快速软恢复二极管(LLD)在PFC电路中的应用
快速恢复二极管及其模块
快速软恢复二极管及其模块王培清 张斌清华大学电力电子厂 北京 102201摘 要 在高频应用中为了减少电路损耗和防止过电压尖峰对器件的损坏，需要快速软恢复二极管。
硬开关过程中存在二极管反向恢复电流（Irm ）增加了开关器件开通损耗率和过电压尖峰，并且在快速di/dt 开关时能够产生电磁干扰。
本文介绍了采用特殊工艺设计的快速软恢复二极管。
该二极管是为高频应用而设计的，在高频应用方面具有稳定的开关特性。
本文还介绍了用该二极管制造的200A 绝缘型和非绝缘型快速软恢复二极管模块及其应用。
关键词 快速 软恢复二极管 模块1．快速软恢复二极管介绍大功率快速软恢复二极管主要应用在高频电力电子电路中，它与主回路中的晶闸管或IGBT 等新型电力半导体开关器件相并联，开关器件反向时，流过负载中的无功电流，减小电容的充电时间，同时抑制因负载电流瞬时反向而感应的过电压尖峰。
为了提高开关器件及电力电子线路的可靠性和稳定性，必须使用快速软恢复二极管。
快速软恢复二极管可以减少高频电路的损耗。
在硬开关过程中存在的主要问题是：二极管反向恢复电流（Irm ）增加了开关器件开通损耗率，并且在快速di/dt 开关时能够产生电磁干扰。
如果反向恢复电流很快回到零点，就会产生尖峰电压和电磁干扰。
降低开关速度或使用缓冲电路可以降低尖峰电压。
增加缓冲电路会增加电路成本并且使电路设计变复杂。
这都是我们所不希望的。
本文介绍了快速软恢复二极管及其模块。
该模块电压范围从400V 到1200V ，额定电流从60A ～400A 不等。
设计上该模块采用外延二极管芯片，该芯片采用平面结终止结构，玻璃钝化(图1[1])并有硅橡胶保护。
恢复特性如图2[2]所示。
快速软恢复二极管的基区和阳极之间采用缓冲层结构，使得在空间电荷区扩展后的剩余基区内驻留更多的残存电荷，并且驻留时间更长，提高了二极管的软度。
快恢复二极管的软度由图2定义，软度因子 ab t tS =图1图2反向峰值电压由下式确定：⎟⎠⎞⎜⎝⎛+×=S V V R RM 11V R 为加在二极管上的反向电压。
经典PFC芯片L6562D内部工作原理集锦
过高的峰值电流和RMS 电流比，使得交流电网电压畸变，在三相线输电电网中，使中性线过电流，总之，会使电网的输电能力减弱。
由于使用了开关技术，功率因数矫正器（PFC）位于整流桥和滤波电容之间，从电源获取一个准正弦波电流，与线电压同步，功率因数变得非常接近1（可以超过），上述的缺点得以消除。
从理论上来讲，任何开关拓扑技术都可以用来获取一个高功率因数，但是，实际应用中，升压拓扑是一种最流行的方式，因为它有以下优势：1）主要是，因为升压电路所需的元件最少，因此这种方式最便宜的。
还有：2）由于升压电感位于整流桥和开关之间，引起的电流di/dt 比较低，可以使输入产生的噪音最小化，可以减少输入EMI 滤波元件。
3）开关管的源极接地，便于驱动。
然而，升压拓扑结构要求输出的直流电压要高于输入的最大峰值电压（400V 是一个典型值对于220V 输入或宽电压输入）。
而且，输入和输出之间是没有隔离的，线电压上的任波动（主要指浪涌）都会影响到输出端。
目前广泛应用于PFC 控制的方法有两种：固定频率的平均电流PWM 模式和临界，PWM 模式（TM 模式）（固定开通时间，频率变化）。
第一种模式控制方法复杂，需要一个精密的控制芯片（如ST 的L4981A,同时需要一片L4981B 来进行频率调制）并且需要很多的外围元器件。
第二种模式只需要一个简单的控制器（例如ST 的L6561），很少的外围器件，因此这种方式更便宜。
在第一种方式中，升压电感工作于连续模式，临界模式（TM）使电感工作在介于连续和不连续模式之间，从定义上来看，相对同样的输出功率，工作在临界模式（TM）的峰值电流会比连续模式下更高，峰值电流的高低会影响到产品的成本，所以，建议在低功率输出时使用临界模式（小于150W），第一种方式适合在更高的输出功率中应用。
