模拟电子技术课后习题答案第三章场效应管及其放大电路答案
模拟电子技术基础(童诗白 华成英)课后答案第3章
第三章 多级放大电路自 测 题一、判断下列说法是否正确，凡对的在括号内打“√”，否则打“×”。
（1）现测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数均为－100，将它们连成两级放大电路，其电压放大倍数应为10000。
( )（2）阻容耦合多级放大电路各级的Q 点相互独立，( )它只能放大交流信号。
( )（3）直接耦合多级放大电路各级的Q 点相互影响，( )它只能放大直流信号。
( )（4）只有直接耦合放大电路中晶休管的参数才随温度而变化。
( ) （5）互补输出级应采用共集或共漏接法。
( )解：（1）× （2）√ √ （3）√ × （4）× （5）√二、现有基本放大电路：A.共射电路B.共集电路C.共基电路D.共源电路E.共漏电路根据要求选择合适电路组成两级放大电路。
（1）要求输入电阻为1k Ω至2k Ω，电压放大倍数大于3000，第一级应采用 ，第二级应采用 。
（2）要求输入电阻大于10M Ω，电压放大倍数大于300，第一级应采用 ，第二级应采用 。
（3）要求输入电阻为100k Ω～200k Ω，电压放大倍数数值大于100，第一级应采用 ，第二级应采用 。
（4）要求电压放大倍数的数值大于10，输入电阻大于10M Ω，输出电阻小于100Ω，第一级应采用 ，第二级应采用 。
（5）设信号源为内阻很大的电压源，要求将输入电流转换成输出电压，且1000io ＞I U A ui &&&=，输出电阻R o ＜100，第一级应采用 ，第二级应采用 。
解：（1）A ，A （2）D ，A （3）B ，A （4）D ，B （5）C ，B三、选择合适答案填入空内。
（1）直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是 。
A .电阻阻值有误差 B .晶体管参数的分散性 C .晶体管参数受温度影响 D .电源电压不稳定 （2）集成放大电路采用直接耦合方式的原因是 。
A .便于设计B .放大交流信号C .不易制作大容量电容（3）选用差分放大电路的原因是 。
第3章 场效应管及其基本放大电路 参考答案
第 3章 场效应管及其基本放大电路3.1填空题（1）按照结构，场效应管可分为 。
它属于 型器件，其最大的优点是 。
（2）在使用场效应管时，由于结型场效应管结构是对称的，所以 极和 极可互换。
MOS 管中如果衬底在管内不与 极预先接在一起，则 极和 极也可互换。
（3）当场效应管工作于恒流区时，其漏极电流D i 只受电压 的控制，而与电压 几乎无关。
耗尽型D i 的表达式为 ，增强型D i 的表达式为 。
（4）一个结型场效应管的电流方程为2GS D 161mA 4U I=×− ，则该管的DSS I = ，p U = 。
（5）某耗尽型MOS 管的转移曲线如习题3.1.5图所示，由图可知该管的DSS I = ，p U = 。
（6）N 沟道结型场效应管工作于放大状态时，要求GS 0u ≥≥ ，DS u > ；而N 沟道增强型MOS 管工作于放大状态时，要求GS u > ，DS u > 。
（7）耗尽型场效应管可采用 偏压电路，增强型场效应管只能采用 偏置电路。
（8）在共源放大电路中，若源极电阻s R 增大，则该电路的漏极电流D I ，跨导m g ，电压放大倍数 。
（9）源极跟随器的输出电阻与 和 有关。
答案：（1）结型和绝缘栅型，电压控制，输入电阻高。
（2）漏，源，源，漏，源。
（3）GS u ，DS u ，2GS D DSS P 1u i I U =− ，2GS D DO T 1u i I U=−。
（4）16mA ，4V 。
（5）习题3.1.5图4mA ，−3V 。
（6）p U ，GS p u U −，T U ，GS T u U −。
（7）自给，分压式。
（8）减小，减小，减小。
（9）m g ，s R 。
3.2试分别画出习题3.2图所示各输出特性曲线在恒流区所对应的转移特性曲线。
解：3.3在带有源极旁路电容s C 的场效应管放大电路如图3.5.6（a ）所示。
若图中的场效应管为N 沟道结型结构，且p 4V U =−，DSS 1mA I =。
