第二章 半导体三极管练习
习题2半导体三极管认知及应用
电子技术基础与技能习题2一、选择题1.当晶体管工作于饱和状态时，其（）A、发射结正偏，集电结正偏B、发射结反偏，集电结正偏C、发射结正偏，集电结反偏D、发射结反偏，集电结反偏2．测得晶体管三个电极的静态电流分别为 0.06mA,3.66mA 和 3.6mA 。
则该管的β为（）A、 60B、 40C、703．（1）温度升高，晶体管输入特性曲线（）A、右移B、左移C、不变4.温度升高，晶体管输出特性曲线（）A、上移B、下移C、不变5.温度升高，晶体管输出特性曲线间隔（）A、不变B、减小C、增大6．在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，而输出波形则出现了底部被削平的现象，这种失真是（）失真A、饱和B、截止C、饱和和截止7.失真的主要原因是（）A、输入电阻太小B、静态工作点偏低C、静态工作点偏高8.在共射、共集和共基三种基本放大电路中，输出电阻最小的是放大电路（）A、共射极B、共集电极C、共基极9．与空载相比，接上负载后，放大电路的动态范围一定_______A、不变B、变大C、变小10 图1-1所示放大电路中，已知I1>>I BQ，U BQ>>U BEQ，则当温度升高时，（）。
A．I CQ基本不变 B． I CQ减小 C．I CQ增大 D．U CEQ增大题图1-111、使用万用表直流电压档，测得电路中晶体管各极相对于某一参考点的电位如图1-2所示，从而可判断出该晶体管工作在（）A、饱和状态B、放大状态C、截止状态D、倒置状态题图1-212、为了减小温漂，通用型运放的输入级大多采用（）A、共射电路；B、共集电路；C、OCL电路；D、差动放大电路；13、差动放大电路用恒流源代替公共发射极电阻RE是为了（）A、提高共模电压放大倍数；B、提高差模电压放大倍数；C、提高差模输入电阻；D、提高共模抑制比；14、测得放大电路的开路电压为6V，若接入2KΩ的负载电阻后，测得输出电压为4V，则此放大器的输出电阻Ro为（）A、Ro=1KΩB、Ro=2KΩC、Ro=4KΩD、Ro=6KΩ15、差分放大电路，它是（）。
模拟电子技术基础 第二章练习题
注意:答案仅供参考！ 一、填空题1。
半导体三极管属于 电流 控制器件，而场效应管属于 电压 控制器件。
2。
放大器有两种不同性质的失真，分别是 线性 失真和 非线性 失真。
3. 共射极放大电路中三极管集电极静态电流增大时,其电压增益将变 大 ；若负载电阻R L 变小时，其电压增益将变 小 。
4. 单级共射极放大电路产生截止失真的原因是 静态Ic 偏小 ；产生饱和失真的原因是 Ic 偏大 ;若两种失真同时产生，其原因是 输入信号太大 。
5.静态工作点Q 点一般选择在 交流 负载线的中央。
6。
静态工作点Q 点选得过低会导致 截止 失真；Q 点选得过高会导致 饱和 失真。
7。
对于下图所示电路，设V CC =12V ，R b =510k Ω，R c =8 k Ω,V BE =0.7V ，V CE(sat ）=0.3V ，当β=50,静态电流I BQ = 22μA ，I CQ = 1.1mA ，管压降V CEQ = 3。
2V ；若换上一个当β=80，静态电流I BQ = 22μA ，I CQ = 1.46mA ，管压降V CEQ = 0.3V ，三级管工作在 饱和 状态。
8.对于下图所示电路，设V CC =12V ，三级管β=50，V BE =0。
7V ，若要求静态电流I CQ =2mA ，V CEQ =4V ，则电路中的R b = 282。
5 k Ω ，R C = 4 k Ω 。
9。
对于下图所示电路，已知V CC =12V ，R b1=27 k Ω,R c =2 k Ω，R e =1 k Ω，V BE =0。
7V,现要求静态电流I CQ =3mA ，则R b2= 12 k Ω .10.已知图示的放大电路中的三级管β=40，V BE =0。
