、FTIR和Tof-SIMS等技术进行表征,表面结构可以利用STM和AFM等技术来研究;光电性质则可以通过光谱测量和电学测试等手段来探究,力学性质则可以通过纳米压痕实验等方法来研究。

另外,薄膜材料的吸湿性、稳定性和生物相容性也是需要考虑的因素。

第四章:薄膜材料的应用领域举例薄膜材料由于其独特的性质,在许多领域中都有着广泛的应用。

以太阳能电池为例,在这种光电器件中,薄膜材料被用来制作光电转换器件和透明电极等部件,这直接关系到其光电性能和机械稳定性。

另外,在生物医学领域中,薄膜材料可以用来制备药物输送系统和人工血管等医学器械,用于有效地传递和释放药物。

第五章:未来展望在未来,薄膜材料将面临更加广泛和深入的应用前景。

例如,在生物医学领域中,薄膜材料可以用于制备智能药物释放系统,这将为治疗慢性疾病提供更有效的途径。

此外,在电子器件中,薄膜材料可以用于制作超薄管道、柔性器件和透明电极等。

薄膜材料的制备及其应用

薄膜材料的制备及其应用

薄膜材料的制备及其应用薄膜材料是一种非常重要的材料,在形态和用途上都非常广泛。

与传统的块材料不同,薄膜材料可以制备成各种形状和大小,非常适合各种特殊需求的场合。

薄膜材料的制备技术也变得越来越成熟和多样化,能够满足不同领域的需求。

本文将从薄膜材料的制备和应用两个方面阐述其重要性。

一、薄膜材料的制备方法薄膜制备的方法有很多,可以根据需要选择不同的方法。

其中一些主要的方法有:1. 溅射法。

该方法是一种常见的薄膜制备方法,依靠高温下的原子或离子的加速碰撞使得物质凝聚在样品表面上,形成一层薄膜。

2. 化学气相沉积法。

该方法利用气相反应,使物质沉积在样品表面上,也是一种经常使用的薄膜制备方法。

3. 溶液法。

该方法利用一定的溶剂将物质溶解,然后通过各种方式沉积在样品表面上,也是一种略微便宜的方法。

薄膜材料的制备方法可以根据具体情况进行选择。

例如,需要制备高质量的薄膜材料,则溅射法和化学气相沉积法更适用,对薄膜材料的结晶质量有更高的要求。

需要大规模制备时,则可以使用溶液法,因为溶液法的成本相对较低。

二、薄膜材料的应用薄膜材料在很多领域都有广泛的应用,其中一些主要的领域有:1. 太阳能电池。

薄膜太阳能电池相对于其他太阳能电池的优势在于其更低的制造成本和更低的重量。

这就是为什么薄膜太阳能电池在过去几年里变得越来越流行的原因。

2. 光电显示器。

我们的笔记本电脑和手机等电子产品中使用的另一个薄膜材料是透明电极。

这种材料可以被施加电压来产生电子,从而控制光的透过。

3. 薄膜防护层。

薄膜材料不仅可以用来制造电子产品,还可以用来保护它们。

例如,我们可以使用一层防护膜来保护手机或平板电脑的屏幕免受划伤或破碎。

4. 超级电容器。

超级电容器是利用电容器原理储存电能的装置,其制作的核心就是薄膜电极。

使用薄膜电极具有较大的表面积,从而增加了超级电容器储存电能的能力。

总的来说,薄膜材料在现代科技领域的应用非常广泛,其制备方法也越来越成熟。

材料科学中的薄膜材料的制备与表征

材料科学中的薄膜材料的制备与表征

材料科学中的薄膜材料的制备与表征薄膜材料是材料科学中一类重要的材料,在许多工业领域和科学研究中扮演着重要的角色。

薄膜材料的制备和表征是该领域研究的核心内容,涉及到许多先进的制备技术和表征方法。

首先,我们来介绍一下薄膜材料的制备技术。

薄膜材料的制备可以通过物理、化学和生物方法来实现。

物理制备方法包括蒸发、溅射、离子束沉积等,这些方法主要通过物理手段将原料蒸发或溅射到基底上形成薄膜。

化学制备方法包括溶液法、凝胶法、气相沉积等,其中溶液法是一种常见且简便的制备方法,通过溶液中原料的反应和沉积来制备薄膜。