模拟电子技术第三章习题答案
11.已知共基放大电路如题3-21图所示。
已知晶体管VT 的h fe =50，r bb’=50Ω，U BEQ =0.7V ,电路中的电容对交流可视为短路。
1．求静态工作点。
2．画出h 参数等效电路；求中频电压增益ＡU ,输入电阻和输出电阻。
分析：题3-21图电路为CB 组态放大电路。
在进行低频小信号分析时，可以使用CB 组态的h 参数模型，也可以使用比较熟悉的CE 组态的h 参数模型。
解： 方法一：1． 直流电路如题3-21图a 所示。
R L 3k Ω题3-21图V CC +12v题3-21图a2．利用CB 组态的h 参数模型进行交流特性分析。
交流等效电路如题3-21图b 所示。
方法二：1． 静态工作点的计算方法同方法一，略2． 利用CE 组态的h 参数模型进行交流特性分析。
交流等效电路如题3-21图c 所示。
()())V (75.32365.112)mA (03.050)mA (62.1)mA (62.165.151501)mA (65.1k 27.04)V (412301515E C CQ CC CEQ f eBQ EQ f e f e CQ E BE B CC B2B1B2B =+⨯-=+-==≈==⨯=+==-=-==⨯+=+=R R I V U h I I I h h I R U U I V R R R U CQ EQ题3-21图b+u o-+u i-()()()()bb'ie fe EQ ie ib fe fefb fe2626150150853Ω1.6585316.7Ω15111h r h I h h h h h h =++=++⨯====+-==≈-+()()()()E ib o c fb C L fb C L o U i e ib ib //16.7Ω//2k Ω16.5Ω3k Ω////13//38816.7i e r R h r R h i R R h R R u A u i h h =====⨯⨯-⨯==-=-=-=⨯输入电阻输出电阻中频电压增益为输入电阻输出电阻10.共集放大电路如题3-19图所示。
模拟电子技术第三章 习题与答案
第三章习题与答案3.1 问答题：1．什么是反馈？答：在电子线路中，把输出量（电压或电流）的全部或者一部分，以某种方式反送回输入回路，与输入量（电压或电流）进行比较的过程。
2．什么是正反馈？什么是负反馈？放大电路中正、负反馈如何判断？答：正反馈：反馈回输人端的信号加强原输入端的信号，多用于振荡电路。
负反馈：反馈回输入端的信号削弱原输入端的信号，使放大倍数下降，主要用于改善放大电路的性能。
反馈极性的判断，通常采用瞬时极性法来判别。
通常假设某一瞬间信号变化为增加量时．我们定义其为正极性，用“+”表示。
假设某一瞬间信号变化为减少量时，我们定义其为负极性，用“-”表示。
首先假定输入信号某一瞬时的极性，一般都假设为正极性．再通过基本放大电路各级输入输出之间的相位变化关系，导出输出信号的瞬时极性；然后通过反馈通路确定反馈信号的瞬时极性；最后由反馈信号的瞬时极性判别净输入是增加还是减少。
凡是增强为正反馈，减弱为负反馈。
3．什么是电压负反馈？什么是电流负反馈？如何判断？答：根据反馈信号的取样方式，分为电压反馈和电流反馈。
凡反馈信号正比于输出电压，称为电压反馈；凡反馈信号正比于输出电流，称为电流反馈。
反馈信号的取样方式的判别方法，通常采用输出端短路法，方法是将放大器的输出端交流短路时，使输出电压等于零，如反馈信号消失，则为电压反馈，如反馈信号仍能存在，则为电流反馈。
这是因为电压反馈信号与输出电压成比例，如输出电压为零，则反馈信号也为零；而电流反馈信号与输出电流成比例，只有当输出电流为零时，反馈信号才为零，因此，在将负载交流短路后，反馈信号不为零。
4．什么是串联负反馈？什么是并联负反馈？如何判断？答：输入信号与反馈信号分别加在两个输入端，是串联反馈；加在同一输入端的是并联反馈。
反馈信号使净输入信号减小的，是负反馈。
判断反馈的极性，要采用瞬时极性法。
3.2 填空题：1．放大电路中，为了稳定静态工作点，可以引入直流负反馈；如果要稳定放大倍数，应引入交流负反馈；希望扩展频带，可以引入交流负反馈；如果增大输入电阻，应引入串联负反馈；如果降低输比电阻，应引入电压负反馈。
