光电检测器
光电检测器工作原理
光电检测器工作原理光电检测器是一种将光信号转换为电信号的装置。
其工作原理可以分为以下几个步骤：1. 光信号入射：光线经过透镜等光学元件聚焦成束，射向光电检测器的光敏元件。
2. 光敏元件吸收光能：光敏元件通常使用半导体材料，如硅、锗及化合物半导体等。
光敏元件能够吸收入射光的能量，使其内部的电子被激发。
3. 电子运动：激发后的电子受到电场的作用，开始在光敏元件中运动。
一部分电子通过电流传输到输出电路中。
4. 电荷生成：当光敏元件中的电子受到光照时，会产生一些正电荷不断积累，形成电荷对。
一部分电子-空穴对会在光敏元件中一直保持平衡，这样就形成了一个光生载流子。
5. 转化为电信号：通过连接在光敏元件上的电路，将电荷对转化为电信号。
这个电信号能够被检测器所连接的仪器或设备所读取和处理。
总结来说，光电检测器的工作原理就是利用光敏元件吸收光能，并将其转化为电信号。
这种转化过程是通过光生载流子的产生和电子运动来实现的。
光电检测器的性能主要由光敏元件的材料和结构决定。
不同的光电检测器根据其材料和结构的不同，可以实现不同波段的光信号检测。
当光线入射到光敏元件上时，光子的能量被转化为电子的激发能量。
这种转化过程产生了一个光生电子空穴对。
接下来，这些电子和空穴会被电场分开，形成电流。
光电检测器通常有不同的工作模式，包括光电导模式、光电二极管模式、光电倍增管模式和光电子倍增管模式等。
以下是一些光电检测器的工作原理：1. 光电二极管（Photodiode）：光电二极管是一种PN结构的半导体器件。
当光照射到PN结上时，光子的能量被转化为电子的能量，并通过PN结的电场将电子和空穴分开，形成电流。
2. 光电导（Photoconductor）：光电导使用光敏物质，如硒化铟（InSe）或硒化铟镉（InCdSe）等。
当光照射到光电导上时，光子的能量使光电导的电阻发生变化，从而产生电流。
3. 光电子倍增管（Photomultiplier Tube，PMT）：光电子倍增管由光电阴极和多个倍增极组成。
光电信号检测光电探测器概述概要课件
光电探测器的工作原理
光电探测器的工作原理基于光子与物质相互作用产生电子-空穴对或光生电场效 应，从而将光信号转换为电信号。
具体来说，当光子照射到光电探测器的敏感区域时，光子能量被吸收并产生电子 -空穴对，这些电子-空穴对在电场的作用下分离并形成光电流，从而完成光信号 到电信号的转换。
光电探测器的应用领域不断拓 展，如物联网、智能制造、无 人驾驶等新兴领域，为市场发 展带来更多机遇。
05
光电探测器的挑战与展望
光电探测器的挑战与展望
• 光电探测器是用于检测光信号并将其转换为电信号的器件，广泛应用于光通信、环境监测、安全监控等领域。随着光电子技术的发展，光电 探测器的性能不断提高，应用范围不断扩大。
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光电探测器的市场前景
全球市场情况
光电探测器在全球范围内应用广泛，包括通信、工 业、医疗、安全等领域。
随着技术的不断进步和应用需求的增加，全球光电 探测器市场规模持续增长。
市场竞争激烈，各大厂商在技术研发、产品创新等 方面不断投入，以提高市场份额。
中国市场情况
02
01
03
中国光电探测器市场发展迅速，成为全球最大的光电 探测器市场之一。
光电探测器的分类
01
光电探测器可以根据工作原理、材料、波长响应范围、光谱响应特、光电发射型等；按材料可分为硅基、锗 基、硫化铅等；按波长响应范围可分为可见光、红外、紫外等；按光谱响应特 性可分为窄带、宽带等。