生物制备方法则利用生物体自身的成分和机制来合成和组装薄膜材料。

薄膜材料的制备过程中需要考虑多个因素,包括原料的选择和纯度、沉积速率控制、温度和压力的控制等。

在物理制备中,质量和形态的控制是关键,需要精确控制蒸发或溅射参数来得到所需的薄膜,同时还需要考虑沉积速率对薄膜性能的影响。

在化学制备中,反应物的选择和配比、溶液浓度、温度等因素都会影响薄膜的性质。

生物制备方法则需要考虑生物体自身的特性和条件来控制薄膜的组装和形态。

薄膜材料制备完成后,需要进行表征以了解其结构和性质。

薄膜材料的表征常用的方法包括X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)等。

XRD可以用于表征薄膜的结晶性质和晶格参数,通过分析衍射峰可以确定薄膜的纯度和晶体结构。

SEM和TEM则可以提供薄膜的形貌和微观结构信息,通过观察电子显微镜图像可以了解薄膜的表面形态和内部结构。

此外,还可以使用光学显微镜、拉曼光谱、电子能谱等其他表征方法对薄膜材料进行更详细的分析。

在薄膜材料的表征过程中,需要注意一些关键指标的检测。

例如,薄膜的厚度是一个非常重要的参数,可以通过表面轮廓仪、原子力显微镜、步进剥离等方法来测量。

薄膜的化学成分可以通过X射线光电子能谱(XPS)和能谱仪来确定。

光学性质是另一个需要表征的重要方面,可以通过紫外可见吸收光谱、荧光光谱等方法来研究薄膜的光学特性。

薄膜制备与表面分析(IV)

薄膜制备与表面分析(IV)
陶瓷薄膜在高温、高强度、抗氧化等极端 环境下具有优异性能,广泛应用于航空航 天、能源、环保等领域。
THANKS
感谢观看
原理
利用量子力学中的隧道效应,通过测 量针尖与样品表面之间的电流,获得 样品表面的形貌信息。
应用
用于薄膜表面的形貌观察、原子级分 辨率的表面结构研究等。
优点
能够提供原子级分辨率的表面形貌信 息,具有最高的空间分辨率。
缺点
需要制备导电样品,对某些材料可能 需要特殊的处理。
反射式高能电子衍射
原理
应用
利用高能电子束照射样品表面,通过测量 电子束在样品表面的反射和衍射,获得样 品的晶体结构和表面结构信息。
优点
缺点
薄膜质量不稳定、成分不均匀、热处 理温度高。
制备工艺简单、成本低、可制备大面 积的薄膜。
喷雾热解法
制备过程
将溶液或溶胶通过喷雾器 喷涂在基底表面,经过热 解和反应形成薄膜。
优点
制备工艺简单、可制备大 面积的薄膜、成分易于控 制。
缺点
薄膜质量不稳定、成分不 均匀、需要较高的热解温 度。
03
案例三:陶瓷薄膜制备与表面分析
陶瓷薄膜制备方法
溶胶-凝胶法、化学气相沉积(CVD)、物 理气相沉积(PVD)等。
表面形貌分析
通过原子力显微镜(AFM)和扫描电子显 微镜(SEM)观察表面粗糙度和微观结构。
表面成分分析
利用能量散射谱(EDS)和X射线光电子能 谱(XPS)确定元素组成和化学状态。
应用领域
用于薄膜材料的晶体结构和表面结构分析 、表面重构研究等。
优点
缺点
能够提供高精度的晶体结构和表面结构信 息,具有较高的能量分辨率和角度分辨率 。

第四讲 薄膜制备方法

第四讲 薄膜制备方法
象称为“溅射”。 (固体表面在入射粒子的高速碰撞下,放射出中性原子或分子这是薄膜淀 积的基本条件。)
基本原理:利用气体放电、等离子体中产生的离子轰击镀料靶的表面,
产生溅射现象,使靶表面的原子或分子被碰撞飞出。飞出的原子或分子 沉积在与靶对向放置的基板上形成薄膜。 1. 2. 3. Ar 气体原子的解离 Ar Ar+ + e- 电子被加速至阳极,途中产生新的解 离。 Ar 离子被加速至阴极撞击靶材,靶材 粒子及二次电子被击出,前者到达基 板表面进行薄膜生长,而后者被加速 至阳极途中促成更多的解离。
溅射参数



