四氯化硅氢化
四氯化硅氢化生产三氯氢硅的方法
四氯化硅氢化生产三氯氢硅的方法SiCl4+H2→HSiCl3+HCl该反应是在高温下进行的，一般反应温度为300-400℃。
在该温度下，四氯化硅和氢气反应生成三氯氢硅和氢氯酸。
该反应是一个放热反应，因此需要控制反应温度和反应速度，以确保反应安全进行。
步骤一：原料准备和预处理首先，需要准备四氯化硅和氢气作为反应的原料。
四氯化硅是常见的无机化合物，可以通过硅矿石经过多步反应得到。
氢气可以通过水电解或者通过天然气蒸气重整来制备。
步骤二：反应装置准备反应装置通常采用反应釜，具有耐腐蚀性能和高温承受能力。
反应釜内部需要安装搅拌器以确保反应均匀进行。
反应釜应具备加热和冷却系统，以控制反应温度。
步骤三：反应控制在将四氯化硅和氢气加入反应釜后，需要控制反应温度和反应速度。
反应温度通常在300-400℃之间，可以通过加热或冷却来调节。
反应速度应根据实际情况决定，过快的反应速度可能导致不稳定的状况。
步骤四：分离和纯化反应结束后，需要将生成的三氯氢硅和副产物氢氯酸进行分离。
通常采用蒸馏或萃取的方法进行分离。
分离后的产物可以通过进一步处理来提高纯度。
1.该方法无需使用昂贵的催化剂，反应条件较为温和，操作较为简单。
2.该方法产物纯度较高，可以直接用于许多应用领域。
3.该方法反应速度较快，反应效率较高。
然而，四氯化硅氢化生产三氯氢硅也存在一些挑战和需要注意的问题：1.四氯化硅本身具有强烈的刺激性和腐蚀性，对操作人员的安全性要求较高。
2.反应釜和操作设备需要具备耐腐蚀性和高温承受能力，增加了生产成本。
3.反应过程中需要严格控制反应温度和反应速度，避免产生副产物或不稳定的状况。
综上所述，四氯化硅氢化生产三氯氢硅是一种重要的化工生产方法，具有许多优点和挑战。
在实际应用中，需要根据具体情况进行优化和改进，以提高产物的纯度和反应的效率。
四氯化硅氢化介绍
四氯化硅氢化介绍四氯化硅氢化通常是在乙醚、二甲基甲酰胺等溶剂中进行的，反应温度一般在-78℃至-20℃。
四氯化硅（SiCl4）是该反应的氢化试剂，它可与四溴甲烷或类似的试剂反应生成硅-氢键，并释放出氯化氢（HCl）。
该反应具有高效、选择性好、反应条件温和等优点。
四氯化硅氢化是一种亲核加成反应，反应机理主要分为两步。
首先，在乙醚等溶剂中，四氯化硅与乙醚酸化成硅电离体，反应生成氯硅醚和氯化氢。
其次，产生的硅电离体与底物发生亲核加成反应，生成相应的硅醚化合物及景德镇硅化氢离子，并释放出氯化氢。
四氯化硅氢化反应的化学方程式如下所示：SiCl4+4R-OH→Si(OR)4+4HCl1.反应选择性高：四氯化硅氢化反应对于酮、醛等羰基化合物具有较好的还原选择性，可选择性地将羰基还原为相应的醇。
2.反应条件温和：四氯化硅氢化反应一般在-78℃至-20℃的低温条件下进行，适用于对温敏性较高的底物。
3.高效性：四氯化硅氢化反应速率较快，反应时间一般为数小时至数十小时。
4.应用广泛：四氯化硅氢化反应可用于合成有机合成中间体、制备高纯度氢化物、还原炔烃等。
例如，通过四氯化硅氢化反应可制备氢化肟、氢化醇、氢化腈等多种有机合成中间体。
然而，四氯化硅氢化反应也存在一些局限性。
首先，由于四氯化硅氢化反应生成的硅醚具有较低的热稳定性，不适用于高温条件下的反应。
其次，四氯化硅氢化反应对含有引入和相邻于硅原子的不稳定官能团的底物具有较低的选择性和活性。
最后，四氯化硅氢化反应对含有酯、亚砜等官能团的底物具有较低的还原活性。
总之，四氯化硅氢化是一种常用且应用广泛的有机合成反应。
其能够高效、选择性地将卤代烷烃、醇、醛、酮、酸和酯等有机物还原为相应的氢化物，具有较好的应用前景。
