12 半导体二极管72651 (2)
印字bs的二极管-解释说明
印字bs的二极管-概述说明以及解释1.引言【1.1 概述】概述部分将对印字BS二极管进行简要介绍，并概括其在电子领域中的重要性。
印字BS二极管是一种特殊类型的半导体器件，具有独特的特点和广泛的应用。
它作为一种电子元器件，在电子设备中起到了举足轻重的作用。
本文将详细介绍印字BS二极管的基本原理、特点、应用领域以及制造工艺。
同时，还将探讨二极管在电子领域中的重要性，并强调印字BS 二极管在当前电子市场中的独特之处。
此外，我们还将展望印字BS二极管未来的发展趋势，探讨其可能的创新和应用领域的拓展。
最后，我们将总结全文，并提出一些对印字BS 二极管发展的看法和建议。
通过深入研究和分析，本文旨在为读者提供关于印字BS二极管的全面了解，以及对未来趋势的展望，希望能够对读者在电子领域的学习和研究工作提供一定的帮助和指导。
文章结构部分的内容可以如下所示：1.2 文章结构本文共分为引言、正文和结论三个部分。
首先，引言部分包括概述、文章结构、目的和总结四个子部分。
在概述中，将简要介绍二极管的基本概念和重要性。
文章结构部分说明了整篇文章的结构框架，以便读者能够清晰地了解到文章的内容安排。
目的部分会明确阐述本文的写作目标和意义。
最后，总结部分将对整篇文章的重点和主要观点进行总结。
其次，正文部分分为四个子部分。
在2.1 二极管的基本原理部分，将详细介绍二极管的工作原理及其基本特性。
在2.2 印字BS二极管的特点部分，将详细探讨印字BS二极管相对于其他类型二极管的特殊特点和优势。
接着，在2.3 印字BS二极管的应用领域部分，将探讨该二极管在不同领域中的广泛应用，并举例说明其作用和意义。
最后，在2.4 印字BS 二极管的制造工艺部分，将介绍制造印字BS二极管所需的关键工艺和技术，以及制造过程中可能面临的挑战和解决方案。
最后，结论部分将总结二极管的重要性，并强调印字BS二极管的特点和应用领域。
同时，展望印字BS二极管的未来发展，探讨可能的研究方向和技术改进。
1200V Z-Rec碳化硅肖特基二极管
1200V Z-Rec碳化硅肖特基二极管
佚名
【期刊名称】《今日电子》
【年(卷),期】2011(000)011
【摘要】1200V Z—Rec碳化硅肖特基二极管产品均采用行业标准的TO-252 D—Pak表面贴装封装，提供额定电流分别为2A，5A，8A和10A的表面贴装器件。
【总页数】1页(P65-65)
【正文语种】中文
【中图分类】TN311.7
【相关文献】
1.科锐新型1,200V Z-Rec碳化硅肖特基二极管系列以更低的成本为功率转换应用带来更高的性能 [J],
2.三菱电机全新发布1200V碳化硅肖特基二极管 [J], ;
3.三菱电机全新发布1200V碳化硅肖特基二极管 [J], ;
4.重离子辐照1200V碳化硅二极管漏电退化的缺陷分析 [J], 曹爽; 于庆奎; 郑雪峰; 常雪婷; 王贺; 孙毅; 梅博; 张洪伟; 唐民
5.1200V 40A碳化硅肖特基二极管设计 [J], 汪玲;黄润华;刘奥;陈刚;柏松
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LED驱动器TPS92512说明书
ProductFolderSample &BuyTechnicalDocumentsTools &SoftwareSupport &CommunityTPS92512,TPS92512HVZHCSDG5A–FEBRUARY2015–REVISED MARCH2015TPS92512具有集成模拟电流调节功能的2.5A降压发光二极管(LED)驱动器1特性3说明•集成200mΩ高侧金属氧化物半导体场效应晶体管TPS92512/HV为2.5A降压电流稳压器，其集成有(MOSFET)MOSFET，用于驱动高电流LED。
这两款LED驱动• 4.5V至42V输入电压范围器的输入电压上限分别为42V和60V(HV)，并且可在（TPS92512HV为4.5V至60V）峰值电流模式控制下以用户选择的固定频率工作，同时•0V至300mV可调基准电压可提供出色的线路和负载调节性能。
•±5%LED电流精度TPS92512/HV LED驱动器特有分别用于模拟调光和脉•100kHz至2MHz开关频率范围宽调制(PWM)调光的独立输入，并且不会影响到亮度•专用脉宽调制(PWM)调光输入控制，对比度分别高达10:1和100:1以上。
PWM输•可调节欠压闭锁入符合低压逻辑标准，可轻松连接各类微控制器。
通•过流保护过IADJ输入，可使用0V至1.8V的外部信号在0V •过热保护至300mV范围内调整模拟LED电流设定值。
