曝光工艺流程示意图
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工艺流程图(102页)
化工学院
（四）物料流程图
名称 kmol/h y/%
1 氧气 10.09 20.96 2 氮气 37.58 77.99 3 稀有气体 0.46 0.95 4 二氧化碳 0.0143 0.023
5 杂质 0.0406 0.084
6 合计 48.18 100
t=180℃ p=5MPa
压缩空气
名称 kmol/h y/% 1 氧气 10.09 21.07 2 氮气 36.81 76.88 3 稀有气体 0.95 2.00 4 二氧化碳 0.023 0.048 5 杂质 0.0053 0.011 6 合计 47.88 100
中 粗 实 线 ———— 辅 助 物 料 流 程 化工学院 线
（三）方案流程图
箭头表明物料的流向。 流程线的起讫点注明物料名称，来源以及去向。 流程线一般画成水平或垂直。 设备的标注 一般在流程图的正上方或正下方标注设备的位号及名称，标 注时排成一排。 包括：设备分类号、工段号、顺序号和设备尾号。
V0603 贮气罐
（三）方案流程图
➢方案流程图的阅读
①从标题栏可以了解流程图的图名、图号、设计阶段 、签名等；
②从设备位号的标注可以了解设备的位号、名称和数 量；
③从流程图中可以了解生产过程所使用的设备；
④从流程图中还可以看到各物料的来龙去脉(流向)。
化工学院
（三）方案流程图
空压站方案流程图的阅读
IA
HS
物料名称 工艺空气 工艺气体 气液两相流工艺物料 气固两相流工艺物料 工艺液体 液固两相流工艺物料 工艺固体 工艺水
空气 压缩空气
仪表空气
高压蒸汽
代号 HUS LS LUS MUS SC TS
BW
物料名称 高压过热蒸汽
（四）物料流程图
名称 kmol/h y/%
1 氧气 10.09 20.96 2 氮气 37.58 77.99 3 稀有气体 0.46 0.95 4 二氧化碳 0.0143 0.023
5 杂质 0.0406 0.084
6 合计 48.18 100
t=180℃ p=5MPa
压缩空气
名称 kmol/h y/% 1 氧气 10.09 21.07 2 氮气 36.81 76.88 3 稀有气体 0.95 2.00 4 二氧化碳 0.023 0.048 5 杂质 0.0053 0.011 6 合计 47.88 100
中 粗 实 线 ———— 辅 助 物 料 流 程 化工学院 线
（三）方案流程图
箭头表明物料的流向。 流程线的起讫点注明物料名称，来源以及去向。 流程线一般画成水平或垂直。 设备的标注 一般在流程图的正上方或正下方标注设备的位号及名称，标 注时排成一排。 包括：设备分类号、工段号、顺序号和设备尾号。
V0603 贮气罐
（三）方案流程图
➢方案流程图的阅读
①从标题栏可以了解流程图的图名、图号、设计阶段 、签名等；
②从设备位号的标注可以了解设备的位号、名称和数 量；
③从流程图中可以了解生产过程所使用的设备；
④从流程图中还可以看到各物料的来龙去脉(流向)。
化工学院
（三）方案流程图
空压站方案流程图的阅读
IA
HS
物料名称 工艺空气 工艺气体 气液两相流工艺物料 气固两相流工艺物料 工艺液体 液固两相流工艺物料 工艺固体 工艺水
空气 压缩空气
仪表空气
高压蒸汽
代号 HUS LS LUS MUS SC TS
BW
物料名称 高压过热蒸汽
CMOS工艺流程版图剖面
P sub. 〈100〉
形成N阱
– 初始氧化，形成缓冲层，淀积氮化硅层
– 光刻1，定义出N阱
– 反应离子刻蚀氮化硅层 – N阱离子注入，先注磷31P+ ，后注砷75As+
41
N阱 P sub. 〈100〉
形成P阱
– 在N阱区生长厚氧化层，其它区域被氮化硅层 保护而不会被氧化 – 去掉光刻胶及氮化硅层 – P阱离子注入，注硼
70
71
2. 典型P阱CMOS工艺的剖面图
硅栅 漏 薄氧化层
源
金属 低氧
场氧化层 （FOX）
n-衬底
p-阱
72
CMOS process
p+
p+
p-
