MOS器件的超短脉冲激光辐照效应

合集下载

超短超强激光辐照靶物质产生K-alpha源

超短超强激光辐照靶物质产生K-alpha源王向贤【摘要】超短超强激光与物质相互作用产生的K-alpha线辐射,有准单能、发射区域小、时间短等优点,具有广泛的应用前景.介绍了超短超强激光辐照靶物质产生K-alpha源的基本原理及其主要研究内容,讨论了该领域的研究热点.【期刊名称】《巢湖学院学报》【年(卷),期】2011(013)003【总页数】4页(P45-47,110)【关键词】超短超强激光;K-alpha源;基本原理【作者】王向贤【作者单位】巢湖学院物理与电子科学系,安徽巢湖238000【正文语种】中文【中图分类】O434超短超强激光与物质相互作用产生的K-alpha线辐射。

有准单能（几十个keV）、发射区域小（微米量级），时间短（飞秒-皮秒量级）等优点[1,2]。

可广泛应用于惯性约束聚变背光照相，医学成像，光刻，时间分辨X射线衍射等领域。

同时，超短超强激光与物质相互作用中超热电子辐射是强场物理的重要研究内容之一，而K-alpha线的产生和超热电子直接相关，故可以通过研究K-alpha线辐射研究超短超强激光与物质相关作用产生的超热电子。

如图1所示，用超短超强激光脉冲辐照靶物质，如铝（Al）、铜（Cu）、金（Au）等，激光与靶物质的耦合将产生超热电子，超热电子向靶中输运，碰撞电离1S轨道电子，使得1S轨道产生空穴，此时2P轨道电子将向1S轨道跃迁，产生K-alpha光子辐射，产生的K-alpha线辐射包括K-alpha1线和K-alpha2线[3]，分别对应于跃迁22P3/2→12S1/2 和22P1/2→12S1/2。

基于超短超强激光脉冲驱动的K-alpha源的实验布局如图2所示。

主激光经全反射镜反射后，被离轴抛面镜聚焦到铜等靶物质上。

X射线光谱仪（如：光子计数型CCD、晶体谱仪等）用于测量K-alpha线光谱，安装在与入射激光处于同一水平面的靶室法兰上（靶前、靶后位置均可），电子谱仪可同时在线测量实验产生的超热电子能谱。

辐照源对LVMOS器件总剂量辐射电离特性的影响

辐照源对LVMOS器件总剂量辐射电离特性的影响
陶伟;刘国柱;宋思德;魏轶聃;赵伟
【期刊名称】《电子与封装》
【年(卷),期】2022(22)7
【摘要】基于0.18μm CMOS工艺,采用浅槽隔离(STI)注入法对1.8 V LVNMOS 器件进行总剂量加固,并对比分析了^(60)Co(315 keV)与X射线(40 keV)辐照源对LVNMOS器件总剂量特性的影响。

研究结果表明,在相同偏置条件下,^(60)Co与X射线两种辐照源对MOS器件的辐射电离效应具有一定的差异性,前者同时具有康普顿效应和光电效应,后者是光电效应,主要是光子与内层电子作用。

由LVNMOS总剂量辐照特性推测,X射线辐照源引起LVNMOS的SiO_(2)层中产生的电子与空穴高于^(60)Co。

【总页数】5页(P64-68)
【作者】陶伟;刘国柱;宋思德;魏轶聃;赵伟
【作者单位】中国电子科技集团公司第五十八研究所
【正文语种】中文
【中图分类】TN306;V520.6
【相关文献】
1.硅双极器件及电路电离总剂量辐照损伤研究
2.高压SOIp LDMOS器件电离辐射总剂量效应研究
3.环境温度、电离辐射剂量率对NMOSFET器件特性参数的影响
4.CMOS／SOS器件亚阈区的总剂量电离辐照特性
5.版图结构对MOS器件总剂量辐照特性的影响(英文)
因版权原因，仅展示原文概要，查看原文内容请购买。

SOI MOS器件辐射效应的机理与可靠性研究

SOI MOS器件辐射效应的机理与可靠性研究SOI MOS器件辐射效应的机理与可靠性研究随着半导体技术的不断发展，SOI（Silicon on Insulator）MOS（Metal-Oxide-Semiconductor）器件由于其性能的优势，在现代电子器件中得到广泛应用。

