动手用单片机控制5V继电器

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继电器控制实验报告

继电器控制实验报告

继电器控制实验报告单片机原理与应用技术实验报告(实验项目:控制继电器通断)****数学计算机科学系实验报告专业: 计算机科学与技术班级: 实验课程: 单片机原理与应用技术姓名: 学号: 实验室:硬件实验室同组同学: 实验时间: 2013年3月20日指导教师签字:成绩:实验项目:控制继电器通断一实验目的和要求1. 控制继电器通断,同时发出啪啪声。

2.掌握单片机使用。

二实验环境PC机一台,实验仪器一套三实验步骤及实验记录1.在pc机上,打开Keil C。

2.在Keil C中,新建一个工程文件,点击“Project-New Project?”菜单。

3. 选择工程文件要存放的路径 ,输入工程文件名 k2, 最后单击保存。

4. 在弹出的对话框中选择 CPU 厂商及型号。

5. 选择好 Atmel 公司的 89c51 后 , 单击确定。

6. 在接着出现的对话框中选择“是”。

7. 新建一个 C51 文件 , 点击file菜单下的NEW,或单击左上角的 New File 快捷键。

8. 保存新建的文件,单击SAVE。

9. 在出现的对话框中输入保存文件名MAIN.C,再单击“保存”。

10. 保存好后把此文件加入到工程中方法如下 : 用鼠标在 Source Group1 上单击右键 , 然后再单击 Add Files toGroup ‘Source Group 1'。

11. 选择要加入的文件 , 找到 MAIN.C 后 , 单击 Add, 然后单击 Close。

12. 在编辑框里输入代码如下:#include reg51.h //包含头文件sbit K2=P2 ;//定义继电器控制IO#define uchar unsigned char#define uint unsigned intdelay(uint time) //int型数据为16位,所以最大值为65535{uint i,j;//定义变量i,j,用于循环语句for(i=0;itime;i++)//for循环,循环50*time次for(j=0;j50;j++); //for循环,循环50次}void main() //主函数{while(1) //进入while死循环{K2=0; //断开继电器delay(5000); //延时K2=1; //导通继电器delay(5000); //延时}}13.单击快捷键或单击Project/Rebuild all the files,如果在错误与警告处看到 0 Error(s) 表示编译通过。

动手用单片机控制5V继电器

动手用单片机控制5V继电器

用单片机控制继电器这里继电器由相应的S8050三极管来驱动,开机时,单片机初始化后的为高电平,+5伏电源通过电阻使三极管导通,所以开机后继电器始终处于吸合状态,如果我们在程序中给单片机一条:CLR 或者CLR 的指令的话,相应三极管的基极就会被拉低到零伏左右,使相应的三极管截至,继电器就会断电释放,每个继电器都有一个常开转常闭的接点,便于在其他电路中使用,继电器线圈两端反相并联的二极管是起到吸收反向电动势的功能,保护相应的驱动三极管.51单片机驱动继电器电路1.基本电路如右图。

2.单片机的IO口输出电流很小4到20mA,所以要用三极管放大来驱动继电器。

主要技术参数1.触点参数:触点形式:1C(SPDT)触点负载: 3A 220V AC/30V DC阻抗:≤100mΩ额定电流: 3A电气寿命:≥10万次机械寿命:≥1000万次2.线圈参数:阻值(士10%): 120Ω线圈功耗:额定电压:DC 5V吸合电压:DC释放电压:DC工作温度:-25℃~+70℃绝缘电阻:≥100MΩ型号:HK4100F-DC5V-SH线圈与触点间耐压:4000VAC/1分钟触点与触点间耐压:750VAC/1分钟继电器工作吸合电流为5V=40mA或5V/120Ω≈40mA。

三极管基极电流:继电器的吸合电流/放大倍数=基极电流(40mA/100 =4mA),为工作稳定,实际基极电流应为计算值的2倍以上。

基极电阻:()/基极电流=电阻值8mA =Ω)。

这里单片机IO口输出高电平触发三极管导通。

经过以上的分析计算得出:三极管可用极性是NPN的9014或8050,电阻选AT89S52 每个单个的引脚,输出低电平的时候,允许外部电路,向引脚灌入的最大电流为?10?mA;?每个?8?位的接口(P1、P2?以及?P3),允许向引脚灌入的总电流最大为?15?mA,而?P0?的能力强一些,允许向引脚灌入的最大总电流为?26?mA;?全部的四个接口所允许的灌电流之和,最大为?71?mA。

