《涨知识啦16》---温度对二极管电压的影响
电子技术总复习
1. 二极管加正向电压（正向偏置，阳极接正、阴 极接负 ）时， 二极管处于正向导通状态，二极管正 向电阻较小，正向电流较大。 2. 二极管加反向电压（反向偏置，阳极接负、阴 极接正 ）时， 二极管处于反向截止状态，二极管反 向电阻较大，反向电流很小。 3. 外加电压大于反向击穿电压二极管被击穿，失 去单向导电性。 4. 二极管的反向电流受温度的影响，温度愈高反 向电流愈大。
的电流源。
uCE (2) 考虑 u 对 i 的影响，输出 CE C 端还要并联一个大电阻rce。 uCE rce的含义
uCE uce rce iC ic
(2-9)
3. 三极管的微变等效电路
ib
ic
ib
c
ic ube rbe uce
ib
b
rce
uce
ube
e
ib
b
rbe
ib
c
rce很大， 一般忽略。
Hale Waihona Puke Ui放 大 电 路定义：
RL
Uo
Uo Au Ui
Uo Aus Us
问题：Au 和 Aus 的关系如何？
Uo Aus Us
Ui
ri US RS ri
ri Aus Au RS ri
(2-27)
§ 2.5 射极输出器
+EC RB +EC RB C2 RL uo RE 直流通道
二极管电路分析举例
导通 截止 若二极管是理想的，正向导通时正向管压降为零， 反向截止时二极管相当于断开。
定性分析：判断二极管的工作状态
否则，正向管压降
硅0.6~0.7V 锗0.2~0.3V
肖特基二极管反向耐压与温度关系
肖特基二极管反向耐压与温度关系
肖特基二极管是一种特殊的半导体器件，具有许多独特的特性和应用。
其中一个重要的特性是其反向耐压能力，即能够承受的反向电压的最大值。
反向耐压与温度之间存在着一定的关系，这是我们在使用肖特基二极管时需要注意的重要因素。
肖特基二极管的反向耐压与温度之间的关系可以用以下方式来描述。
在正常工作条件下，肖特基二极管的反向耐压能力随着温度的增加而降低。
这是因为随着温度的升高，半导体材料的导电性会增加，导致反向电流增加，从而降低了肖特基二极管的反向耐压能力。
然而，在一些特殊情况下，肖特基二极管的反向耐压能力可能会随着温度的升高而增加。
这是因为在高温下，肖特基二极管的导电特性可能会发生变化，导致反向电流减小，从而提高了反向耐压能力。
但这种情况并不常见，大多数情况下，肖特基二极管的反向耐压能力都会随温度的升高而降低。
为了确保肖特基二极管能够正常工作并具有良好的反向耐压能力，我们需要在设计和使用中注意以下几点。
首先，选择适当的肖特基二极管型号和规格，以满足具体的工作条件和要求。
其次，合理安排散热措施，确保肖特基二极管能够在适当的温度范围内工作。
最后，定期检查和测试肖特基二极管的反向耐压能力，确保其性能和可靠性。
肖特基二极管的反向耐压与温度之间存在一定的关系。
在正常工作条件下，反向耐压能力随着温度的增加而降低。
为了确保肖特基二极管的正常工作和可靠性，我们需要选择适当的器件规格，并采取合适的散热措施，以保持其在适当的温度范围内工作。
这样才能确保肖特基二极管在各种应用中发挥其优越的特性和性能。
半导体二极管的温度特性及补偿方法
半导体二极管的温度特性及补偿方法摘要：半导体二极管是一种常见的电子器件，它在各种电子电路中起到至关重要的作用。
然而，由于温度的变化会对半导体二极管的性能产生影响，了解温度特性并采取相应的补偿方法对于确保电子电路的稳定性和性能至关重要。
引言：半导体二极管是一种最简单的半导体器件，由于其小巧、可靠、低成本等优点，被广泛应用于各种电子设备中。