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•·
02
光电探测器的应用
通信领域的应用
光纤通信
光电探测器在光纤通信中起到至关重要的作用。它们能够将光信 号转换为电信号，使得信息的传输和处理成为可能。
光电探测器的作用和原理
光电探测器的作用和原理光电探测器是一种将光信号转化为电信号的器件。
它可以用于各种光学领域，如通信、医疗、环境监测等，具有广泛的应用价值。
光电探测器的工作原理主要有光电效应、光电导效应和光伏效应等。
光电探测器的作用是将光信号转化为电信号，进而进行信号处理和数据分析。
它可以起到光信号的接收、放大和转换作用，将光信号转化为电信号后，就可以进行电子器件的控制、信号处理、光电数据采集等操作。
光电探测器的工作原理主要有以下几种：1. 光电效应：光电效应是指当光照射到物质表面时，光子的能量将会激发出电子，使其跃迁到导带或空位带，从而形成电流。
根据光电效应的不同，光电探测器可以分为光电二极管、光电倍增管、光阴极管等。
2. 光电导效应：光电导效应是指当光照射到某些特殊的半导体材料时，会通过光生电子空穴对的形成而形成电导，从而产生电流。
光电导效应在光探测器中应用较广泛，如光电二极管、光电晶体管等。
3. 光伏效应：光伏效应是指当光照射到半导体材料的PN结上时，光子的能量将激发电子与空穴的对生成，从而产生光生电流。
光伏效应广泛应用于太阳能电池等光电探测器中。
除了以上三种主要的工作原理外，还有其他一些光电探测器的工作原理，如荧光检测、非线性光学效应等。
不同的光电探测器采用不同的工作原理，可以适应不同频率范围、不同光功率等应用需求。
光电探测器的应用十分广泛。
在通信领域，光电探测器常用于接收光信号，起到光-电转换的作用。
在光纤通信中，光电探测器是光纤收发器的关键组成部分。
此外，光电探测器还可以应用于激光雷达、遥感、光谱分析、医疗影像等领域。
在环境监测方面，光电探测器可以用于光谱分析仪器，检测大气中的气体成分。
总的来说，光电探测器是一种将光信号转换为电信号的器件，通过光电效应、光电导效应、光伏效应等原理工作。
它在光通信、激光雷达、医疗影像等领域有着广泛的应用。
光电探测器的不断发展和创新，将进一步推动光学技术的发展，为人类的生活带来更多福利。
光电检测器的工作原理
光电检测器的工作原理
光电检测器是一种利用光电效应原理来检测光信号的装置。
它由光电发射器和光电接收器两部分组成。
光电发射器是一个发射光源，常见的有发光二极管（LED）或激光器。
当电流通过发光二极管时，其内部的半导体材料会发出特定波长的光。
光电接收器是一个接收光信号并产生电信号的元件，常见的有光敏二极管（LDR）或光电二极管（photodiode）。
光敏二极管或光电二极管的外围电路会对接收到的光信号进行放大和处理。
光电检测器的工作原理是当光电发射器发出的光照射到光电接收器上时，光能被光电接收器吸收并转化为电能。
这个转化过程是通过光电效应实现的。
光电效应的基本原理是当光束照射到半导体材料上时，光子会激发半导体材料中的电子跃迁到导带上，形成电子空穴对。
而这些电子空穴对可以导致半导体中的电流流动。
当光电接收器中的光电二极管或光敏二极管吸收到光子后，其内部会产生电流。
这个电流大小与光强度成正比。
通过对光电接收器产生的电流进行测量，我们可以间接地获得光的强度或光的存在与否。
光电检测器广泛应用于多个领域，如光通信、光电传感、光电测量等。
在各个领域中，光电检测器都起到了至关重要的作用。
光电式带材跑偏检测器的工作原理
