模电复习资料(判断选择填空)
模拟电子技术复习题+参考答案

一、填空题1. 在N型半导体中,多数载流子是 ________;在P型半导体中,多数载流子是________。
2. 场效应管从结构上分为结型和 ________ 两大类,它属于 ________ 控制性器件。
3. 为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合,可以在信号源与负载之间接入________ 组态放大电路。
4. 在多级放大器中,中间某一级的 ________ 电阻是上一级的负载。
5. 集成运放应用电路如果工作在线性放大状态,一般要引入 ________。
6. 正弦波振荡电路通常由 ________ 四部分组成。
7. 利用二极管的 ________ 组成整流电路。
8. 硅二极管导通后,其管压降是 ________ 的,且不随电流而改变,典型值为________ 伏;其门坎电压V th 约为 ________ 伏。
9. P型半导体的多子为 ________、N型半导体的多子为 ________、本征半导体的载流子为 ________。
10. 频率响应是指在输入正弦信号的情况下,输出随 ________ 连续变化的稳态响应。
11. 三极管放大电路的三种基本组态是 ________、_______、_______。
12. 在单级共射放大电路中,如果输入为正弦波形,用示波器观察V O和V I的波形,则V O和V I的相位差为 ________;当为共集电极电路时,则V O和V I的相位差为 ________。
13. 三极管工作在放大区时,它的发射结保持 ________,集电结保持 ________。
二、选择题1. 在N型半导体中,多数载流子是:A. 自由电子B. 空穴C. 电子-空穴对2. 场效应管属于哪种控制性器件?A. 电压控制B. 电流控制C. 电阻控制3. 为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合,一般使用哪种组态放大电路?A. 共射B. 共集C. 共基4. 在多级放大器中,中间某一级的 ________ 电阻是上一级的负载。
模电试题(题库)

模电试题库一、填空题。
1、由PN 结构成的半导体二极管具有的主要特性是 性。
2、温度升高时,三极管的β将 (增加、减小、不变)。
3、要让三极管工作在放大区,发射结要求 ,集电结要 (正偏或反偏)。
4、当差分放大器两边的输入电压为1i u =7mV ,2i u =-3mV ,输入信号的差模分量为 ,共模分量为 。
5、在放大电路中,如果要想提高输出电阻,减小输入电阻的要求,应引入 反馈。
6、直流稳压电源一般是由_________、、________、_________四部分组成。
7、乙类推挽放大器,由于三极管的死区电压造成的失真现象,这种失真称为 。
8、 在RC 桥式正弦波振荡电路中,当满足相位起振条件时,则其中电压放大电路的放大倍数要略大于才能起振。
[9、放大器级间耦合方式有三种:耦合; 耦合; 耦合;在集成电路中通常采用 耦合。
10、负反馈能够改善放大电路的性能,例如它可以提高增益的稳定性, ,, 等。
11、场效应管属于_______________控制器件,而三极管属于_____________控制器件。
(电压或电流)12、差放电路中,公共发射极电阻Re 对于共模信号而言,相当于每个差放管的发射极接入________ _____的电阻,对于差模信号而言,Re 相当于为__________ ______。
13、负反馈能使放大器许多性能获得改善,如_______________、__________________、__________________、__________________。
但是性能的改善是以牺牲______________________为代价的14、振荡电路的振幅平衡条件是:__________________________,相位平衡条件是:___________________________.15、为使双极型半导体三极管工作在放大状态,必须满足的外部条件是_________________ _________ ___________,(16.为简化分析过程,在应用集成运放时总假定它是理想的,理想运放具有以下特点:开环差模增益A d =___________,开环输入电阻R i =_____________, 开环输出电阻R o =_______________。
模电基础知识

模拟电路基础 复习资料一、填空题1.在P 型半导体中,多数载流子是( 空隙 ),而少数载流子是( 自由电子 )。