模拟电子技术(3)--场效应管及其基本放大电路
第3章 场效应管及其基本放大电路试卷3.1判断下列说法是否正确，用“√”和“ ”表示判断结果填入空内1. 结型场效应管外加栅源电压u GS应使栅源间的耗尽层承受反偏电压，才能保证其输入电阻R G大的特点。
（ ）2. 耗尽型MOS管在栅源电压u GS为正或为负时均能实现压控电流的作用。
（ ）3. 若耗尽型N沟道MOS管的栅源电压u GS大于零，则其输入电阻会明显变小。
（ ）4. 工作于恒流区的场效应管，低频跨导g m与漏极电流I DQ成正比。
（ ）5. 增强型MOS管采用自给偏压时，漏极电流i D必为零。
（ ）【解3.1】：1. √ 2.√ 3.× 4.× 5.√3.2选择填空1. 场效应管的栅-源之间的电阻比晶体管基-射之间的电阻 。
A．大 B．小 C．差不多2. 场效应管是通过改变 来改变漏极电流的。
所以是 控制型器件。
A．栅源电压 B．漏源电压 C．栅极电流D．电压 E．电流3. 用于放大时，场效应管工作在特性曲线的 。
A．可变电阻区 B．恒流区 C．截止区4. N沟道结型场效应管中参加导电的载流子是 。
A．自由电子和空穴 B．自由电子 C．空穴5. 对于结型场效应管，当︱u GS︱︱U GS(off)︱时，管子一定工作在 。
A．恒流区 B．可变电阻区 C．截止区 B．击穿区6. 当栅源电压u GS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有 。
A．结型场效应管 B．增强型MOS管 C．耗尽型MOS管7. 某场效应管的开启电压U GS(th)=2V，则该管是 。
A．N沟道增强型MOS管 B．P沟道增强型MOS管C．N沟道耗尽型MOS管 D．P沟道耗尽型MOS管8. 共源极场效应管放大电路，其输出电压与输入电压 ；共漏极场效应管放大电路，其输出电压与输入电压 。
A．同相 B．反相【解3.2】：1.A 2.A,D 3.B 4.B 5.C 6.A C 7.A 8.B,A3.3判断图T3.3所示各电路能否进行正常放大？如果不能，指出其中错误，并加以改正。
模拟电子技术基础 胡宴如 耿苏燕 高等教育出版社 第三章 课后答案
Ri = R B1 // R B 2 // rbe = (62 // 16 // 1.3)kΩ = 1.2kΩ uo Ri 1.2 × (−144) = Au = = −96 u s Rs + Ri 0.6 + 1.2
− 60 × ( 4.3 // 5.1 ) = −140 1 Ri = ( 62 // 16 // 1 )kΩ = 0.93kΩ Ro = RC = 4.3kΩ Au =
.c
图 P3.3
om
（2）画 H 参数等效电路，求 Au、Ri、Ro
U BQ =
RB 2 16 × 24V VCC = = 4.92V RB1 + RB 2 62 + 16 U BQ − U BEQ 4.92 − 0.7 I CQ = = mA = 1.92 mA RE 2 .2 U CEQ = VCC − I CQ ( RC + RE ) = 24V − 1.92 × ( 4.3 + 2.2 )V = 11.5V
rbe = 200Ω + 81×
由图（c）可得
Au =
u o − β ( R B 2 // RC // R L ) − 80 × (100 // 3.9 // 10)kΩ = = = −157 ui rbe 1.4kΩ
w w
所以
w
求 Au、Ri、Ro。
3.6 放大电路如图 P3.6 所示，已知三极管的β=50，rbb’=200Ω，UBEQ=0.7V，各电容
.c
om
求静态工作点 ICQ、UCEQ； （2）画出 H 参数小信号等效电路，求 Au、Ri、Ro； （3）求源电压增 益 Aus。 解： （1）求静态工作点
U BQ = I CQ ≈
模电第三章习题答案
模电第三章习题答案模电第三章习题答案模拟电子技术（模电）是电子工程中的重要学科，它研究的是模拟电路的设计与分析。
模电的第三章主要涉及放大器的基本概念和特性，包括放大器的分类、放大器的增益计算、放大器的频率响应等内容。
在学习模电的过程中，习题是巩固知识和提高解题能力的有效工具。