然而，四氯化硅氢化反应也有一些局限性，需要在具体的合成过程中进行考虑和调整。
四氯化硅冷氢化工艺中热量优化利用的分析
四氯化硅冷氢化工艺中热量优化利用的分析摘要：高纯多晶硅是电子信息产业和太阳能光伏产业的基础原料，工业规模化生产多晶硅主要方法为改良西门子法和流化床法，分别以三氯氢硅和硅烷为主要原料，在以三氯氢硅和基于三氯氢硅歧化法制备硅烷的多晶硅生产工艺中都有大量的副产物四氯化硅产生，目前，多晶硅生产企业基本采取将四氯化硅转化为原料三氯氢硅或以四氯化硅为原料制备白炭黑的方式实现闭环生产与综合利用，从而提高企业的经济效益并解决环保问题。
关键词：四氯化硅冷氢化工艺；热量优化；利用一、四氯化硅冷氢化反应机理四氯化硅冷氢化是在流化床反应器或者固定床反应器中进行，在压力1.2-4.0MPa、温度673-873K、氢气与四氯化硅摩尔比1∶1-5∶1的条件下，将四氯化硅和氢气通过硅粉床层，将四氯化硅转化为三氯氢硅。
总的反应方程式为：紧接着是活性的Si…Cl、Cu…Cl、Cu…Si和Si…Si键被H2还原生成SiHCl3和HCl，这是一个慢反应，随后中间产物HCl和Si在催化活性位置Cu…Si上快速反应生成三氯氢硅，Si被反应生成SiHCl3，位置被来自下部的Si原子迁移补充，产生新的活性位Cu…Si，完成催化循环。
目前，除铜基、镍基、铁基、钴基等金属或金属化合物催化剂之外，其他的催化剂体系也有研究开发，例如Lee等[7]使用碳基催化剂研究四氯化硅氢化成三氯硅烷反应，发现掺杂了硅的金属-碳复合催化剂比催化剂和硅粉简单物理混合的催化剂具有更高的催化活性，可以获得更高的SiHCl3收率。
二、四氯化硅冷氢化工艺中热量优化利用的方法1、换热网络优化1.1坚持外部损失最小原则在实际生产时，由于化工行业产生能量或多或少都会出现损失，譬如跑、冒、滴、漏等现象出现、生产三废排放、又或者是保温效果降低等都会导致能量损失。
虽说从相关研究来看，化工行业生产所损失的这些能量能量级较低，但由于其均是由系统内部高能量级的能量转换而来的，并且这些损失的能量属于不可逆的。
四氯化硅氢化介绍
四氯化硅氢化一、副产物四氯化硅1.四氯化硅的产生在多晶硅生产中，无论是SiHCl3的合成还是氢还原制取多晶硅，都会产生大量的副产物四氯化硅，并随尾气排出，如：在氢还原中：主反应：3HCl+Si=SiHCl3+H2副反应：4SiClSi+3SiCl4+2H332SiCl3 Si+2HCl+SiCl4在SiHCl3合成中：主反应：Si+3HCl=SiCl3+H2副反应：Si+4HCl SiCl4+2H2SiHCl3合成中副反应产生的SiCl4约占生产物总量的10~20%。
这些副产物SiCl4是我们在生产中所不希望产生的，因为他消耗了原料和能源却得不到想要的产品。
因此在实际生产中，需要尽量减少副反应及副产物的生成，但副反应又是不可避免的，因此对副产物必须进行综合利用，将其变为有用的产品，这样可以降低成本，创造效益。
2.四氯化硅的性质四氯化硅在常温常压下是无色透明的液体，无极性，易挥发，有强烈的刺激性，水解后生成二氧化硅和HCl。
能与苯、乙醚、氯仿等混合，与醇反应可生成硅酸酯。
有用易水解，并生产HCl，所有在有水的环境下具有强烈的腐蚀性。
四氯化硅的性质见下表：SiCl4物理性质表虽然四氯化硅也可以用氢气还原制备多晶硅，但是与采用三氯氢硅还原相比教，存在如下不足：SiCl3与SiCl4的氢还原比较可以看出，如果将这些副产物四氯化硅回收后用来直接制备多晶硅，从能耗和物耗上讲是不划算的。
如果直接将这些四氯化硅作为废物处理掉，则更为不划算，原因如下：1.副产物四氯化硅同样消耗了原料工业硅粉和液氯，作为废物处理掉就会造成这部分原料的损失，造成多晶硅生产中物料单耗的上升，增加了多晶硅的成本。