然而，在卫星、飞机等高辐射环境下使用SOI MOS器件时，辐射效应成为一个重要的研究方向。

本文将探讨SOI MOS器件的辐射效应机理以及对其可靠性的影响。

首先，我们需要了解SOI MOS器件的基本结构。

SOI器件是将薄片硅层植入到绝缘体层（通常是氧化层）上形成的结构。

其优点包括减少静态功耗、提高开关速度、减少串扰和抖动等。

然而，正是由于这种结构，使得器件在辐射环境下容易受到影响。

辐射效应的机理主要包括电离辐射和热中子效应两方面。

首先，电离辐射对SOI MOS器件产生的主要影响是增加了堆垛偏压，导致电子和空穴的产生和注入速率增加，从而使得漂移区内的载流子浓度增加。

这导致了漂移区发生电子-空穴对产生，从而改变了器件的阈值和极性特性，增加了漏电流和截止频率降低。

此外，电离辐射还会导致漏电流增加，器件电流增大，及截止频率降低，影响器件的工作性能。

其次，热中子效应是辐射效应的另一个重要机理。

热中子对SOI MOS器件的主要影响是通过产生位移损伤和位移自发损伤（DIBL）现象影响器件的性能。

位移损伤会导致漏电流增加，电流增大，截止频率降低，并且还可能引起SOI颗粒上的电荷积累和电子迁移的失真。

位移自发损伤则会导致漏电流和截止频率的降低。

在实际应用中，SOI MOS器件的可靠性研究是十分重要的。

对于辐射环境下的应用，特别是空间应用，器件的可靠性是关键因素。

为了提高器件的可靠性，减小辐射效应的影响，一方面可以通过合理选择SOI材料的结构参数，来降低器件的漏电流和对辐射的敏感性。

另一方面可以通过引入改进的工艺流程，包括特殊的屏蔽结构、辐射阻抗设计和硅层厚度的选择等。

超短脉冲激光辐照硅膜升温效应的模拟研究

超短脉冲激光辐照硅膜升温效应的模拟研究郑楠;梁田;石颖;齐文宗【期刊名称】《强激光与粒子束》【年(卷),期】2008(020)003【摘要】考虑到载流子和晶格的热容、热导率、弛豫时间等热力学参数随温度非线性变化因素的影响,利用有限差分算法,数值求解了半导体材料自相关热传导模型,讨论了2 μm厚硅膜在波长和脉宽分别为775 nm和500 fs的脉冲激光辐照下的升温规律.数值结果表明:硅膜前表面载流子温度在激光辐照过程的0.69 ps时刻达到最大值,在4.8 ps时刻以后硅膜基本趋于总体热平衡;载流子热容的快速变化以及单光子吸收和由载流子浓度变化而引起的载流子能流变化是导致载流子温度变化的主要原因;超短脉冲激光辐照时,激光作用时间短,各扩散项及传导项不起主要作用,因此硅膜内各主要计算参数与硅膜的厚度及基体材料类型等的关系不大.【总页数】5页(P353-357)【作者】郑楠;梁田;石颖;齐文宗【作者单位】四川大学,电子信息学院,成都,610064;四川大学,电子信息学院,成都,610064;四川大学,电子信息学院,成都,610064;四川大学,电子信息学院,成都,610064【正文语种】中文【中图分类】TK124;O437;O434【相关文献】1.脉冲激光辐照CCD探测器的硬破坏效应数值模拟研究 [J], 姜楠;张雏;牛燕雄;沈学举;杨海林;陈燕;王龙;张博2.超短脉冲激光辐照硅膜的热弹性 [J], 郭春凤;于继平;王德飞;齐文宗3.超短脉冲激光辐照金属薄膜温升效应的模拟研究 [J], 郝秋龙;齐文宗;刘全喜;赵方东4.超快脉冲激光辐照金属薄膜热-力效应的模拟研究 [J], 王德飞;齐文宗;郭春凤5.超短脉冲激光对硅膜的热力效应分析 [J], 宿伟;齐文宗;郭春凤因版权原因，仅展示原文概要，查看原文内容请购买。