•MSOP-10封装，采用PowerPAD™对于使用两个或两个以上TPS92512/HV LED驱动器2应用范围的多灯串应用，可通过外部时钟来过驱动内部振荡器，•街道照明以确保所有转换器工作在同一频率下，从而降低出现拍•紧急/出口照明频的几率并简化系统电磁干扰(EMI)滤波设计。
该器•一般工业和商业用照明件具有一个带滞后功能的可调节输入欠压闭锁(UVLO)•零售照明引脚，可根据具体的电源电压条件灵活设置起始/停止•电器照明电压。
整流二极管参数RL251--RL257
.220(5.6) DIA
.197(5.0)
Unit：inch（mm）
RL251 ...... RL257
General Purpose Plastic Rectifier
Reverse Voltage 50 to 1000 V Forward Current 2.5 A
特征 Features
·低的反向漏电流 Low reverse leakage ·较强的正向浪涌承受能力 High forward surge capability ·高温焊接保证 High temperature soldering guaranteed:
峰值正向浪涌电流 IFSM(A) IFSM Peak Forward Surge Current (A)
80
60
40
20
0 1 2 4 6 10 20 40 100 通过电流的周期 Number of Cycles at 60 Hz.
大昌电子 DACHANG ELECTRONICS
- 44 -
250℃/10 秒, 0.375" (9.5mm)引线长度。 250℃/10 seconds, 0.375" (9.5mm) lead length, ·引线可承受5 磅 (2.3kg) 拉力。 5 lbs. (2.3kg) tension
机械数据 Mechanical Data
·端子: 镀锡轴向引线 Terminals: Plated axial leads ·极性: 色环端为负极 Polarity: Color band denotes cathode end ·安装位置: 任意 Mounting Position: Any
V
5.0 µA
50
BZT52C12稳压二极管
.25(.010) MIN
Case: Molded plastic body Terminals: Plated leads solderable per MIL-STD-750, Method 2026 Polarity: Polarity symbols marked on case
Dimensions in millimeters and (inches)
SYMBOLS
Value 0.9 500 305 -65 to +150
UNITS V mW
VF Pd RΘJA TJ,TSTG
C/W
C
R
LING
JIE
STAR SEA ELECTRONICS CO.,LTD.
【 领先的片式无源器件整合供应商 — 南京南山半导体有限公司 】
R
LING
JIE
STAR SEA ELECTRONICS CO.,LTD.
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Typical Temperature Test Current Coefficent @Izrc Min -3.5 -3.5 -3.5 -3.5 -3.5 -3.5 -3.5 -3.5 -2.7 -2.0 0.4 1.2 2.5 3.2 3.8 4.5 5.4 6.0 7.0 9.2 10.4 12.4 14.4 16.4 18.4 21.4 24.4 27.4 30.4 33.4 mV / C Max 0 0 0 0 0 0 0 0.2 1.2 2.5 3.7 4.5 5.3 6.2 7.0 8.0 9.0 10.0 11.0 13.0 14.0 16.0 18.0 20.0 22.0 25.3 29.4 33.4 37.4 41.2 @Izrc mA 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 2 2 2 2 2
c12半导体二极管
IS :反向饱和电流
VT =kT/q :温度的电压当量
室温（T=300 K）下
VT=26 mV
理想二极管的伏安特性曲线
二、实际二极管的伏安特性
实际二极管的伏安特性曲线
I
导通压降:
硅管 0.6～ 0.8V, 锗管 0.2～0.3V
两点区别：
1)正向特性(V>0)存在 死区电压 硅：Vth=0.5 V 锗：Vth=0.1 V
面接触型
.1 结构类型和符号
一、结构类型