光电式带材跑偏检测器的工作原理1.概述光电式带材跑偏检测器是一种用于监测带材运行过程中偏离轨迹的设备，它能够及时发现并纠正带材的偏移，避免因偏移而导致的设备损坏或生产质量问题。
本文将就光电式带材跑偏检测器的工作原理进行介绍。
2.光电式带材跑偏检测器的分类光电式带材跑偏检测器主要分为两种类型：边缘型和中心型。
边缘型带材跑偏检测器是通过安装在带材两侧的传感器来监测带材的位置，当带材偏移超过设定范围时，传感器将发出信号进行报警或停机；中心型带材跑偏检测器则是通过安装在带材中心的传感器来监测带材的位置，原理和边缘型类似。
3.工作原理光电式带材跑偏检测器的工作原理主要包括光电传感器、控制器和执行机构三个部分。
3.1 光电传感器光电传感器是带材跑偏检测器的核心部件，它通过发射和接收光信号的方式来监测带材的位置。
当带材处于正常位置时，光信号能够准确地被接收器接收；当带材偏移时，光信号被阻挡或偏离，传感器将会产生相应的信号。
3.2 控制器控制器是光电式带材跑偏检测器的智能核心，它接收光电传感器的信号，并根据预设的参数进行判断和处理。
当控制器接收到传感器发出的带材偏移信号时，会根据预设的偏移范围和处理逻辑进行相应的动作。
常见的处理逻辑包括发出报警信号、停机或自动调整带材位置。
3.3 执行机构执行机构是控制器的延伸部分，根据控制器的信号进行相应的动作。
在边缘型带材跑偏检测器中，执行机构可以是通过控制带材调整装置来纠正带材的位置；在中心型带材跑偏检测器中，执行机构可以是通过控制辊筒偏移来纠正带材的位置。
4.工作流程基于以上的工作原理，光电式带材跑偏检测器的工作流程可以简要归纳为以下几个步骤：步骤1：光电传感器监测带材位置；步骤2：传感器将带材的实际位置信号传递给控制器；步骤3：控制器接收并处理传感器信号，判断带材是否偏移；步骤4：根据判断结果，控制器发出相应的信号给执行机构；步骤5：执行机构根据控制器的信号进行相应的动作，纠正带材的位置。
光电检测器工作原理(一)
光电检测器工作原理(一)光电检测器工作原理1. 简介光电检测器是一种能够将光信号转化为电信号的设备。
它在许多领域中都有广泛的应用，如光通信、光电传感等。
本文将从浅入深地介绍光电检测器的工作原理。
2. 光电检测器结构光电检测器通常由以下几个主要部分组成： - 光敏元件：负责接收光信号并产生电荷携带子。
- 电荷放大器：用于将光敏元件产生的微弱电荷转化为可观测的电信号。
- 信号处理电路：对电信号进行增强、滤波和解调等处理。
- 输出接口：将处理后的电信号输出给后续电路或设备。
3. 光敏元件的工作原理光敏元件是光电检测器的核心部分，常见的光敏元件有光电二极管（Photodiode）和光电导（Phototransistor）。
光电二极管光电二极管是一种具有半导体特性的元件。
当光照射到光电二极管的结区域时，光能会激发光电二极管内的载流子生成和移动，从而产生电流。
其工作原理主要包括以下两个过程： 1. 光吸收：光能被半导体材料吸收，形成电子-空穴对（Electron-Hole Pair）。
2. 电荷分离：由于内建电势的作用，电子和空穴被分离，形成电流。
光电导光电导是一种基于光敏二极管的光敏元件。
其工作原理类似于光电二极管，但光电导在集电极和基极之间引入了一个电流放大层，可以增强输出电流。
工作原理主要包括以下两个过程： 1. 光吸收和电子-空穴对的生成。
2. 电子和空穴进入电流放大层，引发电流放大，产生更大的输出电流。
4. 电荷放大器的工作原理电荷放大器是将光敏元件产生的微弱电荷进行放大的关键部分。
它采用了放大电路和电容器的组合，实现了电荷的积分和放大。
其工作原理主要包括以下几个步骤： 1. 电荷积分：电荷放大器中的电容器开始积放光敏元件产生的电荷。
