模拟电子技术基础(第三版)童诗白
模拟电子技术基础(童诗白 华成英)课后答案第3章
第三章 多级放大电路自 测 题一、判断下列说法是否正确，凡对的在括号内打“√”，否则打“×”。
（1）现测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数均为－100，将它们连成两级放大电路，其电压放大倍数应为10000。
( )（2）阻容耦合多级放大电路各级的Q 点相互独立，( )它只能放大交流信号。
( )（3）直接耦合多级放大电路各级的Q 点相互影响，( )它只能放大直流信号。
( )（4）只有直接耦合放大电路中晶休管的参数才随温度而变化。
( ) （5）互补输出级应采用共集或共漏接法。
( )解：（1）× （2）√ √ （3）√ × （4）× （5）√二、现有基本放大电路：A.共射电路B.共集电路C.共基电路D.共源电路E.共漏电路根据要求选择合适电路组成两级放大电路。
（1）要求输入电阻为1k Ω至2k Ω，电压放大倍数大于3000，第一级应采用 ，第二级应采用 。
（2）要求输入电阻大于10M Ω，电压放大倍数大于300，第一级应采用 ，第二级应采用 。
（3）要求输入电阻为100k Ω～200k Ω，电压放大倍数数值大于100，第一级应采用 ，第二级应采用 。
（4）要求电压放大倍数的数值大于10，输入电阻大于10M Ω，输出电阻小于100Ω，第一级应采用 ，第二级应采用 。
（5）设信号源为内阻很大的电压源，要求将输入电流转换成输出电压，且1000io ＞I U A ui &&&=，输出电阻R o ＜100，第一级应采用 ，第二级应采用 。
解：（1）A ，A （2）D ，A （3）B ，A （4）D ，B （5）C ，B三、选择合适答案填入空内。
（1）直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是 。
A .电阻阻值有误差 B .晶体管参数的分散性 C .晶体管参数受温度影响 D .电源电压不稳定 （2）集成放大电路采用直接耦合方式的原因是 。
A .便于设计B .放大交流信号C .不易制作大容量电容（3）选用差分放大电路的原因是 。
模拟电子技术-童诗白版
详细描述
电感的基本单位是亨利（H），由导线绕成线圈或空心线圈制成。电感在电路中的作用是储存磁场能量， 实现电流的延迟和过滤，从而控制交流信号的相位和频率。电感在滤波、振荡、调谐等电路中广泛应用。
二极管
总结词
二极管是电子电路中常用的半导体器件，具有单向导电性。
详细描述
二极管是由一个PN结半导体材料制成的器件，具有正向导通、反向截止的特性。二极管在电路中主要用于整流、 检波、开关等作用，能够实现电流的单向流动控制。不同类型的二极管还有稳压、光电等特殊功能。
模拟电子技术-童诗白版
• 绪论 • 电子器件基础 • 放大电路 • 集成运算放大器 • 反馈放大电路 • 振荡电路与调制解调电路
01
绪论
模拟电子技术的定义与重要性
模拟电子技术是研究模拟电路及其应用的科学技术，它通过 处理连续变化的电压或电流信号来模拟现实世界中的各种物 理量，如声音、温度、压力等。
调制解调电路的应用
调制解调电路在通信、广播、电视等领域有着广泛的 应用。例如，在无线电广播中，音频信号通过调制解 调电路调制到高频载波上，然后通过天线发射出去， 听众可以使用收音机接收并解调出音频信号。在电视 广播中，视频和音频信号也是通过调制解调电路调制 到高频载波上，然后传输到各个电视接收终端，观众 可以使用电视机接收并解调出视频和音频信号。
用于电压、电流、电阻 等的测量，实现模拟量
的测量和转换。
05
反馈放大电路
反馈放大电路的基本概念
反馈放大电路
通过引入反馈网络，将输 出信号的一部分或全部反 馈到输入端，从而改变放 大电路的性能。
反馈的作用