下面将给出模电第三章习题的详细解答。
1. 问题：计算电压放大倍数Av。
解答：电压放大倍数Av的计算公式为Av = Vout / Vin，其中Vout为输出电压，Vin为输入电压。
根据题目中给出的电路图和元件参数，可以通过欧姆定律和基尔霍夫定律来计算。
2. 问题：计算共模抑制比CMRR。
解答：共模抑制比CMRR的计算公式为CMRR = 20log10(Ad / Ac)，其中Ad为差模增益，Ac为共模增益。
根据题目中给出的电路图和元件参数，可以通过电路分析方法来计算。
3. 问题：计算输入阻抗Zin。
解答：输入阻抗Zin的计算公式为Zin = Vin / Iin，其中Vin为输入电压，Iin为输入电流。
根据题目中给出的电路图和元件参数，可以通过电路分析方法来计算。
4. 问题：计算输出阻抗Zout。
解答：输出阻抗Zout的计算公式为Zout = Vout / Iout，其中Vout为输出电压，Iout为输出电流。
根据题目中给出的电路图和元件参数，可以通过电路分析方法来计算。
5. 问题：计算最大输出功率Pmax。
解答：最大输出功率Pmax的计算公式为Pmax = Vout^2 / (4Rl)，其中Vout为输出电压，Rl为负载电阻。
根据题目中给出的电路图和元件参数，可以通过电路分析方法来计算。
通过以上习题的解答，我们可以加深对模电第三章内容的理解。
在实际应用中，我们需要熟练掌握放大器的基本概念和特性，以便能够正确设计和分析模拟电路。
同时，通过解题过程，我们也可以培养自己的逻辑思维和问题解决能力。
模电作为电子工程的重要学科，对于电子工程师的培养具有重要意义。
模拟电子技术基础A 第3章习题的答案-PPT课件
U GS 2 ID ID S( 1 ) S U GS (o f) f
2. 两种基本接法电路的分析：CS、CD
2）动态性能指标的计算：微变等效电路
2 gm ID ID O Q U G S (th )
2 g ID ID m S S Q U G S (o ff)
3-3已知某N沟道结型场效应管的UGS(off)=- 5V。下表给出 四种状态下的UGS和UDS 的值，判断各状态下的管子工作在什 么区。（ a.恒流区 b.可变电阻区 c.截止区 ）
2. 两种基本接法电路的分析：CS、CD 1）静态工作点的分析计算。 • 利用场效应管栅极电流为0，得到栅源电压与 漏极电流之间关系式。 • 列出场效应管在恒流区的电流方程。 联立上述两方程，求解UGSQ和IDQ，并推算 UDSQ。 • 注意解算后应使得管子工作在恒流区。
5
U 2 GS ID IDO ( 1 ) U GS (th )
－
3-7：如图所表示的电路图。已知 UGS=-2V,场 效应管子的IDSS=2mA,UGS(off)=-4V。
• 1.计算ID和Rs1的值。
解：
I I ( 1 ) 0 . 5 m A D Q D S S U G S ( o f f)
2
U G S Q
U GSQ U GQ U SQ 2V RS1 U GSQ ID 2V 4 k 0 . 5 mA
3-4: 判断图所示的电路能否正常放大 ，并说明原因。
• 绝缘栅型N沟道耗尽型ห้องสมุดไป่ตู้场效应管。 • 因为没有漏极电阻， 使交流输出信号到地 短路uo无法取出。 • 不能。
3-4: 判断图所示的电路能否正常放大 ，并说明原因。
• 满足正常放大条件。 如在输入端增加大电 阻RG,可有效提高输入 电阻。 • 能。
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习题
3-1 场效应管沟道的预夹断和夹断有什么不同？ 解：
当U DS 增加到U DS =U GS ，即U GD =U GS -U DS = U GS （th ）时，漏极附近的耗尽层将合拢，称为预夹断。
预夹断后，沟道仍然存在，夹断点的电场强度大，仍能使多数载流子(电子)作漂移运动，形成漏极电流I DSS 。
若U DS 继续增加，使U DS ＞U GS －U GS （th ），即U GD ＜U GS （th ）时，耗尽层合拢部分会增加，并自夹断点向源极方向延伸，此时夹断区的电阻越来越大，但漏极电流I D 却基本趋于饱和，不随U DS 的增加而增加。