CMOS电路瞬态辐照脉冲宽度效应的实验研究

CMOS电路瞬态辐照脉冲宽度效应的实验研究王桂珍;白小燕;郭晓强;杨善潮;李瑞宾;林东生;龚建成【期刊名称】《强激光与粒子束》【年(卷),期】2009(21)5【摘要】在"强光一号"加速器上,对两种CMOS反相器和一种CMOS存储器进行了长脉冲状态和短脉冲状态下的辐照实验,测量了CMOS电路的瞬时辐照效应规律,得到了CMOS电路辐射损伤阈值与脉冲宽度的关系,分析了CMOS电路在不同脉冲宽度下的效应差异.实验结果表明:CMOS电路的辐射损伤阈值随脉冲宽度的增加而降低,在20 ns的脉冲宽度辐照下,CMOS反相器4007和4069的闩锁阈值大约为150 ns脉冲辐照下的2倍,CMOS存储器6264的翻转阈值在20 ns脉冲宽度辐照下为150 ns脉冲宽度辐照下的3倍.【总页数】3页(P742-744)【作者】王桂珍;白小燕;郭晓强;杨善潮;李瑞宾;林东生;龚建成【作者单位】西北核技术研究所,西安710024;西北核技术研究所,西安710024;西北核技术研究所,西安710024;西北核技术研究所,西安710024;西北核技术研究所,西安710024;西北核技术研究所,西安710024;西北核技术研究所,西安710024【正文语种】中文【中图分类】TN432【相关文献】1.高速CMOS电路电离辐照损伤的剂量率效应 [J], 郭旗;陆妩2.pMOS场效应管的X射线和低能强电子束的瞬态电离辐照效应 [J], 范隆;沈志康3.双极晶体管负载瞬态辐照毁伤效应 [J], 赵墨;胡淑玲;申胜平;吴伟;程引会;李进玺;马良;郭景海4.CMOS反相器内部瞬态闩锁效应的脉冲宽度效应理论模型 [J], 陈杰;杜正伟5.高功率微波脉冲宽度效应实验研究 [J], 方进勇;刘国治;李平;王宏军;黄文华因版权原因，仅展示原文概要，查看原文内容请购买。

小尺寸MOS器件单粒子辐照效应研究的开题报告

小尺寸MOS器件单粒子辐照效应研究的开题报告一、研究背景和意义随着半导体工艺的不断进步，集成电路的尺寸逐渐缩小，这使得电路的灵敏度变得更高，同时也增加了电路受到辐射的影响的风险。

脆弱性分析表明，单粒子辐照可能导致器件的失效，这种效应特别在小尺寸MOS器件中更为显著。

因此，研究小尺寸MOS器件单粒子辐照效应，对于了解器件失效的机理和提高器件的抗辐射性能具有重要的理论和实际意义。

二、研究内容和目标本研究计划采用数值模拟的方法，研究小尺寸MOS器件单粒子辐照效应的机理和规律，探究外界粒子轰击对器件载流子和电荷捕获特性的影响，分析器件失效与捕获效应之间的关系。

