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月份考试电力电子技术第二次作业

月份考试电力电子技术第二次作业

2014年9月份考试电力电子技术第二次作业一、单项选择题(本大题共60分,共 20 小题,每小题 3 分)1. 图1所示的图形符号表示的电力电子器件是()。

A. A、普通晶闸管B. B、电力场效应管C. C、门极可关断晶闸管D. D、绝缘栅双极晶体管2. 当晶闸管承受反向阳极电压时,不论门极加何种极性触发电压,管子都将工作在( ) A. 导通状态 B. 关断状态 C. 饱和状态 D. 不定为整流变压器副边电压有效3. 三相半波可控整流电路大电感性负载,如果U2计算公式为 ( )值,α为晶闸管控制角,则输出电压平均值UdA.B.C.D.4. 晶闸管变流电路为了实现有源逆变,晶闸管()A. A 控制角应该小于60度B. B 逆变角应该大于120度C. C 逆变角小于90度D. D 控制角小于90度5. 如下图单相桥式半控整流电路,大电感负载,控制角α=30°时,晶闸管VT1的导通角为()。

A. 30°B. 60°C. 150°D. 210°6. 下列可控整流电路中,输出电压谐波含量最少的是()。

A. 三相半波 B. 单相双半波 C. 单相桥式 D. 三相桥式7. 某电力电子变换电路输出电压波形如图所示。

则该电路电路和负载类型的描述为()。

A. 单相半波整流纯电阻负载B. 单相桥式整流电感性负载C. 单相半波整流电感性负载D. 单相桥式整流纯电阻负载8. 晶闸管单相交流调压电路,需要()。

A. 一个晶闸管;B. 两个二极管C. 一个晶闸管和一个二极管;D. 两个晶闸管9. 对三相全控桥中共阴极组的三个晶闸管来说,正常工作时触发脉冲相位应依次差()。

A. A、60° B. B、120° C. C、180° D. D、90°10. 如下图单相桥式半控整流电路,大电感负载,控制角α=30°时,二极管VD4的导通角为()。

电力电子技术试题与参考答案

电力电子技术试题与参考答案

电力电子技术试题与参考答案一、单选题(共25题,每题1分,共25分)1.有源逆变发生的条件为()A、要有直流电动势B、要求晶闸管的控制角大于90°C、直流电动势极性须和晶闸管导通方向一致D、以上说法都是对的正确答案:D2.为了防止逆变失败,最小逆变角限制为()。

A、300~350B、400~450C、100~150D、200~250正确答案:A3.电流型三相桥式逆变电路,120°导通型,则在任一时刻开关管导通的个数是不同相的上、下桥臂()A、各一只A、各二只B、共三只C、共四只正确答案:A4.已经导通的晶闸管的可被关断的条件是流过晶闸管的电流()A、减小至维持电流以下B、减小至擎住电流以下C、减小至门极触发电流以下D、减小至5A以下正确答案:A5.对于升降压直流斩波器,当其输出电压小于其电源电压时,有()。

A、α无法确定B、0.5<α<1C、0<α<0.5D、以上说法均是错误的正确答案:C6.三相全波可控整流电路电阻性负载中,控制角的最大移相范围是()。

A、120°B、180°C、90°D、150°正确答案:A7.晶闸管的伏安特性是指()A、门极电压与阳极电流的关系B、阳极电压与阳极电流的关系C、阳极电压与门极电流的关系D、门极电压与门极电流的关系正确答案:B8.下列全控器件中,属于电流控制型的器件是()。

A、P-MOSFETB、SITC、GTRD、IGBT正确答案:C9.α为()度时,三相半波可控整流电路,电阻性负载输出的电压波形,处于连续和断续的临界状态。

A、120度,B、0度C、60度D、30度正确答案:D10.目前,在中小型变频器中普遍采用的电力电子器件是()。

A、SCRB、GTOC、MOSFETD、IGBT正确答案:D11.在晶闸管应用电路中,为了防止误触发应将幅值限制在不触发区内的信号是()A、干扰信号B、触发电流信号C、触发电压信号D、干扰信号和触发信号正确答案:A12.单相全控桥式整流电路大电感性负载中,控制角的最大移相范围是()A、90°B、180°C、150°D、120°正确答案:A13.采用多重化电压源型逆变器的目的,主要是为()。