2.将四氯化硅作为废料处理会对环境带来污染。
3.将四氯化硅作为废料处理需花费大量资金。
因此，对副产物四氯化硅需要寻找另外的方法进行处理，既可避免对环境的污染又可降低多晶硅生产成本。
目前，国内外采用得较多的方法是：a 四氯化硅氢化后转化为三氯氢硅生产多晶硅；b 用四氯化硅生产其他类型的产品，如：硅酸乙酯、有机硅和气相白炭黑等。
四氯化硅的氢化处理技术进展
１ 热 氢 化技 术
热氢化 技 术 ， 以 四 氯 化 硅 和 氢 气 为 原 料 ， 是 经 １０ ￣ １５ ￣ ２０－ ２０Ｃ的石 墨 发 热体 加 热 ， 行 热 还 原 反应 ． 进 生成三 氯氢 硅 。其 主要反 应 方程式 为 ：
４
＋ Ｈ ２—
Ｈ ３ ＨＣ１ ＋
染， 此外 ， 也造成了资源的极大浪费 ， 加大了企业 的 生产成本 。合理 回收利用 四氯化硅 ， 在减少环境污 染 的同时 ， 也降低了企业的生产成本 ， 有利于多晶硅 生 产企 业 的可持 续发 展 。
热氢化技术的主要不足之处是 ： 转化率低 ， 连续 稳定生产的转化率在 １ ～２ ％之 间； ５ Ｏ 能耗较高 ， 能耗 为 ６ ｋ ・ｈ ｋ ； 氢 化 采 用 的 发 热 体 主 要 ～８ Ｗ ／ｇ 热 材料为石墨 ， 会与四氯化硅发生反应 ， 生成氯代烃 ， 增加 了三氯氢硅分离提纯的难 度。此外 ， 在热氢化
些 四氯 化硅 氢化 处理 的新 技术 。
工艺限制 ， 该法在生产多晶硅 的同时产生大量的副 产 物 四氯 化硅 （ 生产 １吨多 晶硅会 产生 １～ １ 每 ５ ８吨
的四氯化 硅 ） 。四氯化 硅是 一种 有毒 有害气 体 ， 如果 不加 处理 而任 意排 放 ， 四氯化 硅 将 会 与 大气 中 的水 汽结合 ， 生 氯 化 氢 气 体 ， 而 对 环 境 造 成严 重 污 产 从
的过 程 中 ， 产生 一定 量 的硅 粉 ， 粉沉 积在 石 墨发 会 硅
硅等方法。气相法白炭黑 、 光纤 、 有机硅因为产品市 场容量有限， 不能大规模的处理四氯化硅 ； 四氯化硅
直接生产多晶硅转化率较低 ， 能耗较高 ， 经济可行性 不 大 ； 理 四氯化 硅 的 主流 方 法 是 将 四氯 化 硅 转 化 处
四氯化硅冷氢化原理
四氯化硅冷氢化原理一、前言四氯化硅冷氢化是一种重要的有机合成反应，可以将酮、醛、羰基化合物等转化为相应的醇，是制备高纯度有机硅化合物的重要方法之一。
本文将从反应机理、催化剂选择、反应条件等方面详细介绍四氯化硅冷氢化原理。
二、反应机理四氯化硅冷氢化反应是一种加成还原反应，其反应机理如下：1. 氢离子在催化剂的作用下与四氯化硅发生配位作用，形成中间体SiCl4(H)2。
2. 配位中间体与醛或酮发生加成反应，生成稳定的中间体SiCl4(H)(OR)。
3. 中间体SiCl4(H)(OR)在催化剂的作用下与氢分子发生还原反应，生成相应的醇和HCl。
三、催化剂选择四氯化硅冷氢化反应需要使用催化剂来促进反应进行。
常见的催化剂有铝烷类、钼酸盐类和铁类等。
其中以铝烷类催化剂最为常见。
铝烷类催化剂具有较高的催化活性和选择性，能够将酮、醛等羰基化合物选择性地转化为相应的醇。
四、反应条件四氯化硅冷氢化反应的反应条件对反应结果有着重要的影响。
常见的反应条件包括温度、压力、催化剂用量等。
1. 温度：四氯化硅冷氢化反应需要在低温下进行，通常在-78℃左右。
此时，可以有效地抑制副反应的发生，提高产率。
2. 压力：四氯化硅冷氢化反应需要在较高压力下进行，通常在3-5 atm左右。
此时可以提高反应速率和产率。
3. 催化剂用量：催化剂用量对于反应结果也有着重要的影响。
通常情况下，催化剂用量为羰基物质的1%-5%左右。