2.在N 型半导体中,多数载流子是( 电子 ),而少数载流子是( 空隙 )。
3.当PN 结反向偏置时,电源的正极应接( N )区,电源的负极应接( P )区。
4.当PN 结正向偏置时,电源的正极应接( P )区,电源的负极应接( N )区。
4.1、完全纯净的具有晶体结构完整的半导体称为 本征半导体 ,当掺入五价微量元素便形成 N 型半导体 ,其电子为 多数载流子,空穴为 少数载流子 。
当掺入三价微量元素便形成 P 型半导体 ,其 空穴为多子 ,而 电子为少子 。
4.2、二极管的正向电流是由多数载流子的扩散运动形成的,而反向电流则是由少子的漂移运动形成的。
4.3、二极管有一个PN 结,它具有单向导电性,它的主要特性有:掺杂性、热敏性、光敏性。
可作开关、整流、限幅等用途。
硅二极管的死区电压约为0.5V ,导通压降约为0.7V ,锗二极管的死区电压约为0.1V 、导通压降约为0.2V 。
5、三极管具有三个区:放大区、截止区、饱和区,所以三极管工作有三种状态:工作状态、饱和状态、截止状态,作放大用时,应工作在放大状态,作开关用时,应工作在截止、饱和状态。
5.1、三极管具有二个结:即发射结和集电结。
饱和时:两个结都应正偏;截止时:两个结都应反偏。
放大时:发射结应( 正向 )偏置,集电结应( 反向 )偏置。
5.2、三极管放大电路主要有三种组态,分别是: 共基极电路、共集电极电路、共发射极电路。
共射放大电路无电压放大作用,但可放大电流。
共基极放大电路具有电压放大作用,没有倒相作用。
且共基接法的输入电阻比共射接法低.5.3、共射电极放大电路又称射极输出器或电压跟随器,其主要特点是电压放大倍数小于近似于1、输入电阻很大、输出电阻很小。
5.4单管共射放大电路中,1.交直流并存,2.有电压放大作用,3.有倒相作用。
模电复习题答案

模电复习题答案一、选择题1. 在模拟电路中,运算放大器的基本工作模式包括:A. 非线性区B. 线性区C. 饱和区D. 所有以上答案:B. 线性区2. 理想运算放大器的输入阻抗是:A. 有限的B. 无穷大C. 零D. 1欧姆答案:B. 无穷大3. 一个理想的运算放大器的输出阻抗是:A. 无穷大B. 零C. 有限的D. 1欧姆答案:B. 零4. 负反馈在放大器中的作用是:A. 增加增益B. 减少增益C. 提高稳定性D. 降低噪声答案:B、C、D5. 差分放大器的主要优点是:A. 提高增益B. 抑制共模信号C. 减少噪声D. 降低功耗答案:B. 抑制共模信号二、填空题1. 运算放大器的________特性使其在模拟电路设计中得到广泛应用。
答案:高输入阻抗,低输出阻抗2. 在设计放大器时,通常使用________来提高电路的稳定性和增益。
答案:负反馈3. 差分放大器能够有效地放大两个输入端之间的________,而抑制两个输入端共同的信号。
答案:差模信号4. 理想运算放大器的开环增益是一个非常大的数值,通常表示为________。
答案:无穷大5. 在模拟电路中,________是用来描述电路对信号进行线性或非线性处理的能力。
答案:放大能力三、简答题1. 简述运算放大器的基本组成及其工作原理。
答案:运算放大器通常由输入级、中间级和输出级组成。
输入级通常为差分放大器,用于接收两个输入信号并放大它们之间的差异。
中间级通常由多级放大器构成,用于提供增益。
输出级则将信号转换为适合负载的电压或电流。
运算放大器的工作原理基于负反馈原理,通过调整反馈网络,可以实现不同的放大功能。
2. 解释什么是负反馈,并说明它在放大器设计中的作用。
答案:负反馈是指将放大器的输出信号的一部分以相反相位反馈到输入端的过程。
在放大器设计中,负反馈可以减少增益,但同时可以提高电路的稳定性和线性度,降低非线性失真和噪声,改善频率响应。
四、计算题1. 假设有一个非理想的运算放大器,其开环增益为1000,输入阻抗为2MΩ,输出阻抗为100Ω。
模拟电子技术基础复习资料

模拟电路基础复习资料一、填空题1. 在P型半导体中, 多数载流子是(空隙), 而少数载流子是(自由电子)。
2. 在N型半导体中, 多数载流子是(电子), 而少数载流子是(空隙)。
3. 当PN结反向偏置时, 电源的正极应接( N )区, 电源的负极应接( P )区。
4.当PN结正向偏置时, 电源的正极应接( P )区, 电源的负极应接( N )区。
5. 为了保证三极管工作在放大区, 应使发射结(正向)偏置, 集电结(反向)偏置。
6.根据理论分析, PN结的伏安特性为,其中被称为(反向饱和)电流, 在室温下约等于( 26mV )。
7. BJT管的集电极、基极和发射极分别与JFET的三个电极(漏极)、(栅极)和(源极)与之相应。