电力电子技术试题及答案

电力电子技术试题及答案

电力电子技术试题及答案一、单项选择题(每题2分,共20分)1. 电力电子器件中,能够实现交流到直流转换的是()。

A. 二极管B. 晶闸管C. 晶体管D. 场效应管答案:B2. 电力电子技术中,PWM调制技术的主要作用是()。

A. 整流B. 逆变C. 变频D. 变压答案:C3. 电力电子技术中,以下哪个器件是电压控制型器件()。

A. 晶闸管B. 功率MOSFETC. 绝缘栅双极晶体管(IGBT)D. 功率二极管答案:B4. 在电力电子技术中,以下哪个器件是电流控制型器件()。

A. 晶闸管B. 功率MOSFETC. 绝缘栅双极晶体管(IGBT)D. 功率二极管答案:A5. 电力电子技术中,三相桥式整流电路的输出电压波形是()。

A. 正弦波B. 矩形波C. 三角波D. 锯齿波答案:B6. 电力电子技术中,以下哪个器件不适合用于高频开关应用()。

A. 功率MOSFETB. 绝缘栅双极晶体管(IGBT)C. 功率二极管D. 晶闸管答案:D7. 电力电子技术中,以下哪个器件具有自关断能力()。

A. 晶闸管B. 功率MOSFETC. 绝缘栅双极晶体管(IGBT)D. 功率二极管答案:B8. 电力电子技术中,以下哪个器件的导通电压最低()。

A. 晶闸管B. 功率MOSFETC. 绝缘栅双极晶体管(IGBT)D. 功率二极管答案:B9. 电力电子技术中,以下哪个器件的开关速度最快()。

A. 晶闸管B. 功率MOSFETD. 功率二极管答案:B10. 电力电子技术中,以下哪个器件的耐压最高()。

A. 晶闸管B. 功率MOSFETC. 绝缘栅双极晶体管(IGBT)D. 功率二极管答案:A二、多项选择题(每题3分,共15分)1. 电力电子技术中,以下哪些器件属于全控型器件()。

A. 晶闸管B. 功率MOSFETD. 功率二极管答案:BC2. 电力电子技术中,以下哪些器件可以用于实现交流到直流的转换()。

A. 二极管B. 晶闸管C. 晶体管D. 场效应管答案:AB3. 电力电子技术中,以下哪些器件可以用于实现直流到交流的转换()。

2013年9月份考试电工电子技术第二次作业

2013年9月份考试电工电子技术第二次作业

2013年9月份考试电工电子技术第二次作业一、单项选择题(本大题共100分,共 25 小题,每小题 4 分)1. 由开关组成的逻辑电路如图2所示,设开关接通为“1”,断开为“0”,电灯亮为“1”,电灯暗为“0”,则该电路为( )。

A. “与”门B. “或”门C. “非”门2. 集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以( )。

A. 减小温漂B. 增大放大倍数C. 提高输入电阻3. 三相异步电动机的旋转方向决定于( )。

A. 电源电压大小B. 电源频率高低C. 定子电流的相序4. 振荡电路的幅度特性和反馈特性如图所示,通常振荡幅度应稳定在()。

A. O点B.A点C.B点D.C点5. 在电动机的继电器接触器控制电路中,热继电器的正确连接方法应当是( )。

A. 热继电器的发热元件串接在主电路内,而把它的动合触点与接触器的线圈串联接在控制电路内B. 热继电器的发热元件串联接在主电路内,而把它的动断触点与接触器的线圈串联接在控制电路内C. 热继电器的发热元件并接在主电路内,而把它的动断触点与接触器的线圈并联接在控制电路内6. 集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以( )A. 增大放大倍数B. 提高输入电阻C. 减小温漂7. 电路如图所示,R1、R2支路引入的反馈为( )。