stm32单片机控制继电器代码

stm32单片机控制继电器代码

stm32单片机控制继电器代码1.引言1.1 概述在本文中, 我们将探讨如何使用STM32单片机来控制继电器。

继电器是一种常见的电子元件,用于控制电路的打开和关闭。

它可以通过小电流控制大电流,并在电路中起到开关的作用。

本文的目的是介绍如何使用STM32单片机来实现对继电器的控制。

我们将通过编写相应的代码,实现STM32单片机与继电器的连接,并控制继电器的开关。

此外,我们还将介绍继电器的原理和应用,并提供一些实际的应用案例和展望。

通过阅读本文,读者将会了解到如何利用STM32单片机来控制继电器,并且可以将所学知识应用于各种实际情境中。

本文将以易于理解和实践的方式呈现相关内容,以帮助读者更好地理解和掌握这一技术。

1.2文章结构1.2 文章结构本文将分为三个主要部分进行讨论。

首先,引言部分将提供关于文章的背景和主要目标的概述。

其次,正文部分将介绍STM32单片机的基本概念和特性,以及继电器的原理和应用。

最后,结论部分将展示如何实现STM32单片机控制继电器的代码,并提供一些应用案例和展望。

在正文部分中,我们将首先详细介绍STM32单片机的基本知识,包括其架构、性能和应用领域。

随后,我们将探讨继电器的原理和工作方式,以及在各种电子系统中的广泛应用。

通过对继电器的深入理解,我们将能够更好地理解STM32单片机控制继电器的代码实现过程,并加深对其应用的认识。

在结论部分,我们将给出一份实现STM32单片机控制继电器的代码示例,以帮助读者更好地理解如何利用STM32单片机实现对继电器的控制。

此外,我们还将提供一些实际应用案例,展示继电器在各种领域中的重要作用,并展望未来其在智能控制系统中的潜在应用。

通过本文的阅读,读者将能够掌握STM32单片机控制继电器的基本技术,并了解其在各种实际场景中的应用前景。

通过以上的分析和讨论,本文将全面介绍STM32单片机控制继电器的相关知识和技术,为读者提供一份系统而全面的指南。

单片机3.3V驱动继电器电路(四种电路设计原理图详解)

单片机3.3V驱动继电器电路(四种电路设计原理图详解)

单片机3.3V驱动继电器电路(四种电路设计原理图
详解)
 单片机3.3V驱动继电器电路(一)
 DIO输出3.3V高电平电压,上垃VCC=3.3V输出,经ULN2803A驱动后,2输出低电平,1-VDD与2连接继电器线圈,导通后5与6吸合。

 单片机3.3V驱动继电器电路(二)
 12V改为5V,实验证明可以驱动5V继电器工作
 单片机3.3V驱动继电器电路(三)
 电路原理图:
 SW1=1(即接3.3V电压)时,U4输出低电平(约为0),远低于MOS管的开启电压,继电器电路断开,电流为零,继电器不动作;SW1=0(即接地)时,U4输出高电平(约为3.3V),高于MOS开启电压,继电器电路闭合,由于MOS的DS极间压降仅约0.3V,故继电器可以达到动作电压,发生动作。

STM32F103非FT的IO端口驱动5V继电器

STM32F103非FT的IO端口驱动5V继电器

STM32F103 非FT的IO驱动5V继电器
笔者在进行STM32单片机应用方案的设计时,遇到一个问题:就是用STM32驱动5V的继电器。

STM32 只能输出3.3V/0V 的电平,但是驱动5V继电器直接使用STM32 是不现实的。

笔者考虑到使用PNP三极管驱动,电路图如下:
通过修改基极电阻R1能再继电器线圈上获取到1V和3V的电平,此时的三级管Q1工作在放大区,无论是PB0给高还是低,都在放大区,此时,对于有的继电器(电阻值在178欧姆)能实现通断,但是对于大部分的5V继电器是无法动作的,或者是无法断开。

方案二:修改stm32的端口,使用带FT(5V兼容的IO)外接10K的上拉电阻到5V,在把stm32是输出设置为OD(开漏模式),如下图:
此时,完全能输出0V/5V 单片机工作在饱和导通和截止状态,能驱动5V的继电器。