7V,稳压管的稳定电压V Z =6V,则静态电流I BQ = 0.275mA ，I CQ = 11mA ，管压降V CEQ = 3V 。
11。
当环境温度升高时，三极管的下列参数变化的趋势是:电流放大系数β 增大 ,穿透电流I CEO 增加 ,当I B 不变时,发射结正向压降|U BE | 减小 。
电子技术第二章习题及答案
第二章晶体三极管及其放大电路一、填空题1.三极管有二个PN结，即结和结，在放大电路中结必须正偏，结必须反偏。
2.三极管有型和型，前者的图形符号是后者的图形符号是。
3.三极管各电极电流的分配关系是。
4.三极管输出特性，曲线可分为三个区域，即区、区和区。
当三极管工作在区时，关系式IC =βIB才成立；当三极管工作在区时，IC =0；当三极管工作在区时，UCE=05.有两只三极管，A管的β=200，ICEO =100μA；B管的β=60，ICEO=15μA；管比管性能好。
6.三极管的反向饱和电流ICBO 随温度升高而，穿透电流ICEO随温度升高而，β值随温度的升高而。
7.某三极管的管压降UCE 保持不变，基极电流IB=30uA时，IC=1.2mA,则发射极电流IE=如果基极电流IB 增大到50uA时，IC增加到2mA，则三极管的电流放大系数β= 。
8.工作在放大状态的三极管可作为器件，工作在截止状态和饱和状态的三极管可作为器件。
9.处于放大状态的三极管，IC 与IB的关系是，处于饱和状态的三极管IC不受I B 控制，了放大作用，处在截止状态的三极管IC。
10.PNP型三极管处于放大状态时，三个电极中极电位最高，极电位最低。
11.放大电路的功率放大倍数为100，功率增益为。
12.输入电压为400mV，输出电压为4V，放大电路的电压增益为。
13.晶体三极管放大电路中，当输入信号达到一定时，静态工作点设置太低将使信号产生失真。
14.在共射极放大电路中，当RC减小，而其它条件不变，则晶体三极管负载线变。
共射极放大电路的输出信号是取自于三极管的极。
15.用NPN管的分压式偏置放大电路中，如果把上偏置电阻减小而其它不变，则三极管的集电极电流将。
16.在NPN管放大电路中，当集电极电流减少时，它的UCE电压是。
17.两级放大电路第一级电压放大倍数为100，第二极电压放大倍数为60，则总的电压放大倍数为。
18、多级放大电路常用的耦和方式有、和三种形式。
《电子技术基础》第二章半导体三极管及其放大电路试卷
《电子技术基础》第二章半导体三极管及其放大电路试卷一、单项选择题1.在三极管放大器中,三极管各极电位最高的是( )。
(2 分)A.NPN管的集电极B.PNP管的集电极C.NPN管的发射极D.PNP管的基极2.在一块正常放大的电路板上,测得三极管1、2、3脚对地电压分别为-10V、-10.3V、-14V,下列符合该三极管的有( )。
(2 分)A.PNP型三极管B.硅三极管C.1脚是发射极D.2脚是基极3.一般要求放大电路的( )。
(2 分)A.输入电阻大,输出电阻大B.输入电阻小,输出电阻大C.输入电阻大,输出电阻小D.输入电阻小,输出电阻小4.用万用表判别三极管的管脚时,应该( )。
(2 分)A.用R×1挡或R×10挡B.先判别出基极BC.先判别出发射极ED.不需判别是NPN还是PNP5.三极管按内部结构不同,可分为( )。
(2 分)A.NPN型B.PNP型C.硅管D.锗管6.一个三级放大器,工作时测得A u1=100,A u2= -50,A u3=1,则总的电压放大倍数是( )。
(2 分)A.51B.100C.-5000D.17.在单管共发射极放大电路中,其输出电压u o与输入电压u i( )。
(2 分)A.频率相同B.波形相似C.幅度相同D.相位相反8.有三只晶体三极管,除β和I CEO不同外,其他参数一样,用作放大器件时,应选用( )。