A. 串联电压负反馈B.正反馈C.并联电压负反馈8. 振荡器之所以能获得单一频率的正弦波输出电压,是依靠了振荡器中的( )。

A. 正反馈环节B. 选频环节C. 基本放大电路环节9. 数/模转换器的分辨率取决于()。

A. 输入的二进制数字信号的位数,位数越多分辨率越高B. 输出的模拟电压的大小,输出的模拟电压越高,分辨率越高C. 参考电压UR的大小,UR越大,分辨率越高10. 数字电路中晶体管大多工作于()。

A. 放大状态B. 开关状态C. 击穿状态11. 为了说明晶闸管的工作原理,通常晶闸管的内部结构示意图看成是由()。

A. 两个PNP型晶体管联接而成B. 两个NPN型晶体管联接而成C. 一个PNP型和一个NPN型的晶体管联接而成12. 在电动机的继电器接触器控制电路中,零压保护的功能是( )。

电力电子技术考试试卷(doc9页)(优质版)

电力电子技术考试试卷(doc9页)(优质版)

〈电力电子技术〉试卷( A)(100分)自控 03- __班姓名:_____学号:__成绩:____一、填空题( 10小题、每题 3分,共 30分)1. 依据驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间信号的性质,能够将电力电子器件(电力二极管除外)分为__________驱动性(如 __________)和 __________驱动性(如 _______________)2. 三相桥式全控整流电路带电阻负载时触发角的移相范围是________;三相桥式全控整流电路带阻感负载时且电感值足够大,触发角的移相范围是________。

3.两类电力变换器往常分为四大类,即沟通变直流、___________________、__________________和 __________________。

4.一般电力电子装置均采纳几种过电流保护举措,以提升保护的靠谱性和合理性,往常采纳 _____________________作为第一保护举措。

5. 使晶闸管导通的基本条件是:1)晶闸管蒙受正向;2)在门极上施加。

使晶闸管保持导通所必要的最小电流叫 __________________。

6.从晶闸管开始蒙受正朝阳极电压起到施加触发脉冲止的电角度称为________________,用α 表示,也称 ________________________,晶闸管在一个电源周期中处于通态的电角度称为 ______________,用θ表示。

7.升压斩波电路能使输出电压高于电源电压的重点原由有两个:一是 _________储能以后拥有使电压泵升的作用,二是 ___________可将输出电压保持住。

8.因为电力电子器件办理的电功率较大,为了减少器件的消耗,提升效率,电力电子器件一般工作在 ____________状态。

9.电力电子器件在开关过程中一般会产生电磁噪声,为了防止噪声对人耳产生刺激,能够使开关频次大于人耳的听觉极限频次,即开关频次高于 ___________。

(完整word版)电力电子试卷(word文档良心出品)

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一、 填空题(每空题2分,共30 分)1.电力电子技术是应用于 的电子技术;2.功率二极管属于不控器件,晶闸管属于 器件,GTR 属于 器件; 3.电力晶体管的简称为 ; IGBT 是BJT 和 的复合管;4.整流电路按电路结构可分为桥式电路和 ; 5.相控整流电路的换流方式是电网换流,PWM 整流电路的换流方式是 ; 6.无源逆变电路的PWM 波生成方式有计算法、 和 ;7.直流斩波电路中最基本的两种斩波电路分别是 和 ;8.SPWM 的载波是等腰三角波,调制波是 ;SHEPWM 是指 脉宽调制技术; 9.零电压开通和零电流关断要靠电路中的 来实现;10.间接交流变流电路的典型应用包括两个方面,分别是 和恒压恒频变流电路;二、 简答题(每小题6分,共30 分)1.晶闸管的导通条件是什么?2. 使变流器工作在有源逆变状态的条件是什么? 3.电压型逆变电路中反馈二极管的作用是什么? 4.衡量PWM 控制方法优劣的三个基本标志?5.为什么PWM 逆变电路比方波(六拍阶梯波)逆变器输出波形跟更接近正弦波?三、 计算题(每小题10分,共40分)1.图1中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形,波形的电流最大值均为I m ,试求: (1)计算波形的电流平均值I d 与电流有效值I ; (2)100A 的晶闸管能送出的平均电流I d 。