方案三:
笔者在实验时,电路板已经做好了,改IO端口,不太美观,已是有了该方案:基极集电极跨电阻。

此方案,在方案一的基础上不需要修改软件,只需要修改基极电阻值,增加一个基极集电极跨接电阻10K即可,此时,三极管在饱和导通和截止状态,能驱动5V继电器。

较方案二比较,是饱和的程度没有方案二深。

单片机控制强电继电器的原理

单片机控制强电继电器的原理

单片机控制强电继电器的原理单片机控制强电继电器的原理是利用单片机的控制信号来控制继电器的工作状态。

首先,了解单片机和继电器的基本原理是很重要的。

单片机是一种集成电路,它集成了中央处理器、内存、输入/输出接口和其他辅助电路。

它可以用来控制和处理各种数字和模拟信号。

继电器是一种电流电压转换设备,它能够在控制信号发生变化时,通过绝缘电磁原理来控制高电流的通断。

继电器通常由电磁继电器和固态继电器两种类型。

下面是单片机控制强电继电器的基本原理:1. 硬件连接:首先,将单片机的IO口与继电器的控制端相连接。

这样单片机就可以通过IO口输出高低电平的控制信号来控制继电器的工作。

2. 编程控制:在单片机的程序中,编写相应的代码来控制IO口的输出信号。

可以使用高级语言如C语言或汇编语言来编写程序代码。

3. 信号逻辑:根据实际应用的需求,确定IO口输出高低电平信号和继电器的工作状态之间的对应关系。

通常,可以设置IO口输出高电平信号来控制继电器的吸合,输出低电平信号来使继电器断开。

4. 电流保护:在控制继电器的电路中需要考虑电流保护。

继电器通常具有控制电流和工作电流的限制。

单片机的IO口有一定的驱动能力,但可能不足以直接驱动继电器,所以可以使用驱动电路来增加IO口的驱动能力。

5. 隔离保护:为了保护单片机免受强电干扰或电压反扑,通常在单片机与继电器之间加入隔离电路。

例如,可以使用光耦隔离器或继电器驱动芯片等来实现隔离保护。

6. 程序设计:在单片机的程序中,编写控制继电器的代码。

可以使用单片机的GPIO口或特殊功能寄存器来设置IO口的输出状态,从而控制继电器的工作。

7. 验证和调试:编写完控制继电器的代码后,需要进行验证和调试。

可以通过使用调试工具或示波器来监测IO口的信号,确保控制信号正确生成,并且继电器的工作符合预期。

在实际应用中,单片机控制强电继电器的原理可以应用于各种场合。

例如,可以利用单片机控制继电器来实现家庭自动化系统、工业自动化控制、电力系统的电气保护等。

单片机制作控制继电器的电路

单片机制作控制继电器的电路

单片机制作控制继电器的电路单片机是一种集成电路,可用于控制和管理各种电子设备。

通过编程,单片机能够对电路中的继电器进行控制,实现各种功能。

本文将介绍如何使用单片机制作控制继电器的电路,并编写相应的程序。

一、电路设计1.硬件部分控制继电器的电路中,主要需要以下元件:单片机、继电器、电源、电阻、电容等。

其中,单片机负责接收外部信号并控制继电器的开关,电源为整个电路提供电能,电阻用于限流,电容用于稳压。

以下是一个简单的电路设计作为示例:电路连接方式:-将单片机的IO口与继电器的控制端连接;-将电源的正极与继电器的电源端连接;-将电源的负极与继电器的地线连接;-将继电器的常开端与负载(例如灯泡、电机等)连接;-将继电器的常闭端与地线连接;2.软件部分对于单片机的程序设计,可以采用C语言或者汇编语言进行编写。

以下是一个使用C语言编写的控制继电器的程序框架:```c#include <reg52.h>void delay(unsigned int n)unsigned int i,j;for(i=0;i<n;i++)for(j=0;j<125;j++);void mainwhile(1)//控制继电器打开//将IO口输出高电平//延时一段时间//控制继电器关闭//将IO口输出低电平//延时一段时间}```二、功能实现在程序中,使用delay函数来产生延时,在第一部分中,我们可以调整延时时间来控制继电器的工作时间和停止时间。

