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《电子技术基础》课件

《电子技术基础》课件
分析的基础。
基尔霍夫定律
包括节点电流定律和回 路电压定律,是解决复
杂电路问题的关键。
叠加定理
用于分析多个电源共同 作用下的电路情况。
戴维南定理
将复杂电路等效为简单 电路,便于分析。
电压与电流分析
电压
表示电场中电势差的大小,是推动电流流动 的能量。
电流的流向
由高电位流向低电位。
电流
电荷在电场中的定向移动,形成电流。
放大电路的工作原理
通过调整晶体管的基极、集电极和发 射极的电压,控制电流的大小,实现 信号的放大。
放大电路的分析方法
静态分析法
分析电路在直流工作点附 近的性能,计算静态工作 点。
动态分析法
分析电路在交流信号作用 下的性能,计算析法
通过图形直观地表示电路 的工作状态和性能,如波 形图、相频图和幅频图等 。
开电子技术的支持。
工业领域
在自动化生产、电机控制、电 力电子等领域,电子技术也得
到了广泛应用。
消费电子领域
各种电子产品如电视、音响、 手机等都离不开电子技术的支
持。
电子技术的发展趋势
集成化
智能化
随着半导体工艺的不断进步,电子器件的 尺寸越来越小,集成度越来越高。
人工智能和物联网技术的发展,使得电子 设备具备了更强的智能化功能,能够实现 自主感知、决策和控制。
电容
总结词
电容是储存电荷的元件,具有隔直流通交流的特性。
详细描述
电容由两块导电板中间夹绝缘介质构成,其电容量取决于两板之间的距离、正对 面积以及介质的介电常数。电容在电路中用于滤波、耦合、旁路和调谐等作用。 常见的电容类型包括电解电容、陶瓷电容和薄膜电容等。
电感

《电子技术课程设计》课件

《电子技术课程设计》课件
实验报告:撰写实验报告,包括实验目的、实验步骤、数 据记录、数据分析和结论等内容
实验总结和报告撰写
实验目的:验证电子技术课程 设计的理论知识和实践操作技 能
实验过程:详细记录实验步骤、 操作方法和遇到的问题
实验结果:分析实验数据,得 出结论
实验总结:总结实验过程中的 经验和教训,提出改进建议
报告撰写:按照报告格式要求, 撰写实验报告,包括实验目的、 过程、结果、总结和参考文献 等
设计步骤:选 择合适的放大 器、设计电路、
调试电路
设计结果:成 功实现音频信 号的放大,满
足设计目标
案例四:无线通信系统的设计与实现
设计目标:实现无线通信, 提高传输速率和可靠性
设计方法:采用数字信号处 理技术,实现信号的调制和
解调
设计难点:解决信号干扰、 信号衰减等问题
系统组成:无线通信系统由 发射机、接收机、天线、调 制解调器等组成
进。
电子技术基础知识
电子技术的基本概念和原理
电子技术:研究电子器件、电子电路和电子系统的科学 电子器件:如电阻、电容、电感、二极管、三极管等 电子电路:由电子器件组成的电路,如放大电路、滤波电路、振荡电路等 电子系统:由电子电路组成的系统,如收音机、电视机、计算机等
电子技术的分类和应用
电子技术分类:模拟电子技术、数字电子技术、射频电子技术等 模拟电子技术应用:音频放大器、视频放大器、信号处理等 数字电子技术应用:计算机、通信设备、数字信号处理等 射频电子技术应用:无线通信、雷达、卫星通信等
评估项目:对 项目成果进行 评估,包括质 量、进度、成
本等方面
总结项目:总 结项目经验, 提出改进建议, 为后续项目提
供参考
电子技术课程设计案例分析

《电子技术基础》教学课件PPT

《电子技术基础》教学课件PPT


不论是N型半导体还是P型半导体,其中的多子和少子的 移动都能形成电流。但是,由于多子的数量远大于少子的 数量,因此起主要导电作用的是多数载流子。
注意:
掺入杂质后虽然形成了N型或P型半导体,但整个半 导体晶体仍然呈电中性。
一般可近似认为多数载流子的数量与杂质的浓度相等。
P型半导体中的空穴多于自由电子,是否意味着带正电?
光敏性——半导体受光照后,其导电能力大大增强;
热敏性——受温度的影响,半导体导电能力变化很大;
掺杂性——在半导体中掺入少量特殊杂质,其导电 能力极大地增强;
半导体材料的独特性能是由其内部的导电机理所决定的。
3. 本征半导体
最常用的半导体为硅(Si)和锗(Ge)。它们的共同特征是四价 元素,即每个原子最外层电子数为4个。
原子核