73
Process (Inverter)p-sub
In
GND
S G D
VDD
D G S
图例
Legend of each layer
N-well P-diffusion N-diffusion
49
形成第一层金属
– 淀积金属钨(W)，形成钨塞
50
形成第一层金属
– 淀积金属层，如Al-Si、Al-Si-Cu合金等 – 光刻9，第一层金属版，定义出连线图形 – 反应离子刻蚀金属层，形成互连图形
51
正硅酸乙脂（TEOS）分解 650～750℃
形成穿通接触孔 – 化学气相淀积PETEOS, 等离子增强正硅酸四乙酯热分解 Plasma Enhanced TEOS ：tetraethylorthosilicate [Si(OC2H5)4] -- 通过化学机械抛光进行平坦化 – 光刻穿通接触孔版 – 反应离子刻蚀绝缘层，形成穿通接触孔 形成第二层金属 – 淀积金属层，如Al-Si、Al-Si-Cu合金等 52 – 光刻10，第二层金属版，定义出连线图形
PHOTO工艺
第九章PHOTO工序PHOTO工序的目的HOTO的基本概念什么是PHOTO?若是从一个液晶厂内部部门来说，PHOTO指的是黄光部。
但是从工艺来说，在半导体和液晶产业，PHOTO指光刻技术。
当然，这两个概念是有实质联系的，因为在液晶厂内负责光刻方面工作的就是黄光部。
HOTO工序的目的PHOTO工序的目的是把膜层电路结构复制到以后要蚀刻的玻璃基板上。
主要过程依次如下面图（一），图（二）和图（三）所示。
图（一）图（二）图（三）PHOTO工序主要包含三大步骤，即上图所示的光阻涂布（PR coating）; 曝光（Exposure）;和显影（Develop）.光阻涂布（如图一），就是在plate（玻璃基板）上涂布光阻。
光阻是一种对特定波长的UV光敏感的有机材质，遇到一定强度的UV光就会发生化学反应，所以PHOTO工序要在黄光下进行。
因为黄光波长大，光子能量低，强度比较弱（不会引起光阻化学反应）并且照明效果不错的光。
光阻涂布制程主要控制光阻的膜厚及其均一性。
曝光（Exposure）是PHOTO的关键，也是ARRAY的关键。
之前说了PHOTO是把膜层电路结构复制到以后要蚀刻的玻璃基板上。
临时电路结构就设计在MASK（光罩）上，光罩上有电路结构区域不透光，没有电路结构区域可以透光。
这样就使上一步骤涂布的光阻经过曝光工序之后，电路结构就从光罩转移到光阻上。
曝光（Exposure）制程的主要参数是CD（线宽）,Total pitch, Overlay。
Develop即显影。
经过Exposure之后在玻璃基板上喷洒显影液，因为显影液为碱性，对正性光阻而言，被紫外光照射过的光阻可以溶解在碱性显影液中，而未紫外光照射到的部分不溶于显影液。
因此，显影之后，在玻璃基板上，只剩下电路部分有光阻，而其它区域无光阻（注：本节所指光阻为正光阻，一般TFT段都使用正光阻）。
显影液浓度的控制是显影工艺的关键，浓度的高低会影响到线宽。
显影后送去蚀刻，这样有光阻保护部分（即需要的电路部分）的膜不会被蚀刻掉，而没有光阻保护部分的膜就被蚀刻掉。
曝光工艺与参数
一、线路：
线路（内外层）曝光一般有两种工艺： 正片流：被曝光的地方被去掉。 负片流：被曝光的地方被留下。
线路图形转移工序包括： 内层制作影像工序，外层制作影像工序，外层丝印工序
（此工序主要用UV灯，此次培训不作详解）。
1.1线路图形转移定义:
¾ 将在处理过的同面上贴上或涂上一层感光性膜层，在紫外 线的照射下，将菲林底片上的线路图形转移到铜面上，形 成一种抗蚀的掩护膜图形，那些未被抗蚀剂保护的、不要 的铜箔，将在随后的化学蚀刻工序中蚀刻掉，经过蚀刻工 序后再退去抗蚀膜层，得到所需的裸铜电路图形。
处理方法
1、加大能量或曝光时间设定； 2、延长预烤时间； 3、加强前处理。 1、加大能量或曝光时间设定； 2、更换菲林底片； 3、更换麦拉、亚克力或台面玻璃。
延长预烤时间。
4
曝光时间 太长
1、光学系统受污染； 2、灯管的使用时间过长或功率过低； 3、设备异常或参数设定有误。
