晶闸管模块MTC600A
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PAC30A调整器说明书
PAC30A+系列智能型SCR调功调压器说明书PAC30A+系列智能型SCR调功调压器PAC30A+系列SCR调功调压器是大功率可控硅模块应用技术的新产品。
它集三相调压/调功方式为一体，具有自动判别相位、上电缓启动、缓关断、散热器超温等功能，适用于电阻性负载和感性负载。
一.产品特点本公司自主研发生产的PAC30A+系列SCR调功调压器是集合我公司多年电加热控制经验，是专为电炉设备而设计的：其调功、调压、负载中心接地、不接地，可以由客户任意设置的一款产品，从而达到了真正的智能化。
其调压（移相导通）调功（过零导通）功能的转换只需要拨一下拨码开关即可实现，非常简单，并且，调功还具有周波功能，避免电流表指针来回摆动。
此调功/调压的功能转换，主要是多台运行时，移相导通对电网有干扰，使功率因数下降，因此，必须转换成节能环保的调功模式。
其散热风冷单元采用特殊设计的插片式散热器，比普通铝型材散热器散热效率提高了30%，更利于模块的散热，从而极大的提高了模块的使用寿命。
同时，还具有模块超温报警功能，便于及时了解模块的工作状态。
本产品结构合理，保护功能完善，规格齐全，有30A 至400A的电流容量机型可供用户选择。
该产品可广泛适用于工业热处理、电热加工、材料制造、航天航空、冶金、有色、医药、电子、食品机械、注塑机械、喷涂机械、真空镀膜机等各种设备上。
二.技术规格三. 安装及使用须知●使用前请认真阅读本说明书，严格按要求接线使用。
●本电压调整器是壁挂式，垂直安装在通风良好，不受日光直射或热辐射，无腐蚀性、无可燃性的环境中。
●负载应无短路、局部放电打火等现象，要求绝缘良好。
●特别指出：变压器负载不能空载或轻载运行。
●散热器超温保护后，如要运行，需排除故障后，再送电运行。
四. 装箱清单表PAC30A 整机一台，10K 电位器一只，说明书1 份。
降额2-3倍使用B300S-250A 350m m×244m m×265mm MTC-300A ≤164KW B350S-320A 450m m×244m m×270mm MTC-500A ≤210KW B400S-400A 463m m×304m m×300mm MTC-600A ≤260KW B400S-600A-2 463m m×304m m×300mm MTC-800A ≤395KW六．订货说明1.SCR调功调压器电流容量选择参考●一般纯阻负载：电力调整器电流容量应大于负载最大电流。
可控硅MTC200A
结温 Tj（℃） 最小
125 125
125 600
125 125
参数值 典型 最大
200 314
1600 1800
30 7.20
VR=0.6 VRRM
125
259
125
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
ITM=600A
25
VDM=67%VDRM
125
ITM=600A 门 极 触 发 电
流幅值 IGM=1.5A，门极 125
电流上升时间 tr≤0.5μs
可控硅模块 thyristor module
MTC200 0.140 ℃/W
250 0 2.0 3.0 -40 780
0.04 ℃/W
V
N·m
N·m
125
℃
g
M234 电路联结图：
M353 风冷
M353S 水冷
杭州拓直电气有限公司 Hangzhou Tuozhi Electric Co., Ltd
可控硅（晶闸管）模块
可控硅模块 thyristor module
MTC200
IT(AV) VDRM/VRRM ITSM I2T
200A 600~1800V 7.2KA 259 103A2S
产品特点：
● 芯片与底板电气绝缘，2500V 交流绝缘 ● 优良的温度特性和功率循环能力 ● 体积小，重量轻 ● 国际标准封装 ● 符合 CE、Rohs 认证
30 50
VA=12V，IA=1A
25
0.8 1.0
20
VDM=67%VDRM
125
0.80 1.27 1.65 800
100
180 2.5 100 0.2
单位
安徽小功率晶闸管模块型号