(2 分)A.β=50,I CEO=0.5 mAB.β=140,I CEO=2.5 mAC.β=10,I CEO=0.5 mA9.晶体三极管中电流固定不变的分配原则是:( )。
(2 分)A.B.C.10.在分压式偏置电路中,已知R B1=20kΩ,R B2=10 kΩ,R C=2 kΩ,R E=2kΩ,U CC=12V,β=50,R L=2kΩ。
设U BEQ=0,I CQ为( )。
(2 分)A.1mAB.2mAC.3mAD.4mA二、判断题11.( )功率放大电路的主要作用是向负载提供足够大的功率信号。
第二章、三极管
第二章、三极管一、选择题（本大题共小题，每小题分，共分）1、晶体三极管内部由（ ）个PN 结构成。
A 、一个B 、二个C 、三个D 、多个2、如果测得一个放大电路中其三极管的直流电压U CE ＜１Ｖ，则它处于（ ）。
A 、放大状态 B 、饱和状态 C 、截止状态3、有万用表测得PNP 晶体管三个电极的电位分别是V C =6V ，V B =0.7V ，V E =1V 则晶体管工作在（ ）状态。
A 、 放大B 、截止C 、饱和D 、损坏 4、三级管工作在放大区，要求（ ）A 、发射结正偏，集电结正偏B 、发射结正偏，集电结反偏C 、发射结反偏，集电结正偏D 、发射结反偏，集电结反偏5、一只NPN 型三极管三极电位分别有V C =3.3V ，V E =3V ，V B =3.7V ，则该管工作在（ ） A ．饱和区 B ．截止区 C ．放大区 D ．击穿区6、下列三极管各个极的电位，处于放大状态的三极管是（ ）A V C =0.3V ，V E =0V ， VB =0.7V B VC =-4V ， V E =-7.4V ，V B =-6.7V C V C =6V ， V E =0V ， V B =-3VD V C =2V ， VE =2V ， V B =2.7V7、工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12μA 增大到22μA 时，I C 从1mA 变为2mA ，那么它的β约为( )。
A. 83B. 91C. 100 D 、50 8、工作于放大状态的PNP 管，各电极必须满足（ ）A 、U C > UB > U E B 、UC < U B < U E C 、U B >U C > U ED 、U C > UE > U B 9、NPN 型三极管处在放大状态时是( )A 、U BE <0, U BC <0B 、U BE >0, U BC >0 C 、U BE >0, U BC <0D 、U BE <0, U BC >0 10、PNP 型三极管处在放大状态时是( )A 、U BE <0, U BC <0B 、U BE >0, U BC >0 C 、U BE >0, U BC <0D 、U BE <0, U BC >0 11、在三极管的共发射极输入特性曲线中，曲线与（ ）对应。
电气工程半导体三极管及其电路分析习题及解答
第二章 半导体三极管及其电路分析题1.2.1 有二个晶体管，一个β=200，I CEO =200µA ；另一个β=50，I CEO =10µA 其余参数大致相同。
你认为应选用哪个管子较稳定？解： 选β=50,I CEO =10μA 的管子较稳定。
题1.2.2 有甲、乙两个三极管一时辨认不出型号，但可从电路中测出它们的三个未知电极X 、Y 、Z 对地电压分别为：甲管V X =9V ，V Y =6V ，V Z =6.7V ；乙管V X =9V ，V Y =6V ，V Z =6.2V 。
试分析三个电极中，哪个是发射极、基极、集电极？它们分别是NPN 型还是PNP 型，是锗管还是硅管？解： 甲管为NPN 型硅管，其中X 为C 极，Y 为E 极，Z 为B 极；乙管为PNP 型锗管， 其中X 为C 极，Y 为E 极，Z 为B 极。
题1.2.3 共射电路如图题1.2.3所示。
