一种GTO晶闸管快速关断电路的研究

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12 第5章 GTO

12 第5章 GTO

★全控型,可以通过在门极施加负的脉冲电流使其关断。
★ GTO 的电压、电流容量较大,与普通晶闸管接近,水
平4500A/5000V、1000A/9000V。
★ 在兆瓦级以上的大功率场合仍有较多的应用。如电力 有源滤波器、直流输电、静止无功补偿等。
GTO 第3页
GTO 第4页
5.1.1 结构
●与普通晶闸管的相同点: PNPN四层半导体结构,外部
GTO 第17页
(2)下降时间tf ●下降时间 tf 对应着阳极电 流迅速下降,阳极电压不 断上升和门极反电压开始 建立的过程。
●这段时间里,等效晶体管 从饱和区退至放大区,继 续从门极抽出载流子,阳 极电流逐渐减小。
●门极电流逐渐减小。
GTO 第18页
(3)尾部时间tt ●尾部时间 tt 是指从阳极电 流降到极小值开始,直 到降到维持电流为止的 时间。 ●这段时间内,残存载流 子被抽出。 ●一般: tt > ts >tf
GTO 第29页
5.3 GTO的缓冲电路
5.3.1 缓冲电路的作用
1、GTO缓冲电路主要作用: (1) GTO关断时,在阳极电流下降阶段,抑制阳极电压 VAK 中的尖峰 VP ,对 IA 进行分流,以降低关断损耗, 防止导通区减小、电流密度过大、引起结温升高, 和α1、α2增大给关断带来困难。 GTO开通时,缓冲电容通过电阻向GTO放电,有助 于所有GTO元迅速达到擎住电流,尤其是主电路为 电感负载时。
I ATO I GM
●一切影响IATO和IGM的因素均会影响βoff。 3、 阳极尖峰电压VP ●阳极尖峰电压VP是在下降时间末尾出现的极值电压。 ●它几乎随阳极可关断电流线性增加, VP 过高可能导致
GTO失效。

电力电子半导体器件(GTO)

电力电子半导体器件(GTO)
放大门极GTO
掩埋门极GTO
逆导GTO
MOS—GTO
光控GTO§6.2 特性与参数一、静态特性
1.阳极伏安特性*
减小温度影响,可在门极与阴极间并一个电阻定义:正向额定电压为90%VDRM反向额定电压为90%VRRM
毛刺电流2.通态压降特性
通态压降越小,通态损耗越小
尽量缩短缓冲电路的引线,采用快恢复二极管和无感电容。
4.dv/dt和di/dt
①dv/dt :①dv/dt :
静态dv/dt 指GTO阻断时所能承受的最大电压上升率,过高
会使GTO结电容流过较大的位移电流,使α增大,印发误导通。
结温和阳极电压越高,GTO承受静态dv/dt 能力越低;门极反偏
10.关断时间:toff为存储时间
ts与下降时间tf之和。随阳极电流增大而增大2us随阳极电流增大而增大2us可关断晶闸管的主要参数和电气特性:§6.3 GTO的缓冲电路一、缓冲电路的作用
GT0的缓冲电路除用来抑制换相过电压,限制dv/dt,
,,
,动态
均压之外,还关系到GTO的可靠开通和关断,尤其是GTO的关
②下降阶段:tfIG变化到最大值-
IGM时,P1N1P2晶体管退出饱和,N1P2N2晶体管恢复控制能力,α1、α2不断减小,内部正反馈停止。
阳极电流开始下降,电压上升,关断损耗较大。尤其在感性
负载条件下,阳极电压、电流可能同时出现最大值,此时关负载条件下,阳极电压、电流可能同时出现最大值,此时关
特点:
①α1<
α212P1N1P2管不灵敏,
N1P2N2管灵敏。
②α1+
α2略大于1;器件

GTO驱动电路

GTO驱动电路

门极可关断晶闸管GTO驱动电路1.电力电子器件驱动电路简介电力电子器件的驱动电路是指主电路与控制电路之间的接口,可使电力电子器件工作在较理想的开关状态,缩短开关时间,减小开关损耗,对装置的运行效率、可靠性和安全性都有重要的意义。