溅射阈值 溅射率 溅射粒子的速度 溅射粒子的能量 溅射速率和沉积率

溅射阈值:将靶材原料溅射出来所需的 入射离子的最小能量值.
溅射阈值与入射离子的质量无明显依赖 关系系,与靶材有很大的关系. 溅射阈值随靶材原子序数增加而减小

溅射率:入射正离子轰击靶阴极时,平均每个正离子 能从靶阴极中打出的原子数,又称溅射产额或溅射系 数. ( 溅射率一般随靶材的原子序数增加而增大,元素 相同结构不同的靶材具有不同溅射率 ) 多晶材料的溅射率:
基片的放置


在实际溅射镀膜中,基片通常置于负辉 光区作为阳极使用. 阴极和基片的距离至少是克鲁克斯暗区 的3-4倍
靶材的溅射过程

伴随着粒子轰击的各种现象,如下图示:
放射出的中性原子或分子是薄膜沉积的基本条件
溅射理论的解释 动量理论

动量理论:溅射是轰击粒子与靶粒之间 动量的传递。即粒子撞击在靶上把一部 分动量传递给原子,如果粒子获得的动 能大于它的结合能,那么它就能脱离点 阵而射出。
离子镀和离子束沉积
应用与离子相关的薄膜制备技术:

薄膜材料的制备和表征分析

薄膜材料的制备和表征分析

薄膜材料的制备和表征分析近年来,薄膜材料的制备和表征分析已经成为了一个热门的研究领域。

薄膜材料,指的是厚度在几纳米到几百微米之间的材料,由于其极小的尺寸和高比表面积,具有很多独特的物理、化学和材料特性。

这种材料近年来被广泛应用于复杂的电子器件、生物医学、分析化学等领域。

因此,对薄膜材料的制备方法和表征分析技术进行深入的研究和探究,有助于更好地开发和应用这种材料。

一、薄膜材料制备技术薄膜材料的制备技术有很多种类。

常见的制备方法包括物理气相沉积、化学气相沉积、溅射镀膜、离子束镀膜、分子束外延以及涂覆法等。

其中,物理气相沉积通常使用的设备是真空蒸发装置。

在它的内部,材料样品被放在坩埚中。

而且通过高压电弧,材料样品被化为离子状态和粒子状态的气体。

这些气体以极高浓度流被导入真空室中,使其射到表面上,从而形成薄膜。

化学气相沉积是一个沉淀对应物质的方法,它是一种将气态物质化为固态物质的方法。

其核心原理是在气相沉积过程中,物质原子或分子通过化学反应,形成薄膜。

溅射镀膜是利用氩离子轰击靶材使材料离开靶材沉积在基板表面上形成薄膜。

离子束镀膜和分子束外延则是利用起始物质,通过强气流、热电子和离子的束束出射,碰撞到物质的靶材,然后使其形成薄膜。

涂覆法比较简单,通常是一种在基板表面上涂覆薄膜溶液或者膜浆,然后通过烘干、烘烤等处理过程形成自臻的薄膜。

此外,近年来又兴起了一种被称为“自组装”的制备方法,如自组装膜、自组装量子点等,这种方法利用材料分子之间的相互作用力,通过自发的方式组装形成薄膜。

二、薄膜材料表征分析技术表征分析技术是研究薄膜材料特性的重要手段,它可以为薄膜材料的使用和进一步研究提供基础性数据和依据。

常见的表征分析技术包括扫描电镜成像、X射线衍射、拉曼光谱、电子能谱等。

扫描电镜是一种利用电子束照射样品表面,通过检测样品电子信息制成图片或场景的技术。

它可以提供材料表面的拓扑形态,包括结构、相貌和纹理等特征。

X射线衍射技术通过探测材料的晶体结构,实现快速精确地分析材料的进化、物性与性能等方面的问题。

薄膜材料的制备和应用研究进展

薄膜材料的制备和应用研究进展

薄膜材料的制备和应用研究进展薄膜材料是一种在日常生活中用途广泛的材料。

它的应用范围涉及光学、电子、生物医学,甚至涂层等很多领域。

制备和应用研究方面也有很多成果,本文将从几个方面介绍薄膜材料的制备方法以及应用研究进展。

一、制备方法1、物理气相沉积法物理气相沉积法是指利用热能或者电子束激励的方式使材料蒸发并沉积在基底上形成薄膜。

这种方法可以制备高质量、高结晶度的薄膜材料。

其中分子束蒸发技术和反蒸发方法属于物理气相沉积法的一种,依靠非常高的真空和完整的分子束,可以制备出高质量的薄膜材料,但是设备成本也非常高。

2、化学气相沉积法化学气相沉积法是指在较低的气压环境下,将材料前驱体分子通过热解、裂解或者还原等化学反应,制备出薄膜材料。

这种方法成本较低,操作简单,可以制备大面积、高质量的薄膜,因此尤其适合大规模生产。

3、物理涂敷法物理涂敷法是指利用物理过程,将材料沉积在基底上形成薄膜。

常见的物理涂敷法有磁控溅射、电子束蒸发、激光蒸发等。

这种方法可以制备出膜层均匀、结构紧密的薄膜,但是缺点是沉积速度较慢,不能用于大面积生产。

4、化学涂敷法化学涂敷法是指利用化学反应将材料前驱体分子沉积在基底上形成薄膜。

常见的化学涂敷法有溶胶凝胶法、自组装法等。

这种方法可以制备出薄膜材料的更多形式,如多孔薄膜、纳米结构薄膜等。

但是化学反应的复杂度和化学材料的不稳定性也增加了制备过程的难度。

二、应用研究进展1、光电材料在光电领域,薄膜材料的应用非常广泛。

其中,一些透明导电薄膜材料如氧化铟锡、氧化镓锌、氧化铟和氧化钙、锡等材料已成为制作 OLED 光电器件的重要材料。

此外,半导体材料如氧化物和硫化物薄膜也被广泛应用于光电器件中,如可见光光伏器件、光传感器等。

因此,随着该领域的发展,薄膜材料在光电设备中的应用前景不断向好。

