中南大学2021年《模拟电子技术基础》期末试题
2021模电期末考试题及答案

2021模电期末考试题及答案一、选择题(每题2分,共20分)1. 在模拟电路中,放大器的基本功能是什么?A. 信号的调制B. 信号的解调C. 信号的放大D. 信号的滤波答案:C2. 什么是共射放大器的偏置方式?A. 自偏置B. 分压偏置C. 固定偏置D. 以上都是答案:B3. 在模拟电路设计中,反馈的作用是什么?A. 提高增益B. 降低增益C. 增加噪声D. 减少噪声答案:B4. 什么是运算放大器的开环增益?A. 运算放大器的输出电压与输入电压之比B. 运算放大器的输出电流与输入电流之比C. 运算放大器的输入阻抗D. 运算放大器的输出阻抗答案:A5. 什么是模拟信号?A. 离散的电压或电流信号B. 连续的电压或电流信号C. 数字信号D. 脉冲信号答案:B6. 在模拟电路中,什么是耦合?A. 信号的放大B. 信号的调制C. 信号的解调D. 信号的传输答案:D7. 什么是理想运算放大器?A. 增益无限大B. 输入阻抗无限大C. 输出阻抗无限小D. 以上都是答案:D8. 什么是积分器?A. 将电压信号转换为电流信号B. 将电流信号转换为电压信号C. 将电压信号转换为时间函数D. 将时间函数转换为电压信号答案:C9. 在模拟电路中,什么是失调电压?A. 运算放大器的输入电压B. 运算放大器的输出电压C. 运算放大器的输入电压不为零时的输出电压D. 运算放大器的输入电压为零时的输出电压答案:D10. 什么是差分放大器?A. 用于放大差分信号的放大器B. 用于放大共模信号的放大器C. 用于消除共模干扰的放大器D. 以上都是答案:A二、简答题(每题10分,共30分)1. 解释什么是负反馈,并说明其在模拟电路中的作用。
答案:负反馈是一种反馈方式,其中输出信号的一部分以相反相位反馈到输入端。
在模拟电路中,负反馈可以提高电路的稳定性,减少非线性失真,增加增益的线性度,以及提高输入阻抗和降低输出阻抗。
2. 描述运算放大器的非理想特性,并解释它们如何影响电路的性能。
中南大学数字电子技术基础期末考试试卷四套附答案完整版

中南大学数字电子技术基础期末考试试卷四套附答案Document serial number【NL89WT-NY98YT-NC8CB-NNUUT-NUT108】中南大学信息院《数字电子技术基础》期终考试试题(110分钟)(第一套)一、填空题:(每空1分,共15分)=+的两种标准形式分别为()、()。
1.逻辑函数Y AB C2.将2004个“1”异或起来得到的结果是()。
3.半导体存储器的结构主要包含三个部分,分别是()、()、()。
4.8位D/A转换器当输入数字量为5v。
若只有最低位为高电平,则输出电压为()v;当输入为,则输出电压为()v。
5.就逐次逼近型和双积分型两种A/D转换器而言,()的抗干扰能力强,()的转换速度快。
6.由555定时器构成的三种电路中,()和()是脉冲的整形电路。
7.与PAL相比,GAL器件有可编程的输出结构,它是通过对()进行编程设定其()的工作模式来实现的,而且由于采用了()的工艺结构,可以重复编程,使它的通用性很好,使用更为方便灵活。
二、根据要求作题:(共15分)1.将逻辑函数P=AB+AC写成“与或非”表达式,并用“集电极开路与非门”来实现。
2.图1、2中电路均由CMOS门电路构成,写出P、Q的表达式,并画出对应A、B、C的P、Q波形。
三、分析图3所示电路:(10分)1)试写出8选1数据选择器的输出函数式;2)画出A2、A1、A0从000~111连续变化时,Y的波形图;3)说明电路的逻辑功能。
四、设计“一位十进制数”的四舍五入电路(采用8421BCD码)。
要求只设定一个输出,并画出用最少“与非门”实现的逻辑电路图。
(15分)五、已知电路及CP、A的波形如图4(a)(b)所示,设触发器的初态均为“0”,试画出输出端B和C的波形。
(8分)BC六、用T触发器和异或门构成的某种电路如图5(a)所示,在示波器上观察到波形如图5(b)所示。
试问该电路是如何连接的?请在原图上画出正确的连接图,并标明T的取值。
中南大学模拟电子线路考试题3(附答案

中 南 大 学模拟电子技术试卷(第3套)一. 填空题 (每空1分,共20分) (注:同一题中可能只给出部分“空”的选项) 1. U GS = 0时,能够工作在恒流区的场效应管有: 。
A. JFET ;B.增强型MOSFET ;C.耗尽型MOSFET ;2. 测得放大电路中某BJT 各极直流电位V 1=12V , V 2 =11.3V , V 3 =0V ,则该BJT 的基极电位等于 ,由 材料制成,管型为 。