然而，半导体二极管的性能会受到温度的影响，这是由于半导体材料的性质和电子能级变化引起的。
因此，了解半导体二极管的温度特性并采取相应的补偿方法对于确保电子电路的稳定性和性能至关重要。
一、温度特性对半导体二极管的影响温度变化会对半导体二极管的电性能产生很大影响，主要体现在以下几个方面：1. 电压漂移：在半导体器件中，随着温度的升高，材料的禁带宽度减小，电压降也随之减小，导致电压漂移现象。
这将导致电子在PN结中的注入量增加，从而改变电流的流动情况。
2. 导通电阻：半导体材料的电阻受温度影响很大，随温度的升高，其导电能力增强，导通电阻变小。
这将导致在高温环境下，半导体二极管的电流过大，可能会造成损坏。
3. 反向饱和电流：由于温度的升高，半导体材料的载流子密度会增加，导致反向饱和电流增加。
这将导致电路中的反向电流增大，可能导致电路性能下降。
二、半导体二极管的温度补偿方法为了保证半导体二极管在各种温度下都能正常工作，我们需要采取一些补偿方法。
以下是几种常见的温度补偿方法：1. 温度补偿电路设计：通过在半导体二极管电路中引入温度补偿电路，可以在温度变化时自动调整电路工作点，以保持电路性能的稳定。
温度补偿电路可以通过选择合适的电阻、电容或稳压二极管等元件来实现。
2. 温度传感器反馈：在应用中，可以安装温度传感器来实时监测温度变化，并将温度信息反馈给控制系统。
控制系统可以根据温度信息进行相应的补偿措施，以保持电子电路的性能稳定。
3. 温度补偿系数校准：对于一些特殊要求的应用场景，可以通过校准温度补偿系数来实现更高精度的温度补偿。
温度升高,二极管在正向电流不变的情况下的正向电压 ,反向电流 。
温度升高,二极管在正向电流不变的情况下的正向电压,反向电流。
1.引言1.1 概述概述部分的内容可以包括以下内容：在现代电子技术中，二极管作为一种常见的电子元件，广泛应用于各种电路中。
温度是二极管正常工作时不可避免的一个因素。
随着环境温度的升高，二极管的物理性质和电学性能都会发生变化。
本文旨在探讨温度升高对二极管正向电压和反向电流的影响。
正向电压是指在二极管正向偏置时通过二极管的电压，而反向电流是指在二极管反向偏置时通过二极管的电流。
温度升高对二极管正向电压的影响，是指在二极管正向电流不变的情况下，温度的变化对二极管正向电压的影响程度。
正向电压是二极管正常工作时必须具备的特性之一，也是用于控制二极管导通和截止的重要参数之一。
同样，温度升高对二极管反向电流的影响，是指在二极管反向电压不变的情况下，温度的变化对二极管反向电流的影响程度。
反向电流是指在二极管处于反向偏置时流经二极管的电流，反向电流越小，表示二极管的正常工作越稳定。
了解温度对二极管正向电压和反向电流的影响，不仅可以帮助我们更好地设计和选择合适的二极管，也对于保证电子设备的稳定运行和延长其使用寿命具有重要意义。
接下来，本文将从温度升高对二极管正向电压的影响、温度升高对二极管反向电流的影响两个方面展开探讨，并总结其对二极管特性的整体影响。
1.2文章结构1.2 文章结构本文将围绕温度升高对二极管在正向电流不变的情况下的正向电压和反向电流的影响展开讨论。
具体结构如下：第二部分将重点探讨温度升高对二极管正向电压的影响。
首先，我们将介绍正向电压的基本概念，并解释正向电压在电路中的作用。
然后，我们将详细探讨温度升高对二极管正向电压的影响，包括温度对电压-电流特性曲线的影响、温度对漏电流的影响等。
在这一部分，我们将提出两个关键要点，以展示温度升高对二极管正向电压的影响。