具体研究内容包括：1. 制定小尺寸MOS器件辐射实验方案，获取器件的性能参数。

2. 建立小尺寸MOS器件的单粒子辐照数值模型。

3. 通过数值模拟，探究轰击类型、能量、入射角度以及器件工作状态等因素对MOS器件单粒子辐照效应的影响。

4. 分析单粒子辐照效应与器件失效、捕获效应之间的关系，揭示其内在物理机理。

5. 提出相应的抗辐射设计策略，改善器件的抗辐射性能。

三、研究方法和流程本研究将采用数值模拟的方法，首先对小尺寸MOS器件进行辐照实验，获取器件的性能参数。

其次，建立器件的单粒子辐照数值模型，并通过仿真软件进行数值计算。

对仿真结果进行分析、验证、比对，寻找辐照效应的规律和机理。

最后，根据研究结果提出抗辐射设计策略，改善器件的抗辐射性能。

研究流程如下：1. 设计器件实验方案，获取器件参数。

2. 建立小尺寸MOS器件单粒子辐射数值模型。

3. 软件仿真，对单粒子辐照效应进行数值计算。

4. 分析仿真结果，发现辐照效应规律和机理。

5. 提出抗辐射设计策略，改善器件的抗辐射性能。

四、预期成果本研究预计取得以下预期成果：1. 建立小尺寸MOS器件的单粒子辐照数值模型，分析器件的辐射响应特性。

2. 探究粒子轰击对器件载流子和电荷捕获特性的影响，分析器件失效与捕获效应之间的关系。

超短脉冲激光对单晶硅太阳能电池的损伤效应

ＡｂｔａｔＳｌｒｅｅｇｓｎｏｈｅｄｎｅｅｇｉｔｅｆｔｒ，ａｄｒｓａｃｅａｏｔｓｌｅｌａｅｓｒｃ：ｏａｎｒｙｉｏｅｆｔｅｌａｉｇｎｒｙｎｈｕｕｅｎｅｅｈｓｂｕｏａｃｌｓｒｒｒ
ｃａａｔｒｚｄ，ｂｔｈｒｉｆｗａｏｔｔｌｓｒｉｄｃｄａａｅ．Ｓｉｎｅｅｓｒｔｓｕｙｈｌｓｒｈｃｅｅｒｉｕｔｅｅｓｅｂｕｉｓａｅ —ｎｕｅｄｍｇｏｔＳｃｓａｙｏｔｄｔｅａｅ — ｉｄｃｄｄｍａｅｆｓｌｒｃｌｓＢｅａｉｒｆｍｏｏｒｓａｌｎｓｌｃｎｏａｅｌｕｄｒ３ｍ０ｎａｄｎｕｅａｇｏｏａｅｌ．ｈｖｏｓｏｎｃｙｔｌｅｉｉｏｓｌｒｃｌｓｎｅ５２ｎｉ２ｓｎ
邱冬冬，睿，湘爱，震ｚ江天ｚ一王程张，
（．中国卫星海上测控部远望二号测量船，苏江阴２４３；１江１４１２．国防科学技术大学光电科学与工程学院，南长沙４０７）湖１０３
摘要：太阳能是未来的主要能源之一，关于太阳能电池的研究也逐渐成为热点。长期以来，们对人太阳能电池的高能粒子辐射特性进行了广泛的研究，对其激光辐照损伤特性的研究却很少。随着光电对抗技术的发展，对这方面的研究需求也越来越迫切。究了５２ｍ、０ｓ３０ｓ冲激光对单研３２和０ｐ脉ａｎ晶硅太阳能电池的辐照效应，分析了超短脉冲激光对单晶硅太阳能电池的损伤机理。对比了超短脉冲激光和长脉冲激光、续激光的损伤机理的异同。阐述了在激光单脉冲能量一定的情况下，伤效连损果与脉宽和重频的关系。通过分析，出了太阳能电池损伤的主因。指激光对太阳能电池的破坏主要是