安徽小功率晶闸管模块型号
安徽小功率晶闸管模块型号有很多种，下面列举一些常见的型号：
1. MTC-25A/600V：这是一款额定电流为25A，额定电压为600V的晶闸管模块，适用于小功率电器控制。
2. MTC-40A/800V：这是一款额定电流为40A，额定电压为800V的晶闸管模块，具有较高的电流和电压承受能力，适用于中等功率电器控制。
3. MTC-60A/1200V：这是一款额定电流为60A，额定电压为1200V的晶闸管模块，适用于较大功率电器控制，如电动机控制等。
4. MTC-100A/1600V：这是一款额定电流为100A，额定电压为1600V的晶闸管模块，具有较高的电流和电压承受能力，适用于大功率电器控制，如高压电器控制等。
5. MTC-150A/2200V：这是一款额定电流为150A，额定电压为2200V的晶闸管模块，适用于极大功率电器控制，如大型电机控制等。
以上仅是安徽小功率晶闸管模块常见的几种型号，实际上还有很多其他型号，可以根据不同的需求进行选择。
可控硅MTC160A
典型应用： ● ● ● ● 加热控制器 交直流电机控制 各种整流电源 交流开关 ● UPS 电源 ● 电焊机 ● 电机软启动
符号 IT(AV) IT(RMS) VDRM VRRM IDRM IRRM ITSM I2t VTO RT VTM dv/dt di/dt IGT VGT IH
参数 通态平均电流 方均根电流 断态重复峰值电压 反向重复峰值电压 断态重复峰值电流 反向重复峰值电流 通态不重复浪涌电 流 浪涌电流平均时间 积 门槛电压 斜率电阻 通态峰值电压 断态电压临界上升 率 通态电流临界上升 率 门极触发电流 门极触发电压 维持电流
杭州拓直电气有限公司 Hangzhou Tuozhi Electric Co., Ltd
可控硅模块 thyristor module MTC160 可控硅（晶闸管）模块
IT(AV) 160A VDRM/VRRM 600~1800V ITSM 5.4KA 2 IT 146 103A2S
产品特点： ● ● ● ● ● 芯片与底板电气绝缘，2500V 交流绝缘 优良的温度特性和功率循环能力 体积小，重量轻 国际标准封装 符合 CE、Rohs 认证
可控硅模块 thyristor module MTC160 0.2 V 0.17 0 0.08 ℃/W ℃/W V 2.0 3.0 -40 210 125 350 N·m N·m ℃ g
门极不触发电压 热阻抗（结至壳） 热阻抗（结至散） 绝缘电压 安装扭矩（M5） 安装扭矩（M6） 储存温度 质量
模块封装图（M234） ：
单位 A A V mA KA 103A 2 S V mΩ V V/μs A/μs mA V mA
ITM=480A VDM=67%VDRM ITM=480A 门极触发电流幅 值 IGM=1.5A，门极电流上 升时间 tr≤0.5μs VA=12V，IA=1A
可控硅晶闸管模块MTC160A1600V杭州国晶
160A
VDRM/VRRM 600~1800V
ITSM
5.4KA
I2T
146 103A2S
符号
参数
测试条件
IT(AV)
IT(RMS) VDRM VRRM IDRM IRRM ITSM
I2t VTO RT VTM dv/dt
di/dt
通态平均电流
方均根电流 断态重复峰值电压 反向重复峰值电压 断态重复峰值电流 反向重复峰值电流 通态不重复浪涌电流 浪涌电流平均时间积 门槛电压 斜率电阻 通态峰值电压 断态电压临界上升率
其中，模块所需散热面积为模块特性参数表中给出的参考值，散热器周长、截面积可以在散
热器厂家样本中查到，散热器长度为待求量。 郑重声明：目前市场上充斥着各种劣质散热器，请在购买是注意鉴别，如因使用劣质散热器 造成模块损坏或其他严重后果，我公司概不负责。
中国·杭州国晶电子科技有限公司
专业可控硅模块制造商
技术咨询：0571-56862135
≤0.5μs
IGT VGT IH VGD Rth(j-c) Rth(c-h)
Viso
Fm
门极触发电流 门极触发电压 维持电流 门极不触发电压 热阻抗（结至壳） 热阻抗（结至散）
绝缘电压
安装扭矩（M5） 安装扭矩（M6）
VA=12V，IA=1A