二极管 : PN结 + 管壳 +引线 类型：点接触型、面接触型和平面型 (1) 点接触型— 特点：PN结结面积很小，因而极间电容很 小，不能承受高的反向电压和大的电流。 用途：主要用 于混频，高频
检波及小电流
(a)点接触型 整流等
(2)
面接触型— 特点：PN结结 面积大，可承 受较大的电流， 极间电容也较 大 用途：适用 于整流
UQ IQ
0.7 140( 5
二、交流图解法 电路中含直流和小信号交流电源时,二极管中含交、直流成分
iD / mA VDD/ R
斜率1/rd Q
uD /V
IQ C 隔直流 通交流 i D = IQ 当 ui = 0 时 UQ= 0.7 V (硅)，0.2 V (锗)
O O
UQ VDD ui
O
t
二极管S21S4导通 二极管S S3导通 uO/ V
15
O
t
二极管的应用举例2：二极管限幅
单向限幅器：
ui
uR ui R uR RL
t
uo
uo
t
t
双向限幅器：
例： ui = 2 sin t (V) ui 较小，宜采用恒压降模型 ui < 0.7 V V1、V2 均截止 uO = ui
二极管封装类型
二极管封装类型
二极管封装类型可以分为芯片封装、外壳封装两种类型，常见的芯片封装有TO-18、TO-5、TO-92、TO-126、TO-251、TO-252等，外壳封装则包括DI_8、DI_9、DI_12、DI_14、DI_16等。
TO-18芯片封装为圆柱形，高度约4.4mm，外径约3.2mm，耐高温，用于小功率的放大和低频封装；TO-5芯片封装有铜底座，高约7mm，外径约5.08mm，主要用于中频封装；TO-92封装以扁长的圆柱形为主，高约
5.2mm，外径约3.6mm，常用于放大和中频封装；TO-126芯片封装高约
6.25mm，外径约9mm，耐高温，主要用于高功率封装；TO-251芯片封装高约4.4mm，外径约6.4mm，用于小功率封装；TO-252也称SOT-23芯片封装，高约2.8mm，外径约3.1mm，常用于放大和低频封装。
DI_8外壳封装为圆柱形，高约1.13mm，外径约2.54mm；DI_9有小号和大号两种，小号高约5.08mm，外径约7.62mm，大号高约7.62mm，外径约9.53mm；DI_12高约10.1mm，外径约4.2mm；DI_14的高约1.93mm，外径约2.54mm；DI_16的高约4.8mm，外径约3.4mm。
贴片稳压二极管代码W7
Maximum Reverse Current
Ir
Vr
uA
V
50
1.0
Typical Temperature Test Current Coefficent @Izrc
mV / C
@Izrc
Min
Max
mA
-3.5
0
5
BZT52C2V7 W1 2.7 2.5 2.9 5 100 600 1.0 20
27.3 33.4 41.2
2
Note: 1.Device mounted on ceramie PCB:7.6mmx9.4mmx0.87mm with pad areas 25mm2. 2.Short duration test pulse used to minimize self-heating effect. 3.When provided, otherwise,parts are provided with date code only,and type number identifications appears on reel only. 4.f=1KHz
TJ,TSTG
Value 0.9 500 305
-65 to +150
UNITS V
mW C/W
C
R STAR SEA LING JIE ELECTRONICS CO.,LTD.
【 领先的片式无源器件整合供应商 — 南京南山半导体有限公司 】
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (@ TA=25C unless otherwise specified)
0
5
BZT52C3V9 W5 3.9 3.7 4.1 5 90 600 1.0 3
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1.2.3 二极管的主要参数
• 最大整流电流IF：二极管长期使用时，允许流过二极管的 最大正向平均电流。
• 最高反向工作电压UR：二极管工作时，允许外加的最大反 向电压，一般UR为击穿电压U(BR)的一半。
• 反向电流 IR：是二极管未击穿时的反向电流，即IS。反向 电流越小，单向导电性越好。反向电流对温度十分敏感， 温度越高反向电流越大。硅管的反向电流较小，锗管的反 向电流要比硅管大几十到几百倍。