改善放大电路的性能，如 提高稳定性、减小失真、 扩展带宽等。
反馈的分类
模拟电子技术基础完整(第三版)童诗白、华成英(全)ppt课件
变化。
二极管
二、本征半导体的晶体结构
完全纯净的、不含其他杂质且具有晶体结构的半导体
称为本征半导体
+4
+4
+4
将硅或锗材料提
纯便形成单晶体，
共 价
它的原子结构为 键
+4
+4
价 电 子
+4
共价键结构。
+4
当温度 T = 0 K 时，半导 体不导电，如同绝缘体。 图 1.1.1
+4
+4
本征半导体结构示意图
(a)N 型半导体
(b) P 型半导体
图 杂质半导体的的简化表示法
1.1.3 PN结
在一块半导体单晶上一侧掺杂成为 P 型半导体，另 一侧掺杂成为 N 型半导体，两个区域的交界处就形成了 一个特殊的薄层，称为 PN 结。
一、PN 结的形成
P
PN结
N
图 PN 结的形成
PN 结中载流子的运动
1. 扩散运动
本征半导体掺入 5 价元素后，原来晶体中的某些 硅原子将被杂质原子代替。杂质原子最外层有 5 个价 电子，其中 4 个与硅构成共价键，多余一个电子只受 自身原子核吸引，在室温下即可成为自由电子。
+4
+4
+4
自由电子
+4
+45
+4
施主原子
+4
+4
+4
图 1.1.3 N 型半导体
5 价杂质原子称为施主原子。
5. 载流子的浓度与温度密切相关，它随着温度的升 高，基本按指数规律增加。
1.1.2 杂质半导体
杂质半导体有两种
《模拟电子技术(童诗白)》课件ppt
V
-
uR
t
V UD
幅值由rd与R
分压决定
t
例题1：试求输出电压uo。
－12V
解：两个二极管存在优先 导通现象。
R
D1 －5V
D2 0V
D2导通，D1截止。
Si : Uon 0.7V uo Ge : Uon 0.2V
Si : uo 5.7V
?
Ge : uo 5.2V
例题2：试画出电压uo的波形。
EGO：热力学零度时破坏共价键所需的能量，又称 禁带宽度 （Si：1.21eV，Ge：0.785eV）；
T=300K时，本征半导体中载流子的浓度比较低， 导电能力差。Si：1.43×1010cm-3 Ge：2.38×1013cm-3
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二、杂质半导体
掺入微量杂质，可使半导体导电性能大大增强。按 掺入杂质元素不同，可形成N型半导体和P型半导体。
晶体结构是指晶体的周期性
§1.1 半导体基础知识
结构。即晶体以其内部原子、 离子、分子在空间作三维周
一、本征半导体
期性的规则排列为其最基本 的结构特征
纯净的具有晶体结构的半导体称为本征半导体。
1、半导体
根据材料的导电能
si
力，可以将他们划分为
GGee
导体、绝缘体和半导体。
典型的半导体是硅Si和 锗Ge，它们都是四价元
i
u IZmin
正向导通与
一定值时，稳压管就不会因发 热而损坏。
二极管相同 等效电路：
D1
u
符号：
D2
UZ rz
DZ
2、主要参数
（1）稳压值UZ；
（2）稳定电流IZ（IZmin）：电流小于此值时稳压效
模电童诗白课件ppt
选用电子器件需要根据电路需求和性 能指标，选择合适的型号和规格，以 确保电路的正常工作和稳定性。
电子器件的特性
电子器件的特性包括伏安特性、频率 特性、时间常数等，这些特性决定了 电子器件在电路中的行为和功能。
放大电路基础
放大电路的作用
放大电路的作用是将微弱的电信号放大成较强的信号，以满足各种 应用需求，如音频放大、视频处理等。
反馈电路
反馈的概念和分类
反馈是指将电路的输出信号反馈 到输入端，以改变电路的性能。 根据反馈的性质，可以分为正反
馈和负反馈。
反馈电路的分析
通过使用方框图、根轨迹法和频 率响应等方法，对含有反馈的模
拟电路进行分析。
反馈的应用
研究反馈在模拟电路中的应用， 如放大器、振荡器和滤波器等， 以及如何通过反馈来改进电路的