3-2 如何从转移特性上求g m 值？ 解： 利用公式gs
d
m dU dI g
求g m 值。
3-3 场效应管符号中，箭头背向沟道的是什么管？箭头朝向沟道的是什么管？ 解：
箭头背向沟道的是P 沟道；箭头朝向沟道的是N 沟道。
3-4 结型场效应管的U GS 为什么是反偏电压？ 解：
若为正偏电压，则在正偏电压作用下，两个PN 结耗尽层将变窄，I D 的大小将不受栅-源电压U GS 控制。
3-5如图3-20所示转移特性曲线，指出场效应管类型。
对于耗尽型管，求U GS （off ）、I DSS ；对于增强型管，求U GS （th ）。
解：
a P 沟道增强型。
U GS （th ）=－2V
b P 沟道结型。
U GS （off ）=3V 、I DSS =4mA
3-6如图3-21所示输出特性曲线，指出场效应管类型。
对于耗尽型管，求U GS （off ）、I DSS ；对于增强型管，求U GS （th ）。
解：
a N 沟道增强型。
U GS （th ）=1V
b P 沟道结型。
U GS （off ）=1V 、I DSS =1.2mA
GS /V
a
－2 －1 图3-20 习题3-5图 U GS /V
b
3-7 如图3-22所示电路，场效应管的U GS （off ）=－4V ，I DSS =4mA ；计算静态工作点。
解：
()
S R R I V U U U I I R I U +-=⎪
⎪⎭⎫ ⎝
⎛-=-=D D DD DS 2
GS(off)GS DSS D S
D GS 1 将U GS （off ）=－4V ，I DSS =4mA 代入，得 U GS =－2V ，U GS =－8V （舍去） I D =1mA U DS =6V
3-8 如图3-23所示电路。
已知g m =1m A/V ，电容足够大，电路参数如图所示。
画出其微变等效电路，并计算放大电路的电压放大倍数及输入、输出电阻。
解：
电压放大倍数
7.11m L m gs m gs L gs m d GS L d i o u -=+'-=+'-='+'-==Rg R g U Rg U R U g R I U R I U U A
输入电阻
i R =R G +(R G1//R G2)≈2M Ω 输出电阻 R o =R D =10k Ω
＋ －
图3-23 习题3-8图
u i u o 图3-21 习题3-6图
a
DS /V
I D
b
－U DS /V
I D 图3-22 习题3-7图
o
R L
3-9 如图3-24所示电路，场效应管的U GS （off ）=－8V ，I DSS =7mA ，电容足够大，g m =3.5mA/V 。
解：
()
S R R I V U U U I I R I U +-=⎪
⎪⎭⎫ ⎝
⎛-=-=D D DD DS 2
GS(off)GS DSS D S
D GS 1 将U GS （off ）=－8V ，I DSS =7mA 代入，得 U GS =－2.88V ，U GS =－22V （舍去） I D =2.88mA
U DS =6.36V
5.3L m i
o u -='-==R g U
U A i R =R G =10M Ω R o =R D =2k Ω
3-10源极输出器如图3-25所示电路，已知V DD =12V ，R G1=300kΩ，R G2=100kΩ，R G3=2M Ω，R S =12kΩ，R L =3kΩ，g m =5mA/V ，电容足够大。
试计算放大电路的电压放大倍数及输入、输出电阻。
解：
92.01L m L m gs m gs L gs m i o u ≈'+'='+'==R g R g R U g U R U g U U A
i
i i I
U
R ==R G3+(R G1//R G2) ≈R G3=2M Ω
R o =I U ==+gs
m S
gs gs
U g R U U R S ∥2.01m
≈g kΩ 3-11 N 沟道耗尽型MOS 管构成的共漏极放大电路与共集电极放大电路比较，在电路性
能上有哪些相同特点？
解：
电压放大倍数小于1，接近1，输出电压与输入电压同相位。
输入电阻大。
输出电阻小。
图3-25 习题3-10图 u o R L
＋ －
u i 图3-24 习题3-9图
＋ －
＋ －
u o u i。