辐照偏置影响深亚微米MOS器件总剂量效应的理论研究

（１．ＤｅｐａｒｔｍｅｎｔｏｆＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇＰｈｙｓｉｃｓ，ＴｓｉｎｇｈｕａＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｂｅｉｊｉｎｇ１０００８４，Ｃｈｉｎａ；２．ＮｏｒｔｈｗｅｓｔＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＮｕｃｌｅａｒＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，ｘｉａｎ７１００２４，Ｃｈｉｎａ；
ＤＩＮＧＬｉ～ｌｉ ’ 。，ＧＵＯＨｏｎｇ — ｘｉａ，ＣＨＥＮＷｅｉ，ＦＡＮＲｕ — ｙｕ＇，ＷＡＮＧＺｈｏｎｇ — ｍｉｎｇ，ＹＡＮＹｉ — ｈｕａ～，ＣＨＥＮＩｅｉ。。ＳＵＮＨｕａ — ｂｏ。
置情况下的总剂量效应，可用于甄别电路的最劣辐照偏置状态。
关键词：辐照偏置；总剂量效应；ＭＯＳ器件；解析模型；器件仿真
中图分类号：ＴＮ３８６．１文献标志码：Ａ文章编号：１０００ — ６９３１（２０１３）０５ — ０８４２ — ０６
ｐａｒａｍｅｔｅｒｓｗａｓｄｅｄｕｃｅｄ．Ｂｅｆｏｒｅｔｈｅｔｏｔａｌｄｏｓｅｅｆｆｅｃｔａｃｈｉｅｖｅｓｓａｔｕｒａｔｉｏｎ，ｔｈｅ１ｅａｋａｇｅｃｕｒｒｅｎｔｄｅｐｅｎｄｓｏｎｔｈｅｂｉａｓｄｕｒｉｎｇｉｒｒａｄｉａｔｉｏｎａｎｄｄｅｐｏｓｉｔｅｄｄｏｓｅｔｈｒｏｕｇｈａｓｐｅｃｉａｌｉｚｅｄｅｘｐｒｅｓｓｉｏｎ．Ｔｈｅｄｅｆｉｎｉｔｉｏｎｏｆｅｆｆｅｃｔｉｖｅｄｅｐｏｓｉｔｅｄｄｏｓｅｗａｓｉｎｔｒｏｄｕｃｅｄ，ｗｈｉｃｈｃａｎｂｅｕｓｅｄｔｏｔｒａｎｓｌａｔｅａｌｌｋｉｎｄｓｏｆｉｒｒａｄｉａｔｉｏｎｂｉａｓｅｘｉｔｉｎｇｕｎｄｅｒｒｅａｌｓｉｔｕａｔｉｏｎｉｎｔｏｔｈｅｗｏｒｓｔｃａｓｅａｎｄｆｉｎｄｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｒｅｓｐｏｎｓｅｏｆＭＯＳｄｅｖｉｃｅｕｓｉｎｇｅｘｐｅｒｉｍｅｎｔａｌｒｅｓｕｌｔｓ．Ｉｎｔｒｏｄｕｃｉｎｇｔｈｉｓｍｏｄｅｌｉｎｔｏｃｉｒｃｕｉｔｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ，ｔｈｅｔｏｔａｌｄｏｓｅｅｆｆｅｃｔｓｏｆｃｉｒｃｕｉｔｓｗｅｒｅｇｏｔｕｎｄｅｒｄｉｆｆｅｒｅｎｔ

