第三章习题解答(模电康第五版)
模电第五版第三章
集-射极反向截止电流ICEO
集电结反 偏有ICBO C
ICEO= IBE+ICBO ICEO受温度影响
很大，当温度上 升时，ICEO增加 很快，所以IC也 相应增加。三极 管的温度特性较 差。 根据放大关系， 由于IBE的存 在，必有电流 IBE。
B
ICBO IBE
IBE
ICBO进入N 区，形成 IBE。
放大
1. 下列a~f电路哪些具有放大作用？
-VCC -VCC
Cb
Cb1 Rc
T
+ VCC
Rc
T
Rc
Rc Rc Rc R c C C b1 b1 C b1 Rb VBB
T T
Cb1 Rb
VBB
Rb2 C c
T
Cb2
Cb2 C b2 C T b2
VCC V CC
(c) (a) (e)
(d) (b) (于饱和区，此时IC 和IB 已不是 倍的关系。
3.1.4 BJT的主要参数
1. 电流放大系数 (1)共发射极直流电流放大系数 =（IC－ICEO）/IB≈IC / IB vCE=const
3.1.4 BJT的主要参数
1. 电流放大系数 (2) 共发射极交流电流放大系数 =IC/IBvCE=const
发射极开路时，集电结的反向饱和电流。 (2) 集电极发射极间的反向饱和电流ICEO ICEO=（1+ ）ICBO
ICBO
uA 即输出特性曲 + 线IB=0那条曲线所 对应的Y坐标的数 值。 ICEO也称为集 电极发射极间穿透 电流。
b
c e
b c
ICEO
uA +
V e CC Ie =0
模拟电子技术第五版第三章
O uO
t
O 图 3.3.1 零点漂移现象
t
二、抑制温度漂移的方法：
(1) 引入直流负反馈以稳定 Q 点；
(2) 利用热敏元件补偿放大器的零漂；
R1 R + uI
iC1 T1 Re
Rc
+VCC + uO
uB1 T2 R2
图
利用热敏元件补偿零漂
(3) 采用差分放大电路。
3.3.2
差分放大电路
26 26 200 (1 ) 200 51 Ω 1 .58kΩ IE 0 .96
ri 2
I b1
I c1
Ib2
Ic2
+
。 Ui
rbe1
rbe2 +
U _o1
.
+
RB1
RE1
_
RB RB1 2
RC2
RE1
Uo
.
_
26 26 rbe1 200 (1 β 1) 200 (1 50) 3 kΩ IE1 0 .49
RB1
C3 +
+
. Ui
C2 +
T2
+
–
43k 7.5k
RB2
510 . RE1 Uo + RE2
CE –
第一级是射极输出器:
UCC UBE 24 0.6 I B1 mA 9.8 μA RB1 (1 β ) RE1 1000 (1 50) 27
静态分析
由于Rb较小，其上的电压降 可忽略不计。
uI2
uI1
IE1=IE2=(UEE―UBE)∕2Re ；
模拟电子技术(第五版)基础习题答案
第一章 常用半导体器件自 测 题一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。
（1）在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
（ ）（2）因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（ ） （3）PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（ ）（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
（ ） （5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R G S 大的特点。
（ ） （6）若耗尽型N 沟道MOS 管的U G S 大于零，则其输入电阻会明显变小。
（ ）解：（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）×二、选择正确答案填入空内。
（1）PN 结加正向电压时，空间电荷区将 。
A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 （2）设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程是 。
A. I S e U B. TU U I eS C. )1e (S －T U U I（3）稳压管的稳压区是其工作在 。
A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿（4）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 。