同时,在控制继电器打开和关闭的部分,通过控制IO口的电平来实现。

```c#include <reg52.h>void delay(unsigned int n)unsigned int i,j;for(i=0;i<n;i++)for(j=0;j<125;j++);void mainwhile(1)//控制继电器打开P2=0xFF;//将P2口的所有引脚置高电平delay(500); //延时0.5秒//控制继电器关闭P2=0x00;//将P2口的所有引脚置低电平delay(500); //延时0.5秒}```通过以上的程序,单片机将会每0.5秒循环一次,控制继电器的开关动作。

单片机控制继电器实验

单片机控制继电器实验

手把手教你学单片机
单片机控制继电器实验
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下面是一个小型信号继电器HK4100F-DC5V-SH的实物照片和主要技术参数。。。
HK4100F电磁继电器
主要技术参数:
触点参数: 触点形式:1C(SPDT) 触点负载: 3A 220V AC/30V DC 阻 抗: ≤100mΩ 额定电流: 3A 电气寿命:≥10万次 机械寿命:≥1000万次
品 牌 :汇科(HUI KE) 型 号 : HK4100F-DC5V-SH 外形尺寸(mm): 10.5*15.5*11.8mm(W*L*H) 重 量 : 3.5g 产 地: 中国宁波
点击此处下载目标文件jdq.hex
下面程序驱动继电器采用了CPL位取反指令,程序的运行结果完全相同:
ORG 0000H AJMP START
;跳转到初始化程序
ORG START: MOV
MOV
0033H SP,#50H P3,#0FFH
;SP初始化 ;端口初始化
MAIN:
CPL P3.6 ACALL DELAY AJMP MAIN
451338254
476485321
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/mcujx/jdqkz.htm
2010-5-5
二、继电器驱动程序
下面给出了一个简单的继电器控制实验源程序,控制继电器不停地吸合、释放动作,程序很简单。
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用单片机控制继电器
这里继电器由相应的S8050三极管来驱动,开机时,单片机初始化后的P2.3/P2.4为高电平,+5伏电源通过电阻使三极管导通,所以开机后继电器始终处于吸合状态,如果我们在程序中给单片机一条:CLR P2.3或者CLR P2.4的指令的话,相应三极管的基极就会被拉低到零伏左右,使相应的三极管截至,继电器就会断电释放,每个继电器都有一个常开转常闭的接点,便于在其他电路中使用,继电器线圈两端反相并联的二极管是起到吸收反向电动势的功能,保护相应的驱动三极管.
51单片机驱动继电器电路
1.基本电路如右图。

2.单片机的IO口输出电流很小4到20mA,所以要用三极管放大来
驱动继电器。

主要技术参数
1.触点参数:
触点形式:1C(SPDT)
触点负载:3A 220V AC/30V DC
阻抗:≤100mΩ
额定电流:3A
电气寿命:≥10万次
机械寿命:≥1000万次
2.线圈参数:
阻值(士10%):120Ω
线圈功耗:0.2W
额定电压:DC 5V
吸合电压:DC 3.75V
释放电压:DC 0.5V
工作温度:-25℃~+70℃
绝缘电阻:≥100MΩ型号:HK4100F-DC5V-SH 线圈与触点间耐压:4000V AC/1分钟
触点与触点间耐压:750V AC/1分钟
继电器工作吸合电流为0.2W/5V=40mA或5V/120Ω≈40mA。

三极管基极电流:继电器的吸合电流/放大倍数=基极电流(40mA/100 =4mA),为工作稳定,实际基极电流应为计算值的2倍以上。

基极电阻:(5V-0.7V)/基极电流=电阻值(4.7V/8mA =3.3KΩ)。

这里单片机IO口输出高电平触发三极管导通。

经过以上的分析计算得出:三极管可用极性是NPN 的9014或8050,电阻选3.3K
AT89S52 每个单个的引脚,输出低电平的时候,允许外部电路,向引脚灌入的最大电流为 10 mA;每个 8 位的接口(P1、P2 以及 P3),允许向引脚灌入的总电流最大为 15 mA,而 P0 的能力强一些,允许向引脚灌入的最大总电流为 26 mA;全部的四个接口所允许的灌电流之和,最大为 71 mA。

而当这些引脚“输出高电平”的时候,单片机的“拉电流”能力呢?可以说是太差了,竟然不到 1 mA。