3. 现测得两个共射放大电路空载时的u A均为 –100,将它们连成两级放大电路后,其电压放大倍数应 10000,且与级间耦合方式 。
A.大于;B. 等于;C.小于; E. 有关; F. 无关;4. 差分放大电路的等效差模输入信号u d 等于两个输入信号u 1和u 2的 , 等效共模输入信号u c 是两个输入u 1和u 2的 。
A.差; B.和; C.平均值;5. 互补输出级通常采用 接法,是为了提高 。
“互补”是指两个 类型三极管交替工作。
A. 负载能力;B.最大不失真输出电压;6. 通用型集成运放通常采用 耦合方式;适合于放大 频率信号;输入级一般为 放大器,其目的是为了 。
7. 恒流源在集成运放中有两个作用: 一是为各级提供 , 二是作为有源负载用来提高 。
8. 信号处理电路中,为了避免50Hz 电网电压的干扰进入放大器, 应该选用 滤波器;欲从输入信号中取出低于20kHz 的信号,应该选用 滤波器。
9. 由FET 构成的放大电路也有三种接法,与BJT 的三种接法相比,共源放大器相当于 放大器。
二. 放大电路及晶体管的输出特性如图所示。
设U BEQ =U CES = 0.7V 。
(10分) 1.用图解法确定静态工作点I CQ ,U CEQ ;2.确定放大电路最大不失真输出电压的有效值U om 。
三. 电路如图所示,已知:BJT 的β= 80, r be =1k Ω,R L =3 k Ω。
(完整版)《模拟电子技术》复习题10套及答案

《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中,多数载流子是;在P型半导体中,多数载流子是。
2、场效应管从结构上分为结型和两大类,它属于控制性器件。
3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合,可以在信号源与负载之间接入(共射、共集、共基)组态放大电路。
4、在多级放大器中,中间某一级的电阻是上一级的负载。
5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态,一般要引入____________。
6、根据下图中各三极管的电位,判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。
7、正弦波振荡电路通常由,,和四部分组成。
二、选择题1、利用二极管的()组成整流电路。
A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入()后形成的杂质半导体。
A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示,其类型为( )场效应管。
A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型图2-10 4、有一晶体管接在放大电路中,今测得它的各极对地电位分别为V 1=-4V,V 2=-1.2V,V 3=-1.4V,试判别管子的三个管脚分别是( )。
A 1:e、2:b、3:cB 1:c、2:e 、3:bC 1:c、2:b、3:eD 其它情况 5、集成运放中间级的作用是( )。
A 提高共模抑制比 B 提高输入电阻 C 提高放大倍数 D 提供过载保护 6、根据相位平衡条件,判断图2-6所示振荡电路中( )发生振荡。
A 可能 B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压( )的值。
A 差 B 和 C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中,已知变压器二次电压有效值U 2=24V ,设二极管为理想二极管,用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ,问电路的现象是( )。
A 正常工作情况 B R L 开路 C C 开路 D 一个二极管和C 开路 E 一个二极管开路 F 其它情况9、某仪表放大电路,要求输入电阻大,输出电流稳定,应选( )负反馈。
《模拟电子技术》期末考试复习题(含答案)

《模拟电子技术》期末考试复习题班级:学号:姓名:成绩:一、填空题1.硅二极管导通时的正向管压降约为____ V,锗二极管导通时的管压降约为____ V。