五、总结综上所述，四氯化硅冷氢化是一种重要的有机合成方法，可以将酮、醛等羰基物质转化为相应的醇。
该反应需要使用铝烷类催化剂，并在低温、高压和适当催化剂用量下进行。
该方法具有反应条件温和、产率高、选择性好等优点，在有机合成中得到了广泛的应用。
三氯氢硅、四氯化硅相关反应
02．三氯氢硅氢还原反应基本原理用氢气作为还原剂，在1100～1200℃下还原SiHC13，是目前多晶硅生产的主要方法。
由于氢气易于净化，而且在硅中的溶解度极低，所以用氢气还原生产的多晶硅较其他还原剂(如锌、碘)所制得的多晶硅纯度要高得多。
2.1 三氯氢硅氢还原反应原理SiHCl 3和H 2混合，加热到900℃以上，就能发生如下反应：)(H C l 3)( S i )( H )(S iHCl 110090023气固气气℃～+−−−−→←+同时，也会产生SiHCl 3的热分解以及SiCl 4的还原反应:2490032H 3SiCl Si 4SiHCl ++−−→←℃ 4HCl Si 2H SiCl 24+−→←+此外，还有可能有43SiCl 2HCl Si 2SiHCl ++−→←HCl SiCl SiHCl 23+−→←以及杂质的还原反应：6HC1 2B 3H 2BCl 23+−→←+6HC1 2P 3H PCl 23+−→←+这些反应,都是可逆反应，所以还原炉内的反应过程是相当复杂的。
在多晶 硅的生产过程中，应采取适当的措施，抑制各种逆反应和副反应。
以上反应式中， 第一个反应式和第二个反应式可以认为是制取多晶硅的基本反应，应尽可能地使 还原炉内的反应遵照这两个基本反应进行。
四氯化硅氢化1． 四氯化硅来源与性质1.1 四氯化硅的产生在多晶硅生产过程中，在SiHCl 3 合成工序和氢还原制取多晶硅工序，会产生大量的副产物SiCl 4，并随着尾气排出。
在氢还原工序中，会发生以下几个反应：主反应：Si 3HCl H SiHCl 23+−→−+ 副反应：2490032H 3SiCl Si 4SiHCl ++−−−→−℃以上 43SiCl 2HCl Si 2SiHCl ++−→−在SiHCl 3合成工序中主要发生以下反应：主反应： 23H SiHCl 3HCl Si +−→−+ 副反应： 242H SiCl 4HCl Si +−→−+ SiHCl 3合成中副反应产生的SiCl 4约占生成物总量的约 10% ，在氢还原工序中也有部分SiHCl 3 发生副反应生成了SiCl 4 。
四氯化硅处理方案比较
一、概述
在三氯氢硅合成中附产四氯化硅，目前四氯化硅的处理方式有利用热氢化技术或冷氢化技
术转化成三氯氢硅，或将四氯化硅合成气相白炭黑。
二、处理方式的工艺流程简述
1. 四氯化硅氢化技术
1） 四氯化硅热氢化技术
（1）工艺流程：四氯化硅精馏——四氯化硅热氢化反应——氢化尾气回收——氯硅烷精馏
四、白炭黑需求量统计 2006年~2010年白炭黑的需求量见下图：如图所示2010年总量约40600吨
华经视点研究中心
而2009年我国气相白炭黑的产量为1.8万吨（来源于国际新能源网）。
从以上数据可以看出，气相白炭黑有较大的市场缺口。
五、不同工艺装置投资及生产成本比较
四氯化硅的处理量按 10000 吨考虑，四氯化硅氢化及白炭黑生产装置的相关数据见下表：
3045
六、结论
1. 目前三氯氢硅需大于求，三氯氢硅还有需求市场，故利用四氯化硅氢化技术合成三氯氢硅既
可以解决四氯化硅的处理问题，同时增加了三氯氢硅的产能，但由于贵单位没有多晶硅生产装
置，三氯氢硅产量只有 1 万吨，附产四氯化硅只有 2000 吨，因此采用冷氢化技术存在原材料。