2. 放大电路：在一定的时间间隔内，电荷放大器会将电容器上积累的电荷放大为可观测的电信号。
3. 放大比例：电荷放大器的放大比例决定了输出信号的幅度。
5. 信号处理电路的工作原理信号处理电路对电信号进行增强、滤波和解调等处理，以满足特定应用的需求。
光检测器介绍(PIN、APD详细讲解)
例 (续)
光检测器暗电流：
iD2B 2qID B 2(1.6 1019 C)(4 109 A)(20106 Hz) 2.561020 A2
负载均方热噪声电流为：
iT2
4kBT B 4(1.381023 J / K)(293K) 20106 Hz 3231018 A2
倍增因子和响应度
光电二极管中所有载流子产生的倍增因子M定义为：
M
IM Ip
1
1
V /
VB
n
其中，IM 是雪崩增益后输出电流的平均值，而 Ip是未倍增时 的初级光电流，V是反向偏压，VB为二极管击穿电压，n一般 为 2.5~7。实际上，雪崩过程是统计过程，并不是每一个光 子都经历了同样的放大，所以M只是一个统计平均值。
因子F用于衡量由于倍增过程的随机性导致的检测器噪声的 增加。参数x称为过剩噪声指数，一般取决于材料，并在0~1 之间变化，x对于Si APD为0.3，对InGaAs APD为0.7，对Ge APD 为1.0。
总噪声
光检测器的总均方噪声电流为：
iN2
2 N
iQ2
iD2 B iD2 S
量子效率大约为90%，因此这个波长的响应度为：
q q hv hc
0.901.6 10 19 C
6.625 10 34 J s 3108 m/s
7.25 105
当波长为1300 nm时：
7.25 105A/W/m 1.30 106 m 0.942 A/W
当波长大于1600 nm时，光子能量不足以激发出一个电子，例
如In0.53Ga0.47As的带隙能量为Eg = 0.73 eV，故截止波长为：
光电探测器成像原理
光电探测器成像原理光电探测器是一种用于光学成像的设备，通过接收光信号并将其转化为电信号，实现对光的探测和成像。
光电探测器成像原理是基于光的电磁特性和光电转换效应。
光电探测器成像的基本原理是利用光电效应将光信号转化为电信号。
光电效应是指当光照射到光电探测器的光敏材料上时，光子的能量被电子吸收，使电子获得足够的能量跳出原子轨道，产生自由电子和空穴。
自由电子和空穴的移动形成电流和电压信号，最终被检测器接收和处理。
光电探测器的核心部件是光敏元件，其中最常用的是光电二极管（Photodiode）和光电倍增管（Photomultiplier Tube）。
光电二极管是一种半导体器件，其结构类似于普通二极管，但在P-N结附近引入了光敏材料，如硅（Si）或锗（Ge）。
当光子照射到光电二极管上时，光子的能量被光敏材料吸收，产生电子和空穴对。
由于二极管的正向偏置，电子和空穴受到电场的作用而分别向P区和N区移动，形成电流。
通过测量电流的大小可以得到光的强度信息。
光电倍增管是一种高灵敏度的光电探测器，其工作原理是利用光电效应和电子倍增效应。
光电倍增管由光阴极、电子倍增器和阳极组成。
当光子照射到光阴极上时，光电效应使光阴极产生光电子。
这些光电子会经过电子倍增器，其中的电子会不断地与倍增器中的材料相互碰撞，产生更多的电子。
最终，产生的电子会被聚焦到阳极上，形成电流信号。
光电倍增管具有高增益和高灵敏度的特点，适用于低强度光信号的探测和成像。
光电探测器的成像过程是将光信号转化为电信号，并通过电子学系统进行信号处理和图像重构。
光电二极管和光电倍增管在成像应用中具有广泛的应用。
光电二极管成像系统通常使用光电二极管阵列，通过多个光电二极管接收光信号，实现对目标物体的成像。