L6561 有以下几个重要特点：--欠电压迟滞锁死；--极小的启动电流（典型值50uA，90uA 即可保证正常启动），简易的启动电路（仅需一个电阻），非常低的功耗；--内部参考信号精度为1%（在Tj=25°C）；--具有使能功能，可以关断芯片，减少电路功耗；--两级过压保护；--内置启动器和零电流检测电路用来运行临界模式；--内置乘法器动态延续以适应宽输入电压应用，卓越的THD；--电流检测脚内置RC 滤波；--高性能图腾柱输出，可以直接驱动MOSFET 或IGBT.L6561 已经最优化，可以用来作为基于升压拓扑电路的功率因数校正，如电子镇流器，AC-DC 适配器，低功率开关电源(<150W)。
pfc电路中的二极管
pfc电路中的二极管PFC电路中的二极管PFC（功率因数校正）电路是一种用于改善电力系统功率因数的电路。
在PFC电路中，二极管起着重要的作用。
本文将详细介绍PFC电路中的二极管的原理和功能。
1. 二极管的基本原理二极管是一种具有两个电极的电子器件，包括一个N型半导体和一个P型半导体。
当施加正向电压时，电子从N型半导体流向P型半导体，形成电流。
而当施加反向电压时，电子无法通过二极管，形成一个高电阻状态。
二极管具有单向导电性，可以将电流限制在一个方向上，因此非常适合在电路中用作整流器。
2. PFC电路的原理功率因数是衡量电力系统效率的一个重要指标。
在传统的电力系统中，负载对电网的功率因数产生负面影响，会导致电网的能量利用效率降低。
为了解决这个问题，PFC电路应运而生。
PFC电路通过控制输入电流使其与输入电压同相，从而提高功率因数。
其中，二极管起到了整流和滤波的作用。
当输入电压为正弦波时，二极管将负载电流限制在一个方向上，起到了整流的作用。
同时，由于负载电流是周期性的，通过合理设计滤波电路，可以使输出电流趋近于稳定直流电流，从而减小对电网的干扰。
3. 二极管在PFC电路中的功能在PFC电路中，二极管具有以下几个主要功能：(1) 整流功能：二极管将交流输入电压转换为直流电压，确保电路工作的稳定性和可靠性。
(2) 限流功能：二极管限制电流只能在一个方向上流动，避免电流逆流对电路造成损害。
(3) 滤波功能：通过合理的滤波电路设计，二极管可以将负载电流转换为稳定的直流电流，减小对电网的干扰。
(4) 保护功能：二极管可以对电路中的其他元件进行保护，防止电流逆流和过电压等现象。
4. PFC电路中常用的二极管类型在PFC电路中，常用的二极管类型有正向恢复二极管（FRD）和肖特基二极管（SBD）。
(1) FRD二极管：FRD二极管具有低开启电压和快速恢复特性，适用于高频应用。
它可以快速恢复正向电压，适用于需要快速切换的场合。
pfc电路中二极管的功能
pfc电路中二极管的功能标题：解密PFC电路中二极管的功能和作用导语：在电子电路中，功率因数校正（PFC）电路起到了至关重要的作用。
在PFC电路中，二极管作为一个关键的组件，负责实现电流流向的控制和功率因数的校正。
本文将深入探讨PFC电路中二极管的功能和作用，让我们一起揭开这个秘密。
一、PFC电路简介PFC电路，即功率因数校正电路，是一种通过改善电路的功率因数来提高电能传输效率的技术。
它通过增大负载端与电源端之间的电流相位差，从而使得电流与电压的乘积保持较稳定的值。
二极管在PFC电路中充当了一个关键的角色，接下来我们将详细介绍其功能和作用。
二、二极管在PFC电路中的功能1. 电流导通功能在PFC电路中，二极管的一个主要功能是控制电流的流向。
当电源输出的交流电压为正时，二极管处于导通状态，电流可以顺利通过。
当电源输出的交流电压为负时，二极管处于截止状态，电流无法通过。
通过二极管的导通和截止，可以实现对电流的正向流动进行控制，保证电路的正常工作。
2. 逆变功能在PFC电路中，二极管的逆变功能也非常重要。
当电源输出的交流电压为正时，二极管处于导通状态，电流可以正常通过。
当电源输出的交流电压为负时，二极管处于截止状态，此时二极管可以将负的输入电压变成零，从而实现对电流波形的修正，使其更加接近正弦波。
逆变功能的实现对于提高电路效率和功率因数的校正至关重要。
三、二极管对PFC电路的作用1. 限流保护在PFC电路中，二极管起到了限流保护的作用。