现有下列各组参数：（1） V CC =15V ，R b =390k Ω，R c =3.1k Ω，β=100（2） V CC =18V ，R b =310k Ω，R c =4.7k Ω，β=100（3） V CC =12V ，R b =370k Ω，R c =3.9k Ω，β=80（4） V CC =6V ，R b =210k Ω，R c =3 k Ω，β=50判定电路中三极管T 的工作状态（放大、饱和、截止）。
图题1.2.3解： (1)工作在放大状态(工作在放大区)(2)工作在饱和状态(工作在饱和区)(3)工作在放大状态(工作在放大区)(4)工作在放大状态(工作在放大区)。
题1.2.4 从图题1.2.4所示各三极管电极上测得的对地电压数据中，分析各管的类型和电路中所处的工作状态。
（1） 是锗管还是硅管？（2） 是NPN 型还是PNP 型？（3） 是处于放大、截止或饱和状态中的哪一种？或是已经损坏？（指出哪个结已坏，是烧断还是短路？）[提示：注意在放大区，硅管V V V V E B BE 7.0≈-=，锗管V V BE 3.0≈，且E C CE V V V -=>0.7V ；而处于饱和区时，V V CE 7.0≤。
《电子技术基础》第二章半导体三极管及其放大电路试卷
《电子技术基础》第二章半导体三极管及其放大电路试卷一、单项选择题1.在三极管放大器中,三极管各极电位最高的是( )。
(2 分)A.NPN管的集电极B.PNP管的集电极C.NPN管的发射极D.PNP管的基极2.在一块正常放大的电路板上,测得三极管1、2、3脚对地电压分别为-10V、-10.3V、-14V,下列符合该三极管的有( )。
(2 分)A.PNP型三极管B.硅三极管C.1脚是发射极D.2脚是基极3.一般要求放大电路的( )。
(2 分)A.输入电阻大,输出电阻大B.输入电阻小,输出电阻大C.输入电阻大,输出电阻小D.输入电阻小,输出电阻小4.用万用表判别三极管的管脚时,应该( )。
(2 分)A.用R×1挡或R×10挡B.先判别出基极BC.先判别出发射极ED.不需判别是NPN还是PNP5.三极管按内部结构不同,可分为( )。
(2 分)A.NPN型B.PNP型C.硅管D.锗管6.一个三级放大器,工作时测得A u1=100,A u2= -50,A u3=1,则总的电压放大倍数是( )。
(2 分)A.51B.100C.-5000D.17.在单管共发射极放大电路中,其输出电压u o与输入电压u i( )。
(2 分)A.频率相同B.波形相似C.幅度相同D.相位相反8.有三只晶体三极管,除β和I CEO不同外,其他参数一样,用作放大器件时,应选用( )。
(2 分)A.β=50,I CEO=0.5 mAB.β=140,I CEO=2.5 mAC.β=10,I CEO=0.5 mA9.晶体三极管中电流固定不变的分配原则是:( )。
(2 分)A.B.C.10.在分压式偏置电路中,已知R B1=20kΩ,R B2=10 kΩ,R C=2 kΩ,R E=2kΩ,U CC=12V,β=50,R L=2kΩ。
设U BEQ=0,I CQ为( )。
(2 分)A.1mAB.2mAC.3mAD.4mA二、判断题11.( )功率放大电路的主要作用是向负载提供足够大的功率信号。
半导体三极管及其基本电路试题及答案
第二章半导体三极管及其基本电路一、填空题1、(2-1，中)当半导体三极管的正向偏置，反向偏置偏置时，三极管具有放大作用，即极电流能控制极电流。
2、(2-1，低)根据三极管的放大电路的输入回路与输出回路公共端的不同，可将三极管放大电路分为，，三种。
3、(2-1，低)三极管的特性曲线主要有曲线和曲线两种。
4、(2-1，中)三极管输入特性曲线指三极管集电极与发射极间所加电压V CE一定时，与之间的关系。
5、(2-1，低)为了使放大电路输出波形不失真,除需设置外,还需输入信号。