二极管的两端加正向电压时,有一段死区电压,锗管约为____V,硅管约为____V。
0.70.30.20.52.半导体具有____特性、____特性和____的特性。
掺杂热敏光敏3.电路中流过二极管的正向电流过大,二极管将会____;如果施加在二极管两端的反向电压过高,二极管将会____。
烧坏(开路)击穿(短路)4.使用二极管时,应考虑的主要参数是________和________。
最大整流电流(额定电流)最高反向工作电压(耐压)5.理想二极管的特点是正向导通时管压降为____,反向截止时反向电流为____。
0V0A6.用万用表测量二极管的正反向电阻时,若正、反向电阻均接近于零,则表明该二极管已____;若正、反向电阻均接近于无穷大,则表明二极管已____。
击穿烧坏7.在晶体管中,I E与I B、I C的关系为_________。
I E=I B+I C8.示波器是电子技术中常用的测量仪器,用于观察被测信号的____及测量被测信号的_________、_________和_________。
波形频率大小相位9.硅晶体管发射结的死区电压约为_____V,锗晶体管发射结的死区电压约为____V。
晶体管处在正常放大状态时,硅管发射结的导通电压约为_____V,锗管发射结的导通电压约为____V。
0.50.20.70.310.某晶体管的U CE不变,基极电流I B =30μA时,集电极电流I C =1. 2mA,则发射极电流I E =____ mA,若基极电流I B增大到50μA时,I C增大到2mA,则发射极电流I E =_____mA,晶体管的电流放大系数β=_____。
1.23mA2.05mA4011.用万用表测量晶体管时,应将万用表置于_____挡,并进行_____。
中南大学2021年《电子技术》期末试题及答案

---○---○--- ---○---○---学 院专业班级学 号姓 名………… 评卷密封线 ……………… 密封线内不要答题,密封线外不准填写考生信息,违者考试成绩按0分处理 ……………… 评卷密封线 ………… 中南大学考试试卷(1) 20 ~20 学年 1 学期 电子技术 课程 时间100分钟 80学时, 5 学分,闭卷,总分100分,占总评成绩 60 % 题 号 一 二 三 四 五 六 七 八 合 计 满 分 10 19 16 12 8 15 10 10 100 得 分 评卷人 复查人 一、选择题(本题10分,每小题2分) 1、电路如图所示,所有二极管均为理想元件,则D1、D2、D3的工作状态为( )。
A .D1导通,D2、D3截止; B .D1、D2截止,D3导通; C .D1、D3截止,D2导通; D .D1、D2、D3均截止; 2、存储器的电路结构中包含( )、存储电路和输入/输出电路(或读写控制电路)这三个组成部分。
3、已知Intel2114是1K* 4位的RAM 集成电路芯片,它有地址线( )条,数据线( )条。
4、右图所示波形反映的逻辑函数是( )。
(其中A 、B 为输入波形,Y 为输出波形) A .与非; B .异或; C .同或; D .或; 5、对功率放大电路的基本要求是在不失真的情况下能有( )。
A .尽可能高的电压放大倍数 B.尽可能大的输出功率 C. 尽可能小的零点漂移 6、位D/A 转换器当输入数字量10000000为5v 。
若只有最低位为高电平,则输出电压为( )v ;当输入为10001000,则输出电压为( )v 。
7、已知被转换的信号的上限截止频率为10kHz ,则A/D 转换器的采样频率应高于( )kHz ;完成一次转换所用的时间应小于( )。
得 分 评卷人二、简答题(24分) 1. 写出下图电路输出逻辑表达式。
2.图中各触发器的初始状态Q =0,试画出在CP 信号连续作用下各触发器Q 端的电压波形。
模拟电子技术期末试卷及答案5套

学院 202 -202 学年第 学期《模拟电子技术》试卷(A 卷 专业 级)考试方式: 闭卷 本试卷考试分数占学生总评成绩的 60 %(本题共5小题,每小题4分,共 20 分)一、填空题 1.多级放大电路常见的三种耦合方式中,若要求各级静态工作点互不影响,可选用 耦合方式;若要求能放大变化缓慢的信号或直流信号,可选用耦合方式;若要求能实现阻抗变换,使负载与输出级阻抗相匹配,可选用 耦合方式。
2. 某放大电路中,晶体管三个电极的电流测出分别为:I 1=1.2mA 、I 2=0.03mA 、I1=1.23mA 。
由此可知:电极1是 极,电极2是 极,电极3是极。