VDM=67%VDRM 180°正弦半波，单面散热 180°正弦半波，单面散热 50HZ ， R.M.S ， t=1min Iiso:1Ma(max)
GUOJINGKEJI
国晶科技
（可控硅模块）Thyristor Module
MTC160
特点： ■芯片与底板电气绝缘，2500V 交流绝缘 ■采用德国产玻璃钝化芯片焊接，优良的 温度特性和功率循环能力 ■体积小，重量轻 典型应用： ■加热控制器 ■交直流电机控制 ■各种整流电源 ■交流开关
普通晶闸管 可控硅模块 MTC200A1600V
4 3.5 3
Gate Trigger Zone at varies temperature 90$
-30°C -10°C 25°C 125°C
䮼ᵕ⬉य़,VGTˈ V
2.5 2 1.5 1 0.5 0 0 50
100
150
200
250
䮼ᵕ⬉⌕ ,IGT ˈmA
Fig.9 䮼ᵕࡳ⥛᳆㒓
Fig.10 䮼ᵕ㾺থ⡍ᗻ᳆㒓
MTC200A
特点
1). 芯片与底板电气绝缘，2500V交流电压 2). 全压接结构，优良的温度特性和功率循环能力 3). 体积小,重量轻
典型应用
1). 交直流电机控制 2). 各种整流电源 3). 变频器
IT(AV) VDRM/VRRM ITSM I2t
200A 600~1800V 7.2 A×103 259 A2S*103
外形尺寸图
214F3
216F3
401F
乐清市柳晶整流器有限公司（编）
普通晶闸管、可控硅模块
3/3
主要参数
符号 IT(AV) IT(RMS) VDRM VRRM IDRM IRRM ITSM It VTO rT VTM dv/dt di/dt IGT VGT IH VGD Rth(j-c) Rth(c-h) Viso Fm Tstg Wt Size
2
参数 通态平均电流 方均根电流 断态重复峰值电压 反向重复峰值电压 断态重复峰值电流 反向重复峰值电流 通态不重复浪涌电流 浪涌电流平方时间积 门槛电压 斜率电阻 通态峰值电压 断态电压临界上升率 通态电流临界上升率 门极触发电流 门极触发电压 维持电流 门极不触发电压 热阻抗(结至壳) 热阻抗(壳至散) 绝缘电压 安装扭矩(M8) 安装扭矩(M6) 贮存温度 质量 包装盒尺寸
Gate Trigger Zone at varies temperature 90$
-30°C -10°C 25°C 125°C
䮼ᵕ⬉य़,VGTˈ V
2.5 2 1.5 1 0.5 0 0 50
100
150
200
250
䮼ᵕ⬉⌕ ,IGT ˈmA
Fig.9 䮼ᵕࡳ⥛᳆㒓
Fig.10 䮼ᵕ㾺থ⡍ᗻ᳆㒓
MTC200A
特点
1). 芯片与底板电气绝缘，2500V交流电压 2). 全压接结构，优良的温度特性和功率循环能力 3). 体积小,重量轻
典型应用
1). 交直流电机控制 2). 各种整流电源 3). 变频器
IT(AV) VDRM/VRRM ITSM I2t
200A 600~1800V 7.2 A×103 259 A2S*103
外形尺寸图
214F3
216F3
401F
乐清市柳晶整流器有限公司（编）
普通晶闸管、可控硅模块
3/3
主要参数
符号 IT(AV) IT(RMS) VDRM VRRM IDRM IRRM ITSM It VTO rT VTM dv/dt di/dt IGT VGT IH VGD Rth(j-c) Rth(c-h) Viso Fm Tstg Wt Size
2
参数 通态平均电流 方均根电流 断态重复峰值电压 反向重复峰值电压 断态重复峰值电流 反向重复峰值电流 通态不重复浪涌电流 浪涌电流平方时间积 门槛电压 斜率电阻 通态峰值电压 断态电压临界上升率 通态电流临界上升率 门极触发电流 门极触发电压 维持电流 门极不触发电压 热阻抗(结至壳) 热阻抗(壳至散) 绝缘电压 安装扭矩(M8) 安装扭矩(M6) 贮存温度 质量 包装盒尺寸
可控硅模块MTC1200A
di/dt 通态电流临界上升率
IGT
门极触发电流
VGT
门极触发电压
IH
维持电流
VGD
门极不触发电压
测试条件
180°正弦半波，50HZ 单面散 热，Tc=85℃