，例如手机芯片、MEMS传感器等。
03
微纳电子学的发展趋势
随着技术的不断发展，微纳电子学正朝着更高集成度、更低功耗、更小
尺寸等方向发展，为信息技术领域带来更多的创新和突破。
绿色能源电子学
绿色能源电子学概述
绿色能源电子学是研究利用可再生能源进行电力转换和应用的科学，旨在促进可持续发展 。
绿色能源电子学的应用
模电童诗白课件
汇报人： 202X-12-30
目录
• 引言 • 模拟电子技术基础 • 模拟电路分析 • 模拟电路应用 • 模拟电子技术发展前沿
引言
课程简介
模电童诗白课件是一门针对儿童学习 模拟电路的课程，通过简单易懂的方 式向儿童介绍模拟电路的基本概念、 原理和应用。
该课程以儿童易于理解的语言和情势 ，通过生动有趣的课件，激发儿童对 模拟电路的兴趣和好奇心，培养他们 的科学素养和创新能力。
模拟电子技术基础童诗白第3版习题答案第八章
第八章 波形的发生和信号的转换自测题一、（1）√ （2）× （3）× （4）× 二、（a ）加集电极电阻R c 及放大电路输入端的耦合电容。
（b ）变压器副边与放大电路之间加耦合电容，改同铭端。
三、④、⑤与⑨相连，③与⑧相连，①与⑥相连，②与⑦相连。
四、（1）正弦波振荡电路 （2）同相输入过零比较器 （3）反相输入积分运算电路 （4）同相输入滞回比较器 五、图（b＝±0.5 U 。
六、（1）A 1：滞回比较器；A 2：积分运算电路。
（2）（3）)()(2000)()(11O 12O11O 12O14O t u t t u t u t t uCR u +--=+--= （4）（5）减小R 4、C 、R 1，增大R 2。
习题8.1 （1）√ （2）× （3）× （4）× （5）× （6）√ 8.2 （1）× （2）√ （3）√ （4）× （5）√ （6）×8.3 （1）A （2）B （3）C8.4 （1）B A C （2）B C A （3）B 8.5 （a ）可能产生正弦波振荡。
因为共射放大电路输出电压和输入电压反相（φA ＝－180o ），而三级移相电路为超前网络，最大相移为＋270o ，因此存在使相移为＋180o （φF ＝＋180o ）的频率，即存在满足正弦波振荡相位条件的频率f 0（此时φA ＋φF ＝0o ）；且在f ＝f 0时有可能满足起振条件F A＞1，故可能产生正弦波振荡。
（b ）可能产生正弦波振荡。
因为共射放大电路输出电压和输入电压反相（φA ＝－180o ），而三级移相电路为滞后网络，最大相移为－270o ，因此存在使相移为－180o （φF ＝＋180o ）的频率，即存在满足正弦波振荡相位条件的频率f 0（此时φA ＋φF ＝－360o ）；且在f ＝f 0时有可能满足起振条件F A＞1，故可能产生正弦波振荡。
模拟电子技术基础童诗白第三版共61页文档
51、没有哪个社会可以制订一部永远 适用的 宪法， 甚至一 条永远 适用的 法律。 ——杰 斐逊 52、法律源于人的自卫本能。——英 格索尔
53、人们通常会发现，法律就是这样 一种的 网，触 犯法律 的人， 小的可 以穿网 而过， 大的可 以破网 而出， 只有中 等的才 会坠入 网中。 ——申 斯通 5；它的 每一块 砖石都 垒在另 一块砖 石上。 ——高 尔斯华 绥 55、今天的法律未必明天仍是法律。 ——罗·伯顿
66、节制使快乐增加并使享受加强。 ——德 谟克利 特 67、今天应做的事没有做，明天再早也 是耽误 了。——裴斯 泰洛齐 68、决定一个人的一生，以及整个命运 的，只 是一瞬 之间。 ——歌 德 69、懒人无法享受休息之乐。——拉布 克 70、浪费时间是一桩大罪过。——卢梭
模拟电子技术(童诗白)基础习题答案
第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
