单管晶闸管模块MT500A
普通晶闸管 可控硅模块 MTC200A1600V
Gate Trigger Zone at varies temperature 90$
-30°C -10°C 25°C 125°C
䮼ᵕ⬉य़,VGTˈ V
2.5 2 1.5 1 0.5 0 0 50
100
150
200
250
䮼ᵕ⬉⌕ ,IGT ˈmA
Fig.9 䮼ᵕࡳ⥛᳆㒓
Fig.10 䮼ᵕ㾺থ⡍ᗻ᳆㒓
MTC200A
特点
1). 芯片与底板电气绝缘，2500V交流电压 2). 全压接结构，优良的温度特性和功率循环能力 3). 体积小,重量轻
典型应用
1). 交直流电机控制 2). 各种整流电源 3). 变频器
IT(AV) VDRM/VRRM ITSM I2t
200A 600~1800V 7.2 A×103 259 A2S*103
外形尺寸图
214F3
216F3
401F
乐清市柳晶整流器有限公司（编）
普通晶闸管、可控硅模块
3/3
主要参数
符号 IT(AV) IT(RMS) VDRM VRRM IDRM IRRM ITSM It VTO rT VTM dv/dt di/dt IGT VGT IH VGD Rth(j-c) Rth(c-h) Viso Fm Tstg Wt Size
2
参数 通态平均电流 方均根电流 断态重复峰值电压 反向重复峰值电压 断态重复峰值电流 反向重复峰值电流 通态不重复浪涌电流 浪涌电流平方时间积 门槛电压 斜率电阻 通态峰值电压 断态电压临界上升率 通态电流临界上升率 门极触发电流 门极触发电压 维持电流 门极不触发电压 热阻抗(结至壳) 热阻抗(壳至散) 绝缘电压 安装扭矩(M8) 安装扭矩(M6) 贮存温度 质量 包装盒尺寸
可控硅模块MTC1200A
di/dt 通态电流临界上升率
IGT
门极触发电流
VGT
门极触发电压
IH
维持电流
VGD
门极不触发电压
测试条件
180°正弦半波，50HZ 单面散 热，Tc=85℃
VDRM&VRRM tp=10ms VDsM&VRsM= VDRM&VRRM+200V VDM= VDRM VRM= VRRM 10ms 底宽，正弦半波 VR=0.6 VRRM
MTC1200A
circuit Diagram：
M 1 0 76
散热形式：水冷型模块外型图 M1076S
M 1076S
杭州西整电力电子科技有限公司
Hangzhouxizheng Power electronics technology co. LTD.
Ver:XZ0318
第4页
可控硅（晶闸管）模块 Thyristor Module
1.70
100 1.2
单位 最大
1200 A 1884 A 1800 V
30 mA
24.0 2800 0.80 0.29 1.90 800
KA 103A2S
V mΩ
V V/μs
100 A/μs
200 mA
3.0
V
150 mA
0.2
V
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IT(AV) VDRM/VRRM ITSM I2t
1200A 600~1800V 24 KA 2800 103A2S
符号
参数
IT(AV)
KK型快速晶闸管
a
a 3d1×h1 d3
d3 10
D2-6h g e f a D1 D2 D
D
D2
H2 H4
H2 H3 H
型号 SS12 SS12 SS13 SS14 SS15
外形尺寸(mm) L D H
导电排尺寸(mm) D1 30 40 50 55 80 L1 53 78 78 85 110 H1 4 5 6 6 6
安装尺寸(mm) D2 H2 H3 H4 D 二孔13 二孔13 四孔11 四孔11 四孔11 D3 M3 M3 M3 M3 M3 D3 二孔螺 M6 二孔螺 M6 四孔螺 M6 四孔螺 M6 四孔螺 M6
d4 13 13 13 13 13
C
L1
d
D5 9 9 9 9 9
A 15 17.5 17.5
图3 KP200P~KP2000P系列凸台平板形普通晶闸管、KS200P~KS500P系列凸台平板形双向晶闸管、KK200P~KK1500P系列凸台平板形快速晶闸管
Dmax 2-φ3.5 0 3
+0.2
阴极辅助引线
2-φ4.2
A±1
门极引线 300±30 D1±2
序号 1 2 3 4 5 6 7
型号 KS200P、KK200P、KP200P KS300P、KK300P、KP300P KS500P、KK500P、KP500P KK800P、KP800P KK1000P、KP1000P KK1500P、KP1600P KP2000P
断态电压临界上升率 dv/dt V/μs 通态电流临界上升率 di/dt A/μs 电路换向关断时间 tg 维持电流 IH 工作结温 Tj 紧固力 推荐散热器型号 μs mA ℃ kN