1、保养或更换光学系统； 2、检查灯管的使用时间及功率； 3、确认曝光参数设定的正确性。
¾ 测试方法：都是以曝光台面玻璃的有效曝光边以内5～
10cm定位周边的测试点。
3.5平行光
3.5.1影响平行光机均匀度的部件：
灯座（X、Y、Z三轴）； 1. 冷光镜； 2. 积光镜； 3. 转换镜； 4. 平行光镜。
3.5.2灯座对比
可调。类似： NON SOKKI 、 BEAC 、ADTEC
可调。类似：ORC （美国）、AUTOMATECH、Hakuto、 TORAY、志圣
5
偏位
1、机器的对位系统异常； 2、菲林异常。
1、复位对位系统重新设置或维维 2、检查菲林更正。
三、曝光参数与要求:
工艺流程图PPT课件
❖ ①设备示意图
❖ 可按设备大致几何形状画出(或用方块图表 示)，设备位置的相对高低不要求准确，但要 标出设备名称及位号。
❖ ②物流管线及流向箭头
❖ 包括全部物料管线和部分辅助管线，如： 水、气、压缩空气冷冻盐水，真空等。
❖ ③必要的文字注释，包括设备名称、物料名 称、物料流向等。
图例只要标出管线图例，阀门、仪表等
❖ ①图形 ❖ 包括设备示意图形、各种仪表示意图形及各种
管线示意图形。 ❖ ②标注内容 ❖ 主要标注设备的位号、名称及特性数据，如流
程中物料的组分、流量等。 ❖ ③标题栏 ❖ 包括图名，图号、设计阶段等。 ❖ 图样采用展开式，按工艺流程的次序从左至
右绘出一系列图形，并配以物料流程线和必要的 标注，物料流程图一般以车间为单位进行绘制。 通常用加长A2或A3幅面的长边而得，图面过长也 可分张绘制。图中一般只画出工艺物料的流程， 物料线用粗实线，流动方向在流程线上以箭头表 示。
❖ 化工工艺流程图是用来表达整个工厂或车间生 产流程的图样。它既可用于设计开始时施工方案 的讨论，亦是进一步设计施工流程图的主要依据。 它通过图解的方式体现出如何由原料变成化工产 品的全部过程。化工工艺流程图的设计过程可以 分为如下三个阶段：
❖ ① 生产工艺流程示意图
❖ ② 生产工艺流程草图；
❖ ③ 生产工艺流程图。
❖ 善才能完成。随着生产工艺流程设计的不 断展开，就需要绘制生产工艺流程示意图、 生产工艺流程草图和生产工艺流程图等。
❖ 一般在编制设计方案时，生产方法和生 产规模确定后就可以考虑设计并绘制生产 工艺流程示意图了。有了工艺流程示意图 就可以进行物料衡算、能量衡算以及部分 设备计算，然后才可以进行生产工艺流程 草图的设计及绘制。待设备设计全部完成 后，再修改和补充工艺流程草图，由流程 草图和设备设计进行车间布置，根据车间 布置图再来修改工艺流程草图，最后得出 工艺流程图。
工艺流程图与物料流程图
根据使用场景选择
工艺流程图和物料流程图的使用场景不同，需要根据具体的使用场景选择合适的图表。例 如，在工厂规划、生产线设计等场景下，工艺流程图更为常用；在物流管理、供应链管理 等场景下，物料流程图更为常用。
05 应用场景与案例分析
工艺流程图的应用场景
生产制造流程
工艺流程图用于描述生产制造过 程中各个工序的顺序和关系，帮 助企业优化生产流程，提高生产
作用
帮助分析和优化生产过程，提高生产 效率和减少浪费。
绘制方法与工具
方法
确定绘制物料流程图的范围和目的，收集相关资料，进行现场调研，绘制初步流程图，审查和修改。
工具
常用的绘图软件包括AutoCAD、Visio、Microsoft Office等。
实例展示与分析
实例
某化工厂的物料流程图，展示了原料的输入、各个处理单元、产品输出以及废弃物处理 等环节。
感谢您的观看
某化工企业的工艺设计
在工艺设计阶段使用工艺流程图进行工艺流程展示、设备布局和物 流路线规划，为后续的工程设计提供了可靠的依据。
某食品企业的物流规划
利用物料流程图规划物料流动路径和仓储布局，优化了企业的物流 系统，降低了库存成本。
06 总结与展望
对工艺流程图与物料流程图的总结
要点一
定义Βιβλιοθήκη 要点二目的工艺流程图是一种用于描述生产过程中各个步骤的图表， 通常包括原材料、设备、操作和最终产品等元素。
理生产或工艺流程。
相互影响
03