VDRM&VRRM tp=10ms VDsM&VRsM= VDRM&VRRM+200V VDM= VDRM VRM= VRRM 10ms 底宽，正弦半波 VR=0.6 VRRM
MTC1200A
circuit Diagram：
M 1 0 76
散热形式：水冷型模块外型图 M1076S
M 1076S
杭州西整电力电子科技有限公司
Hangzhouxizheng Power electronics technology co. LTD.
Ver:XZ0318
第4页
可控硅（晶闸管）模块 Thyristor Module
1.70
100 1.2
单位 最大
1200 A 1884 A 1800 V
30 mA
24.0 2800 0.80 0.29 1.90 800
KA 103A2S
V mΩ
V V/μs
100 A/μs
200 mA
3.0
V
150 mA
0.2
V
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IT(AV) VDRM/VRRM ITSM I2t
1200A 600~1800V 24 KA 2800 103A2S
符号
参数
IT(AV)
普通晶闸管 可控硅模块 MTC55A1600V
2
ITM=170A VDM=67%VDRM ITM =110A, 门极触发电流幅值IGM=1.5A, 门极上升时间tr≤0.5μs VA=12V, IA=1A At 67%VDRM 180°正弦波, 单面散热 180°正弦波, 单面散热 50Hz, R.M.S, t=1min, Iiso:1mA(MAX)
䗮ᗕᑇഛ⬉⌕ IT(AV),A
Fig.5 ᳔ࡳ㗫Ϣᑇഛ⬉⌕݇㋏᳆㒓
Surge Current 1.25 Vs.Cycles ਼⊶᭄ n,@ 50Hz ⬉⌕ᑇᮍᯊ䯈鳥I2t,103A2S 䗮ᗕ⌾⍠⬉⌕ITSM,KA
MTC55A
特点
1). 芯片与底板电气绝缘，2500V交流电压 2). 全压接结构，优良的温度特性和功率循环能力 3). 体积小,重量轻
典型应用
1). 交直流电机控制 2). 各种整流电源 3). 变频器
IT(AV) VDRM/VRRM ITSM I2t
55A 600~1800V 1.25 A×103 7.8 A2S*103
测试条件 180°正弦半波,50Hz单面散热,Tc=85℃ VDRM&VRRM tp=10ms VDSM&VRSM= VDRM&VRRM+200V VDM= VDRM VRM= VRRM 10ms 正弦半波 VR=0.6VRRM
结温 Tj(℃) 125 125 125 125 125 125 600 最小
普通晶闸管、可控硅模块
3/3
25 125 125
25 125
0.8 20 0.2
外形为101F 210×113×42（10只装）
普通晶闸管、可控硅模块
1/3
MTC55A
性能曲线图
ITM=170A VDM=67%VDRM ITM =110A, 门极触发电流幅值IGM=1.5A, 门极上升时间tr≤0.5μs VA=12V, IA=1A At 67%VDRM 180°正弦波, 单面散热 180°正弦波, 单面散热 50Hz, R.M.S, t=1min, Iiso:1mA(MAX)
䗮ᗕᑇഛ⬉⌕ IT(AV),A
Fig.5 ᳔ࡳ㗫Ϣᑇഛ⬉⌕݇㋏᳆㒓
Surge Current 1.25 Vs.Cycles ਼⊶᭄ n,@ 50Hz ⬉⌕ᑇᮍᯊ䯈鳥I2t,103A2S 䗮ᗕ⌾⍠⬉⌕ITSM,KA
MTC55A
特点
1). 芯片与底板电气绝缘，2500V交流电压 2). 全压接结构，优良的温度特性和功率循环能力 3). 体积小,重量轻
典型应用
1). 交直流电机控制 2). 各种整流电源 3). 变频器
IT(AV) VDRM/VRRM ITSM I2t
55A 600~1800V 1.25 A×103 7.8 A2S*103
测试条件 180°正弦半波,50Hz单面散热,Tc=85℃ VDRM&VRRM tp=10ms VDSM&VRSM= VDRM&VRRM+200V VDM= VDRM VRM= VRRM 10ms 正弦半波 VR=0.6VRRM
结温 Tj(℃) 125 125 125 125 125 125 600 最小
普通晶闸管、可控硅模块
3/3
