1章 模电常用半导体器件题解
模电第1章常用的半导体器件资料
1.2 半导体二极管
1.2.1 半导体二极管的结构、 1．结构符号 二极管的结构外形及在电路中的文字符号如图1.9 所示,在图1.9(b)所示电路符号中,箭头指向为正向导通 电流方向。
外壳
(阳极)
＋
PN
(阴极)
－
阳极引线
阴极引线
(a)
(阳极) V
＋
(阴极)
－
(b)
2AP 2C P
2CZ54 2CZ13
(c)
2C Z30
图1.9 二极管结构、 (a)结构；(b)符号；(c)外形
2．类型 (1）按材料分:有硅二极管,锗二极管和砷化镓二极 管等。 (2）按结构分:根据PN结面积大小,有点接触型、面 接触型二极管。 (3）按用途分:有整流、稳压、开关、发光、光电、 变容、阻尼等二极管。 (4）按封装形式分:有塑封及金属封等二极管。 (5）按功率分:有大功率、中功率及小功率等二极管。
图1.10 半导体器件的型号组成
1.2.3 半导体二极管的伏安特性
半导体二极管的核心是PN结,它的特性就是PN结的特 性——单向导电性。常利用伏安特性曲线来形象地描 述二极管的单向导电性。
若以电压为横坐标,电流为纵坐标,用作图法把电压、 电流的对应值用平滑的曲线连接起来,就构成二极管的 伏安特性曲线,如图1.11所示（图中虚线为锗管的伏安 特性,实线为硅管的伏安特性）。下面对二极管伏安特 性曲线加以说明。
V
＋ 3V
－
2CZ54C S
H R
V
＋
2CZ54C H
U
3V
－
R
S
(a)
(b)
模拟电子线路习题回答-1半导体器件
第一章 半导体器件1.1 选择填空（只填a,b,c,…,以下类同）(1) N 型半导体中多数载流子是 b ，P 型半导体中多数载流子是 a 。
（a.空穴，b.电子）(2) N 型半导体 c ，P 型半导体 c 。
（a.带正电，b.带负电，c.呈中性） (3) PN 结中扩散电流的方向是 a ，漂移电流的方向是 b 。
（a.从P 区到N 区，b. 从N 区到P 区）(4) 二极管的伏安特性是I= c 。
（a.KU 2，b. KU 3/2，c. )1(/−T U U e K ）(5) 当PN 结外加反向电压时，扩散电流 b1 漂移电流；（a1.大于，b1.小于，c1.等于）此时耗尽层 a2 。
（a2.变宽，b2.变窄，c2.不变）(6) 变容二极管 c1 ；（a1.是二极管，b1. 不是二极管，c1. 是特殊二极管）它工作在 b2 状态。
（a2.正偏，b2.反偏，c2.击穿）(7) 晶体管工作在放大区时，b-e 间为 a ，b-c 间为 b ，工作在饱和区时b-e 间为 a ，b-c 间为 a 。
（a.正向偏置，b.反向偏置，c.零偏置） (8) 工作在放大区的某晶体管，当I B 从20µA 增大到40µA 时，I C 从1mA 变成2mA。
它们的β约为 b 。
（a.10，b.50，c.100）(9) 场效应管主要是通过改变 b1 （a1.栅极电压，b1. 栅源电压，c1. 漏源电压）来改变漏极电流的，所以是一个 b2 （a2.电流，b2.电压）控制的 a3（a3.电流源，b3. 电压源）。
(10) 用于放大时，场效应管工作在特性曲线的 b 。
（a. 击穿区，b.恒流区，c.可变电阻区）1.2 假设一个二极管在50℃时的反向电流为10µA，试问它在20℃和80℃时的反向电流大约为多大？已知温度每升高10℃，反向电流大致增加一倍。
解：据已知可得)(25.12102)50()20(3105020A C I C I oS oS µ=×=×=−− )(802102)50()80(3105080A C I C I oS oS µ=×=×=−1.3 某二极管的伏安特性曲线如图(a)所示:（1）如在二极管两端通过1KΩ的电阻上加1.5V 的电压,如图(b)所示,此时二极管的电流I 和电压U 各为多少?（2）将图(b)中的1.5V 电压改为3V,则二极管的电流I 和电压U 各为多少?解：（1）图(b)示二极管的外特性方程为:U=E-IR=1.5-I。
模拟电子技术基础习题及答案
第一章 半导体器件1-1 当T=300K 时，锗和硅二极管的反向饱和电流I S 分别为1A μ和pA 。
如将此两个二极管串联起来，有1μA 的正向电流流过，试问它们的结电压各为多少？ 解：二极管正偏时，TD U U S eI I ≈ ， ST D I I lnU U ≈ 对于硅管：mV 6.179A1mA1ln mV 26U D =μ≈ 对于锗管：mV 8.556pA5.0mA1ln mV 26U D =≈1-2 室温27C 时，某硅二极管的反向饱和电流I S =。
（1）当二极管正偏压为时，二极管的正向电流为多少？（2）当温度升至67C 或降至10C -时，分别计算二极管的反向饱和电流。
此时，如保持（1）中的正向电流不变，则二极管的正偏压应为多少？ 解：（1）mA 2.7e 101.0eI I mA26mA 65012U U S TD =⨯⨯=≈-（2）当温度每上升10℃时，S I 增加1倍，则pA107.72101.02)27(I )10(I pA6.12101.02)27(I )67(I 37.312102710SS 412102767S S -------⨯=⨯⨯=⨯=-=⨯⨯=⨯=T=300k(即27℃)，30026q K mA 26300qKq KT )27(U T ==⨯==即则67℃时，mA7.716pA 107.7mA2.7ln 8.22U ,C 10mA7.655pA6.1mA 2.7ln 5.29U ,C 67mV8.2226330026)10(U mV 5.2934030026)67(U 3D D T T =⨯=-===⨯=-=⨯=-时时1-3 二极管电路如图P1-3（a ）所示，二极管伏安特性如图P1-3（b ）所示。
已知电源电压为6V ，二极管压降为伏。
试求： （1）流过二极管的直流电流；（2）二极管的直流电阻D R 和交流电阻D r 。
解：（1）mA 53100V7.06I D =Ω-=（2）Ω===Ω==49.0mA 53mA 26I mA 26r 2.13mA53V7.0R D D D1-4 当T=300K 时，硅二极管的正向电压为，正向电流为1mA ，试计算正向电压加至时正向电流为多少？ 解：mA26mA 800SmA26mA 700SU U S e II e I 1mA eI I TD ⨯=⨯=≈则 mA 35.1e I TU 100=≈1-5 双极型晶体管可以等效为二只背靠背的二极管，如图P1-5所示。