第三部分将重点研究温度升高对二极管反向电流的影响。
我们将简要介绍反向电流的概念，并解释反向电流在电路中的重要性。
二极管 温度
二极管温度1. 介绍二极管是一种常见的电子元件，用于控制电流的流向。
在工作过程中，二极管会产生一定的热量，这就是二极管温度。
二极管温度对于其性能和寿命都有重要影响。
本文将深入探讨二极管温度的原因、测量方法以及如何控制和降低二极管温度。
2. 产生热量的原因二极管在工作时会产生热量的主要原因是由于其正向电压降和反向漏电流。
当通过二极管的电流增大时，正向电压降也会相应增大，导致更多的功率转化为热量。
同时，反向漏电流也会导致额外的能量损耗，并以热量形式释放出来。
3. 温度对性能和寿命的影响二极管温度对其性能和寿命有直接影响。
首先，高温会使得材料膨胀，导致晶体结构变形或者断裂，从而影响二极管内部连接和工作稳定性。
其次，在高温下，材料的电子迁移率会降低，导致二极管的导通能力下降，增加了电流流过二极管时的功耗。
最重要的是，高温会加速材料的老化过程，导致元件寿命缩短。
4. 温度测量方法为了准确测量二极管温度，可以采用以下方法：4.1 热敏电阻法热敏电阻法是一种常用且简单的测量方法。
它利用热敏电阻随温度变化而产生的电阻变化来间接测量二极管温度。
通过将热敏电阻连接在二极管上方并与一个恒定电流源相连，可以根据热敏电阻的变化来计算出二极管的温度。
4.2 红外测温法红外测温法利用红外线传感器来测量物体表面的温度。
通过将红外线传感器对准二极管表面，并读取传感器输出的红外线辐射数据，可以得到二极管表面的温度。
4.3 热像仪热像仪是一种高级的温度测量设备。
它能够将物体表面的红外辐射转换为热图像，并通过测量不同区域的热辐射强度来确定温度分布。
通过使用热像仪，可以直观地观察二极管的温度分布情况。
5. 控制和降低二极管温度为了控制和降低二极管温度，可以采取以下措施：5.1 散热设计合理的散热设计是降低二极管温度的关键。
可以通过增加散热片、风扇或者导热材料来提高散热效果。
同时，应确保二极管与散热装置之间有良好的接触，以便有效地传导和散发热量。
二极管压降范围
二极管压降范围二极管是一种常见的电子元件，广泛应用于各种电路中。
在电子领域中，二极管的压降范围是一个重要的参数，它对电路的性能和稳定性有着重要影响。
本文将从二极管压降的概念、影响压降的因素以及合理选择压降范围等方面进行探讨。
一、二极管压降的概念二极管压降，指的是在正向导通状态下，二极管两端的电压差。
正向导通时，二极管会产生一个压降，使得电流可以流经二极管。
这个压降通常用符号Vf表示，单位为伏特(V)。
二极管的压降主要由其结构和材料决定，常见的二极管压降范围在0.2V至1.0V之间。
二、影响压降的因素1. 材料类型：不同材料的二极管具有不同的压降范围。
常见的硅二极管的压降范围在0.6V至0.7V之间，而锗二极管的压降范围则较小，大约在0.2V至0.3V之间。
2. 温度：温度对二极管的压降也有一定影响。
一般来说，温度升高会导致二极管的压降增加。
因此，在实际应用中，需要考虑温度对二极管压降的影响，选择合适的二极管以保证电路的稳定性。
3. 电流：二极管的压降还与电流大小相关。
在正向导通状态下，二极管的压降随着电流的增加而增加。
因此，在设计电路时，需要根据实际需要选择合适的二极管，以保证电流范围内的压降稳定。
三、合理选择压降范围在实际应用中，合理选择二极管的压降范围是非常重要的。
如果选择的二极管压降范围过大，可能会导致电路工作不稳定或者无法正常工作。
而选择的压降范围过小，则可能无法满足电路的需求，导致电流无法正常通过。