光电倍增管成像系统通常使用单个光电倍增管，通过调节光阴极的位置和形状，实现对光信号的成像。
光电探测器成像技术在许多领域有着广泛的应用，如光学测量、遥感、医学成像等。
在光学测量中，光电探测器可以实现对光信号的精确测量，用于光强度、光强分布等参数的测量。
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光纤通信结课论文题目：光电检测器学院： xxxxxxxxxxx学院专业班级： xxxxxxxxxxx一班任课教师： xxxxxxxxxxxxxxxx 姓名： xxxx xxxxxx学号： xxxxxxxxxxxxxxxx 日期： 2009年6月光电检测器摘要光电检测技术是光学与电子学相结合而产生的一门新兴检测技术。
它主要利用电子技术对光学信号进行检测，并进一步传递、储存、控制、计算和显示。
光电检测技术从原理上讲可以检测一切能够影响光量和光特性的非电量。
它可通过光学系统把待检测的非电量信息变换成为便于接受的光学信息，然后用光电探测器件将光学信息量变换成电量，并进一步经过电路放大、处理，以达到电信号输出的目的。
然后采用电子学、信息论、计算机及物理学等方法分析噪声产生的原因和规律，以便于进行相应的电路改进，更好地研究被噪声淹没的微弱有用信号的特点与相关性，从而了解非电量的状态。
微弱信号检测的目的是从强噪声中提取有用信号，同时提高检测系统输出信号的信噪比。
关键词光电二极管雪崩光电二极管光电检测光电效应信噪比正文一、概述光信号经过光纤传输到达接收端后，在接收端有一个接收光信号的元件。
但是由于目前我们对光的认识还没有达到对电的认识的程度，所以我们并不能通过对光信号的直接还原而获得原来的信号。
在他们之间还存在着一个将光信号转变成电信号，然后再由电子线路进行放大的过程，最后再还原成原来的信号。
这一接收转换元件称作光检测器，或者光电检测器，简称检测器，又叫光电检波器或者光电二极管。
常见的光检测器包括：PN光电二极管、PIN光电二极管和雪崩光电二极管（APD）。
光检测器的要求：（1）灵敏度高：灵敏度高表示检测器把光功率转变为电流的效率高。
在实际的光接收机中，光纤传来的信号及其微弱，有时只有1nw左右。
为了得到较大的信号电流，人们希望灵敏度尽可能的高。
（2）响应速度快：指射入光信号后，马上就有电信号输出；光信号一停，电信号也停止输出，不要延迟。
这样才能重现入射信号。
实际上电信号完全不延迟是不可能的，但是应该限制在一个范围之内。
随着光纤通信系统的传输速率的不断提高，超高速的传输对光电检测器的响应速度的要求越来越高，对其制造技术提出了更高的要求。
（3）噪声小：为了提高光纤传输系统的性能，要求系统的各个组成部分的噪声要求足够小。
但是对于光电检测器要求特别严格，因为它是在极其微弱的信号条件下工作，又处于光接收机的最前端，如果在光电变换过程中引入的噪声过大，则会使信号噪声比降低，影响重现原来的信号。
（4）稳定可靠：要求检测器的主要性能尽可能不受或者少受外界温度变化和环境变化的影响，以提高系统的稳定性和可靠性。
光电检测电路的基本构成光电探测器所接收到的信号一般都非常微弱，而且光探测器输出的信号往往被深埋在噪声之中，因此，要对这样的微弱信号进行处理，一般都要先进行预处理，以将大部分噪声滤除掉，并将微弱信号放大到后续处理器所要求的电压幅度。
这样，就需要通过前置放大电路、滤波电路和主放大电路来输出幅度合适、并已滤除掉大部分噪声的待检测信号。
其光电检测模块的组成框图如图所示。
二、总体应用设计1 光电二极管的工作模式与等效模型1．1 光电二极管的工作模式光电二极管一般有两种模式工作：零偏置工作和反偏置工作，图所示是光电二极管的两种模式的偏置电路。