由于引入了二极管，可以通过控制二极管的导通和截止状态，避免电流过大导致电路或元器件的过热甚至损坏。
通过合理设计和使用适宜的二极管，可以有效保护PFC电路的正常运行和延长其使用寿命。
2. 提高功率因数与效率功率因数是衡量电路效率的一个指标，也是PFC电路的核心目标之一。
二极管的逆变功能可以实现对电流波形的修正，将非线性负载电路转换为线性负载电路，从而提高整个电路的功率因数和效率。
快速软恢复二极管
随着电力电子技术的发展，各种变频电路、斩波电路的应用不断扩大，这些电力电子电路中的主回路不论是采用换流关断的晶闸管，还是采用有自关断能力的新型电力电子器件，如GTO，MCT，IGBT等，都需要一个与之并联的快速二极管，以通过负载中的无功电流，减小电容的充电时间，同时抑制因负载电流瞬时反向而感应的高电压。
由于这些电力电子器件的频率和性能不断提高，为了与其关断过程相匹配，该二极管必须具有快速开通和高速关断能力，即具有短的反向恢复时间trr，较小的反向恢复电流IRRM和软恢复特性。
在高压、大电流的电路中，传统的PIN二极管具有较好的反向耐压性能，且正向时它可以在很低的电压下就会导通较大的电流，呈现低阻状态。
然而，正向大注入的少数载流子的存在使得少子寿命较长，二极管的开关速度相应较低，为提高其开关速度，可采用掺杂重金属杂质和通过电子辐照的办法减小少子寿命，但这又会不同程度的造成二极管的硬恢复特性，在电路中引起较高的感应电压，对整个电路的正常工作产生重要影响。
目前现状目前，国内快速二极管一般采用电子辐照控制少子寿命,其软度因子在0.35左右，特性很硬。
国际上快速二级管的水平已达到2500A/3000V，300ns，软度因子较小。
采用外延工艺制作的快恢复二极管的软度因子较大（0.7），但它必须采用小方片串并联的方式使用，以达到大电流、高电压的目的。
这样做不仅增加了工艺的复杂性，而且使产品的可靠性变差。
我国的外延工艺水平较低，尚停留在研究阶段，成品率较低，相对成本较高；而采用电力半导体常规工艺制作的快恢复二极管的软度因子较小。
工作原理及影响因素恢复过程很短的二极管，特别是反向恢复过程很短的二极管称为快速恢复二极管（Fast Recovery Diode）。
高频化的电力电子电路不仅要求快速恢复二极管的正向恢复特性较好，即正向瞬态压降小，恢复时间短；更要求反向恢复特性也较好，即反向恢复时间短，反向恢复电荷少，并具有软恢复特性。
升压PFC电感上面的二极管原来是这个作用
升压PFC电感上面的二极管原来是这个作用
下观点众说纷纭：
关于这个二极管的作用，在电源工程师中有一些不同的看法，摘录如下：
说法一：减少浪涌电压对电容的冲击在开机瞬间限制PFC电感L因浪涌电流产生巨大的自感电势，从而造成电路故障。
每次电源开关接通瞬间加到电感上的可以是交流正弦波的任意瞬时值，如果在电源开关接通的瞬间是在正弦波的最大值峰点附近，那么给电感所加的是一个突变的电压，会引起电感L上产生极大的自感电势，该电势是所加电压的两倍以上，并形成较大的电流对后面的电容充电，轻则引起输入电路的保险丝熔断，重则引起滤波电容及斩波开关管Q击穿。
设置保护二极管D2后在接通电源的瞬间，由D2导通并对C充电，使流过PFC电感L的电流大大减小，产生的自感电势也要小得多，对滤波电容和开关管的危害及保险丝的熔断可能要小得多。
说法二：减少浪涌电压对升压二极管的冲击该二极管分流一部分PFC电感和升压二极管支路的电流，因而能对升压二极管起保护作用。
误区解析
以上的观点都提到了该二极管D2的保护作用，都有一定的道理，但上
述的有些解释有值得商榷的地方。
大家知道：PFC电路后面大的储能滤波电容C和PFC电感L是串联的，由于电感L上的电流不能突变.PFC电感本身对大的滤波电容C的浪涌电流起
限制作用，不会出现观点一提到的“电源开关接通的瞬间电感L1上产生极大的自感电势时电容的充电的情况，”因为自感电势的方向也是左正右负，此观点令人费解。
并联保护分流二极管D2以后，这一路由于没有电感的限制作用，对。
PFC电路中保护二极管的作用分析