8. 在放大器中, 为稳定输出电压, 应采用(电压取样)负反馈, 为稳定输出电流, 应采用(电流取样)负反馈。
9. 在负反馈放大器中, 为提高输入电阻, 应采用(串联-电压求和)负反馈, 为减少输出电阻, 应采用(电压取样)负反馈。
10.放大器电路中引入负反馈重要是为了改善放大器. 的电性. )。
11. 在BJT放大电路的三种组态中, (共集电极)组态输入电阻最大, 输出电阻最小。
(共射)组态即有电压放大作用, 又有电流放大作用。
12.在BJT放大电路的三种组态中,.共集电. )组态的电压放大倍数小于1,.共.)组态的电流放大倍数小于1。
13. 差分放大电路的共模克制比KCMR=(), 通常希望差分放大电路的共模克制比越(大)越好。
14. 从三极管内部制造工艺看, 重要有两大特点, 一是发射区(高掺杂), 二是基区很(薄)并掺杂浓度(最低)。
15.在差分放大电路中发射极接入长尾电阻后, 它的差模放大倍数将(不变), 而共模放大倍数将(减小), 共模克制比将(增大)。
16. 多级级联放大器中常用的级间耦合方式有(阻容), (变压器)和(直接)耦合三种。
17. 直接耦合放大器的最突出的缺陷是(零点漂移)。
(完整版)《模拟电子技术》复习题10套及答案

《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中,多数载流子是;在P型半导体中,多数载流子是。
2、场效应管从结构上分为结型和两大类,它属于控制性器件。
3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合,可以在信号源与负载之间接入(共射、共集、共基)组态放大电路。
4、在多级放大器中,中间某一级的电阻是上一级的负载。
5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态,一般要引入____________。
6、根据下图中各三极管的电位,判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。
7、正弦波振荡电路通常由,,和四部分组成。
二、选择题1、利用二极管的()组成整流电路。
A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入()后形成的杂质半导体。
A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示,其类型为( )场效应管。
A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型图2-10 4、有一晶体管接在放大电路中,今测得它的各极对地电位分别为V 1=-4V,V 2=-1.2V,V 3=-1.4V,试判别管子的三个管脚分别是( )。
A 1:e、2:b、3:cB 1:c、2:e 、3:bC 1:c、2:b、3:eD 其它情况 5、集成运放中间级的作用是( )。
A 提高共模抑制比 B 提高输入电阻 C 提高放大倍数 D 提供过载保护 6、根据相位平衡条件,判断图2-6所示振荡电路中( )发生振荡。
A 可能 B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压( )的值。
A 差 B 和 C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中,已知变压器二次电压有效值U 2=24V ,设二极管为理想二极管,用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ,问电路的现象是( )。
A 正常工作情况 B R L 开路 C C 开路 D 一个二极管和C 开路 E 一个二极管开路 F 其它情况9、某仪表放大电路,要求输入电阻大,输出电流稳定,应选( )负反馈。
(完整版)模拟电子基础的复习题及答案

模拟电子技术基础复习题图 1图 2一、填空题1、现有基本放大电路:①共射放大电路 ④共源放大电路②共基放大电路 ③共集放大电路一般情况下,上述电路中输入电阻最大 的电路是 ③ ,输入电阻最 ,频带最宽 的电路是 ;只能放大电流,小 的电路是②,输出电阻最小 的电路是③② ;既能放大电流,又能放大电压 的电路是 ①不能放大电压 的电路是 ③;只能放大电压,不能放大电流 的电路是②。
2、如图 1所示电路中,已知晶体管静态时 B- E 间电压为 U ,电流放大系BEQ数为β,B- E 间动态电阻为 r 。