图中，在光伏模式时，光电二极管可非常精确的线性工作；而在光导模式时，光电二极管可实现较高的切换速度，但要牺牲一定的线性。
事实上，在反偏置条件下，即使无光照，仍有一个很小的电流(叫做暗电流或无照电流1。
而在零偏置时则没有暗电流，这时二极管的噪声基本上是分路电阻的热噪声；在反偏置时，由于导电产生的散粒噪声成为附加的噪声源。
因此，在设计光电二极管电路的过程中，通常是针对光伏或光导两种模式之一进行最优化设计，而不是对两种模式都进行最优化设计。
一般来说，在光电精密测量中，被测信号都比较微弱，因此，暗电流的影响一般都非常明显。
本设计由于所讨论的待检测信号也是十分微弱的信号，所以，尽量避免噪声干扰是首要任务，所以，设计时采用光伏模式。
1．2 光电二极管的等效电路模型工作于光伏方式下的光电二极管的工作模型如图3所示，它包含一个被辐射光激发的电流源、一个理想的二极管、结电容和寄生串联及并联电阻。
图中，IL为二极管的漏电流；ISC为二极管的电流；RPD为寄生电阻；CPD为光电二极管的寄生电容；ePD为噪声源；Rs为串联电阻。
由于工作于该光伏方式下的光电二极管上没有压降，故为零偏置。
在这种方式中，影响电路性能的关键寄生元件为CPD和RPD，它们将影响光检测电路的频率稳定性和噪声性能。
CPD是由光电二极管的P型和N 型材料间的耗尽层宽度产生的。
耗尽层越窄，结电容的值越大。
相反，较宽的耗尽层(如PIN光电二极管)会表现出较宽的频谱响应。
硅二极管结电容的数值范围大约在20或25pF到几千pF以上。
而光电二极管的寄生电阻RPD(也称作"分流"电阻或"暗"电阻)，则与光电二极管的偏置有关。
与光伏电压方式相反，光导方式中的光电二极管则有一个反向偏置电压加至光传感元件的两端。
当此电压加至光检测器件时，耗尽层的宽度会增加，从而大幅度地减小寄生电容CPD的值。
寄生电容值的减小有利于高速工作，然而，线性度和失调误差尚未最优化。
这个问题的折衷设计将增加二极管的漏电流IL和线性误差。
2 电路设计2．1 主放大器设计众多需要检浏的微弱光信号通常都是通过各种传感器来进行非电量的转换，从而使检测对象转变为电量(电流或电压)。
由于所测对象本身为微弱量，同时受各种不同传感器灵敏度的限制，因而所得到的电量自然是小信号，一般不能直接用于采样处理。
本设计中的光电二极管前置放大电路主要起到电流转电压的作用，但后续电路一般为A／D转换电路，所需电压幅值一般为2 V。
然而，即使是这样，而输出的电压信号一般还需要继续放大几百倍，因此还需应用主放大电路。
其典型放大电路如图4所示。
该主放大器的放大倍数为A=l＋R2/R3，其中R2为反馈电阻。
为了后续电路的正常工作，设计时需要设定合理的R2和R1值，以便得到所需幅值的输出电压。
即有2．2滤波器设计为使电路设计简洁并具有良好的信噪比,设计时还需要用带通滤波器对信号进行处理。
为保证测量的精确性，本设计在前置放大电路之后加人二阶带通滤波电路，以除去有用信号频带以外的噪声，包括环境噪声及由前置放大器引人的噪声。
这里采用的有源带通滤波器可选通某一频段内的信号，而抑制该频段以外的信号。
该滤波器的幅频特性如图5所示。
图5中，f1、f2分别为上下限截止频率，f0为中心频率，其频带宽度为：B=f2-f1=f0/Q式中，Q为品质因数，Q值越大，则随着频率的变化，增益衰减越快。
这是因为中心频率一定时，Q值越大，所通过的频带越窄，滤波器的选择性好。
有源滤波器是一种含有半导体三极管、集成运算放大器等有源器件的滤波电路。
这种滤波器相对于无源滤波器的特点是体积小、重量轻、价格低、结构牢固、可以集成。