导体的特点:
内部含有大量的自由电子
(2) 绝缘体
绝缘体的最外层电子数一般为6~8个,且距原子核较近,因此受原子核的束缚力较强而不易挣脱其束缚。 常温下绝缘体内部几乎不存在自由电子,因此导电能力极差或不导电。 常用的绝缘体材料有橡胶、云母、陶瓷等。
原子核

绝缘体的特点:
1. 半导体中少子的浓度虽然很低 ,但少子对温度非常敏感,因此温度对半导体器件的性能影响很大。而多子因浓度基本上等于杂质原子的掺杂浓度,所以说多子的数量基本上不受温度的影响。
4. PN结的单向导电性是指:PN结正向偏置时,呈现的电阻很小几乎为零,因此多子构成的扩散电流极易通过PN结;PN结反向偏置时,呈现的电阻趋近于无穷大,因此电流无法通过被阻断。
半导体的导电机理与金属导体导电机理有本质上的区别: 金属导体中只有自由电子一种载流子参与导电;而半导体中 则是由本征激发产生的自由电子和复合运动产生的空穴两种 载流子同时参与导电。两种载流子电量相等、符号相反,电 流的方向为空穴载流子的方向即自由电子载流子的反方向。

华中科技大学《模拟电子技术》课程PPT——Ch 5.

华中科技大学《模拟电子技术》课程PPT——Ch 5.
¾ 与BJT对比,如何体现控制关系?
VDD
iD vGS vDS
iD
iC iB vCE vGS 对iD的控制
s
VGG
g
d
N

N
P B 衬底引线 VDD

耗尽层
预夹断点
vGS1=VGS>VT
s
VGG
g
d
vGS2=VGS>VT O 截止区 vGS3<VT vDS
Lec 05
N

N
P B 衬底引线电阻区 vDS <VGS-VT
饱和区 vDS≥VGS-VT
B
s
VGG
g
d
A
预夹断点
N

N
P B 衬底引线

耗尽层
O
vDS
10
Lec 05
华中科技大学电信系
张林
MOSFET是如何实现信号放大的?
¾ 如何让该MOSFET导电?
(3)VDS和VGS同时作用时
s
VDD VGG g
d
N

N
P B 衬底引线
13
Lec 05
华中科技大学电信系
张林
MOSFET是如何实现信号放大的?
¾ 可以构成双口吗?
d T s B T s 共源 g 共栅 B d g B T d 共漏 s
g
14
Lec 05
华中科技大学电信系
张林
MOSFET是如何实现信号放大的?
¾ 控制关系是线性的吗?
输出特性曲线及大信号特性方程
预夹断临界点轨迹 vDS=vGS-VT(或 vGD=vGS-vDS=VT) 3V 饱和区 1.5 2.5V 1 2V 0.5 0 vGS=1.5V 2.5 5 7.5 10 截止区 vDS/V

大一电子技术课件ppt

大一电子技术课件ppt
组合逻辑电路的分析和设计方法
组合逻辑电路的分析和设计是数字电子技术中的 重要内容,常用的分析和设计方法有真值表法、 卡诺图法和逻辑代数法等。
组合逻辑电路的应用
组合逻辑电路在计算机、通信和控制系统中有着 广泛的应用,如实现数据比较器、编码器和译码 器等。
05 电子技术实验
实验一:基本电路实验
总结词
电动势
电源力将单位正电荷从电源负极经电源内部移至正极所做 的功,规定电动势的方向为从电源负极指向正极。
电阻
导体对电流的阻碍作用称为电阻,用符号R表示,单位为 欧姆(Ω)。
电容
容纳电荷的能力称为电容,用符号C表示,单位为法拉(F) 。
电感
产生磁通的能力称为电感,用符号L表示,单位为亨利(H) 。
电路的分析方法
21世纪初
1.D 微电子技术和纳米技术的应用,推动了电子
技术的进一步发展。
电子技术的应用领域
通信
电子技术在通信领域的应用包括无线通信、 光纤通信等。
工业自动化
计算机和互联网
电子技术是计算机和互联网发展的基础,涉 及计算机硬件、网络设备等方面。
电子技术在工业自动化领域的应用包括自动 化控制、传感器等。
03 模拟电子技术
模拟电子技术概述
模拟电子技术是研究 模拟电路的工作原理 、分析方法和设计方 法的学科。
模拟电子技术在通信 、控制、测量等领域 有广泛应用。
模拟电路用于处理连 续变化的模拟信号, 如声音、温度、压力 等。
放大电路
01
放大电路是模拟电子技术中的基本电路之一,用于放大 微弱信号。
02
常见的集成运算放大器有LM358、TL072等型号, 可通过外接电阻、电容等元件实现不同的功能。