A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏（5）U G S ＝0V 时，能够工作在恒流区的场效应管有 。
A. 结型管 B. 增强型MOS 管 C. 耗尽型MOS 管 解：（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C三、写出图T1.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝0.7V。
图T1.3解：U O1≈1.3V，U O2＝0，U O3≈－1.3V，U O4≈2V，U O5≈1.3V，U O6≈－2V。
四、已知稳压管的稳压值U Z＝6V，稳定电流的最小值I Z m i n＝5mA。
求图T1.4所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
模电习题答案(第五版)
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电子技术基础模拟部分 第五版
第五章作业题解答
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电子技术基础模拟部分 第五版
第三章作业题解答
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电子技术基础模拟部分 第五版
第一章作业题解答
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《电子技术基础》康华光第五版模电课后问答题答案
第二章运算放大器2.1 集成电路运算放大器2.1.1答；通常由输入级，中间级，输出级单元组成，输入级由差分式放大电路组成，可以提高整个电路的性能。
中间级由一级或多级放大电路组成，主要是可以提高电压增益。
输出级电压增益为1，可以为负载提供一定的功率。
2.1.2答：集成运放的电压传输曲线由线性区和非线性区组成，线性区的直线的斜率即Vvo 很大，直线几乎成垂直直线。
非线性区由两条水平线组成，此时的Vo达到极值，等于V+或者V-。
理想情况下输出电压+Vom=V+,-Vom=V-。
2.1.3答：集成运算放大器的输入电阻r约为10^6欧姆，输出电阻r约为100欧姆，开环电压增益Avo约为10^6欧姆。
2.2 理想运算放大器2.2.1答：将集成运放的参数理想化的条件是：1.输入电阻很高，接近无穷大。
2.输出电阻很小，接近零。
3.运放的开环电压增益很大。
2.2.2答：近似电路的运放和理想运放的电路模型参考书P27。
2.3 基本线性运放电路2.3.1答:1.同相放大电路中，输出通过负反馈的作用，是使Vn自动的跟从Vp，使Vp≈Vn，或Vid=Vp-Vn≈0的现象称为虚短。
2.由于同相和反相两输入端之间出现虚短现象，而运放的输入电阻的阻值又很高，因而流经两输入端之间Ip=In≈0,这种现象称为虚断。
3.输入电压Vi通过R1作用于运放的反相端，R2跨接在运放的输出端和反相端之间，同相端接地。
由虚短的概念可知，Vn≈Vp=0,因而反相输入端的电位接近于地电位，称为虚地。
虚短和虚地概念的不同：虚短是由于负反馈的作用而使Vp≈Vn,但是这两个值不一定趋向于零，而虚地Vp,Vn接近是零。
2.3.2答：由于净输入电压Vid=Vi-Vf=Vp-Vm,由于是正相端输入，所以Vo为正值，Vo等于R1和R2的电压之和，所以有了负反馈电阻后，Vn增大了，Vp不变，所以Vid变小了，Vo 变小了，电压增益Av=Vo/Vi变小了。
由上述电路的负反馈作用，可知Vp≈Vn,也即虚短。
康华光第五版数电答案数电课后答案康华光第五版(完整)
康华光第五版数电答案数电课后答案康华光第五版(完整)第一章数字逻辑习题1．1数字电路与数字信号1.1.2 图形代表的二进制数 0001．1．4一周期性数字波形如图题所示，试计算：（1）周期；（2）频率；（3）占空比例MSBLSB 0121112（ms）解：因为图题所示为周期性数字波，所以两个相邻的上升沿之间持续的时间为周期，T=10ms 频率为周期的倒数，f=1/T=1/0.01s=100HZ 占空比为高电平脉冲宽度与周期的百分比，q=1ms/10ms*100%=10%1.2数制1.2.2将下列十进制数转换为二进制数，八进制数和十六进制数（要求转换误差不大于（2）127 （4）2.718 解：（2）（127）D=-1=（10000000）B-1=（1111111）B=（177）O=（7F）H（4）（2.718）D=(10.1)B=(2.54)O=(2.B)H1.4二进制代码1.4.1将下列十进制数转换为8421BCD码：（1）43（3）254.25 解：（43）D=（01000011）BCD1.4.3试用十六进制写书下列字符繁荣ASCⅡ码的表示：P28（1）+（2）@ （3）you (4)43 解：首先查出每个字符所对应的二进制表示的ASCⅡ码，然后将二进制码转换为十六进制数表示。