1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。

ＲａｄｉａｔｉｏｎＥｆｆｅｃｔｓｏｆＭＯＳＤｅｖｉｃｅａｔＵｕｌｔｒａｓｈｏｒｔＬａｓｅｒ－
，ＺＨＡＮＧＹｕｆａＳＵＮＸｉａｏｕａｎｑ
（，，ＳｔａｔｅＫｅＬａｂ．ｏｆＰｕｌｓｅｄＰｏｗｅｒＬａｓｅｒＴｅｃｈｎｏｌｏＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃＥｎｉｎｅｅｒｉｎＩｎｓｔｉｔｕｔｅＨｅｆｅｉ２３００３７，ＣＨＮ）ｙｇｙｇｇ
［］压大小使ＭＯＳ结构中存储的电荷转移出去５－６。
生的电荷量随功率密度和脉宽的变化如图２和图３所示。
图１ＭＯＳ单元结构
信号电荷的来源分为光注入和电注入两大类。通常Ｃ当光ＣＤ摄像器件的光敏单元为光注入方式，照射到ｐ型硅片上时，在靠近栅极部分的半导体中多数载流子被栅极排开，少数载流产生电子空穴对，子被势阱收集，成为信号电荷。光注入方式的注入
摘要：的高敏感性使其易受到激光脉冲的干扰甚至损伤。在理论分ＣＣＤ）电荷耦合器件（析了影响ＭＯ数值仿真了ＭＯＳ结构光生电荷量因素的基础上，Ｓ器件的光生电荷量以及响应电压；和电流随激光脉宽和平均功率变化的关系实验研究了ＣＣＤ对不同参数激光脉冲的光电响应特性。数值仿真表明，ＭＯＳ器件的光生电荷量以及峰值响应电压和电流随激光脉冲的平均功率和脉宽的增大而增大，并且响应电压和电流有拖尾现象。实验结果显示，脉冲越短，ＣＣＤ的响应阈值越低。研究结论对超短脉冲激光在光电成像方面的应用具有一定的意义。关键词：Ｓ器件；超短脉冲；激光辐照；响应阈值ＭＯ（）中图分类号：ＴＮ２４文献标识码：Ａ文章编号：１００１－５８６８２０１５０４－０５６５－０４
５］电荷量为［
图２电荷量与激光功率密度的关系
Ｑ＝ｅｓｔ量，ｓ为耗尽层截面积，１－ｇ＝η（／Ｒ）ｈＲ为ＣＣＤ反射率，ｔ为 ν， η 为材料的量子效率，注入光的时间，Ｉ０为入射光的功率密度。信号电荷经过多次耦合后，在输出端转换成电压信号读出，最终的输出信号电压与信号电荷的关系为（）Ｖ＝ＫＱ２式中，系数Ｋ与外电路参数有关。由此可知，输出信号是光注ＣＣＤ结构确定后，入时间和入射光功率密度的函数。当入射光功率密度一定时，为较多地获取相应信号量，ＣＣＤ器件控制电路通过采用增加曝光量的方式来获取更多的光生信号电荷。由图２和图３可知，随着脉冲功率密度的增加，信号电荷量线性增加；并且脉宽越大，激光辐照光生电荷量越多，仿真结果与理ＣＣＤ的时间越长，论分析一致。ＭＯＳ单元对超短脉冲响应电压和电流的特性如图４、５所示。由图４和图５可知，当ＭＯＳ器件未被激光脉，，冲照射时电极电流为０电压保持－３Ｖ，当超短脉冲激光辐照器件时，在极短的时间内电压和电流出即信号上升沿陡峭；随着激光脉宽的增现最大值，大，峰值电流值和峰值电压值逐渐增大。在脉冲激光停止辐照后，电流和电压出现了拖尾现象，这是由
］１２－。由于灵敏度高，域［ＣＣＤ易受到激光等强辐射
用是科研工作者不断探索的方向。随着超短脉冲技术的发展，皮秒激光、飞秒激光与ＣＣＤ的相互作用
］３４－。现有的研究多从超短脉冲逐渐受到人们重视［
干扰和破坏阈值方面进行研究，得到ＣＣＤ器件的干扰阈值和破坏阈值等，但关于ＣＣＤ对信号量级超短脉冲响应的研究有限。本文从ＭＯ通过理论分析和Ｓ单元结构出发，研究超短脉冲对Ｃ数据仿真的方式，ＣＤ单元的影响，并通过实验进一步研究ＣＣＤ对短脉冲激光信号