模电1常用半导体器件
ICEO = (1+β) ICBO
三. 极限参数
1. 集电极最大允许电流ICM 2. 集电极最大允许功耗PCM 3. 反向击穿电压U(BR)CEO 、U(BR)CBO
α=β/(1+β)
三极管的安全工作区
1 .4 场效应管（Field Effect Transistor ）
场效应管是单极性管子，其输入PN结处于反偏或 绝缘状态，具有很高的输入电阻（这一点与三极管相 反），同时，还具有噪声低、热稳定性好、抗辐射性 强、便于集成等优点。
1 .3 .5 共射NPN三极管伏安特性曲线
二. 输出特性曲线 IC=f ( IB ，UCE )
实际测试时如下进行：
IC= f ( UCE )|IB
发射结正偏、集电结反 偏时，三极管工作在放大 区(处于放大状态)，有放 大作用：IC =βIB + ICEO
两结均反偏时，三极管 工作在截至区(处于截止状 态) ，无放大作用。 IE=IC=ICEO≈0
第五章 负反馈放大器
第六章 信号运算电路
第七章 波形发生电路
第八章 功率放大电路 第九章 直流电源
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第一章 常用半导体器件
本章主要内容：
半导体材料、由半导体构成的PN 结、二极管结构特性、三极管结构特性及 场效应管结构特性。
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1 .1 半导体（Semiconductor）基本知识
• 2、《电子技术实验》.石焕玉等编. • 3、《电子技术基础》(模拟部分).康华光
主编. 高等教育出版社 • 4、《模拟电子技术基础》华成英(第四
版)习题解答（因网络不通，暂时没法放 在系网页上，需要者来复制）
第一章 半导体器件 第二章 基本放大电路 第三章 放大电路的频率特性 第四章 集成运算放大器
模电(第四版)习题解答
实用文档模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( × )(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
( × )(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保R大的特点。
( √ )证其GSU大于零，则其输入电阻会明显变小。
( × )(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有 A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=0.7V。
模电复习要点概要
模电复习重点第1章常用半导体器件自测题一、判断以下说法能否正确，用“×〞和“√〞表示判断结果填入空内。
( 1)在N型半导体中假如掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。
(√)( 2)因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
(×)〔电中性〕(3)PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
(√)( 4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
(×)〔基区非平衡少子〕( 5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层蒙受反向电压，才能保证其R GS大的特色。
(√)(6 )假定耗尽型N沟道MOS管的U GS大于零，那么其输入电阻会显然变小。
(×)二、选择正确答案填入空内。
(l)PN结加正向电压时，空间电荷区将A。
(2 )稳压管的稳压区是其工作在C。
(3 )当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为B。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4)UGS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A、C。
管习题选择适合答案填入空内。
在本征半导体中参加(A)元素可形成N型半导体，参加(C)元素可形成P型半导体。
A.五价B.四价C.三价(2)当温度高升时，二极管的反向饱和电流将(A)。
A.增大B.不变C.减小工作在放大区的某三极管，假如当I B从12uA增大到22uA时，I C从lmA变成2mA，那么它的β约为(C)。
-1-(4)就地效应管的漏极直流电流I D从2mA 变成4mA时,它的低频跨导g m将(A)。
A.增大；B.不变；C.减小电路以下列图，u i10sin t(V)，试画出u i与u o的波形。
设二极管导通电压可忽视不计。
图解图解：u i与u o的波形如解图所示。
电路以下列图,二极管导通电压U D=0.7V,常温下U T26mV，电容C对沟通信号可视为短路；u i为正弦波，有效值为10mV。
试问二极管中流过的沟通电流的有效值为多少？解：二极管的直流电流I D (VU D)/R其动向电阻:r D U T/I D 10 图故动向电流的有效值：I d U i/r D1mA现有两只稳压管，稳压值分别是6V和8V，正导游通电压为。
山东大学-清华大学-模拟电子技术基础-模电(第四版)习题库及解答
模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答山东大学物理与微电子学院目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
( ×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证R大的特点。