PFC电路中保护二极管的作用分析一、概述为了提高电网的功率因数，减少干扰，大多数电源都采用了有源PFC 电路，尽管电路的具体形式繁多，不尽相同，工作模式也不一样(CCM电流连续型、DCM不连续型、BCM临界型），但基本的结构大同小异，大都是采用BOOST升压拓扑结构。
如下图所示，这是一典型的升压开关电源，基本的思想就是把整流电路和大滤波电容分割，通过控制PFC开-关管的导通使输入电流能跟踪输入电压的变化，获得理想的功率因数，减少电磁干扰EMI和稳定开关电源中开关管的工作电压。
在这个电路中，PFC电感L 在MOS开关管Q导通时储存能量，在开关管截止时，电感L上感应出右正左负的电压，将导通时储存的能量通过升压二极管D1对大的滤波电容充电，输出能量。
Boost升压PFC电感L上都并连着一个二极管D2。
现对图中D2的作用进行分析。
二、实验测试通过以下测试，测试主要器件的波形，来验证保护二极管的主要功能，实验一matlab进行仿真实验，输入220vac，输入没有启动电阻，当保护二极管在PFC电路中时，测试PFC电感电流和保护二极管的电流。
如下图：，当保护二极管存在时，PFC上的电感电流平缓的升高。
保护二极管在上电时导通，电流峰值有45A左右。
之后不参与电路工作。
PFC电感电流波形保护二极管电流波形实验二matlab进行仿真实验，输入220vac，输出母线410V，输入没有启动电阻，当去掉保护二极管时，测试PFC电感的电流。
当去掉保护二极管时，PFC上的电感电流会有较大的电流浪涌。
此电流峰值达到55A左右。
PFC电感电流波形如果电源工作在此条件下，在开机的瞬间，滤波电容的电压尚未建立，由于要对大电容充电，通过PFC电感的电流相对比较大，有可能在电源开关接通的瞬间是在正弦波的最大值，在对电容充电的过程中PFC电感L有可能会出现磁饱和的情况，如果此时PFC电路工作，流过PFC开关管的电流就会失去限制，烧坏开关管。
功率因数校正PFC电路中，旁路二极管的作用
功率因数校正PFC电路中，旁路二极管的作用
PFC电路中，旁路二极管的作用
功率因数校正PFC电路，通常在PFC电感和PFC输出滤波电容端有一只二极管，如下图，那么它存在的作用是什么？我们往下看。
典型的反激式开关电源
首先我们看一下，如下是常见而又典型的离线式开关电源原理，我们可以将电源电路归纳为主功率电路和控制电路；其中主功率电路包含了AC-DC变换（整流+功率因数校正PFC，通常输入功率大于75W，如CE或CCC认证中需要测试谐波，所以会加一个PFC电路，目的是符合谐波要求）和DC-DC变换（主功率变换拓扑Flyback）；控制回路包含了采样反馈（采样+误差放大电路+光耦）和电源管理（电源管理芯片IC及外围电路）。
主功率电路和控制电路相辅相成构成一个稳定电源系统。
PFC电路的浪涌电流
在交流电源快速通断期间，如下图如果电容C1（Bulk capacitor）的电压相比交流AC输入的电压低，且当PFC电路还未进入正常工作状态（无开关动作），那么将会有浪涌电流（Inrush Current）流入PFC电感L1。
那么当PFC MOSFET开通瞬间就会有大电流流入MOSFET，这样的话，我们还得选择一个合适的MOSFET来适应这个浪涌电流，避免损坏开关管。
浪涌电流示意图如下，如同交流源对PFC电路的输出电容充电
如何避免？
外置一个旁路二极管来限制PFC电感的浪涌电流来最小化这种过电流的应力风险
浪涌电流回路如下，改变了浪涌电流回路
实际电路中二极管的位置，如下图红圈中的旁路二极管。
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快速软恢复二极管（LLD）在PFC电路中的应用1、定义PFC(Power Factor Correction) 意思是“功率因数校正”，功率因数指的是有效功率与总耗电量(视在功率)之间的关系，也就是有效功率除以总耗电量(视在功率)的比值。
功率因素可以衡量电力被有效利用的程度，当功率因素值越大，代表其电力利用率越高。
2、解析与评价（1）理想的二极管在承受反向电压时截止，不会有反向电流通过。
而实际二极管正向导通时，PN结内的电荷被积累，当二极管承受反向电压时，PN结内积累的电荷将释放并形成一个反向恢复电流，它恢复到零点的时间与结电容等因素有关。