在实际应用中，工艺流程图和物料流程图是相互关联的，工艺
流程的改变可能会影响到物料流程，反之亦然。
两者之间的区别与联系
01
定义和目的
工艺流程图主要关注生产过程 中的加工步骤、操作顺序和设 备布局，用于描述工艺过程； 而物料流程图则侧重于表示物 料在生产过程中的流动、转换 和存储，用于描述物料的流动 过程。
工艺流程图和物料流程图的使用场景不同，需要根据具体的使用场景选择合适的图表。例 如，在工厂规划、生产线设计等场景下，工艺流程图更为常用；在物流管理、供应链管理 等场景下，物料流程图更为常用。
05 应用场景与案例分析
工艺流程图的应用场景
生产制造流程
工艺流程图用于描述生产制造过 程中各个工序的顺序和关系，帮 助企业优化生产流程，提高生产
作用
帮助分析和优化生产过程，提高生产 效率和减少浪费。
绘制方法与工具
方法
确定绘制物料流程图的范围和目的，收集相关资料，进行现场调研，绘制初步流程图，审查和修改。
工具
常用的绘图软件包括AutoCAD、Visio、Microsoft Office等。
实例展示与分析
实例
某化工厂的物料流程图，展示了原料的输入、各个处理单元、产品输出以及废弃物处理 等环节。
感谢您的观看
某化工企业的工艺设计
在工艺设计阶段使用工艺流程图进行工艺流程展示、设备布局和物 流路线规划，为后续的工程设计提供了可靠的依据。
某食品企业的物流规划
利用物料流程图规划物料流动路径和仓储布局，优化了企业的物流 系统，降低了库存成本。
06 总结与展望
对工艺流程图与物料流程图的总结
要点一
定义Βιβλιοθήκη 要点二目的工艺流程图是一种用于描述生产过程中各个步骤的图表， 通常包括原材料、设备、操作和最终产品等元素。
理生产或工艺流程。
相互影响
03
在实际应用中，工艺流程图和物料流程图是相互关联的，工艺
流程的改变可能会影响到物料流程，反之亦然。
两者之间的区别与联系
01
定义和目的
工艺流程图主要关注生产过程 中的加工步骤、操作顺序和设 备布局，用于描述工艺过程； 而物料流程图则侧重于表示物 料在生产过程中的流动、转换 和存储，用于描述物料的流动 过程。
PCB的制造和SMT工艺
干膜 铜箔 基板
Amphenol Phoenix Hangzhou
Confidential,© 2011
Mobile Consumer Products
10
PCB制造工艺流程
6. 9 脱膜 目的:蚀刻后的板材，板面上仍留有已硬化的干膜，利用剥膜工序，使干膜与材料完全分离，让线路完全裸 露，铜层完全露出，这就是我们需要的线路。（剥膜药液：NaOH等）
PCB制造工艺流程
镀碳膜 镀铜 贴干膜 曝光
下料
钻孔
贴保护膜
化学清洗
去膜
蚀刻
显影
层压保护膜
烘板
I/G
烘板
丝印(正)
刀模
打孔
烘板
丝印(反)
烘板
冲床
电检
PSA
FQC
OQC
包装出货
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8.6 回流焊接 通过提供一种加热环境,使焊锡膏受热融化从而让表面贴装的元器件和焊盘可靠地结合在一起的设备. 预热区:指温度由常温升至150℃左右的区域,这个区域温度缓升以利锡膏的溶剂及水气能够及时挥发. 升温速率一般为1.5℃-3 ℃/S. 升温太快容易损坏元器件. 保温区:一般在160℃±10℃,此时助焊剂活性最强,能有效去除表面的氧化物,各种元件的温度差降至最小. 保温时间60~120S.
裁切机
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6
PCB制造工艺流程
6.2 钻床 钻孔目的:
工艺流程图解
（带控制点的工艺流程图，工艺管道及仪表流程图）
这几种图由于要求不同，其内容和表达的重点也不一 致，但彼此之间却有着密切的联系。
02
1.2 工艺流程框图
※ 工艺流程框图是绘制工艺草图的依据。 ※ 框线用细实线，箭头线用粗实线； ※ 框内写化工过程（化工单元操作）； ※ 操作条件及物料写在框外。
比例：不要求
图幅：A1 , A2 、 A3或加长其长边；
施工图设计需出图时用A1.