6、(2-1，中)为了保证不失真放大，放大电路必须设置静态工作点。
对NPN管组成的基本共射放大电路，如果静态工作点太低，将会产生失真，应调R B，使其，则I B，这样可克服失真。
7、(2-1，低)共发射极放大电路电压放大倍数是与的比值。
8、(2-1，低)三极管的电流放大原理是电流的微小变化控制电流的较大变化。
9、(2-1，低)共射组态既有放大作用，又有放大作用。
10、(2-1，中)共基组态中，三极管的基极为公共端，极为输入端，极为输出端。
11、(2-1，难)某三极管3个电极电位分别为V E=1V,V B=1.7V,V C=1.2V。
可判定该三极管是工作于区的型的三极管。
12、(2-1，难)已知一放大电路中某三极管的三个管脚电位分别为①3.5V，②2.8V，③5V，试判断：a．①脚是，②脚是，③脚是（e,b，c）；b．管型是（NPN，PNP）；c．材料是（硅，锗）。
13、(2-1，中)晶体三极管实现电流放大作用的外部条件是，电流分配关系是。
14、(2-1，低)温度升高对三极管各种参数的影响，最终将导致I C，静态工作点。
15、(2-1，低)一般情况下，晶体三极管的电流放大系数随温度的增加而，发射结的导通压降V BE则随温度的增加而。
16、(2-1，低)画放大器交流通路时，和应作短路处理。
17、(2-2，低)在多级放大器里。
前级是后级的，后级是前级的。
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（ ）7. 三极管放大电路中的耦合电容在直流分析时可视为短路，交
流分析时可视为开路。
三、填空题
1. 双极型半导体三极管按结构可分为 型和 型两种，它们的符号
分别_______和
2. 反映 态时集电极电流与基极电流之比；反映 态时的电流放大特性。
3. 当温度升高时，三极管的参数β会 ，会 ，导通电压会
ro,AV。
2. 三极管电路如图所示，已知β=100，UBE=0.7V，试求电路中IC、UCE 的值。
3. 图中三极管为硅管，β=100，试求电路中IB、IC、UCE的值，判断三极 管工作在什么状态。
5. 图中三极管为硅管，β=100，试求电路中IB、IC、UCE的值，判断三极 管工作在什么状态。
管的C、E两个电极互换使用。
（ ）4. 双极型三极管由两个PN结构成，因此可以用两个二极管背靠
背相连构成一个三极管。
（ ）5. 双极型三极管和场效应管都利用输入电流的变化控制输出电
流的变化而起到放大作用。
（ ）6. 分析三极管低频小信号放大电路时，可采用微变等效电路分
析法把非线性器件等效为线性器件，从而简化计算。
A. B.
C. D.Байду номын сангаас
7. 关于三极管反向击穿电压的关系，下列正确的是（ ）。
A. B.
C. D.
8. 在三极管放大电路中，下列等式不正确的是（ ）。
A. B. C. D.
9. （ ）情况下，可以用H参数小信号模型分析放大电路。
A. 正弦小信号 B. 低频大信号 C. 低频小信号 D. 高频小信号
10. 场效应管本质上是一个（ ）。
第二章 半导体三极管
一、单选题
1. （ ）具有不同的低频小信号电路模型。
A. NPN管和PNP管
B. 增强型场效应管和耗尽型场效应管
C. N沟道场效应管和P沟道场效应管 D. 三极管和二极管
2. 放大电路如图所示，已知三极管的，则该电路中三极管的工作状态为 （ ）。
A. 截止 B. 饱和 C. 放大 D. 无法确定
A、电流控制电流源器件 B、电流控制电压源器件
C、电压控制电流源器件 D、电压控制电压源器件
二、判断题
（ ）1. 三极管的输出特性曲线随温度升高而上移，且间距随温度升
高而减小。
（ ）2. 三极管工作在放大区时，若iB为常数，则uCE增大时，iC几乎
不变，故当三极管工作在放大区时可视为一电流源。
（ ）3. 三极管的C、E两个区所用半导体材料相同，因此，可将三极
4.