2. 冷氢化技术比热氢化技术投资少，成本低。 3. 采用冷氢化技术生产三氯氢硅获得的利润比生产气相白炭黑获得的利润更大。 4. 由于贵单位有三氯氢硅合成装置及 PVC 生产装置，气相法生产白炭黑所附产的氯化氢可以用 于三氯氢硅的合成或 PVC 的合成。 5．如果贵单位只保持现有生产装置，建议采用白炭黑工艺，如果考虑有扩产或上多晶硅装置， 则选择冷氢化技术为宜。 6. 我院掌握三种工艺技术，均能完成工程设计。
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四氯化硅氢化
一、副产物四氯化硅
1.四氯化硅的产生
在多晶硅生产中，无论是SiHCl3的合成还是氢还原制取多晶硅，都会产生大量的副产物四氯化硅，并随尾气排出，如：
在氢还原中：
主反应：3HCl+Si=SiHCl3+H2
副反应：4SiCl
Si+3SiCl4+2H3
3
2SiCl3 Si+2HCl+SiCl4
在SiHCl3合成中：
主反应：Si+3HCl=SiCl3+H2
副反应：Si+4HCl SiCl4+2H2
SiHCl3合成中副反应产生的SiCl4约占生产物总量的10~20%。
这些副产物SiCl4是我们在生产中所不希望产生的，因为他消耗了原料和能源却得不到想要的产品。
因此在实际生产中，需要尽量减少副反应及副产物的生成，但副反应又是不可避免的，因此对副产物必须进行综合利用，将其变为有用的产品，这样可以降低成本，创造效益。
2.四氯化硅的性质
四氯化硅在常温常压下是无色透明的液体，无极性，易挥发，有强烈的刺激性，水解后生成二氧化硅和HCl。
能与苯、乙醚、氯仿等混合，与醇反应可生成硅酸酯。
有用易水解，并生产HCl，所有在有水的环境下具有强烈的腐蚀性。
四氯化硅的性质见下表：
SiCl4物理性质表
虽然四氯化硅也可以用氢气还原制备多晶硅，但是与采用三氯氢硅还原相比教，存在如下不足：
SiCl3与SiCl4的氢还原比较
可以看出，如果将这些副产物四氯化硅回收后用来直接制备多晶硅，从能耗和物耗上讲是不划算的。
如果直接将这些四氯化硅作为废物处理掉，则更为不划算，原因如下：
1.副产物四氯化硅同样消耗了原料工业硅粉和液氯，作为废物处理掉就会
造成这部分原料的损失，造成多晶硅生产中物料单耗的上升，增加了多
晶硅的成本。
2.将四氯化硅作为废料处理会对环境带来污染。
3.将四氯化硅作为废料处理需花费大量资金。
因此，对副产物四氯化硅需要寻找另外的方法进行处理，既可避免对环境的污染又可降低多晶硅生产成本。
目前，国内外采用得较多的方法是：a 四氯化硅氢化后转化为三氯氢硅生产多晶硅；b 用四氯化硅生产其他类型的产品，如：硅酸乙酯、有机硅和气相白炭黑等。
在目前先进的改良西门子多晶硅生产工艺中，四氯化硅氢化再利用是构成物料闭路循环的重要一环。
因此，作为物料物尽其用比提高多晶硅产量的一个有效手段，四氯化硅经氢化转化为三氯氢硅生产多晶硅是许多多晶硅厂家首先考虑的方法。
结合国内的生产情况，下面对四氯化硅氢化工艺进行简单介绍。
二、四氯化硅氢化的方法
目前，国内外进行四氯化硅氢化转化为三氯氢硅的方法主要有两种。
一种采用的是如下的反应原理：
3SiCl4+Si+2H2——4SiCl3
这种方法是利用四氯化硅与硅粉和氢气在较高温度、压力的沸腾炉中反应，生成三氯氢硅（实际是三氯氢硅、四氯化硅、氢气等的混合气，需要冷凝后送精馏分离提纯）。
据国外报道，其转化率最高为25%左右。
这种氢化方法由于采用了工业硅粉，因此得到的产品纯度不高，需要进行进一步的精馏提纯，才能得到最终可供氢还原使用的二氯氢硅，这就加大了能耗。
并且由于该反应温度较高，反应压力也较高（十多个大气压），对设备的要求也很高。
此外，由于硅粉的硬度很大，在反应过程中呈沸腾状，对沸腾炉的内壁造成严重的摩擦，使内壁变薄，缩短沸腾炉的寿命。