G
晶闸管模块MTC182A
B
绝缘电压
F mB
B
T sbg B
B
W tB B
Outline
安装扭矩（M5） 安装扭矩（M6） 储存温度 质量（约）
180°正弦半波，单面散热
50HZ ， R.M.S ， t=1min
IBiso
:1mA
B
(ma
x)
与散热器固定
M234
MTC182A
0.08 ℃/W
2500
V
4.0±15%
5.0±15%
-40
125
205
N·m N·m
℃
g
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可控硅（晶闸管）模块 Thyristor Module
MTC182A
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可控硅（晶闸管）模块 Thyristor Module
MTC182A
matters needing attention: 1、模块实际负载电流大于 5A 时务必要加装散热器，需提供良好的通风条件。 2、工作环境温度高于 40℃时，应优化散热通风条件。 3、模块工作后会发热，在设备未断电及模块未完全冷却降温之前，严禁用手触摸模块
B
DRM B
B
RBth(j-c)B
热阻抗（结至壳）
180°正弦半波，单面散热
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30
25
0.8
20
125
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山特MT500拆机报告
拆机报告编号: 样机资料电源开关控制 电路及指示灯 控制电路 瓶充电控制 IC :U3843BN、整机照片图 图一：电源主体 逆变电路 电瓶 I R RS232接口可以与计算 连进行通讯模式转 F74 0 .............― 换控制 电路MOS 管 K2608 TX1电瓶充电 控制电路防雷击浪涌 保护电路电容后侧有 一稳压管： 7805 逆变电路双运算放大器LM358市电检测蜂S |稳压输蜂鸣器电路电源启动控制 稳压.PWM 控制RF32C四Q27:蜂鸣器驱动三极管充电控制辅 助电路2个HLM358双运放反馈5电路：市电检测电 路IC : SG3525AN1020=二 可编程 升压电路C68HC908市电异常时市电正常时五、工作原理1、 市电正常时，市电经 EMI 电路滤波后，一路经继电器与负载连接，由市电直接为负载供电；另一路在电池充电控制电路作用下，经充电电路为电 池充电，其电路主体由充电控制 IC UC3848BN MOS 管 K2608以及外围电路组成。
同时，市电经采样电路输入给市电检测电路进行市电检测，检测电路主要由双运放LM358及外围电路组成。
2、 当市电异常时，市电检测电路将信号传递给处理器U01，由U01发出指令，继电器断开市电通路，切换到电池供电状态。
电池电源经 PWM 控制ICSG3525AN 进行PW 碉制后的信号，经两只 MOS 管HRF3205组成的推挽电路和 TX1、D04、D05组成它激式逆变电源电路升压到约 330V 后，经Q04~Q07组成 的逆变电路转换为交流市电为负载供电。
输出为方波交流。
3、 该电源逆变部分使用 4支MOS 管IRF740组成全桥逆变电路，逆变电源部分升压前级使用两支MOS 管HRF3205组成推挽电路，充电控制部分使用 1支 MOS 管 K2608。
4、 该UPS 电源带有防雷击浪涌保护电路，采用瞬变抑制二极管和压敏电阻组成突波抑制电路。
普通晶闸管 可控硅模块 MTC55A1600V
ITM=170A VDM=67%VDRM ITM =110A, 门极触发电流幅值IGM=1.5A, 门极上升时间tr≤0.5μs VA=12V, IA=1A At 67%VDRM 180°正弦波, 单面散热 180°正弦波, 单面散热 50Hz, R.M.S, t=1min, Iiso:1mA(MAX)
䗮ᗕᑇഛ⬉⌕ IT(AV),A
Fig.5 ᳔ࡳ㗫Ϣᑇഛ⬉⌕݇㋏᳆㒓
Surge Current 1.25 Vs.Cycles ਼⊶᭄ n,@ 50Hz ⬉⌕ᑇᮍᯊ䯈鳥I2t,103A2S 䗮ᗕ⌾⍠⬉⌕ITSM,KA
MTC55A
特点
1). 芯片与底板电气绝缘，2500V交流电压 2). 全压接结构，优良的温度特性和功率循环能力 3). 体积小,重量轻
典型应用
1). 交直流电机控制 2). 各种整流电源 3). 变频器
IT(AV) VDRM/VRRM ITSM I2t
55A 600~1800V 1.25 A×103 7.8 A2S*103