一些保护措施也往往设在驱动电路中,或通过驱动电路实现。

驱动电路的基本任务:按控制目标的要求施加开通或关断的信号;对半控型器件只需提供开通控制信号;对全控型器件则既要提供开通控制信号;又要提供关断控制信号。

门极可关断晶闸管简称GTO, 是一种通过门极来控制器件导通和关断的电力半导体器件,它的容量仅次于普通晶闸管,它应用的关键技术之一是其门极驱动电路的设计。

门极驱动电路设计不好,常常造成GTO晶闸管的损坏,而门极关断技术应特别予以重视。

门极可关断晶闸管GTO的电压、电流容量较大,与普通晶闸管接近,因而在兆瓦级以上的大功率场合仍有较多的应用。

2.GTO驱动电路的设计要求由于GTO是电流驱动型,所以它的开关频率不高。

GTO驱动电路通常包括开通驱动电路、关断驱动电路和门极反偏电路三部分,可分为脉冲变压器耦合式和直接耦合式两种类型。

用理想的门极驱动电流去控制GTO 的开通和关断过程,以提高开关速度,减少开关损耗。

GTO要求有正值的门极脉冲电流,触发其开通;但在关断时,要求很大幅度的负脉冲电流使其关断。

因此全控器件GTO的驱动器比半控型SCR复杂。

门极电路的设计不但关系到元件的可靠导通和关断, 而且直接影响到元件的开关时间、开关损耗, 工作频率、最大重复可控阳极电流等一系列重要指标。

门极电路包括门极开通电路和门极关断电路。

GTO对门极开通电路的要求:GTO的掣住电流比普通晶闸管大得多, 因此在感性负载的情况下, 脉冲宽度要大大加宽。

此外, 普通晶闸管的通态压降比较小, 当其一旦被触发导通后, 触发电流可以完全取消, 但对于GTO, 即使是阻性负载, 为了降低其通态压降, 门极通常仍需保持一定的正向电流, 因此, 门极电路的功耗比普通品闸管的触发电路要大的多。

gto晶闸管的开通和关断原理 -回复

gto晶闸管的开通和关断原理 -回复

gto晶闸管的开通和关断原理-回复GTO晶闸管(Gate Turn-Off Thyristor,简称GTO)是一种高压高功率电子器件,可用于控制和调节电力系统中的电流和电压。