若已知I 1电流方向流入晶体管,则I 2电流方向与I 1电流方向 、I 3电流方向与I1电流方向 。
3. 硅二极管导通压降的典型值是 V 、锗二极管导通压降的典型值是 V ;NPN 型管的集电极电流和基极电流 晶体管;PNP 型管的集电极电流和基极电流 晶体管。
4. 线性失真和非线性失真都使得放大电路的输出波形不再与输入波形相同,其中饱和失真和截止失真属于 失真;幅频失真和相频失真属于 失真。
5. 若反馈量使放大电路的净输入量减小,称为 反馈;若反馈量使放大电路的净输入量增大,称为 反馈。
放大电路通常采取 反馈。
6. 小功率直流稳压电源系统中滤波环节最常采用的元件是 元件;串联型直流稳压电路的调整管正常工作在 状态;开关型直流稳压电路的调整管正常工作在 状态。
(本题共10小题,每小题1分,共10分)二、 判断正、误题 1. 因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。
( ) 2. PN 结的单向导电性只有在外加电压时才能体现出来。
( ) 3. 放大电路只有既放大电压又放大电流时,才能称为具有放大作用。
( ) 4. 发光二极管正常工作在正向导通区,其导通压降为0.7V 。
( )5. 为了获得更高的电流放大倍数而采用复合管,复合管的类型取决于第一个管子的类型。
模拟电子技术基础试卷及答案(期末)

模拟电⼦技术基础试卷及答案(期末)第1章直流电路习题解答1.1 在图1.1所⽰电路中,(1)选d 为参考点,求a V 、b V 和c V ;(2)选c 为参考点,求a V 、b V 和d V 。
图1.1 习题1.1电路图解(1)当选d 为参考点时, V 3ada ==u V V 112cd bc bdb =-=+==u u u V ;V 1cdc -==u V (2)当选c 为参考点时, 4V 13dc ad a =+=+=u u V V 2bc b ==u V ;V 1dcd ==u V 1.2 求图1.2中各元件的功率,并指出每个元件起电源作⽤还是负载作⽤。
图1.2 习题1.2电路图解 W 5.45.131=?=P (吸收); W 5.15.032=?=P (吸收) W 15353-=?-=P (产⽣); W 5154=?=P (吸收); W 4225=?=P (吸收)元件1、2、4和5起负载作⽤,元件3起电源作⽤。
1.3 求图1.3中的电流I 、电压U 及电压源和电流源的功率。
图1.3 习题1.3电路图解 A2=I ; V13335=+-=I I U 电流源功率:W 2621-=?-=U P (产⽣),即电流源产⽣功率6W 2。
电压源功率:W 632-=?-=I P (产⽣),即电压源产⽣功率W 6。
1.4 求图1.4电路中的电流1I 、2I 及3I 。
图1.4 习题1.4电路图解 A 1231=-=I A 1322-=-=I 由1R 、2R 和3R 构成的闭合⾯求得:A 1223=+=I I 1.5 试求图1.5所⽰电路的ab U。
图1.5 习题1.5电路图解 V 8.13966518ab-=?+++?-=U1.6求图1.6所⽰电路的a 点电位和b 点电位。
图1.6 习题1.6电路图解 V 4126b=?-=V V 13b a =+-=V V 1.7 求图1.7中的I 及SU。
图1.7 习题1.7电路图解 A7152)32(232=?+-?+-=IV 221021425)32(22S =+-=?+-?+=I U 1.8 试求图1.8中的I 、XI、U 及XU。
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一、填空题1、半波整流电路电阻负载时,理想二极管承受的最高反压是(√2U2)。
2、晶体管电流放大系数是频率的函数,随着频率的升高而(下降)。
共基极电路比共射极电路高频特性(好)。
3、为了提高三极管放大电路的输入电阻,采用(串联)负反馈。
为了稳定输出电流,采用()负反馈。
4、共集电极放大电路具有电压放大倍数(),输入电阻(),输出电阻()等特点,所以常用在输入级,输出级或缓冲级。
5、差分放大电路能够抑制(零点)漂移,也称(温度)漂移,所以它广泛应用于(集成)电路中。
6、有偶数级共射电路组成的多级放大电路中,输入和输出电压的相位_________,有奇数级组成的多级放大电路中,输入和输出电压的相位__________。
7、电压负反馈稳定的输出量是__________,使输出电阻__________,电流负反馈稳定的输出量是__________,使输出电阻__________。