测试条件 180°正弦半波,50Hz单面散热,Tc=85℃ VDRM&VRRM tp=10ms VDSM&VRSM= VDRM&VRRM+200V VDM= VDRM VRM= VRRM 10ms 正弦半波 VR=0.6VRRM
结温 Tj(℃) 125 125 125 125 125 125 600 最小
普通晶闸管、可控硅模块
3/3
25 125 125
25 125
0.8 20 0.2
外形为101F 210×113×42（10只装）
普通晶闸管、可控硅模块
1/3
MTC55A
性能曲线图
高低压电容补偿装置无功补偿技术协议
技术协议供方：需方：2018年7月、高压无功自动补偿装置1、产品遵循的主要标准GB50227-95《并联电容器装置设计规范》SD205-87《高压并联电容器技术条件》DL492.9-91《电力系统油质试验方法绝缘油介电强度测定法》DL462-92《高压并联电容器用串联电抗器订货技术条件》DL/T653-1998《高压并联电容器用放电线圈订货技术条件》JB7111-93《高压并联电容器装置》GB11032-89《交流无间隙金属氧化锌避雷器》GB10229-88《电抗器》GB50150《电气装置安装工程电气设备交接试验标准》GB/T5882《高压电力设备外绝缘污秽等级》GB3983.2《高压并联电容器》GB311.1-97《高压输变电设备的绝缘配合》GB/T16927《高电压试验技术》GB763《交流高压电器在长期工作时的发热》GB11025《并联电容器用内熔丝和内部压力隔离器》DL442《高压并联电容器单台保护用熔断器定货技术条件》DL/T604《高压并联电容器成套装置定货技术条件》JB/T8970《高压并联电容器用放电线圈》GB/T11024.1-2001《高压并联电容器耐久性试验》GB50062-92《电力装置的继电保护和自动装置设计规范》2、设备主要技术性能参数2.1环境条件2.1.1安装地点：户内2.1.2安装形式：柜式2.1.3海拔：<1000米2.1.4环境温度：一25°C/+55°C最大日温差：25K2.1.5环境湿度：月平均相对湿度（25C）不大于95%日平均相对湿度（25C）不大于95%2.1.6耐受地震能力：地震烈度：W8度地面水平加速度：2.5m/s2地面垂直加速度：1.25m/s22.1.7污秽等级：III级泄露比距不小于25mm/Kv（相对与系统最高电压）2.1.8安装环境无有害气体和蒸汽，无导电或爆炸性尘埃，无剧烈震动。
2.2系统运行条件2.2.1额定电压：10KV2.2.2最高运行电压：12KV2.2.3额定频率：50HZ2.2.4谐波情况：电抗率6%，能抑制五次及以上谐波2.2.5电容器组接线方式：单星形开口三角形电压保护2.2.6进线方式：电缆下进线2.3设备名称及型号：2.3.1设备名称：高压无功自动补偿装置2.3.2设备型号：GGZB10-1800（300+600+900）AK2.3.3设备数量：1套3、设备要求：装置补偿总容量为1800kvar,分三组自动投切，每组投切容量分别为300Kvar、600Kvar、900Kvar。
普通晶闸管 可控硅模块 MTC500A1600V
ITM=1500A VDM=67%VDRM ITM =1000A, 门极触发电流幅值IGM=1.5A, 门极上升时间tr≤0.5μs VA=12V, IA=1A At 67%VDRM 180°正弦波, 单面散热 180°正弦波, 单面散热 50Hz, R.M.S, t=1min, Iiso:1mA(MAX)
MTC500A
特点
1). 芯片与底板电气绝缘，2500V交流电压 2). 全压接结构，优良的温度特性和功率循环能力 3). 体积小,重量轻
典型应用
1). 交直流电机控制 2). 各种整流电源 3). 变频器
IT(AV) VDRM/VRRM ITSM I2t
500A 600~1800V 16 A×103 1280 A2S*103
主要参数
符号 IT(AV) IT(RMS) VDRM VRRM IDRM IRRM ITSM It VTO rT VTM dv/dt di/dt IGT VGT IH VGD Rth(j-c) Rth(c-h) Viso Fm Tstg Wt Size
2
参数 通态平均电流 方均根电流 断态重复峰值电压 反向重复峰值电压 断态重复峰值电流 反向重复峰值电流 通态不重复浪涌电流 浪涌电流平方时间积 门槛电压 斜率电阻 通态峰值电压 断态电压临界上升率 通态电流临界上升率 门极触发电流 门极触发电压 维持电流 门极不触发电压 热阻抗(结至壳) 热阻抗(壳至散) 绝缘电压 安装扭矩(M10) 安装扭矩(M6) 贮存温度 质量 包装盒尺寸
䗮ᗕᑇഛ⬉⌕ IT(AV),A
䗮ᗕᑇഛ⬉⌕ IT(AV),A
Fig.3᳔ࡳ㗫Ϣᑇഛ⬉⌕݇㋏᳆㒓