( ×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证R大的特点。
( √)其GSU大于零，则其输入电阻会明显变小。
( ×) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=0.7V。
图T1.3四、已知稳压管的稳压值U Z =6V ，稳定电流的最小值I Zmin =5mA 。
求图Tl.4 所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
(a) (b)图T1.4解：左图中稳压管工作在击穿状态，故U O1=6V 。
右图中稳压管没有击穿，故U O2=5V 。
五、电路如图T1.5所示，V CC =15V ，β=100，U BE =0.7V 。
试问：(1)R b =50k Ω时，U o=?(2)若T 临界饱和，则R b =?解：(1)26BB BEB bV U I A R μ-==，2.6C B I I mA β==,2O CC C c U V I R V =-=。
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PNJunction
半导体的导电机理不同于其它物质，所以它 具有不同于其它物质的特点。例如：
当受外界热和光的作用时，
它的导电能力明显变化。
光敏器件
往纯净的半导体中掺入某些杂质，
会使它的导电能力和内部结构发生
版 童 诗 白
5.晶体管是通过什么方式来控制集电极电流的？场效 应管是通过什么方式来控制漏极电流的？为什么它 们都可以用于放大？来自1.1 半导体的基础知识
一、导体、半导体和绝缘体
导体：自然界中很容易导电的物质称为导体，金属 一般都是导体。
绝缘体：有的物质几乎不导电，称为绝缘体，如橡 皮、陶瓷、塑料和石英。
康华光主编，《电子技术基础》 模拟部分 第三版，高教出版社
陈大钦主编，《模拟电子技术基础问答：例题 • 试题》，华工出版社
.
目录
1 常用半导体器件
2 基本放大电路
3 多级放大电路
4 集成运算放大电路
5 放大电路的频率响应
6 放大电路中的反馈
第
三
7 信号的运算和处理
版
8 波形的发生和信号的转换
童
诗
9 功率放大电路
本征锗的电子和空穴浓度:
n = p =2.38×1013/cm3 .
小结
1. 半导体中两种载流子
带负电的自由电子 带正电的空穴
2. 本征半导体中，自由电子和空穴总是成对出现， 称为 电子 - 空穴对。
3. 本征半导体中自由电子和空穴的浓度用 ni 和 pi 表示，显然 ni = pi 。
4. 由于物质的运动，自由电子和空穴不断的产生又 不断的复合。在一定的温度下，产生与复合运动 会达到平衡，载流子的浓度就一定了。
.
自由电子浓度远大于空穴的浓度，即 n >> p 。 电子称为多数载流子(简称多子)， 空穴称为少数载流子(简称少子)。
.
二、 P 型半导体
在硅或锗的晶体中掺入少量的 3 价杂质元素，如 硼、镓、铟等，即构成 P 型半导体。
+4
+4
+4
3 价杂质原子称为
空穴
受主原子。
+4
+34
+4 受主
空穴浓度多于电子
原子
浓度，即 p >> n。空穴
为多数载流子，电子为
+4
+4
+4
少数载流子。
图 1.1.4 P 型半导体 .
说明：
1. 掺入杂质的浓度决定多数载流子浓度；温度决 定少数载流子的浓度。
2. 杂质半导体载流子的数目要远远高于本征半导 体，因而其导电能力大大改善。
3. 杂质半导体总体上保持电中性。
4. 杂质半导体的表示方法如下图所示。
P
N
电子和空穴
浓度差形成多数
载流子的扩散运
动。
2. 扩散运动 形成空间电荷区
耗尽层
P
空间电荷区
N
—— PN 结，耗 尽层。
5. 载流子的浓度与温度密切相关，它随着温度的升 高，基本按指数规律增加。
.