图12.单相桥式全控整流电路,U 2=100V ,负载中R =2Ω,L 值极大,反电势E =60V ,当a =30︒时,要求: (1)求整流输出平均电压U d 、电流I d ,变压器二次侧电流有效值I 2;(2)考虑安全裕量(电压电流都取2倍裕量),确定晶闸管的额定电压和额定电流。

3.在图2 所示的升压斩波电路中,已知E=50V ,L 值和C 值极大,R=20Ω,采用脉宽调制控制方式,当T =40μs ,t on =25μs 时,计算输出电压平均值U o ,输出电流平均值I o 。

电力电子技术题库及答案整理版

电力电子技术题库及答案整理版《电力电子技术》习题&答案一、填空(每项1分,共50分)1、对同一晶闸管,维持电流ih与擎住电流il在数值大小上有il__大于__ih。

2.功率集成电路的Pic可分为两类,一类是高压集成电路,另一类是高压集成电路_________智能功率集成电路。

3.晶闸管关闭状态下的不重复电压UDSM和转向电压UBO的值应为,UDSM_u_________________。

在带电阻负载的三相半波可控整流电路中,晶闸管承受的最大正向电压UFM等于UFM?是相电压的有效值。

5、三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差__________120°_______。

6、对于三相半波可控整流电路,换相重叠角的影响,将使用输出电压平均值_______下降______。

7、晶闸管串联时,给每只管子并联相同阻值的电阻r是_____________静态均压________________措施。

8、三相全控桥式变流电路交流侧非线性压敏电阻过电压保护电路的连接方式有___y形和△形___二种方式。

9、抑制过电压的方法之一是用_____储能元件_______吸收可能产生过电压的能量,并用电阻将其消耗。

10、180°导电型电压源式三相桥式逆变电路,其换相是在___同一相_的上、下二个开关元件之间进行。

11、改变spwm逆变器中的调制比,可以改变_________________输出电压基波________的幅值。

12、为了利于功率晶体管的关断,驱动电流后沿应是___________(一个)较大的负电流__________。

13、恒流驱动电路中抗饱和电路的主要作用是_________减小存储时间________________。

14.为了使二极管的功率与二极管的开关时间相匹配,需要使用功率晶体管缓冲保护电路中的二极管。

15、晶闸管门极触发刚从断态转入通态即移去触发信号,能维持通态所需要的最小阳极电流,称为:_____________________维持电流_______________________。

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系别_________________ 班级____________________________ 考试号__________________ 姓名______________……………………………密……………………………封…………………………………线……………………………【最新整理,下载后即可编辑】德州科技职业学院机电系14级机电专业期末考试试题 《电力电子技术》试卷题 号 一二 三 四 合 计分 数阅卷人 得分1.5分,共60分) 1、 晶闸管内部有( )个PN 结。