击穿 电压
反向饱 开启 和电流 电压
外加反向电压太大，超过击穿电压后，反向电流急剧增加。
反向饱和电流
开启电压
材料 硅Si 锗Ge
开启电压 0.5V 0.1V
导通电压 0.6~0.8V 0.1~0.3V
反向饱和电流 0.1µA以下 几十µA
二、二极管的电流方程
温度的
u
电压当量
iIS(eU T1) (常温 U T下 2m 6 V)
导通时i与u成 线性关系
理想模型
恒压降模型
折线模型
3．折线模型
为了进一步改善电路模型的准确度，在恒压降模型的基
础上，作一定的修正。当二极管正向压降大于Uon后，用一 斜线来描述电压和电流的关系，斜线的斜率为实际二极管特
性曲线的斜率1/rD，rD =ΔU/ΔI。等效模型为一理想二极 管和恒压源Uon及正向电阻rD相串联。
• 最高工作频率fM：是二极管工作的上限频率。超过此值时， 由于结电容的作用，二极管的单向导电性变坏。
1.2.4 二极管的等效电路
一、将伏安特性折线化得到的等效电路
在一定的条件下，可用线性元件构成的电路来代替二 极管，称为二极管的等效模型（或等效电路）。根据二极 管的伏安特性，将其折线化。对应于不同的应用场合，可 建立不同的等效模型。
从二极管的伏安特性可以反映出：
1. 单向导电性
正向特性为 指数曲线
u
i IS(eUT 1)
u
若正向电 u压 UT，则 i ISeUT； 若反向电 u 压 UT，则 iIS。
2.伏安特性受温度影响
反向特性为横轴的平行线
T（℃）↑→在电流不变情况下管压降u↓
→反向饱和电流IS↑，U(BR) ↓ T（℃）↑→正向特性左移，反向特性下移，击穿电压变小
理想模型
恒压降模型
折线模型
理想 二极管
理想二极 管符号
理想模型
恒压降模型
折线模型
1． 理想模型
实线表示理想二极管的伏安特性，虚线表示实际二 极管的伏安特性。理想二极管正向导通时，其端电压为 零，相当于短路；反向截止时，电流为零，相当于开路。 理想二极管相当于一个理想开关（导通时 UD＝0，截止 时IS＝0）。
(1)稳定电压UZ:在规定电流下稳压管的反向击穿电压。 (2) 稳定电流IZ、最大稳定电流IZmax 、最小稳定电流IZmin : 稳压管工作在稳压状态时 IZmin ≤ IZ ≤ Izmax 。 (3)最大功耗PZM : PZM＝ Izmax UZ (4)动态电阻rz: rz＝ΔUZ /ΔIZ
(5)限流电阻R :在稳压电路中串联一个电阻R限制电流， 保证其正常工作。
近似分析 中最常用
理想模型
恒压降模型
折线模型
2．恒压降模型
在电路中，不能把二极管的正向特性当作完全短路来 处理，可认为二极管正向导通时压降恒定为Uon，小于导通 压降，电流为零。 二极管的电路等效模型为一理想二极管 和一恒压源Uon相串联（导通时UD＝Uon，截止时IS＝0）。
硅管：0.7V 锗管：0.2V
例1
判断电路中二极管的工作状态，求解输出电压。 UD＝0.7。
判断二极管工作状态的一般方法：断开二极管，并以 它的两个极作为端口，利用戴维宁定理求解端口电压，若 该电压使二极管正偏，则导通；若反偏，则截止。
谢 பைடு நூலகம்!
式中, ID为静态工作点Q的电流。
1.2.5 稳压二极管
1. 稳压二极管的伏安特性
曲线越陡， 电压越稳定
符号 等效电路
稳定管与普通二极管有类似的 伏安特性。当反向击穿后，在一定 的电流范围内端电压基本不变（几 乎平行于纵轴），为稳定电压。
进入稳压区的最小电流 不至于损坏的最大电流
2. 稳压二极管的主要参数
Q越高，ID越大，rd越小。 静态电流
利用二极管的电流方程求得动态电阻rd：
iDIS(euD/UT 1)
首先，取iD对uD的微分，得微变电导
g dd dD D u id [IS(e d u D /D U u T 1 ) ]U IS Teu D /U TU ID T
然后，求得动态电阻
rd
uD iD
d uD UT dD i ID
1.2.2 二极管的伏安特性及电流方程
一、二极管的伏安特性
二极管的电流与其端电压的关系曲线称为伏安特性。
1. 正向特性
外加正向电压大于开启电 压时，正向电流随电压呈指数 规律增大。
2. 反向特性
外加反向电压较小时，随电 压增大反向电流增大；当电压足 够大时，反向电流基本不变，称 为反向饱和电流。
二、微变等效电路
在二极管的伏安特性曲线上，由直流电压和电流所决定的 Q点，称为静态工作点。若在Q点基础上外加微小的变化量时， 则可用以Q点的切线来近似微小变化的曲线，即将二极管等效 为一个动态电阻，称为二极管的微变等效电路。
ui=0时直流电源作用 根据电流rd方 程 uiD D， U ID T
小信号作用