（1）“+”的ASCⅡ码为0011，则（00011）B=（2B）H（2）@的ASCⅡ码为1000000,(01000000)B=(40)H (3)you的ASCⅡ码为本1111001,1111,1101,对应的十六进制数分别为79,6F,75 (4)43的ASCⅡ码为0100,0110011,对应的十六紧张数分别为34,331.6逻辑函数及其表示方法1.6.1在图题1.6.1中，已知输入信号A，B`的波形，画出各门电路输出L的波形。
解: (a)为与非， (b)为同或非，即异或第二章逻辑代数习题解答2.1.1 用真值表证明下列恒等式 (3)（A⊕B）=AB+AB 解：真值表如下 A B AB +AB 0 0 01 011 011 0 0 0 01 01 0 0 0 011 0 0111 由最右边2栏可知，与+AB的真值表完全相同。
模电第五版课后答案
模电第五版课后答案第一章简介1.1 什么是模拟电子技术？模拟电子技术是研究模拟电子元器件、电路和系统的原理和设计方法的一门学科。
它主要研究电子元器件和电路在连续信号情况下的原理和应用。
1.2 为什么学习模拟电子技术？学习模拟电子技术有以下几个原因：•模拟电子技术在许多领域中都有广泛的应用，比如通信、医疗设备、汽车电子等。
•模拟电子技术是电子技术的基础，掌握了模拟电子技术可以更好地理解和应用其他领域的电子技术。
•对于电子工程师来说，模拟电子技术是必备的基本技能。
第二章模拟电子元器件2.1 电阻器电阻器是一种常见的电子元器件，其主要功能是阻碍电流流过。
常见的电阻器有稳态电阻器、变阻器等。
2.2 电容器电容器是一种存储电荷的元器件。
电容器的主要特性有容量、介质、工作电压等。
2.3 电感器电感器是一种储存电能的元器件。
它主要由线圈组成，具有自感和互感等特性。
第三章模拟电路基础3.1 基本电路元件模拟电路基础中的基本电路元件包括电阻、电容、电感。
3.2 电路定理小结电路定理是研究电路行为和性质的基本理论。
常见的电路定理有欧姆定律、基尔霍夫定律、戴维南定理等。
第四章放大电路基础知识4.1 放大电路的基本概念放大电路是指通过放大输入信号的幅度来获得输出信号的电路。
放大电路常用于信号放大、功率放大等应用。
4.2 放大电路的分类放大电路可以分为线性放大电路和非线性放大电路两大类。
第五章放大电路的分析与设计5.1 放大电路的基本分析方法放大电路的基本分析方法包括小信号模型、频率响应等。
5.2 放大电路的设计方法放大电路的设计方法主要包括增益的设计、频率响应的设计等。
以上是《模电第五版》中第一章至第五章的课后答案摘要。
希望对你的学习有所帮助！。
康华光《电子技术基础-模拟部分》（第5版）笔记和课后习题（含考研真题）..
目 录第1章 绪 论1.1 复习笔记1.2 课后习题详解1.3 名校考研真题详解第2章 运算放大器2.1 复习笔记2.2 课后习题详解2.3 名校考研真题详解第3章 二极管及其基本电路3.1 复习笔记3.2 课后习题详解3.3 名校考研真题详解第4章 双极结型三极管及放大电路基础4.1 复习笔记4.2 课后习题详解4.3 名校考研真题详解第5章 场效应管放大电路5.1 复习笔记5.2 课后习题详解5.3 名校考研真题详解第6章 模拟集成电路6.1 复习笔记6.2 课后习题详解6.3 名校考研真题详解第7章 反馈放大电路7.1 复习笔记7.2 课后习题详解7.3 名校考研真题详解第8章 功率放大电路8.1 复习笔记8.2 课后习题详解8.3 名校考研真题详解第9章 信号处理与信号产生电路9.1 复习笔记9.2 课后习题详解9.3 名校考研真题详解第10章 直流稳压电源10.1 复习笔记10.2 课后习题详解10.3 名校考研真题详解第11章 电子电路的计算机辅助分析与设计第1章 绪 论1.1 复习笔记一、电子系统与信号电子系统指若干相互连接、相互作用的基本电路组成的具有特定功能的电路整体。
信号是信息的载体，按照时间和幅值的连续性及离散性可把信号分成4类：①时间连续、数值连续信号，即模拟信号；②时间离散、数值连续信号；③时间连续、数值离散信号；④时间离散、数值离散信号，即数字信号。
二、信号的频谱任意满足狄利克雷条件的周期函数都可展开成傅里叶级数(含有直流分量、基波、高次谐波)，从这种周期函数中可以取出所需要的频率信号，过滤掉不需要的频率信号，也可以过滤掉某些频率信号，保留其它频率信号。
幅度频谱：各频率分量的振幅随频率变化的分布。
相位频谱：各频率分量的相位随频率变化的分布。