25 125 125
25 125
0.8 20 0.2
外形为101F 210×113×42（10只装）
普通晶闸管、可控硅模块
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MTC55A
性能曲线图
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可控硅（晶闸管）模块
Thyristor Module
attribute data
■芯片与底板电气绝缘，2500V 交流绝缘 ■采用德国产玻璃钝化芯片焊接，优良的温
度特性和功率循环能力 ■体积小，重量轻
typical application
■交流开关 ■交直流电机控制 ■加热控制器 ■各种整流电源
MTC600A
杭州西整电力电子科技有限公司
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Ver:XZ0318
第4页
可控硅（晶闸管）模块 ThyrA
matters needing attention: 1、模块实际负载电流大于 5A 时务必要加装散热器，需提供良好的通风条件。 2、工作环境温度高于 40℃时，应优化散热通风条件。 3、模块工作后会发热，在设备未断电及模块未完全冷却降温之前，严禁用手触摸模块
M565
MTC600A
0.055 0.022
℃/W ℃/W
2500
V
4.0±15%
N·m
5.0±15%
N·m
-40
125
℃
1870
g
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第2页
可控硅（晶闸管）模块 Thyristor Module
结温 Tj（℃） 最小
125 125 125 600
125 125 125
125
ITM=1800A
25
VDM=67%VDRM
125
ITM=1800A 门极 触发电 流幅值
IGM=1.5A，门极电流上升时间 125
tr≤0.5μs
30
VA=12V，IA=1A
25
1.0
20
VDM=67%VDRM
125
杭州西整电力电子科技有限公司
通态电流临界上升率
门极触发电流 门极触发电压 维持电流 门极不触发电压
测试条件
180°正弦半波，50HZ 单面散 热，Tc=85℃
VDRM&VRRM tp=10ms VDsM&VRsM= VDRM&VRRM+200V VDM= VDRM VRM= VRRM 10ms 底宽，正弦半波 VR=0.6 VRRM
1.1
3.0
V
150 mA
0.2
V
第1页
可控硅（晶闸管）模块
Thyristor Module
Rth(j-c) Rth(c-h)
热阻抗（结至壳） 热阻抗（结至散）
Viso
绝缘电压
Fm
Tsbg Wt Outline
安装扭矩（M5） 安装扭矩（M10） 储存温度 质量（约）
180°正弦半波，单面散热 180°正弦半波，单面散热 50HZ ， R.M.S ， t=1min Iiso:1mA(max) 与散热器固定
的任何部位。
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第5页
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参数值 典型
最大
单位
600
A
950
A
1600
1800
V
20
mA
13.0 KA
1430 103A2S
0.8
V
0.31 mΩ
1.6
1.7
V
800 V/μs
100 A/μs
70
200 mA
IT(AV) VDRM/VRRM ITSM I2t
600A 600~1800V 13.0 KA 1430 103A2S
符号
IT(AV)
IT(RMS) VDRM VRRM IDRM IRRM ITSM
I2t VTO RT VTM dv/dt
di/dt
IGT VGT IH VGD
参数
通态平均电流
方均根电流 断态重复峰值电压 反向重复峰值电压 断态重复峰值电流 反向重复峰值电流 通态不重复浪涌电流 浪涌电流平均时间积 门槛电压 斜率电阻 通态峰值电压 断态电压临界上升率
MTC600A