1.4 物料流程图
1.4.3 绘制步骤 ⑴先画图形 从左到右 按工艺流程顺序依次用 细实线画设备图例。 ⑵画管线 主物料管线用粗实线； 辅助物料管线用中实 线。 ⑶表格
⑷填写标题栏
序号 名 称 Kg/h- W% 1
反应器
R
泵
P
工业炉
F
压缩机、风机 C
容器
V
换热器
E
起重运输设备 L
其他设备
X
其他机械
M
1.5 带控制点的工艺流程图（PID）
②主项编号：按工程负责人给定的主项编号填写，采用 两位数字，从01—99.
③设备顺序号：按同类设备在工艺流程中流向（从左到 右，由上向下）的先后顺序编制，采用三位数表示，第 一个数表示设备所在楼层，后两位为顺序号01—99.
④相同设备的数量尾号：两台或两台以上相同设备并联 时，它们的位号前三项完全相同，用不同的数量尾号予 以区别，按数量和排列顺序依次以大写英文字母A、B、 C…作为每台设备的尾号。在设备一览表中可表示为A/C 或A-C.如：P05102A-C
1
乙苯 191 18
2 对二甲苯 191 18
3 间二甲苯 424 40
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2020/4/9
5
显影
曝光后产品
显影（显影机）
被曝光部分
未被曝光部分
显影机
8486304900 其他制造平板显示器用湿法蚀刻、显影、剥离、清洗装置
将显影液喷淋到曝光后的产品表面， 显影液会将被UV光照射发生反应的感光光阻溶解掉，从产品表面去 除，留下未被UV光照射的部分，保留在产品表面
2020/4/9
2020/4/9
2
涂布
镀完ITO导电膜产品
光阻涂布（涂布机）
涂布机
在镀过 ITO (氧化铟锡) 的玻璃表面均匀涂布一层感光光阻材料 (PR, 如图中蓝色示意部分)， 然后再进行烘烤
2020/4/9
3
曝光
感光光阻涂布后产品
UV灯 掩膜版
曝光产品
曝光机
8486303900 其他将电路图投影或绘制到感光半导体材料上的装置(制造平板显示器用的机器或装置) 将掩膜版上的电路图图案，投影到涂布在 ITO 玻璃表面的感光光阻 (PR)上
剥膜（脱膜机）
脱膜机
8486304900 其他制造平板显示器用湿法蚀刻、显影、剥离、清洗装置
将脱膜液喷淋到蚀刻后的产品表面， 脱膜液会将未被UV光照射的感光光阻PR溶解掉， 留下被保护的 ITO 部分， 从而形成线路
2020/4/9
8
玻璃盖板 Cover Lens 来料
镀ITO导电膜(镀膜机）
光阻涂布（涂布机） 烘烤
曝光
2020/4/9
检查 剥膜（脱膜机）
后烘烤
蚀刻（蚀刻机）
显影（显影机）
1
镀膜
玻璃盖板 Cover Lens
镀ITO导电膜(镀膜机）
真空镀膜机
8486302200 制造平板显示器用物理气相沉积装置 在来料玻璃盖板表面镀一层 ITO 导电膜 (氧化铟锡) 用于导电， 如图中黄色示意部分
6
蚀刻
显影后产品
蚀刻（蚀刻机）
未被曝光部分
蚀刻机
8486304900 其他制造平板显示器用湿法蚀刻、显影、剥离、清洗装置
将蚀刻液喷淋到显影后的产品表面， 蚀刻液会将未被感光光阻 PR 覆盖部分的 ITO 蚀刻掉， 留下被感 光光阻 PR 覆盖保护的部分，保留在产品表面
2020/4/9
7
剥膜
蚀刻后产品
2020/4/9
4
曝光
UV灯
UV灯
掩膜版
掩膜版固 定位置
曝光产品
曝光产品 固定位置
被照射部分
UV 光透过掩膜版，照射到曝光产品的感光光阻表面，掩膜版上透明的部分，UV光可以透过并照射到感 光光阻上，使光阻产生反应。掩膜版上黑色不透明的部分， UV 光无法透过，故此部分的光阻不产生反 应。 从而使掩膜版上的电路图图案，投影到涂布在 ITO 玻璃表面的感光光阻 (PR)上。