它的开通和关断原理是实现广泛应用的关键。

在介绍GTO晶闸管的开通和关断原理之前,让我们先了解一下晶闸管的基本结构和工作原理。

晶闸管是一种四层PNPN结构的器件,由阳极(A)、阴极(K)、门极(G)和触发极(T)组成。

当正向电压施加在器件上时,它将保持封锁状态,不导通电流。

然而,一旦给予一个正向的脉冲电压在门极上,晶闸管将开通并导通电流。

一旦晶闸管导通,它将保持导通状态,直到有一个负向的电压施加在它上面才能关断。

GTO晶闸管通过控制门电流来实现开通和关断操作。

让我们分别来看看GTO晶闸管的开通和关断过程。

1. 开通过程:a. 初始状态下,GTO晶闸管处于封锁状态,没有电流通过。

b. 当一个正向电压施加在阳极和阴极之间时,弱磁场会形成在P2区域(即距离阳极最近的P区)。

c. 将一个正向的脉冲电流施加在门极上,通过之前提到的反向PN结(PG结),使得P2区域的磁场增强。

这个过程被称为“增强过程”。

d. 当P2区域磁场增强到一定程度时,它会引起P3区域(距离阴极最近的P区)的P-N结被打破,进而使整个晶闸管开始导通电流。

这个阈值被称为“增强区电流阈值”。

e. 一旦开始导通,GTO晶闸管将保持导通状态,即使门极上的脉冲电流停止。

2. 关断过程:a. 在GTO晶闸管导通状态下,需要通过在门极上施加一个负向的脉冲电流来关断它。

b. 这个负向的脉冲电流会减小P2区域的磁场,并最终恢复原始的封锁状态。

c. 当P2区域磁场减小到一定程度时,整个GTO晶闸管将关断并停止导通。

可以看出,GTO晶闸管的关断操作相对于开通操作更加复杂。

这主要是因为在关断时,电流需要从整个器件中完全消失,而不仅仅是从P2区域。

这种非直接关断性质导致GTO晶闸管具有一定的关断延迟时间。

gto工作原理

gto工作原理

gto工作原理GTO(Gate Turn-Off Thyristor)是一种特殊类型的晶闸管,它具有可控性和可关断性能。

GTO主要应用于大功率、高频率的交流电力系统中,例如电力传输、电动机控制、电力变频调速等领域。

GTO的工作原理可以简单地分为导通状态和关断状态两种情况。

在导通状态下,当GTO的阳极加上正向电压,而控制电压加上一个脉冲触发信号时,GTO将开始导通。

此时,GTO的结构中的NPNP四层结构中的P层被激发,使得电流可以从阳极流向阴极,GTO处于导通状态。

而在关断状态下,当GTO的阳极加上反向电压或控制电压不再加上触发信号时,GTO将开始关断。

此时,GTO的结构中的P层被加强,使得电流无法从阳极流向阴极,GTO处于关断状态。

GTO的工作原理可以通过控制触发信号和正/反向电压来实现对其导通和关断状态的控制。

通过合理地控制触发信号的脉冲宽度和频率,可以实现对GTO的导通时间和导通电流的控制。

同时,通过合理地控制正/反向电压的大小和变化率,可以实现对GTO的关断时间和关断电压的控制。

这种可控性和可关断性是GTO相比于普通晶闸管的独特优势,使得其在高功率、高频率的交流电力系统中有着广泛的应用前景。

除了可控性和可关断性之外,GTO还具有低导通压降、高导通电流、快速关断速度等特点。

这些特点使得GTO在电力传输、电动机控制、电力变频调速等领域具有得天独厚的优势。

例如,在电力传输系统中,GTO可以实现对输电线路的高效控制,提高输电效率;在电动机控制系统中,GTO可以实现对电动机的精准调速,提高工作效率;在电力变频调速系统中,GTO可以实现对电力频率的精准调整,提高设备的稳定性。

总之,GTO作为一种特殊类型的晶闸管,具有可控性和可关断性能,其工作原理主要通过控制触发信号和正/反向电压来实现。

GTO具有低导通压降、高导通电流、快速关断速度等特点,广泛应用于电力传输、电动机控制、电力变频调速等领域,具有巨大的市场潜力和发展前景。

1.2门极可关断晶闸管GTO 4.2 大功率晶体管GTR

1.2门极可关断晶闸管GTO 4.2 大功率晶体管GTR

直流负载线
9
2. GTO的特定参数
1. 最大可关断阳极电流IATO
IATO也是GTO的额定电流。 GTO的阳极电流 IA过大时,管子饱和加深,
导致门极关断失败,因此,GTO必须规定一个最
大可关断阳极电流IATO,也就是管子的铭牌电流。
IATO与管子电压上升率、工作频率、反向门极电
流峰值和缓冲电路参数有关,在使用中应予以 注意。
能控制较大的电流和较高的电压;
电力三极管由于结构所限其耐压难于超过1500V,现今商品 化的电力三极管的额定电压、电流大都不超过1200V、 800A; 逐步被其他全控型电力电子器件(特别是IGBT和 MOSFET),趋于淘汰
22
1.
GTR的极限参数
(1).集电极最大电流ICM(最大电流额定值)
(MOSFET) 、绝缘栅双极晶体管(IGBT)
2
电力电子器件的分类
按照器件能够被控制的程度,分为以下三类:
半控型器件
——通过控制信号可以控制其导通而不能控制
其关断,晶闸管是典型的半控型电力电子器件。 全控型器件 ——通过控制信号既可控制其导通又可控制其关 断,又称自关断器件,GTO、GTR等。
不能自关断与开关速度慢的缺点。其电气符号与普通晶
体管相同。
GTR是一种双极型大功率高反压晶体管,具有自关
断能力,控制方便,开关时间短,高频特性好,价格低
廉。可用于不停电电源、中频电源和交流电机调速等电
力变流装臵中。
20
图4-5 1300系列GTR的外观
21
电力三极管的主要特点
是电流驱动器件,控制基极电流就可控制电力三极管的开通 和关断; 开关速度较快; 饱和压降较低; 有二次击穿现象;

13 门极可关断晶闸管(GTO)

13  门极可关断晶闸管(GTO)
1.3 门极可关断晶闸管(GTO) 1.3.1 GTO的结构和工作原理
1、GTO的结构 GTO为四层PNPN结构、三端引出线(A、K、
G)的器件。和晶闸管不同的是:GTO内部是由许 多四层结构的小晶闸管并联而成,这些小晶闸管的 门极和阴极并联在一起,成为GTO元,而普通晶闸 管是独立元件结构。下图是GTO的结构示意图、等 效电路及电气符号。
4、主要参数 (简介)
与晶闸管不同的参数。 (1)最大可关断阳极电流IATO
(2)关断增益off
(3)阳极尖峰电压 (4)维持电流 (5)擎住电流
由于GTO处于临界饱和状态,用抽走阳极电流的方法破 坏临界饱和状态,能使器件关断。而晶闸管导通之后,处 于深度饱和状态,用抽走阳极电流的方法不能使其关断。
11.3、.2阳G极T伏O安的特特性性和主要参数 (简介)
2、开通特性
开通时间ton由延迟时间td和上升时间tr组成
3、关断特性
GTO的关断过程有三个不同的时间,即存储时间ts、下降 时间tf及尾部时间tt。
UA
U AM
0.9U A
du / dt
(a)
0
UP
图1-16
td tr iA
IA
t
(b)
di / dt
0
0.9I A ts tf
iG
ton
toff
tt
t
diG
UG
5A / s
ig
dt
UG
0
(c)
10 ~ 60s
t
diG 10A / s
30s
dt
11
I GM