填空:beV CC U BEQ( 1)静态时, I 的表达式为BQ, I 的表达式为CQI BQR BI CQ I BQ;,U 的表达式为CEQU CEQ V CC I R C CQR L (2)电压放大倍数 的表达式为A u,输入电阻 的表达式为r be,输出电阻 的表达式为R R // r be R R ;0 Ci B(3)若减小 R ,则 I 将 A ,r 将 C ,将 C ,R 将iC ,A B CQ bc u R 将 B 。
oA.增大B.不变C.减小当输入电压不变时, R 减小到一定程度,输出将产生 BA 失真。
A.饱和B.截止 3、如图 1所示电路中,(1)若测得输入电压有效值为 10mV ,输出电压有效值为 1.5V ,则其电压放 大倍数 = 150 ;若已知此时信号源电压有效值为 20mV ,信号源内阻A u为 1k Ω,则放大电路 的输入电阻 R = 1 。
i(2)若已知电路空载时输出电压有效值为 1V ,带 5 k Ω负载时变为 0.75V , 则放大电路 的输出电阻 Ro(3)若输入信号增大引起电路产生饱和失真,则可采用将 R BRc 减小 的方法消除失真;若输入信号增大使电路既产生饱和失真又产生 1.67。
增大或将截止失真,则只有通过设置合适 的静态工作点 的方法才能消除失真。
模拟电子技术基础试题库(附答案)

模拟电子技术基础试题库(附答案)一、选择题1. 下列哪种器件是双极型晶体管的三个电极名称?A. 发射极、基极、集电极B. 发射极、基极、地C. 发射极、基极、输入端D. 发射极、基极、输出端答案:A2. 下列哪种电路是模拟电子技术中最基本的放大电路?A. 差分放大电路B. 积分放大电路C. 微分放大电路D. 互补放大电路答案:A3. 下列哪种元件在放大电路中起到反馈作用?A. 电容B. 电感C. 电阻D. 运算放大器答案:A4. 下列哪种放大电路具有输入阻抗高、输出阻抗低的特点?A. 固定偏置放大电路B. 分压式偏置放大电路C. 串联型放大电路D. 并联型放大电路答案:B5. 下列哪种放大电路可以实现电压放大和倒相?A. common-emitter amplifier(共射放大器)B. common-base amplifier(共基放大器)C. common-collector amplifier(共集放大器)D. emitter-follower(发射极跟随器)答案:A6. 下列哪种放大电路具有电压放大倍数可调的特点?A. 固定偏置放大电路B. 分压式偏置放大电路C. 串联型放大电路D. 并联型放大电路答案:C7. 下列哪种电路可以实现信号的整流?A. 半波整流电路B. 全波整流电路C. 桥式整流电路D. 滤波电路答案:A8. 下列哪种电路可以实现信号的滤波?A. 半波整流电路B. 全波整流电路C. 桥式整流电路D. 滤波电路答案:D9. 下列哪种电路可以实现信号的积分和微分?A. 积分放大电路B. 微分放大电路C. 滤波电路D. 整流电路答案:B10. 下列哪种电路可以实现信号的放大和滤波?A. 放大电路B. 滤波电路C. 积分电路D. 微分电路答案:A二、填空题1. 晶体管的三个电极分别为____、____、____。
答案:发射极、基极、集电极2. 放大电路的目的是____。
答案:放大信号3. 运算放大器是一种具有____、____和____的放大器。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。
判断题第一章半导体 1、少数载流子是电子的半导体称为P型半导体。
(对)二极管1、由PN结构成的半导体二极管具有的主要特性是单向导电性。
(对)2、普通二极管反向击穿后立即损坏,因为击穿是不可逆的。
(错)3、晶体二极管击穿后立即烧毁。
(错)三极管1、双极型晶体三极管工作于放大模式的外部条件是发射结正偏,集电结也正偏。
(错)2、三极管输出特性曲线可以分为三个区,即恒流区,放大区,截止区. (错)3、三极管处于截止状态时,发射结正偏。
(错)4、晶体三极管的发射区和集电区是由同一类半导体(P型或N型)构成的,所以极e和c 极可以互换使用。
(错)5、当集电极电流值大于集电极最大允许电流时,晶体三极管一定损坏。
(错)6、晶体三极管的电流放大系数β随温度的变化而变化,温度升高,β减少。
(错)场效应管1、场效应管的漏极特性曲线可分成三个区域:可变电阻区、截止区和饱和区。
(错)第二章1、技术指标放大电路的输出信号产生非线性失真是由于电路中晶体管的非线性引起的。
(对)2、基本放大电路在基本放大电路中,若静态工作点选择过高,容易出现饱和失真。
(对)3、放大电路的三种组态射极跟随器电压放大倍数恒大于1,而接近于1。
(错)三种基本放大电路中输入电阻最大的是射极输出器。