Fig.4ㅵ⏽ᑺϢ䗮ᗕᑇഛ⬉⌕݇㋏᳆㒓
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180
120
0
180
90
60 Conduction Angle
30
400
200
0
0
100 200 300 400 500 600
通态平均电流IT(AV),A
Fig.3最大功耗与平均电流关系曲线
Max. Power DissipaMtTioCn5V0s0.水Me冷an On-state Current
80
60
40
20
30 60 90 120 180 270 DC
0
0
200
400
600
800
1000
通态平均电流IT(AV),A
Fig.6 管壳温度与通态平均电流关系曲线
通态浪涌电流ITSM,KA
Surge Cur1re1nt Vs.Cycles 12
10
8
6
4
2
1
10
100
周波数n,@ 50Hz
Fig.7 通态浪涌电流与周波数的关系曲线
0.087 0.1
0.08
0.06
0.04
0.02
0
0.001
0.01
0.1
1
10
时间t,S
Fig.2 结至管壳瞬态热阻抗曲线
Max. case TemperatMurTeCV5s0.0M水ea冷n On-state Current 140
120
0
180
100 Conduction Angle
80
60
测试条件
°正弦半波
单面散热
°
°正弦半波 °
单面散热
底宽 正弦半波
结温
℃
≤μ
＝
500A 600~1800V
11 KA 605 KA2S
参数值 单位
Ω μ μ
门极触发电压
门极不触发电压
热阻抗 结至壳
°正弦半波 单面散热
℃
安装扭矩（ ）
·
安装扭矩（ ）
·
贮存温度
℃
质量
最大通态功耗PT(AV)(max),W
普通晶闸管模块
符号 电流额定值
特性值 动态参数 门极特性 热和机械数据
特点
芯片与底板电气绝缘，
交流绝缘
优良的温度特性和功率循环能力
体积小，重量轻
典型应用
交直流电机控制
各种整流电源
变频器
IT(AV) VDRM/VRRM ITSM I2T
参数
通态平均电流
方均根电流
通态不重复浪涌电流 浪涌电流平方时间积 断态重复峰值电压 反向重复峰值电压 断态重复峰值电流 反向重复峰值电流 门槛电压 通态峰值电压 斜率电阻 维持电流 绝缘电压 断态电压临界上升率 通态电流临界上升率 门极触发电流
门极电压,VGT，V
Gate characteristic at 25°C junction temperature 1816 Nhomakorabea14
PGM=120W
12
max.
(100μs脉宽)
10
8
6
min.
4
PG2W
2
0
0
4
8
12
16
20
门极电流,IGT，A
Fig.9 门极功率曲线
外形图:
门极电压,VGT，V
电流平方时间积I2t,103A2S
Fig.10 门极触发特性曲线
40
20
0 0
30
60 90 120 180
100 200 300 400 500 600 通态平均电流IT(AV),A
Fig.4管壳温度与通态平均电流关系曲线
Max. case TemperatMuTreC5V0s0.M水ea冷n On-state Current 140
120
360
100 Conduction Angle
I26t05Vs.1T1ime 650
550
450
350
250
150
1
10
时间t,ms
Fig.8 I2t特性曲线
Gate Trigger Zo3nVe,2a0t 0vMaAries temperature 4.5
-30°C 4
-10°C 3.5
25°C 3
125°C 2.5
2
1.5
1
0.5
0 0 50 100 150 200 250 300 350 门极电流,IGT，mA
最大通态功耗PT(AV),(max),W
通态峰值电压VTM,V
Peak On-state VoltaMgTeCV50s.0P水ea泠k On-state Current 5
4
TJ=125°C
3
2
1
0 100
1000 通态峰值电流ITM,A
Fig.1通态伏安特性曲线
10000
1000 800 600
Max. Power DissMipTaCt5io0n0V水s.冷Mean On-state Current
800 360
DC 270
180
600
120
Conduction Angle
90
60
400 30
200
0 0 80 160 240 320 400 480 560 640 通态平均电流IT(AV),A
Fig.5 最大功耗与平均电流关系曲线
管壳温度Tc(max),°C
管壳温度Tc(max),°C
瞬态热阻抗Zth,°C/W