2、生物医学薄膜材料在生物医学领域的应用也越来越广泛。

其中,一种叫做生物基薄膜的材料能够在各种生物医学应用中发挥重要作用。

材料科学中的薄膜制备技术研究综述

材料科学中的薄膜制备技术研究综述

材料科学中的薄膜制备技术研究综述薄膜作为一种重要的材料形态,在材料科学领域中具有广泛的应用。

薄膜制备技术的研究和发展,不仅能够扩展材料的功能性,并提高材料的性能,还可以为各个领域提供更多的应用可能性。

本文将综述材料科学中薄膜制备技术的研究进展,并重点探讨了几种常见的薄膜制备技术。

1. 物理气相沉积(PVD)物理气相沉积是一种常见的薄膜制备技术,它通过蒸发或溅射等方法将材料转化为蒸汽或离子,经过气相传输沉积在基底上形成薄膜。

物理气相沉积技术包括热蒸发、电子束蒸发、分子束外延和磁控溅射等方法。

这些方法在薄膜制备中具有高温、高真空和高能量等特点,能够制备出具有优异性能的薄膜。

然而,物理气相沉积技术在薄膜厚度的控制上存在一定的局限,且对于一些化学反应活性较高的材料来说,难以实现。

2. 化学气相沉积(CVD)化学气相沉积是一种将反应气体在表面上发生化学反应生成薄膜的方法。

CVD 技术根据反应条件的不同可以分为低压CVD、大气压CVD和等离子CVD等。

这些技术在实现复杂薄膜结构和化学组成控制上相较于PVD技术更具优势。

化学气相沉积技术可用于金属、氧化物、氮化物以及半导体材料等薄膜的制备。

然而,该技术所需的气体和化学物质成分较复杂,容易引起环境污染,并且对设备的要求较高。

3. 溶液法制备薄膜溶液法是一种常用的低成本、高效率的薄膜制备技术。

常见的溶液法包括旋涂法、浸渍法、喷涂法和柔性印刷法等。

这些方法通过将溶液中的溶质沉积在基底上,形成薄膜。

溶液法制备薄膜的优势在于简单易行、成本低、适用于大面积薄膜制备。

然而,溶液法制备出的薄膜常常具有较低的晶化程度和机械强度,且在高温和湿润环境下易失去稳定性。

4. 磁控溅射技术磁控溅射技术是一种通过离子轰击固体靶材的方法制备薄膜。

在磁控溅射过程中,离子轰击靶材,使靶材表面的原子转化为蒸汽,然后通过惰性气体的加速将蒸汽沉积在基底上。

磁控溅射技术可用于金属、氧化物、氮化物等薄膜的制备,并可实现厚度和成分的精确控制。

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衬底温度和沉积速率对形核过程的影响:
薄膜沉积速率R与衬底温度T是影响薄膜沉积过程和薄膜组 织的最重要的两个因素。
随着薄膜沉积速率R的提高,薄膜临界核心半径与临界形核 自由能均随之降低。因而,高的沉积速率将会导致高的形核速 率和细密的薄膜组织。
随着沉积温度上升,薄膜临界核心半径增大,新相的形成 将变得较为困难。
(3) 原子团的迁移:
在薄膜生长的初期,岛的相互合并还涉及了第三种机制, 即岛的迁移过程。
在衬底上的原子团还具有相当的活动能力,其行为有些像 小液珠在桌面上的运动。场离子显微镜已经观察到了含有两三 个原子的原子团的迁移现象。而电子显微镜的观察也发现,只 要衬底温度不是很低,拥有50~100个原子的原子团也可以发生 平移、转动和跳跃式的运动。
导致这种模式转变的物理机制比较复杂,但根本的原因应 该可以归结为薄膜生长过程中各种能量的相互消长。被列举出 来解释这一生长模式的原因至少有以下两种:
a. 虽然开始时的生长是外延式的层状生长,但是由于薄膜与衬 底之间晶格常数不匹配,因而随着沉积原子层的增加,应变 能逐渐增加。为了松弛这部分能量,薄膜在生长到一定厚度 之后,生长模式转化为岛状模式。
薄膜生长过程概述 新相的自发形核理论 薄膜的非自发形核理论 连续薄膜的形成 薄膜结构 薄膜的外延生长
第一章 薄膜生长过程概述
薄膜的生长过程直接影响薄膜的结构以及它的最终性能。 像其他材料的相变一样,薄膜的生长过程也可被划分为两个不 同的阶段,即新相的形核与薄膜的生长阶段。
在薄膜形成的最初阶段,一些气态的原子或分子开始凝聚 到衬底的表面上,从而开始了所谓的形核阶段。
实验观察到的薄膜生长模式可以被划分为以下三种:
(1) 岛状 (Volmer—Weber)生长模式:
对很多薄膜与衬底的组合来说,只要沉积温度足够高,沉 积的原子具有一定的扩散能力,薄膜的生长就表现为上图a所示 的岛状生长模式。即使不存在任何对形核有促进作用的有利位 置,随着沉积原子的不断增加,衬底上也会聚集起许多薄膜的 三维核心。
形核率:是在单位面积上,单位时间内形成的临界核心的数目。
新相形成所需要的原子可能来自:气相原子的直接沉积; ❖衬底表面吸附原子沿表面的扩散。
在形核的最初阶段,已有的核心数极少,因而后一可能性 应该是原子来源的主要部分,即形核所需的原子主要来自扩散 来的表面吸附原子。
沉积来的气相原子将被衬底所吸附,其中一部分将会返回 气相中,另一部分将由表面扩散到达已有的核心处,使得该核 心得以长大。
第四篇 薄膜的生长过程 和薄膜结构
绪言
在前面几章对薄膜沉积技术进行了一定的介绍之后,我 们已对基本的薄膜沉积方法及其可能的影响因素有了初步的了 解。而薄膜具体的生长过程,它产生的薄膜的微观组织,以及 后者与生长条件的密切关系等,是本章需要讨论的问题。
第一章 第二章 第三章 第四章 第五章 第六章
沉积温度越高,则需要形成的临界核心的尺寸越大,形核 的临界自由能势垒也越高。这与高温时沉积的薄膜首先形成粗 大的岛状组织相吻合。低温时,临界形核自由能下降,形成的 核心数目增加,这将有利于形成晶粒细小而连续的薄膜组织。
沉积速率增加将导致临界核心尺寸减小,临界形核自由能 降低,在某种程度上这相当于降低了沉积温度,将使得薄膜组 织的晶粒发生细化。
在层状生长模式下,已没有意义十分明确的形核阶段出现 。这时,每一层原子都自发地平铺于衬底或薄膜的表面,因为 这样会降低系统的总能量。
(3) 层状-岛状 (Stranski-Krastanov)生长模式:
在层状-岛状生长模式下,最开始的一两个原子层的层状生 长之后,生长模式从层状模式转化为岛状模式,如上图c所示。
第五章 薄膜结构
在对薄膜沉积过程最初的形核及核心合并过程进行了介 绍之后,下面我们讨论薄膜的生长过程以及形成的薄膜结构 。由于薄膜的生长模式可以分为外延式生长和非外延式生长 两种,我们在这一章里集中介绍非外延式的薄膜生长模式, 而将外延式的薄膜生长问题放到后面讨论。
(1) 薄膜的四种典型组织形态:
形态1型:在温度很低、气体压力较高的情况 下,入射粒子的能量很低。这种情况下形成的 薄膜微观组织。
由于温度低,原子的表面扩散能力有限,沉积到衬底表面的 原子即已失去了扩散能力。同时,薄膜形核所需的临界核心尺寸 很小,因而在薄膜的表面上,沉积的粒子会不断地形成新的核心 。由于以上两个原因,沉积组织呈现一种数十纳米直径的细纤维 状的组织形态,纤维内部陷密度很高或者就是非晶态的结构;纤 维间的结构明显疏松,存在着许多纳米尺寸的孔洞。
由于上述过程均受到相应过程的激活能控制,因此薄膜结 构的形成将与沉积时的衬底相对温度Ts/Tm以及沉积原子自身的 能量密切相关。这里Ts为衬底的温度,而Tm为沉积物质的熔点 。
下面我们以溅射方法制备的薄膜为例,讨论沉积条件对于 薄膜微观组织的影响。溅射方法制备的薄膜组织可依沉积条件 不同而呈现四种不同的组织形态。实验表明,除了衬底温度因 素以外,溅射气压对薄膜结构也有着显著的影响。这是因为, 溅射的气压越高,入射到衬底上的粒子受到气体分子的碰撞越 频繁,粒子的能量也越低。
右图是 用电子显 微镜追踪 记录Ag在 NaCl 晶 体 表面形核 过程的系 列照片。
由图片我们看到,在Ag原子到达衬底表面的最初阶段,Ag 在衬底上先是形成了一些均匀、细小而且可以运动的原子团。 我们有时形象地将这些原子团称为“岛”。这些像液珠一样的 小岛不断地接受新的沉积原子,并与其他的小岛合并而逐渐长 大,而岛的数目则很快地达到饱和。
如上图b所示,形态1组织向形态T组织转变的温度与溅射气 体压力有关。溅射气压越低,即入射粒子的能量越高,则发生转 变的温度越向低温方向移动。这表明,人射粒子能量的提高有抑 制形态1型组织出现,促进形态T型组织出现的作用。
形态2型:当温度介于Ts/Tm=0.3~0.5区间内, 原子表面扩散进行得较为充分时形成的薄膜。