第一章-绪论(现代电子技术与应用)PPT课件

第一章-绪论(现代电子技术与应用)PPT课件
7 2021/3/12
1.2 现代电子信息系统主要技术指标
五、响应速度 ▪ 被测对象的信号频率越来越高,而且动态测量和快
速控制是现代电子仪器发展的方向,这就要求处理 电路有较快的响应速度,以便进行实时测量和控制。 ▪ 如果电路的响应速度太低,会导致信号失真和回路 振荡等现象,使测量精度减低或控制系统不稳定。
8 2021/3/12
1.3 现代电子信息系统设计方法
一、总体方案设计 ▪ 处理器选择。处理器主要类型有单片机、DSP、
CPLD/FPGA、ARM和嵌入式计算机主板等。 ▪ 软件、硬件功能分配。为降低产品成本和提高系统
可靠性和稳定性,尽量考虑用软件实现系统的功能。 在实时性要求高的场合下考虑选择硬件实现方式。 ▪ 低功耗设计。尽量采用低电压供电方式和低功耗电 子元件。 ▪ 信号传输方式。有线通讯方式具有信号传输可靠、 传输速度快等特点,但在布线困难和有线方式使用 不便等场合下,考虑采用无线通讯方式。
10 2021/3/12
1.3 现代电子信息系统设计方法
三单元电路设计 ▪ 模拟电路的设计需要计算电路参数、选择元器件。。若单元
电路采用高集成度芯片,则单元电路的指标主要由芯片的性 能决定,电阻和电容等元件参数根据单元电路的指标要求和 集成芯片使用手册确定。 ▪ 数字电路的实现可以采用数字集成芯片或可编程器件。可编 程器件的设计依靠VHDL和Verilog等硬件描述语言以及可编 程器件编程环境。 ▪ 考虑到电阻噪声的影响和导线电阻存在等因素,电阻值不能 选择太大和太小,一般在几百欧以上到几兆欧以下。还要考 虑电阻功率和其电感量大小。 ▪ 电容选择主要考虑信号的频带范围和电容标称值,还要考虑 其耐压、泄漏电阻和极性要求。
现代电子技术及应用

电工电子技术与技能(通用版)完整ppt课件(2024)

电工电子技术与技能(通用版)完整ppt课件(2024)
选型原则
根据负载性质、使用环境和安全 要求等,选择适当的设备型号和 规格。
34
电气设备安装规范及注意事项
安装规范
遵守国家电气安装规范和安全标准,确保设备正确接线、接 地和保护。
2024/1/29
注意事项
在安装过程中,应注意防止设备损坏、避免接线错误和确保 安全距离等。
35
调试过程检查项目清单和验收标准
27
06
电力电子技术及其应用
2024/1/29
28
电力电子器件简介
电力电子器件定义
指能够直接处理电能的主电路中,实现电能的变换与控制的电子器件。
2024/1/29
电力电子器件分类
按照控制信号的性质,可分为模拟器件和数字器件;按照驱动电路加在控制端和公共端之间的性质,可分为 电压驱动型和电流驱动型器件;按照器件内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况,可分为双极型器件和 单极型器件。
实验方法与步骤
进行实验前需要制定详细的实验方法和步骤,包括搭建实验电路、设置实验参数、观测实 验现象等。通过规范的实验操作,可以获得准确可靠的实验数据。
数据处理与分析
实验完成后需要对实验数据进行处理和分析,包括数据整理、图表绘制、误差分析等。通 过数据处理和分析,可以验证理论预测的正确性,并发现可能存在的问题和改进方向。
5
基础知识:电路、电流、电压
01
02
03
04
电路的基本概念和组成要素
电流的定义、方向和单位
电压的定义、方向和单位
电路中的欧姆定律和基尔霍夫 定律
2024/1/29
6
安全用电常识
安全用电的重要性和意义 安全用电的基本措施和操作规程
常见的电气事故类型和原因 触电急救的方法和步骤