近几年来国内外逐渐发展了另一种四氯化硅氢化的防腐，即“热氢化”，其反应原理如下：
将一定配比的四氯化硅、氢气的混合气体送人反应炉，在高温下进行反应，得到三氯氢硅，同时生成氯化氢。
整个过程与氢化还原反应很相似，通用需要制备汽气混合物的蒸发器，氢化反应炉与还原炉也很相似，只不过得到的是三氯氢硅而不是多晶硅。
热氢化的整个流程示意如下：
（全精馏提纯）
四氯化硅被送到蒸发器中蒸发为气态，并与回收氢气及补充的氢气按一定比例的配比（摩尔比）形成汽气混合物，这一过程的原理、设备及操作和氢还原的
蒸汽混合物制备过程相同，只是两者的控制参数不同。
所制得的四氯化硅和氢气的混合气进入氢化炉中，在氢化炉内炽热的发热体表面发生反应，生成三氯氢硅和氯化氢。
这个过程的四氯化硅并不是全部百分百的转化为三氯氢硅，真正参与反应的四氯化硅只占小部分。
因此，从氢化炉内出来的尾气还含有大量的氢气和四氯化硅，已经三氯氢硅和氯化氢，这些尾气被送到回收装置中，将各个组分分离出来，氢气返回氢化反应中，氯化氢送去参与三氯氢硅合成，氯硅烷（其中四氯化硅占大部分，其余是三氯氢硅）送到精馏分离提纯后，四氯化硅返回氢化，三氯氢硅送到氢还原制取多晶硅。
三、四氯化硅热氢化
虽然四氯化硅热氢化过程与氢还原过程很相似，但是在反应的条件、设备及其他一些方面还是有较大的差别，下面就热氢化过程作分段详细叙述。
1.四氯化硅原料的来源
在多晶硅工厂中，四氯化硅是最主要的副产物，产量很大，比如在三氯氢硅合成中，生成三氯氢硅的同时，大约要生成20%的四氯化硅，另外还有氢化还原生成多晶硅的同时也要产生大量的四氯化硅，以及热氢化反应未转化的四氯化硅。
这些四氯化硅混同其他氯硅烷经过尾气回收装置冷凝回收后，都在精馏工段分离提纯，得到纯净的四氯化硅作为热氢化的原料。
2.蒸汽混合物的制备
如同氢化还原一样，四氯化硅进入一个类似于换热器的容器中，在其中被加热蒸发，与通入容器中的氢气混合，形成混合气体。
为了得到要求配比（摩尔比）的混合气，必须对四氯化硅的蒸发温度和容器的压力进行控制，使其在一规定的值。
对设备及过程更详细的说明可参考还原蒸发器相关章节。
3.热氢化反应及反应炉
混合气进入氢化反应炉中，在1000℃以上的高温下反应。
因为四氯化硅与氢气反应也可以生成多晶硅，但在这里需要避免这种情况出现，否则在氢化炉的发热体上将沉积一次多晶硅，对发热体及氢化炉体的使用带来影响，并且使四氯化硅对二氯氢硅的转化率降低。
根据研究，当四氯化硅与氢气的配比在一定范围内时，并控制所需的反应温度压力，即可避免多晶硅的生成，而使反应向着生成三氯氢硅的方向进行。
因此前面的蒸发器的操作尤为重要，运行要稳定且参数要合
理，以确保得到的所需配比的汽气混合物进入氢化炉。
热氢化炉与还原炉很相似，有着类似的炉体结构。
但也存在许多不同之处。
⑴发热体。
还原炉的发热体是硅芯，多晶硅就沉积在硅芯上，硅芯逐渐变粗成为最终产品多晶硅棒。
氢化炉的发热体由一种特殊材料制成，它提供反应所需的温度，并且反应也在其表面进行，但是并没有固体物质沉积在上面。
⑵还原炉属于间歇式生产，当炉内的硅棒生长到所需直径后便会停止反应，将硅棒取出后，再装入硅芯，进行新一炉的生长。
氢化炉是连续性生产，一旦混合气通入炉内，便不再停止，因为它的产品并不需要将炉子打开才能得到，产品（三氯氢硅）连同四氯化硅及氢气、HCl源源不断地从出气管道中排出。
除非设备进行检修，否则不会停炉。
⑶由于氢化炉中的发热体本身就是电的良导体，而不像硅芯一样冷电阻高不易导电，因此氢化炉的启动不需要专门的如高压启动或预热启动装置。
⑷氢化炉的炉筒冷却水温度低于还原炉的炉筒冷却水温。
⑸氢化炉的进气是从顶部进气，从底部出气。