(对)射极跟随器电压放大倍数恒大于1,而接近于1。
(错)射极输出器不具有电压放大作用。
(对)4、多级放大电路直流放大器是放大直流信号的,它不能放大交流信号。
(错)直流放大器只能放大直流信号。
(错)现测得两个共射放大电路空载时的放大倍数都是-100,将它们连成两级放大电路,其电压放大倍数为10000。
(错)多级放大器的通频带比组成它的各级放大器的通频带窄,级数愈少,通频带愈窄。
(错)。
多级放大器总的电压放大倍数是各级放大倍数的和。
(错)多级阻容耦合放大器的通频带比组成它的单级放大器的通频带宽。
(错)第四章在三种功率放大电路中,效率最高是的甲类功放。
(对)第五章差动放大器有单端输出和双端输出两大类,它们的差模电压放大倍数是相等的。
()差动放大器如果注意选择元件,使电路尽可能对称,可以减小零点漂移。
()从信号的传输途径看,集成运放由输入级,输出级,偏置电路这几个部分组成。
(错)差分放大器的基本特点是放大共模信号、抑制差模信号。
(错)一个完全对称的差分式放大器,其共模放大倍数为零。
()一个理想的差分放大电路,只能放大差模信号,不能放大共模信号。
()差动放大电路的A VD越大越好,而A VC则越小越好。
()放大器级间耦合方式有三种:阻容耦合;变压器耦合;直接耦合;在集成电路中通常采用阻容耦合。
(错)集成运放工作在非线性区的两个特点是虚短和虚断。
()第六章射极输出器是电压串联负反馈放大器,它具有稳定输出电压的作用。
()电路中只要引入负反馈就可以改善电路的性能。
()若放大电路的Au小于1,则接入的反馈一定是负反馈;若放大电路的Au大于1,则接入的反馈一定是正反馈。
(错)第八章电压比较器工作时,在输入电压从足够低逐渐增大到足够高的过程中,滞回比较器的输出状态发生 2 次跃变。
(错)第九章振荡器的负载变动将影响振荡频率稳定性()。
稳定振荡器中的晶体三极管静态工作点,有利于提高频率稳定度()。
放大器具有正反馈特性时,电路必然产生自激振荡()。
石英晶体振荡器的主要优点是振荡频率稳定性高。
()振荡电路中只要引入了负反馈,就不会产生振荡信号。
()第十章1、判断图所示的电路是否能正常稳压,说明原因。
不能稳压,电路中缺少限流电阻R。
2、图所示的稳压电路采用两只硅稳压管串联,万用表测得输出电压V o为7V,判断稳压管V z1的稳压值是多少?稳压管V Z1的稳压值是6.3V。
填空题第一章半导体1、自然界的各种物质,根据其导电能力的差别,可以分为_____________、_____________及_____________三大类。
导体;绝缘体;半导体2、导电性能介于导体和绝缘体之间的一大类物质统称为____________。
半导体3、最常用的半导体材料有和。
(硅、锗)4、纯净的、不含其他杂质的半导体称为____________________。
本征半导体5、杂质半导体可以分为_____________和_____________两大类。
N型半导体;P型半导体6、在导体中导电的是,在半导体中导电的不仅有,而且还有,这是半导体区别于导体导电的重要特征。
(自由电子、自由电子、空穴)7、如果在本征半导体晶体中掺入五价元素的杂质,就可以形成_______________,其多子为___________,少子为__________。
N型半导体(电子型半导体);自由电子;空穴8、P型半导体中是多数载流子。
(空穴)9、N型半导体中多数载流子是,P型半导体中多数载流子是。
(自由电子、空穴)10、P型半导体中多数载流子是;N型半导体中少数载流子是。
空穴;空穴11、N型半导体中是多数载流子,是少数载流子,P型半导体中是多数载流子,是少数载流子。
(自由电子、空穴、空穴、自由电子)12、如果在本征半导体晶体中掺入三价元素的杂质,就可以形成________________型半导体,其多子为________________。
P、空穴13、在杂质半导体中,多子的浓度主要取决于掺入的杂质的__________,少子的浓度主要取决于__________。
浓度;温度PN结1、PN结的主要特性是具有________________。
单向导电性2、PN结具有性,偏置时导通,偏置时截止。
(单向导电性、正向、反向)3、PN结的导电特性是,其伏安特性的数学表达式是。
(单向导电性、略)4、PN结正向偏置时,反向偏置时,这种特性称为PN结的。
(导通、截止、单向导电性)5、当硅材料的PN结正向偏压小于V,锗材料的PN结正向偏压小于V时,PN结仍不导通,我们把这一数值通常称为。
(0.5、0.1、死区电压)二极管1、当二极管所加的正向电压大于,二极管处于正向导通状态,呈低阻。