电子技术基础知识PPT课件

电子技术基础知识PPT课件
8
.
9
.
收音机电路的原理图
10
.
11
.
装配图 它是为了进行电路装配而采用的一种图纸,图 上的符号往往是电路元件的实物的外形图。我 们只要照着图上画的样子,依样画葫芦地把一 些电路元器件连接起来就能够完成电路的装配 。这种电路图一般是供初学者使用的。装配图 根据装配模板的不同而各不一样,大多数作为 电子产品的场合,用的都是下面要介绍的印刷 线路板,所以印板图是装配图的主要形式。
陶瓷电容:体积小,自体电感小。 云母电容:性能优良,高稳定,高精密。 纸质电容:价格低,容量大。 薄膜电容:体积小,但损耗大,不稳定。 电解电容:容量大,稳定性差。(使用时应注意极性)
52
电容的参数识别和选用
.
主要参数是容量和耐压值。 常用的容量单位有μF(10-6 F)、nF
数字表示法:常见于贴片电阻,用3~4位整数 表示阻值,单位为Ω。(前2 ~ 3位表示有效 值,末位表示倍率)如102=1000 Ω,1001 =1000 Ω
色环表示法:用不同颜色的色环在电阻表面上
标志出电阻主要参数的方法。
47
.
48
5位色环
10-1
±1%
.
1 7 5 在读色环电阻时,应正确识别第一色环,一般第 49
艺品及电子线路固定,
本产品的枪头比一般
产品细长,利于在狭
小空间内进行熔胶,
是电子爱好者必备的
33
工具。
.
8毫米胶棒
34
热熔胶枪专用胶棒 胶条
多功能电钻
.
电钻采用进口电机制造,
同心度高、运转平稳,
交直流两用配交流电源,
使用更方便,配套转夹
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RC + C2
V
+UCC
Ui
RL
Uo
IE
I1 RB1
C1 + IB
IC RC + C2
V
+UCC
Ui RB2 UB
IE +
RE CE
RL Uo
固定偏置放大电路
当环境条件如温度等变化 时,无法维持合适的静态 工作点。
分压式偏置放大电路 CE为交流旁路电容
可以很好的稳定静态工作点。 1、使I1 》IB ,则UB基本稳定。 2、使UB 》UBE ,则IC、IB基本稳定。
第一节 基本放大电路
一、放大器的一般概念
晶体管放大器
1、例子:
话筒
电压放大器 功率放大器
扬声器
2、电压放大器
1
2
RS
电压
US
+ -
Ui
放大 器
Uo
1
2
直流电源
RL Ui AU Uo 电压放大器框图
电压放大器的基本要求: 具有足够高的电压放大倍数,尽可能小的失真。
电压放大倍数
AU =
UO Ui
AU =
(2) iB = IB + ib = IB + ibmsinwt ;
2、输出端 (1) iC = IC + ic = IC + icmsinwt
(2) uCE = UCE + uce UCE = UCC - ICRC uce = - icRC = IcmRCsinwt = Ucemsin(wt-180o)
工作点,如减小RB。
(3)放大电路的电位图
2、饱和失真 (IB太大,接近ICS)
Ics
ui=Umsint
(1)失真原因 RB太小,使得静态工作点过高,
( IB太大),位于或靠近三极管饱和区 使得 IC = ICES ;
(2)避免措施 设法降低管子的静态
工作点,如增加RB。
六、静态工作点的稳定
RB C1 +
UO Ui
二、放大器的组成
C1 +
+ C2
V
RC
RB
Ui
EB
Uo IE
RL
EC
RB C1 +
RC + C2
V
Ui
Uo IE
RL
EC
(1)
(2)
放大电路说明:
1、必须保证三极管处于放大状态:发射结正偏,集电结反偏;
2、耦合电容:隔直通交,交流耦合;
RB C1 +
RC + C2
V
+UCC
Ui
RL
Uo
(2) UCE = UCC - IC RC
静态工作点:静态工作状态时IB 、IC 和 UCE 的数值。 注意事项:静态分析时各个电量的书写方法。
必须用大写字母和大写下标表示。
Vi=0
四、动态分析( ui ≠ 0)
RB C1 +
+UCC RC + C2
V
Ui
RL Uo
IE
1、输入端 (1) uBE = UBE + ui ;
(3)uo = uce = Ucemsin(wt-180o);
ui=Umsint
五、波形失真与静态工作点的关系
1、截止失真 ( IB太小 )
ui=Umsint
(1)失真原因 RB很大,使得静态工作点
太低,位于三极管截止区;
RB C1 +
RC + C2
V
+UCC
Ui
RL
Uo
IE
(2)避免措施 设法提高管子的静态
I1 RB1
C1 + IB
IC RC + C2
V
+UCC
Ui RB2
UB IE +
RE CE
RL Uo
电路稳定静态工作点的过程(反馈)
温度
IC IC
IERE
UBE IB
RE越大,稳定性越好; 但RE不能太大, 否则管子饱和。
一般选取方法: I1=(5~10) IB (硅管) I1=(10~20) IB (锗管) UB=(3~5)V (硅管) UB=(1~3)V (锗管)
IE
(3)放大电路的电位图
三、静态分析( ui = 0 , 各部分电压、电流均为直流)
+UCC
RB IB
RC IC V UCE
UBE
IE
1、输入回路
(1) UBE = 0.7V(硅管) ; 0.3(锗管)
(2) IB =
UCC - UBE ≈ RB
IC ≈ IB 或 (IC = IB )
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