由于运算放大器具有输人阻抗高、输出阻抗低、高的开环增益和良好的稳定性，且构成简单而且性能优良。
本设计选用了去处放大器来进行设计。
本设计选用了去处放大器来进行设计。
图6所示的二阶带通滤波器是一种二阶压控电压源(VCVS)带通滤波器，其滤波电路采用有源滤波器完成，并由二阶压控电压源(VCVS)低通滤波器和二阶压控电压源高通滤波器串接组成带通滤波器。
对于第一部分，即低通滤波器，系统要求的低通截止频率为fc，其传递函数为：第二部分为高通滤波器，系统要求的高通截止频率为fc，其传递函数如下：3 完整的检测电路设计本光电检测系统设计的完整电路如图7所示。
为方便表示，电路中的R2、R3即为前面等效电路模型中的RT、RF。
前级部分由光电转换二极管与前级放大器组成，这也是光电检测电路的核心部分，其器件选用高性能低噪声运算放大器来实现电路匹配并将光电流转换成电压信号，以实现数倍的放大。
然而，虽然前级放大倍数可以设计得很大，但由于反馈电阻会引入热噪声而限制电路的信噪比，因此前级信号不能无限放大。
三、器件工作原理及技术参数（1）PN结的光电效应光电二极管（PD）是一个工作在反向偏压下的PN结二极管，如下图。
由光电二极管作成的光检测器的核心是PN结的光电效应。
当PN结加反向偏压时，外加电场方向与PN结的内建电场方向一致，势垒加强，在PN结界面附近载流子基本上耗尽形成耗尽区。
当光束入射到PN结上，且光子能量hv大于半导体材料的带隙Eg时，价带上的电子吸收光子能量跃迁到导带上，形成一个电子—空穴对。
在耗尽区，在内建电场的作用下电子向N区漂移，空穴向P区漂移，如果PN结外电路构成回路，就会形成光电流。
当入射光功率变化时，光电流也随之线性变化，从而把光信号转换成电信号。
当入射光子能量小于Eg 时，不论入射光有多强，光电效应也不会发生，即产生光电效应必须满足：λc为产生光电效应的入射光的最大波长，称为截止波长。
以Si为材料的光电二极管,λc=1.06μm；以Ge为材料的光电二极管，λc=1.60μm。
利用光电效应可以制造出简单的PN结光电二极管。
但这种光电二极管结构简单，无法降低暗电流和提高响应度，器件的稳定度也比较差，实际上不适合做光纤通信的检测器。
（2）PIN光电二极管1）PIN光电二极管的结构PIN光电二极管是在掺杂浓度很高的P型、N型半导体之间，生成一层掺杂极低的本征材料，称为I层。
在外加反向偏置电压作用下，I层中形成很宽的耗尽层。
结构如图1所示。
由于I层吸收系数很小，入射光可以很容易地进入材料内部被充分吸收而产生大量的电子—空穴对，因此大幅度提高了光电转换效率。
另外，I层两侧的P层、N层很薄，光生载流子的漂移时间很短，大大提高了器件的响应速度。
检测某波长的光时要选择合适材料作成的光检测器。
首先，材料的带隙决定了截止波长要大于被检测的光波波长，否则材料对光透明，不能进行光电转换。
其次，材料的吸收系数不能太大，以免降低光电转换效率。
Si―PIN光电二极管的波长响应范围为0.5～1μm。
Ge―PIN和InGaAs―PIN光电二极管的波长响应范围约为1～1.7μm。
2）响应度响应度是描述光检测器能量转换效率的一个参量。
它定义为：其中，P0为入射到光电二极管上的光功率；Ip为所产生的光电流。
它的单位为A/W。
3）量子效率量子效率表示入射光子转换为光电子的效率。
它定义为单位时间内产生的光电子数与入射光子数之比，即：η=(光电转换产生的有效电子-空穴对数)/入射光子数其中,e为电子电荷，其值为1.6×10-19 C。
所以有：式中,λ单位取μm。
可见，光电检测器的响应度随波长的增大而增大。