A 、1 B 、2 C 、3 D 、42、晶闸管在电路中的门极正向偏压( )越好。

A 、越大 B 、越小 C 、不变 D 、越稳定3、晶闸管的通态电流(额定电流)是用电流的( )来表示的。

A 、有效值 B 、最大值 C 、平均值 D 、瞬时值4、双向晶闸管是用于交流电路中的,其外部有( )个电极。

A 、一个 B 、两个 C 、三个 D 、四个5、下列电力半导体器件电路符号中,表示IGBT 器件电路符号的是( )6、比较而言,下列半导体器件中开关速度最快的是( )A 、IGBTB 、MOSFETC 、GTRD 、GTO7、比较而言,下列半导体器件中开关速度最慢的是( ) A 、IGBT B 、MOSFET C 、GTR D 、GTO8、比较而言,下列半导体器件中性能最好的是( ) A 、IGBT B 、MOSFET C 、GTR D 、GTO9、比较而言,下列半导体器件中输入阻抗最大的的是( ) A 、IGBT B 、MOSFET C 、GTR D 、GTO10、下列半导体器件中属于电流型控制器件的是( ) A 、IPM B 、MOSFET C 、IGBT D 、GTO11、逆变电路输出频率较高时,电路中的开关元件应采用( ) A 、晶闸管 B 、单结晶体管 C 、电力晶体管 D 、绝缘栅双极型晶体管12、电力场效应管MOSFET 适于在( )条件下工作 A 、直流 B 、低频 C 、中频 D 、高频13、要使绝缘栅双极型晶体管导通,应( )A 、在栅极加正电压B 、在集电极加正电压C 、在栅极加负电压D 、在集电极加负电压14、电力晶体管的开关频率( )电力场效应管 A 、稍高于 B 、低于 C 、远高于 D 、等于15、如晶闸管的正向阻断重复峰值电压为745V ,反向重复峰值电压为825V ,则该晶闸管的额定电压为( ) A 、700V B 、750V C 、800V D 、850V 16、下列电力电子器件中,( )的驱动功率小,驱动电路简单 A 、普通晶闸管 B 、可关断晶闸管 C 、电力晶体管 D 、功率场效应晶体管17、二极管两端加上正向电压时( ) A 、一定导通 B 、超过死区电压才导通 C 、超过0.3V 才导通 D 、系别_________________ 班级____________________________ 考试号__________________ 姓名______________……………………………密……………………………封…………………………………线……………………………超过0.7V 才导通 18、下列电力半导体器件电路符号中,表示GTO 器件电路符号的是( )19、下列电力半导体器件电路符号中,表示GTR 器件电路符号的是( )20、下列电力半导体器件电路符号中,表示MOSFET 器件电路符号的是( ) 21、单结晶体管振荡电路是利用单结晶体管的( )工作特性设计的A 、截止区B 、负阻区C 、饱和区D 、任意区域22、在晶闸管直流电动机调速系统中,改变( )就能改变直流电动机的转速。

2013年9月份考试高电压技术第二次作业

2013年9月份考试高电压技术第二次作业一、单项选择题(本大题共45分,共 15 小题,每小题 3 分)1. 下列不同类型的过电压中,不属于内部过电压的是()。

A. 工频过电压B. 操作过电压C. 谐振过电压D. 大气过电压2. 在分布参数模型中,导线上的电压和电流既是()的函数,又是()的函数? A. 时间,空间 B. 时间,波阻抗 C. 空间,波阻抗 D. 时间,电阻3. 冲击电晕使行波能量损耗,线路的波阻抗(),导线的耦合系数()。

A. 减少,增大 B. 减小,减小 C. 增大,减小 D. 增大,增大4. 在极不均匀电场中,与极性效应无关的是( )。

A. 空间电荷 B. 非自持放电 C. 电晕放电 D. 正负50%放电电压5. 交流耐压试验是使用较广泛的试验,根据国家标准,规定在设备绝缘上加上工频试验电压_____,不发生闪络或击穿现象,则认为设备绝缘是合格的。

A. 1minB. 2minC. 10minD. 15min6. 雷直击110kV架空输电线路导线时的耐雷水平大约是( )。

A. 3.5kV B.3.5kA C. 7kV D. 7kA7. 若电源漏抗增大,将使空载长线的末端工频电压()。

A. 畸变 B. 减弱 C. 升高 D. 不变8. 不带高压并联电抗器的空载长线路沿线工频电压的分布按()。

A. 直线规律 B. 余弦规律 C. 正弦规律 D. 指数规律9. 下列各项中与电晕放电无关的是 ( ) 。

A. 均匀电场 B. 自持放电 C. 进线段保护 D. 电能损耗10. 波在线路上传播,当末端短路时,以下关于反射描述正确的是______。

A. 电流为0,电压增大一倍B. 电压为0,电流增大一倍C. 电流不变,电压增大一倍D. 电压不变,电流增大一倍11. 先导放电是以( )的出现为特征。

A. 碰撞游离 B. 表面游离 C. 热游离D. 光游离12. 通过绝缘电阻的测量可发现电气设备绝缘的缺陷是( )。

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2013年9月份考试电力电子技术第二次作业一、单项选择题(本大题共60分,共 30 小题,每小题 2 分)1. 图1所示的图形符号表示的电力电子器件是()。