在选择二极管时，需要根据电路的具体需求来确定合适的压降范围。
一般来说，如果电路对压降范围要求不高，可以选择常见的硅二极管，其压降范围在0.6V至0.7V之间。
如果对压降范围有较高要求，可以选择锗二极管，其压降范围较小。
在选择二极管时，还需要考虑其他因素，如最大工作电流、反向击穿电压等。
这些参数也会影响到电路的性能和稳定性。
二极管压降范围是一个重要的参数，对电路的性能和稳定性有着重要影响。
在实际应用中，需要根据电路的具体需求来选择合适的压降范围，以保证电路的正常工作。
温度对LED的影响分析
LED（Light Emitting Diode:发光二极管）作为第四代光源，因其节能、环保、长寿命等优点极具发展前景。
但因为LED对温度极为敏感，结温升高会影响LED的寿命、光效、光色（波长)、色温、光形(配光）以及正向电压、最大注入电流、光度、色度、电气参数以及可靠性等.本文详细分析了温度升高对LED各光电参数及可靠性的影响，以利于LED芯片和LED照明产品的设计开发。
一、温度过高会对LED造成永久性破坏(1）LED工作温度超过芯片的承载温度将会使LED的发光效率快速降低，产生明显的光衰，并造成损坏;(2）LED多以透明环氧树脂封装,若结温超过固相转变温度(通常为125℃），封装材料会向橡胶状转变并且热膨胀系数骤升，从而导致LED开路和失效。
二、温度升高会缩短LED的寿命LED的寿命表现为它的光衰，也就是时间长了，亮度就越来越低，直到最后熄灭。
通常定义LED光通量衰减30％的时间为其寿命。
通常造成LED光衰的原因有以下几方面：（1）LED芯片材料内存在的缺陷在较高温度时会快速增殖、繁衍，直至侵入发光区，形成大量的非辐射复合中心，严重降低LED的发光效率。
另外,在高温条件下,材料内的微缺陷及来自界面与电板的快扩杂质也会引入发光区,形成大量的深能级，同样会加速LED器件的光衰［1］。
(2)高温时透明环氧树脂会变性、发黄,影响其透光性能，工作温度越高这种过程将进行得越快，这是LED光衰的又一个主要原因。
(3)荧光粉的光衰也是影响LED光衰的一个主要原因,因为荧光粉在高温下的衰减十分严重。
所以,高温是造成LED光衰,缩短LED寿命的主要根源。
不同品牌LED的光衰是不同的，通常LED厂家会给出一套标准的光衰曲线。
例如Philips Lumiled公司的Luxeon K2的光衰曲线如图1所示，当结温从115℃提高到135℃，其寿命就会从50，000小时缩短到20，000小时。
图1 Lumiled Luxeon K2的光衰曲线高温导致的LED光通量衰减是不可恢复的，LED没有发生不可恢复的光衰减前的光通量，称为LED的“初始光通量”。
温度对LED的影响分析
LED(Light Emitting Diode：发光二极管)作为第四代光源，因其节能、环保、长寿命等优点极具发展前景。
但因为LED对温度极为敏感，结温升高会影响LED的寿命、光效、光色(波长)、色温、光形(配光)以及正向电压、最大注入电流、光度、色度、电气参数以及可靠性等。
本文详细分析了温度升高对LED各光电参数及可靠性的影响，以利于LED芯片和LED照明产品的设计开发。
一、温度过高会对LED造成永久性破坏(1)LED工作温度超过芯片的承载温度将会使LED的发光效率快速降低，产生明显的光衰，并造成损坏;(2)LED多以透明环氧树脂封装，若结温超过固相转变温度(通常为125℃)，封装材料会向橡胶状转变并且热膨胀系数骤升，从而导致LED开路和失效。