５，脉宽为２功率密度为１激光产０ｐｓ０Ｗ ·ｃｍ－２时，
１ＭＯＳ结构和光生电荷量
信号电荷存储转ＣＣＤ成像器件主要由光敏区、移区和驱动电路三个部分构成，其中最基本的单元ＭＯＳ结构如图１所示。ＣＣＤ通过ＭＯＳ结构的电容特性存储和转移电荷。一般以多晶硅材料作为栅二氧化硅作为氧化层，衬底为ｐ型或ｎ型硅材极，料。当栅极和衬底之间有电压差时，硅材料便会形电压越高，成能存储信号载流子的势阱，ＣＣＤ存储通过改变相邻栅极间的电电荷的能力越大。最后，
：）ＡｂｓｔｒａｃｔＣＤ（ＣｈａｒｅＣｏｕｌｅｄＤｅｖｉｃｅｓｉｓｅａｓｉｌｄｉｓｔｕｒｂｅｄｏｒｄａｍｍｅｄｂｌａｓｅｒｂｅｃａｕｓｅｏｆＣｇｐｙｙ，ｈｉｈｓｅｎｓｉｔｉｖｉｔ．Ｂａｓｅｄｏｎｔｈｅａｎａｌｚｉｎｔｈｅｆａｃｔｏｒｓｔｈａｔｉｎｄｕｃｅｅｌｅｃｔｒｉｃｃｈａｒｅｓｔｈｅｒｉｎｃｉｌｅｓｏｆｇｙｙｇｇｐｐｒｅｓｅｎｔｅｄ．ＴｈｅｕａｎｔｉｔＭＯＳｄｅｖｉｃｅｗｅｒｅｏｆｅｌｅｃｔｒｉｃｃｈａｒｅｓｏｆＭＯＳｗａｓｓｉｍｕｌａｔｅｄａｎｄｔｈｅｐｑｙｇｕｌｓｅｏｗｅｒｏｆｃｕｒｒｅｎｔａｎｄｖｏｌｔａｅｉｎｄｉｆｆｅｒｅｎｔｌａｓｅｒｗｉｄｔｈａｎｄａｖｅｒａｅｗｅｒｅｓｔｕｄｉｅｄ．ｒｅｌａｔｉｏｎｓｈｉｓｐｐｇｇｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｉｃｉｔＴｈｅｅｘｅｒｉｍｅｎｔｗａｓｃａｒｒｉｅｄｏｕｔｔｏｉｎｖｅｓｔｉａｔｅｔｈｅｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓｏｆｒｅｓｏｎｓｅａｔｐｙｐｇｐｄｉｆｆｅｒｅｎｔｌａｓｅｒａｒａｍｅｔｅｒｓ．ＳｉｍｕｌａｔｉｏｎｒｅｓｕｌｔｓｓｈｏｗｔｈａｔｔｈｅｃｈａｒｅｓｏｆＭＯＳｄｅｖｉｃｅａｎｄｔｈｅｅａｋｐｇｐｏｆｃｕｒｒｅｎｔａｎｄｖｏｌｔａｅｉｎｃｒｅａｓｅａｓｔｈｅａｖｅｒａｅｏｗｅｒｏｒｕｌｓｅｗｉｄｔｈｏｆｌａｓｅｒｉｎｃｒｅａｓｅｖａｌｕｅｇｇｐｐ，ｔａｃｃｏｒｄｉｎｌ．Ｍｅａｎｗｈｉｌｅｈｅｄｅｌａｏｆｃｕｒｒｅｎｔａｎｄｖｏｌｔａｅａｒｅｄｉｓｌａｅｄ．ＴｈｅｏｕｔｃｏｍｅｏｆｇｙｙｇｐｙｅｘｅｒｉｍｅｎｔｒｅｖｅａｌｓｔｈａｔｔｈｅｒｅｓｏｎｓｅｔｈｒｅｓｈｏｌｄｄｅｃｒｅａｓｅｓｗｈｅｎｌａｓｅｒｗｉｄｔｈｄｅｃｒｅａｓｅｓｕｌｓｅｐｐｐｃｏｒｒｅｓｏｎｄｉｎｌＴｈｅｃｏｎｃｌｕｓｉｏｎｓｈａｖｅｃｅｒｔａｉｎｓｉｎｉｆｉｃａｎｃｅｔｏｔｈｅａｌｉｃａｔｉｏｎｏｆｕｌｔｒａｓｈｏｒｔｕｌｓｅｉｎｐｇｙ．ｇｐｐｐｏｔｉｃａｌｉｍａｉｎ．ｐｇｇ：；；；ＫｅｗｏｒｄｓＭＯＳｄｅｖｉｃｅｕｌｔｒａｓｈｏｒｔｌａｓｅｒｒａｄｉａｔｉｏｎｅｆｆｅｃｔｒｅｓｏｎｓｅｔｈｒｅｓｈｏｌｄｐｙ
《半导体光电》２０１５年８月第３６卷第４期
张玉发等：Ｓ器件的超短脉冲激光辐照效应ＭＯ

光电器件
ＭＯＳ器件的超短脉冲激光辐照效应
张玉发，孙晓泉
（）电子工程学院脉冲功率激光技术国家重点实验室，合肥２３００３７
０引言
电荷耦合器件（是在ＭＯＣＣＤ）Ｓ（Ｍｅｔａｌｘｉｄｅ－Ｏ－）的基础上发展起来的，该器件以电Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ荷作为信号，具有集成度高、体积小、功耗低和量子效率高等特点，广泛应用于探测、显示与识别领