某放大电路中，三极管三个电极的电流如图所示，测得IA=2mA，
IB=0.04mA，IC=2.04mA，则电极 为基极， 为集电极， 为发射极；为
型管； 。
5. 硅三极管三个电极的电压如图所示，则此三极管工作于 状态。
6. 场效应管是利用 效应，来控制漏极电流大小的半导体器件。 7. 某三极管的极限参数、、。当工作 电压时，工作电流IC不得超过 mA；当工作电压时， IC不 得超过_____ mA；当工作电流时， UCE不得超过 V 。 8. 三极管工作在放大区时，发射结为 偏置，集电结为 偏置。 9. 对三极管放大电路进行直流分析时，工程上常采用 法或 法。 10. 工作在放大区的一个三极管，如果基极电流从10微安变化到22微安时，集 电极 电流从1毫安变为2.1毫安，则该三极管的β约为 ；约为 。 11. _______通路常用以确定静态工作点； 通路提供了信号传输的途 径。 12. 场效应管是利用 电压来控制 电流大小的半导体器件。 13. 用于构成放大电路时，双极型三极管工作于 区；场效应管 工作于 区 。 14. 当ugs=0时，漏源间存在导电沟道的称为 型场效应管；漏源间不存在导 电沟道的称为 型场效应管。 15. 某处于放大状态的三极管，测得三个电极的对地电位为U1=-9V，U2 U3=-6.2V，则电极 为基极， 为集电极， 为发射极，为 型管。 16. 三极管电流放大系数β反映了放大电路中 极电流对 极电流的 控制能力。 17. 场效应管具有输入电阻很 、抗干扰能力 等特点。 四、计算分析题 1. 三极管电路如图所示，已知三极管的， UBE（on）=0.7V，rbe=1000Ω， 输入信号,电容C对交流的容抗近似为零。试：（1）计算电路的静态工 作点参数IBQ、ICQ、UCEQ；（2）画出电路的微变等效电路，求ri和
3.硅三极管放大电路中，静态时测得集-射极之间直流电压 UCE=0.3V，则此时三极管工作于（ ） 状态。
A. 饱和 B. 截止 C. 放大 D. 无法确定 4. 放大电路如图所示，已知硅三极管的，则该电路中三极管的工作状态 为（ ）。
A. 截止 B. 饱和 C. 放大 D. 无法确定
5. 三极管当发射结和集电结都正偏时工作于（ ）状态。 A. 放大 B. 截止 C. 饱和 D. 无法确定 6. 某三极管的，则下列状态下三极管能正常工作的是（ ）。
6. 图中三极管为硅管，β=100，试求电路中IB、IC、UCE的值，判断三极 管工作在什么状态。
7.图中三极管均为硅管，试求各电路中的IC、UCE及集电极对地电压 UO。
8.什么是静态工作点？静态工作点对放大电路有什么影响？
9.分析放大电路有哪几种方法？几种方法分别有什么特点？ 10.试总结晶体三极管分别工作在放大、饱和、截止三种工作状态时， 三极管中的两个PN结所具有的特点。
11.放大电路存在着哪些类非线性失真现象？
12.多级放大电路有哪些耦合方式？各有什么特点？
13.用估算法求下图所示电路的静态工作点，电路中 =9V，RC=3k，RB=300 k，=50。
14.放大电路如下图所示，已知 ， ， ，=50， ，试求放大电路不接负载电阻 时的电压放大倍数，放大电路接有负载电阻 时的电压放大倍数，放大电路的输入电阻 和输出电阻 。