二、温度升高会缩短LED的寿命LED的寿命表现为它的光衰，也就是时间长了，亮度就越来越低，直到最后熄灭。
通常定义LED光通量衰减30%的时间为其寿命。
通常造成LED光衰的原因有以下几方面：(1)LED芯片材料内存在的缺陷在较高温度时会快速增殖、繁衍，直至侵入发光区，形成大量的非辐射复合中心，严重降低LED的发光效率。
另外，在高温条件下，材料内的微缺陷及来自界面与电板的快扩杂质也会引入发光区，形成大量的深能级，同样会加速LED器件的光衰[1]。
(2)高温时透明环氧树脂会变性、发黄，影响其透光性能，工作温度越高这种过程将进行得越快，这是LED光衰的又一个主要原因。
(3)荧光粉的光衰也是影响LED光衰的一个主要原因，因为荧光粉在高温下的衰减十分严重。
所以，高温是造成LED光衰，缩短LED寿命的主要根源。
不同品牌LED的光衰是不同的，通常LED厂家会给出一套标准的光衰曲线。
例如Philips Lumiled公司的Luxeon K2的光衰曲线如图1所示，当结温从115℃提高到135℃，其寿命就会从50，000小时缩短到20，000小时。
图1 Lumiled Luxeon K2的光衰曲线高温导致的LED光通量衰减是不可恢复的，LED没有发生不可恢复的光衰减前的光通量，称为LED的“初始光通量”。
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《涨知识啦16》---温度对二极管电压的影响
在《涨知识啦14》中我们提到了影响发光二极管电压的不同因素，如接触电阻、突变异质结引起的电阻以及低载流子浓度和低载流子迁移率等。
除此之外，发光二极管结温是一个十分重要的参数，主要是因为器件内量子效率受结温影响较大，另外高温会引起器件工作寿命的缩短以及封装的加速老化。
因此了解结温对器件性能的影响就成了制造发光二极管中十分重要的课题之一，本期我们就简单介绍一下结温对二极管电压的影响。
理想pn结二极管的IV特性可以由Shockley方程给出，
其中J s是饱和电流密度。
对于非简并半导体在正向偏置下，V f>>kT/e，则有
众所周知，饱和电流密度取决于电子和空穴的扩散常数，电子和空穴的寿命，导带和价带边缘处的有效状态密度以及禁带宽度，然而结温将对以上参数造成一定影响：有效状态密度N c,v∝T3/2；考虑声子散射，载流子迁移率μ∝T-3/2；根据爱因斯坦关系，载流子扩散常数D∝T-1/2。
少数载流子寿命可以随温度降低或增加。
由于这种不确定性，假定少数载流子寿命与温度无关。
在上式中引用以上温度关系，可以得到：
该方程式给出了正向电压与结温基本关系。
等式右侧的第一，第二和第三项和分别描述了固有载流子浓度，禁带宽度和有效状态密度与温度之间的关系。
发光二极管的正向工作电压一般约为其内建电压，即V f≈V bi。
因此在非简并掺杂情况下，
禁带宽度与温度之间的关系可用下式表示，其中α和β为Varshni系数，随着温度的升高，材料的禁带宽度将降低。
引入上两式，结温与正向工作电压的关系可用下式表示：
因此我们知道结温的变化对于材料内部的载流子浓度，载流子迁移率，材料的禁带宽度都有着不容忽视的影响，进而使器件的工作电压发生变化。
以红光
GaPAs/GaAs LED为例，如下图所示，当温度从77K升高至298K时，器件的阈值电压和串联电阻将会降低，因此在同一工作电压下，工作电流将会升高。
本期的《涨知识啦》就介绍到这里啦！我们下期再见！
相关内容引自E. F. Schubert, light-emitting diodes, 2nd Edition, New York, Jun., 2006.。