8、稳压二极管是利用二极管的__________特性工作的。
9、晶体管工作在放大状态的外部条件是。
10、经测试某电路中晶体管的基极电位为0.7V,发射极电位为0V,集电极电位为5V,则该管是型的晶体管,工作在状态.11、多级放大电路的耦合方式有、、等。
12、如果想要改善电路的性能,使电路的输出电压稳定而且对信号源的影响减小,应该在电路中引入反馈。
13、有源滤波器的功能是,按电路的幅频特性可分为低通滤波、高通滤波、、和全通滤波五种。
14、在有源滤波器中,运算放大器工作在区;在滞回比较器中,运算放大器工作在区,在比例运算电路中工作在区。
=0时,漏源之间存在导电沟道的称为型场效应管,漏源之间不15、当UGs存在导电沟道的称为型场效应管。
16、两级放大电路的第一级电压放大倍数为100,即电压增益为 dB,第二级电压增益为26dB,则两级总电压增益为 dB。
17、差分电路的两个输入端电压分别为Ui1=2.00V,Ui2=1.98V,则该电路的差模输入电压Uid 为 V,共模输入电压Uic为 V。
二、判断题1.只要满足相位平衡条件,电路就会产生正弦波振荡。
()2.引入直流负反馈可以稳定静态工作点。
()3.负反馈越深,电路的性能越稳定。
()4.零点漂移就是静态工作点的漂移。
()5.放大电路采用复合管是为了增大放大倍数和输入电阻。
()6.镜像电流源电路中两只晶体管的特性应完全相同。
()7.半导体中的空穴带正电。
()8.P型半导体带正电,N型半导体带负电。
()9.实现运算电路不一定非引入负反馈。
()10.凡是引入正反馈的集成运放,一定工作在非线性区。
()三、选择题1、RC串并联网络在时呈()。
(A)感性(B)阻性(C)容性2、通用型集成运放的输入级多采用()。
(A)共基接法(B)共集接法(C)共射接法(D)差分接法3 .两个β相同的晶体管组成复合管后,其电流放大系数约为()。
(A)β(B)β2(C)2β(D)1+β4、在(A)、(B)、(C)三种电路中输出电阻最小的电路是();既能放大电流,又能放大电压的电路是()。
(A)共基放大电路(B)共集放大电路(C)共射放大电路5、当NPN型晶体管工作在放大区时,各极电位关系为uC ()uB()uE。
(A) > (B) < (C) = (D)≤6、硅二极管的正向导通压降比锗二极管的()。
(A)大(B)小(C)相等7、为了增大输出电阻,应在放大电路中引入();为了展宽频带,应在放大电路中引入()。
(A)电流负反馈(B)电压负反馈(C)直流负反馈(D)交流负反馈8、集成运放的互补输出级采用()。
(A)共基接法(B)共集接法(C)共射接法(D)差分接法9、二极管两端电压大于()电压时,二极管才导通。
A击穿电压; B 死区(开启); C 饱和。
0、当温度升高时,二极管的正向电压(),反向饱和电流()。
A 增大; B减小; C 不变; D无法判定11、并联负反馈使放大电路输入电阻()。
A增加; B不变; C减小; D 确定。
12、如果在NPN型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置,集电结也为正向偏置,则此管的工作状态为()A放大状态; B截止状态; C饱和状态; D不能确定。
13、在甲类、乙类、甲乙类放大电路中,其导通角分别为()A 小于180 O、 180 O、 360OB 360O、 180 O、小于180 O。
C 180 O、小于180 O、360O14、从结构上来看,正弦振荡电路是一个()。
A有输入信号的负反馈放大器;B没有输入信号的带选频网络的正反馈放大器;C没有输入信号的不带选频网络的正反馈放大器。
15、84.对频率稳定度要求较高的振荡器,要采用: D 。
ALC振荡电路; B RC振荡电路; C RL振荡电路; D石英晶体振荡电路。
16.两级放大电路,Au1=-40,Au2=-50,若输入电压U1=5mv,则输出电压Uo 为 CA -200mv;B -250mV;C 10V;D 100V。
17.已知某晶体处于放大状态,测得其三个极的电位分别为 6V、9V 和 6.3V,则 6V所对应的电极为()。
A 发射极B 集电极C 基极D 漏极18、晶体管的开关作用是 ( )。
A 饱合时集—射极接通,截止时集—射极断开B 饱合时集—射极断开, 截止时集—射极接通C 饱合和截止时集— 射极均断开19、用万用表测二极管的正、反向电阻的方法来判断二极管的好坏,好的管子应为( )。