反向恢复电流在变压器漏感和其他分布参数的影响下将产生较强烈的高频衰减振荡。
因此，输出整流二极管的反向恢复噪声也成为开关电源中一个主要的干扰源。
（2）输出整流二极管会产生反向浪涌电流。
二极管在正向导通时PN结内的电荷积累，二极管加反向电压时积累电荷将消失并产生反向电流。
因为开关电流需经二极管整流，二极管由导通转变为截止的时间很短，在短时间内要让存储电荷消失就产生了反向电流的浪涌。
由于直流输出线路中的分布电感，分布电容，浪涌引起了高频衰减振荡，这是一种差模噪声。
（3）在反向恢复期间，由于二极管的反向恢复特性，二极管的电流不能突变。
此效应与一个电感等效。
为了抑制二极管尖峰，需在二极管两端并联电容C或RC缓冲网络。
（4）开关电源中尖峰干扰主要来自功率开关管和二次侧整流二极管的开通和关断瞬间。
具有容易饱和,储能能力弱等特点的饱和电感能有效抑制这种尖峰干扰。
将饱和电感与整流二极管串联,在电流升高的瞬间,它呈现高阻抗,抑制尖峰电流,而饱和后其饱和电感量很小,损耗小。
通常将这种饱和电抗器作为尖峰抑制器。
（5）输出整流二极管截止时有一个反向电流，其恢复到零点的时间与结电容等因素有关。
它会在变压器漏感和其他分布参数的影响下产生很大的电流变化dirr/dt，产生较强的高频干扰，频率可达几十兆赫兹。
（6）一个好的PFC电路用的升压二极管，除了对自身功耗要低之外，更重要的是产生的尖峰电压要小。
APT的DQ系列二极管，在软恢复的处理上技术独特，反向恢复电流小，软度控制也很好，恢复无振荡，而且有出色的雪崩耐量，可靠性高。
最适合用于PFC电路中做升压二极管。
DQ系列二极管的最大缺点Vf是略高，在PFC应用中并没有造成过大的功耗，不影响其软恢复优点的发挥。
APT快速软恢复二极管Qrr/VF的比较：APT15D60B(15A/600V/40ns)和APT15DQ60B(15A/600V/15ns)。
从DQ系列二极管的反向恢复波形可发现，DQ二极管有更小的反向恢复电压，同时有更长的tb，从而有更小的di/dt。
在寄生电感Ls相等的情况下，要产生更小的Vrp。
所以在PFC电路中应用DQ二极管，就大大减少电压尖峰出现的可能性，也拥有更好的EMI 特性。
二极管反向恢复的主要指标是trr,Qrr和Irrm。
其中trr衡量恢复的快慢；Qrr衡量反向恢复需要的电荷，表现为损耗；Irrm大小主要会影响与之配对的MOSFET/IGBT的电流应力和Eon。
从上面的波形来看，APT DQ的FRED的Qrr，Irrm明显小。
trr不是很明显，但是对于软恢复的FRED，这个表现已经相当不错。
软恢复的FRED对EMI和电流/电压的震荡抑制非常有效。
DQ二极管拥有卓越的雪崩耐量（Avalanche capability），使产品的可靠性更高。
雪崩耐量大，承受电路漏电感引起的电压尖峰的能力就强，不容易被击穿。
雪崩能量额定值是器件可靠性的重要指标。
二极管雪崩能量测试电路如下：其中Q1为IGBT，该IGBT的击穿电压高于被测二极管最大反向电压额定值。
雪崩能量计算公式如下：E AV AL = 1/2L I2[BV DUT/BV DUT－V DD])开关过程中，电感电流和二极管两端电压如上面Oude所提供的雪崩能量曲线-DQ FRED Avalanche Energy所示。
雪崩击穿发生在电感电流开始下降、二极管电压突然上升到其击穿电压的时刻，此时电感储能和VDD所提供的能量将转化为雪崩击穿能量。
因此，雪崩能量也可用下式计算：t2EAV AL =∫V(t)×I(t)dt ≈1/2×V(t)×I(t)(t2－t1)=1/2×800V×2A×(0.00175－0.0015)=200mJt1所有能量都是由VDD提供的，从VDD的角度出发，在整个测试过程中，VDD电压始终保持不变，而VDD的电流就是电感电流，电感电流线性变化，整个测试过程中VDD所提供的能量将全部转化为二极管雪崩时的能量。
因此，单独要求trr指标的不是很切合实际应用的。
Tj、Irrm、di/dt等都会影响trr的数值。
所以半导体器件的参数都是在一定的条件下才有具体的意义。