A. A、普通晶闸管B. B、电力场效应管C. C、门极可关断晶闸管D. D、绝缘栅双极晶体管2. 当晶闸管承受反向阳极电压时,不论门极加何种极性触发电压,管子都将工作在( ) A. 导通状态 B. 关断状态 C. 饱和状态 D. 不定3. 晶闸管从阻断转为导通,必须同时具备的两个条件是()。

A. A、阳极正向电压和门极反向电流B. B、阳极反向电压和门极反向电流C. C、阳极反向电压和门极正向电流D. D、阳极正向电压和门极正向电流4. 利用附加的换流电路对晶闸管施加反向电压或反向电流的换流方式,称为()。

A. A、电网换流B. B、强迫换流C. C、负载换流D. D、器件换流5. 无源逆变指的是()。

A.A、将直流电能转变为某一频率或频率可调的交流电能,送给负载B.B、将直流电能转变为某一频率或频率可调的交流电能,送给电网C. C、将交流电能转变为某一频率或频率可调的交流电能,送给负载D.D、将交流电能转变为某一频率或频率可调的交流电能,送给电网6. 晶闸管的额定电流是用一定条件下流过的最大工频正弦半波()来确定。

A. 电流有效值B. 电流峰值C. 电流瞬时值D. 电流平均值7. 晶闸管工作过程中,管子本身的损耗等于管子两端的电压乘以()。

A. 阳极电流 B. 门极电流 C. 阳极电流与门极电流之差 D. 阳极电流与门极电流之和8. 晶闸管导通后,要使晶闸管关断,必须()A. 在门极施加负脉冲信号B. 使控制角应该大于90度C. 使阳极电流小于维持电流D. 使控制角小于90度9. 单相桥式全控整流电路带反电势负载,串联电感L,工作在有源逆变状态,的工作范围是() A. B. C. D.10. 三相半波带电阻性负载时, 为()度时,可控整流输出的电压波形处于连续和断续的临界状态。

A. 0 B. 60 C. 30 D. 12011. 逆变角β值的大小等于()。

A. B. C.D.12. 题目:以下正确的叙述是()。

A. A、晶闸管只存在动态损耗,而不存在静态损耗B. B、晶闸管只存在静态损耗,而不存在动态损耗C. C、晶闸管既不存在动态损耗,也不存在静态损耗D. D、晶闸管既存在动态损耗,也存在静态损耗13. 三相半波可控整流电路的自然换相点是( )。

A. 交流相电压的过零点B. 本相相电压与相邻相电压正半周的交点处C. 比三相不控整流电路的自然换相点超前30°D. 比三相不控整流电路的自然换相点滞后60°14. 图1所示的图形符号表示的电力电子器件是()。

A.A、普通晶闸管B. B、电力场效应管C. C、门极可关断晶闸管D. D、绝缘栅双极晶体管15. 单相半波可控整流电阻性负载电路中,控制角α的最大移相范围是( ) A. 90° B. 120° C. 150° D. 180°16. 单相全控桥电阻性负载电路中,晶闸管可能承受的最大正向电压为( ) A.B. C. D.17. 可控整流电路输出直流电压可调,主要取决于晶闸管触发脉冲的() A. 幅值 B. 移相 C. 形状 D. 脉宽18. 利用全控型器件的自关断能力进行换流,称为()。

A.电网换流B.强迫换流C.负载换流D.器件换流19. 在三相桥式全控整流电路中,接在同一相的两个晶闸管触发脉冲之间的相位差是()度。

A. 60 B. 90 C. 120 D. 18020. 单相半控桥整流电路中续流二极管作用()。

A. A、稳压B. B、增加输出电流能力C. C、调节输出电压D. D、避免失控现象21. 对三相全控桥中共阴极组的三个晶闸管来说,正常工作时触发脉冲相位应依次差()度。

A. 60 B. 180 C. 120 D. 9022. 有源逆变指的是()。

A. A、将直流电能转变为某一频率或频率可调的交流电能,送给负载B. B、将直流电能转变为某一频率或频率可调的交流电能,送给电网C. C、将交流电能转变为某一频率或频率可调的交流电能,送给负载D. D、将交流电能转变为某一频率或频率可调的交流电能,送给电网23. 如下图单相桥式半控整流电路,大电感负载,控制角α=30°时,二极管VD4的导通角为()。