原子团的运动将导致原子团间相互发生碰撞和合并(如c)。 显然,要明确区分上述各种原子团的合并机制在薄膜形成 过程中的相对重要性是很困难的。但就是在上述机制的作用下 ,原子团之间相互发生合并过程,并逐渐形成了连续的薄膜结 构。
显然,要明确区分上述各种原子团的合并机制在薄膜形 成过程中的相对重要性是很困难的。但就是在上述机制的作 用下,原子团之间相互发生合并过程,并逐渐形成了连续的 薄膜结构。
岛状核心的形成表明,被沉积的物质与衬底之间的浸润性 较差,因而前者更倾向于自己相互键合起来形成三维的岛,而 避免与衬底原子发生键合。许多金属在非金属衬底上都采取这 种生长模式。
(2) 层状 (Frank—van der Merwe)生长模式:
当被沉积物质与衬底之间的浸润性很好时,被沉积物质的 原子更倾向于与衬底原子键合。如上图b所示,薄膜从形核阶段 开始即采取二维扩展的模式,薄膜沿衬底表面铺开。薄膜在随 后的沉积过程中,一直维持这种层状的生长模式。
(1) 奥斯瓦尔多 (Ostwald)吞并过程:
设想在形核过程中已经形成了各种不同大小的许多核心。 随时间的推移,较大的核心将依靠吞并较小的核心而长大。这 一过程的驱动力来自于岛状结构的薄膜力图降低自身表面自由 能的趋势。
较小的核心中的原子将具有较高的活度,因而其平衡蒸气 压也将较高。因此,当两个尺寸大小不同的核心互为近邻的时 候,尺寸较小的核心中的原子有自发蒸发的倾向,而较大的核 心则会因其平衡蒸气压较低而吸纳蒸发来的原子。结果是较大 的核心吸收原子而长大,而较小的核心则失去原子而消失。吞 并的结果使薄膜大多由尺寸较为相近的岛状核心所组成。
b. 在层状外延生长表面是表面能比较高的晶面时,为了降低表 面能,薄膜力图将暴露的晶面改变为低能晶面。因此薄膜在 生长到一定厚度之后,生长模式会由层状模式向岛状模式转 变。
显然,在上述各种机制中,开始的时候层状生长的自由能 较低,但在其后,岛状生长模式在能量上变得更为有利。
第二章 新相的自发形核理论
(2) 熔结过程:
如上图b所示,熔结 是两个相互接触的核 心相互吞并的过程。 右图中表现了在400 C下,MoS2衬底上两 个 相 邻 的 Au 核 心 相 互吞并的过程。
从照片中可以看到,在极短的时间内,两个相邻的核心之间形 成了直接接触,随后很快地完成了相互吞并的过程。在这一熔 结机制里,表面能的降低趋势仍是整个过程的驱动力。
我们看到,ΔG*实际上就相当于形核过程的能垒。r<r*的新相核心将 处于不稳定的状态,因为由上图看到,尺寸较小的核心通过减小自身 的尺寸将可以降低自由能,因此它将倾向于再次消失。即r<r*的薄膜 核心处于不稳定的状态,它将不断地形成,也会不断地地消失。当 r>r*时,新相的核心将倾向于继续长大,因为核心的生长将使得自由 能下降。气相的过饱和度越大,则临界核心的半径越小。
从前面几章的讨论我们知道,在薄膜沉积的过程中,入射 的气相原子首先会被衬底或薄膜表面所吸附。若这些原子具有 足够的能量,它们将在衬底或薄膜表面进行一定的扩散,除了 可能脱附的部分原子之外,其他的原子将到达薄膜表面的某些 低能位置并沉积下来。
与此同时,如果衬底的温度足够高,原子还可能在薄膜内 部经历一定的扩散过程。因而,原子的沉积过程可细分为三个 过程,即气相原子的沉积,表面的扩散以及薄膜内的扩散。
在小岛合并过程进行的同时,空出来的衬底表面上又会形 成新的小岛。这一小岛形成与合并的过程不断进行,直到孤立 的小岛之间相互连接成片,最后只留下一些孤立的孔洞和沟道 ,后者不断被后沉积来的原子所填充。在空洞被填充的同时, 形成了结构上连续的薄膜。小岛合并的过程一般要进行到薄膜 厚度达到数十纳米的时候才告结束。
此时,原子在薄膜内部的体扩散虽不充分,但原子的表面扩 散能力已经很高,已可进行相当距离的扩散。在这种情况下,形 成的组织为各个晶粒分别外延而形成的均匀的柱状晶组织,柱状 晶的直径随沉积温度的增加而增加。晶粒内部缺陷密度较低,晶 粒边界的致密性较好,这使得薄膜具有较高的强度。同时,各晶 粒的表面开始呈现出晶体学平面所特有的形貌。
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