结论就是:单片机输出低电平的时候,驱动能力尚可,而输出高电平的时候,就没有输出电流的能力。

基本参数: S8050 S8050 h=270
类型:NPN
耗散功率:0.625W(贴片:0.3W)
集电极电流:0.5A
基极电压:40V
发射极击穿电压:25V
发射极饱和电压: 0.6V
特征频率f :最小150MH
按三极管后缀号分为 B C D档贴片为 L H档
放大倍数B85-160 C120-200 D160-300 L100-200 H200-350 管脚排列顺序:E、B、C或E、C、B
型号极性PCM(W) ICM(mA) BV(CEO)V fT(MHZ) hFE
9012 PNP 0.625 500 40 -- 64 ~202
9014 NPN 0.625 100 50 -- 60 ~1000
8050 NPN 1 1.5A 25 190 85 ~300
8550 PNP 1 1.5A 25 200 60 ~300
注释:
1.PCM是集电极最大允许耗散功率。

2.ICM是集电极最大允许电流。

3.BV(CEO)是三极管基极开路时,集电极-发射极反向击穿电压。

4.fT是特征频率。

5.hFE是放大倍数。

6.从上面的继电器线圈参数得知,继电器工作吸合电流为0.2W/5V=40mA或5V/120Ω≈
40mA。

7.三极管的选择:
1.功率PCM:大于5V*继电器电流(5*40 mA = 0.2W)的两倍;
2.最大集电极电流(ICM):大于继电器吸合电流的两倍以上;
3.耐压BV(CEO):大于继电器工作电压5V,可选10V以上;
4.直流放大倍数:取100。

5.三极管可选:PCM(0.4W↑),ICM(80mA↑),BV (10V↑)
8.三极管基极输入电流:继电器的吸合电流/
放大倍数=基极电流(40mA/100 =4mA),为工作稳定,
实际基极电流应为计算值的2倍以上。

9.基极电阻:(5V-0.7V)/基极电流=电阻值
(4.7V/8mA =3.3KΩ)。

10.这里单片机IO口输出高电平触发三极管导
通。

经过以上的分析计算得出:三极管可用极性是
NPN的9014或8050,电阻选3.3K。

11.三极管的放大倍数要求不高,一般买的都可
以,100~500 (放大倍数分段可选),随便买的都可以
用。

12.电阻R1选3.3K/0.25W就可以了,保证基极为
MA级电流就可以开关三极管了。

当三极管由导通变为截止时,继电器绕组感生出一个较大的自感电压。

它与电源电压叠加后加到控制继电器线圈的三极管的e、c两极上,使发射结(e—c)有可能被击穿。

1.为了消除这个感生电动势的有害影响,在继电器线圈两端反向并联抑制二极管,以吸收该电动势。

2.自感电压与电源电压之和对二极管来说却是正向偏压,使二极管导通形成环流。

感应的高电压就会通过回路释放掉,保证了三极管的安全。

主要技术参数
1.触点参数:
触点负载:3A 220V AC/30V DC
阻抗:≤100mΩ
额定电流:3A
电气寿命:≥10万次
机械寿命:≥1000万次
2.线圈参数:
阻值(士10%):120Ω
线圈功耗:0.2W
额定电压:DC 5V
吸合电压:DC 3.75V
释放电压:DC 0.5V
单片机IO的驱动能力
•P0口的驱动能力较大,当其输出高电平时,可
提供400 A的电流;
•P0口输出低电平(0.45V)时,则可提供3.2mA
的灌电流,如低电平允许提高,灌电流可相应加大;
•P1、P2、P3口的每一位只能驱动4个LSTTL,
即可提供的电流只有P0口的一半;
•继电器线圈需要流过较大的电流(约50mA)才能使继电器吸合,一般的集成电路不能提供这样大的电流,因此必须进行扩流,即驱动。

因此,要用单片机控制各种各样的高压、大电流负载,如电动机、电磁铁、继电器、灯泡等,不能用单片机的I/O线来直接驱动,而必须通过各种驱动电路和开关电路来驱动。

NPN 晶体管驱动时:
1、基极高电平→晶体管饱和导通→集电极低电平→继电器线圈通电→触点吸合。

2、基极低电平→晶体管截止→继电器线圈断电→触点断开。

PNP晶体管驱动的优点:
1、单片机IO端口的低电平驱动能力较强;
2、避免单片机上电时IO为高电平,造成继电器误动作
继电器驱动电路的一些注意事项
•要与强电隔离和采取抗干扰措施,否则容易出现乱码和死机、重启–三极管的基极对地要有一个下拉电阻,防止误动;
–大电流工作时,继电器触点应安装RC消火花电路;。

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