( 8

ห้องสมุดไป่ตู้

实验一SCR、GTO、GTR、MOSFET、IGBT特性实验

实验一SCR、GTO、GTR、MOSFET、IGBT特性实验

实验一 SCR、GTO、GTR、MOSFET、IGBT特性实验一、实验目的和任务1、掌握各种电力电子器件的工作特性;2、掌握各器件对触发信号的要求。

二、实验内容1、晶闸管(SCR)特性实验;2、可关断晶闸管(GTO)特性实验;3、功率场效应管(MOSFET)特性实验;4、大功率晶闸管(GTR)特性实验;5、绝缘双极性晶体管(IGBT)特性实验。

三、实验仪器、设备及材料1、 DJK01 电源控制屏(该控制屏包含“三相电源输出”等模块);2、 DJK06 给定、负载及吸收电路(该挂件包含“二极管”以及“开关”);3、 DJK07新器件特性实验;4、 DK04滑线变阻器(串联形式:0.65A,2kΩ;并联形式:1.3A,500Ω);5、万用表。

四、实验原理将电力电子器件(包括SCR、GTO、MOSFET、GTR、IGBT)和负载电阻R 串联后接至直流电源的两端,由DJK06 上的给定为新器件提供触发电压信号,给定电压从零开始调节,直至器件触发导通,从而可测得在上述过程中器件的V/A 特性;图2.1中的电阻R 用DK04 上的滑线变电阻,并接成并联形式,直流电压和电流表可从DJK01 电源控制屏上获得,五种电力电子器件均在DJK07 挂箱上;直流电源从电源控制屏的励磁电源取得。

实验线路的具体接线如图2.1所示。

图2.1 新器件特性实验原理图五、主要技术重点、难点1、确定器件的临界导通和稳定导通;2、分析SCR、GTO、GTR、MOSFET、IGBT特性的异同点。

六、实验步骤1、按图2.1所示接线,首先将晶闸管(SCR)接入主电路,在实验开始时,将DJK06 上的给定电位器RP1 沿逆时针旋到底,关闭励磁电压。

按下“启动”按钮,打开DJK06 的电源开关,然后打开励磁开关,缓慢调节给定输出,同时监视电压表的读数,当直流电压升到40V 时,停止调节单相调压器(在以后的其他实验中,均不用调节);调节给定电位器RP1,逐步增加给定电压,监视电压表、电流表的读数,当电压表指示接近零(表示管子完全导通),停止调节,记录给定电压Ug调节过程中回路电流Id以及器件的管压降Uv,填入表2.1。

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文章编号:%"") $ #%!*(!""+)"! $ """% $ "!
一种 ,-. 晶闸管快速关断电路的研究
郝 波,李双美
(沈阳工程学院,辽宁 沈阳 %%""#’)
摘 要:介绍了一种新型 ,-. 门极关断电路,它可以实现 ,-. 的快速关断。利用 /0/123 进
行仿真分析并讨论了电路参数对电路特性的影响。
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1.学位论文 张婵 IGCT集成门极驱动电路研究 2007
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目前,,-. 的组合模型已有多种,但多数较复 杂,不利于模拟实际电路和系统。本文选择由两 个晶体管组成的 ,-. 模型,如图 ! 所示。
图 % 新型门极关断驱动电路
收稿日期:!""# $ %% $ %" 作者简介:郝 波(%&’" $ ),男,辽宁沈阳人,沈阳工程学院副教授 (
图 ! ! 个晶体管的 ,-. 模型
第 ’ 卷第 ! 期
沈阳电力高等专科学校学报
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第8期
尹常永等:52DPBA J)>!F 应用剖析
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图 ! 反相器版图
参考文献:
[#]张楚人 $ %&’ 集成电路分析与设计基础[%]$ 北京:
图 " 振荡器版图 电子工业出版社,#(() $
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(责任编辑 翟 春)
一种GTO晶闸管快速关断电路的研究
作者: 作者单位: 刊名:
英文刊名: 年,卷(期): 被引用次数:
郝波, 李双美 沈阳工程学院,辽宁,沈阳,110036
沈阳电力高等专科学校学报 JOURNAL OF SHENYANG ELECTRIC POWER INSTITUTE 2004,6(2) 0次
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沈阳电力高等专科学校学报
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% 新型门极关断驱动电路
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