1.1.2 杂质半导体
杂质半导体有两种
N 型半导体 P 型半导体
一、 N 型半导体(Negative)
在硅或锗的晶体中掺入少量的 5 价杂质元素，如 磷、锑、砷等，即构成 N 型半导体(或称电子型 半导体)。
常用的 5 价杂质元素有磷、锑、砷等。
三、本征半导体中的两种载流子
若 T ，将有少数价
T
电子克服共价键的束缚成
为自由电子，在原来的共 +4
+4
价 键 中 留 下 一 个 空 位 ——
空穴。
空穴
自由电子和空穴使本 +4
+4
征半导体具有导电能力，
但很微弱。
+4
+4
+4 自由电子
+4
+4
空穴可看成带正电的 载流子。
图 1.1.2
.
本征半导体中的 自由电子和空穴
白
10 直流电源
第一章 常用半导体器件
1.1 半导体基础知识 1.2 半导体二极管 1.3 双极型晶体管 第 1.4 场效应管
三
版 1.5 单结晶体管和晶闸管
童
诗 1.6集成电路中的元件
白
本章重点和考点：
1.二极管的单向导电性、稳压管的原理。
2.三极管的电流放大原理， 如何判断三极管的管型 、管脚和管材。
变化。
二极管
.
二、本征半导体的晶体结构
完全纯净的、不含其他杂质且具有晶体结构的半导体
称为本征半导体
+4
+4
+4
将硅或锗材料提
纯便形成单晶体，
共 价
它的原子结构为 键
+4
+4
价 电 子
+4
共价键结构。
+4
当温度 T = 0 K 时，半导 体不导电，如同绝缘体。 图 1.1.1
.
+4
+4
本征半导体结构示意图
第
3.场效应管的分类、工作原理和特性曲线。
三
版
童
诗
白
本章讨论的问题：
1.为什么采用半导体材料制作电子器件？
2.空穴是一种载流子吗？空穴导电时电子运动吗？
3.什么是N型半导体？什么是P型半导体？ 当二种半导体制作在一起时会产生什么现象？
第
4.PN结上所加端电压与电流符合欧姆定律吗？它为什么
三
具有单向性？在PN结中另反向电压时真的没有电流吗？
莆田学院三电教研室－－模拟电路多媒体课件
第一章 常用半导体器件
模拟电子技术基础
Fundamentals of Analog Electronics
童诗白、华成英 主编
—多媒体教学课件
.
1. 成绩评定标准
理论： 平时成绩30％
作业、期中考、考勤、提问 等
期末考试
70 %
2. 教学参考书
童诗白主编，《模拟电子技术基础》 第二版，高教出版社
（动画1-1）（动画1-2）
四、本征半导体中载流子的浓度
本征激发(见动画) 复合
动态平衡
在一定温度下本征半导体中载流子的浓度是一定的， 并且自由电子与空穴的浓度相等。
本征半导体中载流子的浓度公式：
ni= pi= K1T3/2 e -EGO/(2KT)
T=300 K室温下,本征硅的电子和空穴浓度:
n = p =1.43×1010/cm3
(a)N 型半导体
(b) P 型半导体
图 杂质半导体的的简化表示法
.
1.1.3 PN结
在一块半导体单晶上一侧掺杂成为 P 型半导体，另 一侧掺杂成为 N 型半导体，两个区域的交界处就形成了 一个特殊的薄层，称为 PN 结。
一、PN 结的形成
P
PN结
N
图 PN 结. 的形成
PN 结中载流子的运动
1. 扩散运动
.
本征半导体掺入 5 价元素后，原来晶体中的某些 硅原子将被杂质原子代替。杂质原子最外层有 5 个价 电子，其中 4 个与硅构成共价键，多余一个电子只受 自身原子核吸引，在室温下即可成为自由电子。
.
+4
+4
+4
自由电子
+4
+45
+4
施主原子
+4
+4
+4
图 1.1.3 N 型半导体
5 价杂质原子称为施主原子。