A 正、反向电阻相等B 正向电阻大 ,反向电阻小C 反向电阻比正向电阻大很多倍D 正、反向电阻都等于无穷大20、运算放大器电路如图所示,R F1和R F2均为反馈电阻,其反馈极性为 ( )A R F1引入的为正反馈,R F2引入的为负反馈B R F1和R F2引入的均为负反馈C R F1和R F2引入的均为正反馈D R F1引入的为负反馈,R F2引入的为正反馈49、电 路 如 图 所 示,设 二 极 管 D 1 ,D 2,D 3 的 正 向 压 降 忽 略 不 计,则 输 出 电 压 u O =( )。
(a) -2V(b) 0V(c) 6V(d) 12V-∞+R50、在 运 算 放 大 器 电 路 中, 引 入 深 度 负 反 馈 的 目 的 之 一 是 使 运 放 ()。
A 工 作 在 线 性 区 , 降 低 稳 定 性B 工 作 在 非 线 性 区 , 提 高 稳 定 性C 工 作 在 线 性 区 , 提 高 稳 定 性61、电 路 如 图 所 示,晶体管β=50,U BE =0.6 V ,R B =72 k Ω,R C =1.5 k Ω, U CC =9V ,当R W =0时,晶体管处于临界饱和状态,正常工作时静态集电极电流I C Q 应等于 3 mA ,此时应把R W 调整为()。
(a) 100 k Ω(b) 72 k Ω(c) 68 k Ω (d) 86 k Ω62、已知某晶体管的穿透电流I CEO = 0.32mA , 集 基 反 向 饱 和 电 流 I CBO = 4μA , 如 要 获 得 2.69 mA 的 集 电 极 电 流, 则 基 极 电 流 I B 应 为()。
(a) 0.3mA(b) 2.4mA (c) 0.03mA63、电路如图所示, 电容C 2 远大于 C 2 和 C , 其中满足自激振荡相位条件的是下列图 中( )。
CC64、电 路 如 图 所 示,参 数 选 择 合 理,若 要 满 足 振 荡 的 相 应 条件, 其 正 确 的 接 法 是( )。
(a) 1 与 3 相 接, 2 与 4 相 接 (b) 1 与 4 相 接, 2 与 3 相 接 (c) 1 与 3 相 接, 2 与 5 相 接65、一个平衡PN 结,用导线将P 区和N 区连起来,而导线中( )。
A 、有微弱电流B 、无电流C 、有瞬间微弱电流 66、三极管的反向电流I CBO 是由( )组成的。
A 、多数载流子B 、少数载流子C 、多数载流子和少数载流子 67、放大器的输入电阻高,表明其放大微弱信号能力( )。
A、强 B、弱 C、一般 68、射极跟随器具有( )特点。
A、电流放大倍数高 B、电压放大倍数高 C、电压放大倍数近似于1且小于1输入电阻高,输出电阻低69、引入并联负反馈,可使放大器的( )。
A、输出电压稳定 B、反馈环内输入电阻增加 C、反馈环内输入电阻减小()a ()b (c)-∞+21470、直接耦合放大器的低频特性比阻容耦合放大器的()。
A、好B、差C、相同四、计算题5、在图示电路中,已知晶体管静态时UBEQ=0.7V,电流放大系数为β=100,r be=1kΩ,RB1=5 kΩ,RB2=15 kΩ,RE=2.3 kΩ,RC=RL=3 kΩ,VCC=12V。
(1)计算电路的静态工作点、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。
(2)估算信号源内阻为RS =1kΩ时,SusUUA的数值。
6、设图示各电路均引入了深度交流负反馈,试判断各电路引入了哪种组和的交流负反馈,并分别估算它们的电压放大倍数。
1、(a)电压并联负反馈;-R2/R1(b)电压串联负反馈;1+R2/R17、找出下列电路中的反馈元件,并判断反馈的类型。
8、判断如图所示电路中引入了何种反馈,并在深度负反馈条件下计算闭环放大倍数。
9,图 示 电 路 中,J ,K ,M ,N 四点 中 哪 两 点 连 接 起 来, 可 以 提 高 这 个 电 路 的 输 入 电 阻, 并 判 断 级 间反 馈 极 性( 正, 负 反 馈) 和 类 型。
10.如下图所示,R 1=10 K Ω,R 2=5 K Ω,R 3=15 K Ω,R 4=10 K Ω,R f1=20 K Ω,R f2=5 K Ω,设集成运放为理想运放①求出输出u O 与输入信号的运算关系式。
②为了减小温漂,选择R 5 、R 6 的阻值。
+-u o+R 1R 2R 3R 4R f1R f2u i1u i2u i3u oR 5R 6A 1A 2+。