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第3页
可控硅（晶闸管）模块 Thyristor Module
Install Size Diagram:
MTC600A
circuit Diagram：
Thyristor Module
attribute data
■芯片与底板电气绝缘，2500V 交流绝缘 ■采用德国产玻璃钝化芯片焊接，优良的温
度特性和功率循环能力 ■体积小，重量轻
typical application
■交流开关 ■交直流电机控制 ■加热控制器 ■各种整流电源
MTC600A
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可控硅（晶闸管）模块 ThyrA
matters needing attention: 1、模块实际负载电流大于 5A 时务必要加装散热器，需提供良好的通风条件。 2、工作环境温度高于 40℃时，应优化散热通风条件。 3、模块工作后会发热，在设备未断电及模块未完全冷却降温之前，严禁用手触摸模块
M565
MTC600A
0.055 0.022
℃/W ℃/W
2500
V
4.0±15%
N·m
5.0±15%
N·m
-40
125
℃
1870
g
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可控硅（晶闸管）模块 Thyristor Module
结温 Tj（℃） 最小
125 125 125 600
125 125 125
125
ITM=1800A
25
VDM=67%VDRM
125
ITM=1800A 门极 触发电 流幅值
IGM=1.5A，门极电流上升时间 125
tr≤0.5μs
30
VA=12V，IA=1A
25
1.0
20
VDM=67%VDRM
125
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通态电流临界上升率
门极触发电流 门极触发电压 维持电流 门极不触发电压
测试条件
180°正弦半波，50HZ 单面散 热，Tc=85℃
VDRM&VRRM tp=10ms VDsM&VRsM= VDRM&VRRM+200V VDM= VDRM VRM= VRRM 10ms 底宽，正弦半波 VR=0.6 VRRM
1.1
3.0
V
150 mA
0.2
V
第1页
可控硅（晶闸管）模块
Thyristor Module
Rth(j-c) Rth(c-h)
热阻抗（结至壳） 热阻抗（结至散）
Viso
绝缘电压
Fm
Tsbg Wt Outline
安装扭矩（M5） 安装扭矩（M10） 储存温度 质量（约）
180°正弦半波，单面散热 180°正弦半波，单面散热 50HZ ， R.M.S ， t=1min Iiso:1mA(max) 与散热器固定
的任何部位。
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参数值 典型
最大
单位
600
A
950
A
1600
1800
V
20
mA
13.0 KA
1430 103A2S
0.8
V
0.31 mΩ
1.6
1.7
V
800 V/μs
100 A/μs
70
200 mA
IT(AV) VDRM/VRRM ITSM I2t
600A 600~1800V 13.0 KA 1430 103A2S
符号
IT(AV)
IT(RMS) VDRM VRRM IDRM IRRM ITSM
I2t VTO RT VTM dv/dt
di/dt
IGT VGT IH VGD
参数
通态平均电流
方均根电流 断态重复峰值电压 反向重复峰值电压 断态重复峰值电流 反向重复峰值电流 通态不重复浪涌电流 浪涌电流平均时间积 门槛电压 斜率电阻 通态峰值电压 断态电压临界上升率
MTC600A
杭州西整电力电子科技有限公司
Hangzhouxizheng Power electronics technology co. LTD.
Ver:XZ0318
第3页
可控硅（晶闸管）模块 Thyristor Module
Install Size Diagram:
MTC600A
circuit Diagram：