A. 30°B. 60°C. 150°D. 210°为整流变压器副边电压有效值,晶闸管24. 单相全控桥电阻性负载电路中,U2可能承受的最大正向电压为()。

A. 2U2B. 22U2C. 6U2D.<mml:math xmlns:mml=" /1998/Math/MathML" xmlns:m=" /officeDocument/2006/math"><mml:mrow ><mml:mfrac><mml:mrow><mml:mn>1</mml:mn></mml:mrow><mml:mrow><mml:mn>2</mml:mn></mml:mrow></mml:mfrac><mml:maction><mml:mrow><mml:msqrt><mml:mrow><mml:mn>2</mml:mn></mml:mrow></mml:msqrt></mml:mrow><mml:mi>U </mml:mi><mml:mn>2</mml:mn></mml:mrow></mml:math>25. 某电力电子变换电路输出电压波形如图所示,则()。

A. 该电路是三相整流电路,控制角为30o︒B. 该电路是三相整流电路,控制角为60oC. 该电路是三相逆变电路,逆变角为30o︒D. 该电路是三相逆变电路,逆变角为60o︒26. 如整流变压器折算到二次侧的漏抗为XB ,负载电流为Id, 则三相桥式可控整流电路电感负载的换相电压ΔU d为( )A.B. BC.D.27. 一台220V、10kW的电炉,现采用晶闸管单相交流调压使其工作于5kW,此时电源侧的功率因数为() A. 0.5 B. 1 C. 0.707 D. 0.86628. 三相半波可控整流电路电阻性负载,如果U2为整流变压器副边电压有效值,α为晶闸管控制角,且α≤30°,则输出电压平均值U d计算公式为()。

A.B.C. 2.234U2cos(α)D. 0.9Ucos(α)229. 已知100A、300V的晶闸管,维持电流IH=4mA,分别使用在图1各电路中(不考虑电压、电流裕量),其中合理的电路是()。

A.B. C.D.30. 三相桥式可控整流电路带大电感负载,控制角α=30°,换相重叠角为γ,则晶闸管的导通角为()。

A. 120°+γ B. 90° C. 120° D. 120°+2γ二、判断题(本大题共40分,共 10 小题,每小题 4 分)1. “电力电子技术”的特点之一是以小信号输入驱动控制大功率输出。

2. 逆变角太大会造成逆变失败3. 相控整流装置的缺点是功率因数较低,控制角越大,功率因数越低。

4. 并联谐振负载的逆变器负载必须是呈电容性电路。

5. 逆变角β和控制角α的关系满足α+β=2π。

6. 半控桥整流电路,大电感负载不加续流二极管,电路可能会出现失控现象。

7. 采用两组反并联晶闸管变流桥的可逆系统,供直流电动机四象限运行时,其中一组逆变器工作在整流状态,那么另一组就工作在逆变状态。

8. 晶闸管串联使用时,必须注意均流问题。

一定时,流过晶闸管的电9. 对于三相半波可控整流电路带电阻性负载,当Id随控制角α的增加而增加。

流有效值IVT10. 变压器漏抗使整流电路和有源逆变电路的输出电压绝对值值均减小。

答案:一、单项选择题(60分,共 30 题,每小题 2 分)1. D2. B3. D4. B5. A6. D7. A8. C9. A 10. C 11. C 12. D 13. B14. A 15. D 16. C 17. B 18. D 19. D 20. D 21. C 22. B 23. D 24. D 25.D 26. A 27. C 28. B 29. D 30. D二、判断题(40分,共 10 题,每小题 4 分)1. √2. ×3. √4. √5. ×6. √7.×8. ×9. √ 10. ×。

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