三、放大电路模型信号放大电路是最基本的模拟信号处理电路，所谓放大作用，其放大的对象是变化量，本质是实现信号的能量控制。
放大电路有以下4种类型：1．电压放大电路电路的电压增益为考虑信号源内阻的电压增益为2．电流放大电路电路的电流增益为考虑信号源内阻的电压增益为3．互阻放大电路电路的互阻增益为4．互导放大电路电路的互导增益为四、放大电路的主要性能指标1输入电阻：输入电压与输入电流的比值，即对输入为电压信号的放大电路，R i越大越好；对输入为电流信号的放大电路，R i越小越好。
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RL vL
-
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3.4.5 如图，试判断二极管是导通还是截止，并求 出AO两端电压VAO，设二极管是理想的。
解：
D
A
6V
3kΩ
VAO 6V VAO 12V VAO 0V
D
A
15V
3kΩ
12V O
D1 D2
12V O
D1 D2
A
3kΩ
A
3kΩ
15V
vo t V
8 6
200 D
+ +
vI t
—
200
vo t
—
6V
vI t V
10
0
3
5 t ms
0
5 t ms
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3.5.1 电路如图，所有稳压管均为硅管，且稳定电 压VZ=8V，设vi=15sinωtV，试绘出vo1和vo2的波形。
当15V≥vi≥8.7V时，vo2 = 8.7V
当-8.7V< vi < 8.7V时，vo2 = vi 当-15V≤vi ≤-8.7V时，vo2 = -8.7V
3k
+
v 15
+
8.7
0
R
vi vo2
t
vi
—
D Z1 D Z2
vo2
—
8.7
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3.5.2 稳压电路如图，（1）试近似写出稳压管的耗 散功率PZ的表达式，并说明输入VI和负载RL在何种情 况下，PZ达到最大值或最小值；（2）写出负载吸收 的功率表达式和限流电阻R消耗的功率表达式。 VI VZ VZ 解：（1）PZ VZ I Z VZ I R I O VZ R RL VI 1 1 I R R IO VZ VZ R R RL + IZ + 当VI最大，且RL开路时， VO DZ VI RL VI VZ PZmax VZ — — R 无最小值
12V O
VAO 6V
6V
12V O
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3.4.7 二极管电路如图所示，设输入电压vI(t)波形 如图所示，在0 < t < 5ms的时间间隔内，试绘出vO(t) 的波形，设二极管是理想的。 200 D
解：当vI(t)<6V，即t<3ms时，
+
+
D截止，vo (t)=6V ；
vs
3.4.2 如图，电源vs为正弦波电压， 试绘出负载RL两端的电压波形，设二 极管是理想的。 解：vs在正半周时，D2、D4导通， D1、D3截止，vL = vs ； vs在负半周时， D1、D3导通， D2、D4截止， vL = -vs 。
+
0
vL
2
t
0
2
t
D1
D2
+
vs
-
D4
D3
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VZ2 （2）负载RL吸收的功率表达式： PL VZ I O RL
限流电阻R消耗的功率表达式：
VI VZ V PR VR I R R R
2 R
2
IR
+
R
IO
IZ + DZVO— NhomakorabeaVI
—
RL
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当vI(t)≥6V，即3ms≤t≤5ms时， D导通，于是
vI t 6 iD 200 200
vI t
—
200
vo t
—
6V
vI t V
10
0
5 t ms
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vI t 6 vo t 200 6 200 200 1 vI t 3 2
解：当15V≥vi≥8V时，vo1 = 8V 当-0.7V< vi < 8V时，vo1 = vi 当-15V≤vi ≤-0.7V时，vo1 = -0.7V
15
v
8
vi vo1
t
3k
+
3k
+ +
R
DZ
R
+
0.7
0
vi
—
vo1 vi
— —
D Z1 D Z2
vo2
—
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