导通电压2、一锗二极管正反向电阻均接近于零,表明该二极管已,又有一硅二极管正反向电阻接近于无穷大,表明该二极管已。
(击穿、熔断)(短路、断路)3、稳压管的稳压区是其在区。
反向击穿4、稳压二极管工作于伏安特性曲线的区。
(反向击穿区)5、稳压管通常工作在________________区。
反向击穿6、要使稳压二极管起到稳压作用,稳压二极管应工作在区。
反向击穿晶体三极管结构1、晶体三极管内部有三个区分别是集电区、基区和区。
(发射区)2、晶体三极管中有两个PN结,其中一个PN结叫做,另外一个叫做。
(发射结、集电结)分类1、三极管根据分层次序分为_________型和_________型两大类。
NPN型;PNP型2、晶体三极管有型和型,前者的图形符号是,后者的图形符号是。
(NPN、PNP、略、略)参数1、三极管的安全工作区由三个极限参数决定,_______________________、_____________________________、_______________________________。
集电极最大允许电流;集电极最大允许耗散功率;极间反向击穿电压2、当温度升高时,二极管的反向饱和电流将_________。
增大3、晶体管是温度的敏感元件,当温度升高时其参数I CBO,V BE,β。
放大1、晶体三极管工作在放大状态的外部条件是。
(发射结正偏、集电结反偏)2、三极管处于放大状态的条件是发射结,集电结。
正偏;反偏3、当晶体管工作在放大区时,发射结电压应为_________、集电结电压应为_________。
正偏;反偏4、为了使三极管工作在放大区,必须使发射结________________;集电结________________。
正向偏置、反向偏置5、晶体三极管有两个PN 结,即结和结,在放大电路中结必须正偏,结必须反偏。
(发射结、集电结、发射结、集电结)6、晶体三极管有两个PN 结,在放大电路中 结必须加正偏, 结必须加反偏。
特性1、三极管的输出特性曲线可分为三个区域,即、和。
(放大区、截止区、饱和区)2、三极管的输出特性可分三个区域,当三极管工作于截止区时,0≈Ic ;当三极管工作于 区时,关系式b I Ic β=才成立;当三极管工作在 区时0≈Vce 。
3、当三极管工作在区时,关系式I C =βI B 才成立;当三极管工作在区时,I C ≈0;当三极管工作在区时,U CE ≈0。
(放大区、截止区、饱和区)计算1、已知三极管99=β,若uA I b 10=,则该管Ic=,Ie=。
2、若晶体三极管集电极电流Ic=9mA ,该管的电流放大系数β=50,则基极电流I B =________。
3、经测试某电路中晶体管的基极电位为0.7V ,发射极电位为0V,集电极电位为5V,则该管是型的晶体管,工作在状态。
4、某放大电路三极管,测得管脚直流电压分别为V V V V V V c b a 9.3;2.3;1-=-=-=, 这是管(硅、锗),__________型,集电极管脚是。
硅;NPN ;a V5、三极管各电极电流的分配关系是。
场效应管1、场效应管是一种元件,而晶体管是元件。
2、场效应管从结构上可分为结型和 型两大类。
第二章技术指标1、放大电路的_________________是指输出信号与输入信号的变化量之比。
放大倍数2、放大器的放大倍数有三种,即为、和。
3、对于一个晶体管放大器来说,一般希望其输入电阻要________些,以减轻信号源的负担,输出电阻要________些,增大带动负载的能力。
分析方法1、画放大器的直流通路时,将视为开路,画交流通路时,将和视为短路。
2、在画直流通路时,电容可以看作路,电感可以看成路。
开(断);短3、放大器中电压、电流的瞬时值包括分量和分量两部分。
4、某固定偏置放大器中,实测得三极管集电极电位V c=V e,则该放大器的三极管处于__________工作状态。
三种组态1、三极管三种基本联接方式分别是、、。
2、共发射极基本放大电路兼有和的作用。
3、放大电路的三种基本组态中,组态带负载能力强,组态频率响应好,组态有倒相作用,组态向信号源索取的电流小,组态既有电压放大作用,又有电流放大作用。
共集,共基,共射,共集,共射4、单管放大电路的三种基本组态中,电路具有电压放大倍数永远小于1,输入电阻高,输出电阻低的特点。
共集电极5、射极输出器的特性归纳为:电压放大倍数,电压跟随性好,输入阻抗,输出阻抗,而且具有一定的放大能力和功率放大能力,射极输出器的反馈类型是。
多级放大电路1、常用的耦合方式有变压器耦合、耦合和直接耦合。
2、多级放大电路常用的耦合方式有:________耦合、___________耦合和_________________耦合。