3、实际电路应用3.1富士电机电子技术株式会社半导体事业部（1）LCD-TV（液晶电视）LCD-TV（液晶电视）和以前的CRT电视相比较，由于体形非常薄，重量轻，耗电量少等特点目前占据电视机的市场主导地位。
今后会朝着更大尺寸，更高性能的方向发展。
以下介绍的是最适用于LCD-TV（液晶电视）的富士电机的半导体产品。
ⓛLCD-TV（液晶电视）：高效率Converter的电路结构(Fly Back Converter 方式——Typical AC-DC-DC converter)②LCD-TV（液晶电视）：高效率Converter的电路结构(电流共振方式——Typical AC-DC-DC converter)③LCD-TV：高效率Converter用的推荐产品——富士的M-POWER方式及PWM，拟似共振方式。
PFC电路Off Line Converter 2次整流电路DC-DC Converter控制IC MOSFET 二极管控制IC MOSFET二极管DC-DC Converter+12V系列+24V系列内置MOSFET外置MOS驱动PFC用IC 500V600V650VSuperLLD1CCM用SuperLLD1DCM用M-PWER2A 40VSBD 90/100VSBD 1ch2ch3ch以上1ch2ch3ch以上PFC电路Off Line Converter 2次整流电路DC-DC Converter控制IC MOSFET 二极管控制ICMOSFET二极管DC-DC Converter+12V系列+24V系列内置MOSFET外置MOS驱动PFC用IC 500V600V650VSuperLLD1CCM用SuperLLD1PWM-IC拟似共振IC600V650V700V800V900V90/100VSBD120VSBD150VSBD200VSBD1ch2ch3ch以上1ch2ch3ch以上DCM 用（2）PDP-TV （等离子电视）PDP-TV （等离子电视）和LCD-TV （液晶电视）一样属于平板电视的一种，在大尺寸领域有很高的市场占有率。
今后会朝着更高性能，重量更轻，耗电量更少的方向发展。
以下介绍的是最适用于PDP-TV （等离子电视）的富士电机的半导体产品。
ⓛPDP-TV （等离子电视）：高效率Converter 的电路结构(Fly Back Converter 方式——Typical AC-DC-DC converter)②PDP-TV （等离子电视）：高效率Converter 的电路结构(电流共振方式——Typical AC-DC-DC converter)③PDP-TV ：高效率Converter 用的推荐产品——富士的M-POWER 方式及PWM ，拟似共振方式。
PFC 电路Off Line Converter 2次整流电路DC-DCConverter 控制ICMOSF ET二极管VsusVx (V a,+Vmulti)Vsus 系列 V a 系列 Vmulti 系列 DC-DCConverter Ex.) 200V Ex.) 70V Ex.) 12V/15V内置外置MOSF ET MOS驱动PFC 用IC 500V600V650VSuperLLD1CCM用SuperLLD1DCM用M-PWER2AM-PWER2A600VLLD200VSBD200VLLD300VLLD40/45VSBD1ch2ch3ch以上1ch2ch3ch以上PFC电路Off Line Converter 2次整流电路DC-DC Converter控制IC MOSFET二极管控制IC MOSFET二极管DC-DC Converter+12V系列+24V系列内置MOSFET外置MOS驱动PFC用IC 500V600V650VSuperLLD1CCM用SuperLLD1DCM用PWM-IC拟似共振IC600VLLD 200VSBD200VLLD300VLLD40/45VSBD1ch2ch3ch以上1ch2ch3ch以上3.2新电元工业株式会社（1）变频电冰箱(Typical AC-DC-DC converter)（2）变频空调器(Typical AC-DC-DC converter)2004/01/09。