( √)其GSU大于零，则其输入电阻会明显变小。
( ×) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=0.7V。
模电第1章答案常用半导体器件(精)
第 1 章常用半导体器件一、选择题 (6 小题 ,共 10.0 分 )(02 分 )1.从括号中选择正确答案，用 A 、B 、 C、填空。
在纯净半导体中掺入三价硼元素后，形成____（A ．P 型B． N 型）半导体；其导电率（ C．增大，D．减小，E．不变）；这种半导体的多数载流子是____，少数载流子是 ____ （ F．空穴，G．自由电子）。
(01 分 )2.选择正确的答案用A、 B 、C 填空。
随着温度升高，晶体管的电流放大系数____，穿透电流____，在IB 不变的情况下 b-e 结电压 U BE____。
（ A．增大，B．减小，C．不变）(02 分 )3.选择正确的答案用 A 、 B 、C填空。
随着温度升高，晶体管的共射正向输入特性曲线将_______________ ，输出特性曲线将 _______________，输出特性曲线的间隔将 _______________ 。
（ A ．上移，B．下移，C．左移，D．右移，E．增大，F．减小，G．不变）(01 分 )4.用“大”、“小”填空：场效应管栅极的静态输入电流比双极型晶体管基极的静态输入电流_____；绝缘栅型场效应管栅极的静态输入电流比结型场效应管的____。
二、是非题 (3 小题 ,共 6.0 分 )(02 分 )1.判断以下说法的正误，用√表示正确，用×表示错误。
1．晶体三极管具有两个PN 结，因此把两个二极管反向串联起来，也能具有放大能力。
（）2．测出某晶体管的共基电流放大系数小于1，表明该管子没有放大能力。
（）3．由于晶体管的发射区和集电区的掺杂浓度不同，所以发射极和集电极互换后电流放大能力大大减小。
（）(02 分 )2.判断以下说法的正误，在相应括号内画√表示正确，画×表示错误。
1．场效应管的优点是有很高的输入电阻和很低的输出电阻。
（）2．绝缘栅场效应管的栅极静态输入电流比结型场效应管的小。
（）3．耗尽型绝缘栅场效应管的栅极静态电流比增强型绝缘栅场效应管的小。
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第一章 常用半导体器件自 测 题一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。
（1）在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
（ ）（2）因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（ ） （3）PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（ ） （4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
（ ） （5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R GS 大的特点。
（ ）（6）若耗尽型N 沟道MOS 管的U GS 大于零，则其输入电阻会明显变小。
（ ） 解：（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）×二、选择正确答案填入空内。
（1）PN 结加正向电压时，空间电荷区将 。
A. 变窄B. 基本不变C. 变宽 （2）设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程是 。
A. I S e UB. TU U I e S C. )1e (S －TU U I（3）稳压管的稳压区是其工作在 。
A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿（4）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 。
A. 前者反偏、后者也反偏B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏（5）U G S＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有。
A. 结型管B. 增强型MOS管C. 耗尽型MOS管解：（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C三、写出图T1.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝0.7V。
图T1.3解：U O1≈1.3V，U O2＝0，U O3≈－1.3V，U O4≈2V，U O5≈1.3V，U O6≈－2V。
四、已知稳压管的稳压值U Z＝6V，稳定电流的最小值I Zm in ＝5mA。
求图T1.4所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
图T1.4解：U O1＝6V，U O2＝5V。
五、某晶体管的输出特性曲线如图T1.5所示，其集电极最大耗散功率P CM＝200mW，试画出它的过损耗区。
图T1.5 解图T1.5解：根据P C M＝200mW可得：U CE＝40V时I C＝5mA，U CE＝30V时I C≈6.67mA，U CE＝20V时I C＝10mA，U C E＝10V 时I C＝20mA，将各点连接成曲线，即为临界过损耗线，如解图T1.5所示。
临界过损耗线的左边为过损耗区。
六、电路如图T1.6所示，V CC＝15V，β＝100，U BE＝0.7V。
试问：（1）R b＝50kΩ时，u O＝？（2）若T临界饱和，则R b≈？解：（1）R b ＝50k Ω时，基极电流、集电极电流和管压降分别为 26bBEBB B =-=R UV I μ AV2mA 6.2 C C CC CEB C =-===R I V UI I β所以输出电压U O ＝U CE ＝2V 。
图T1.6（2）设临界饱和时U C ES ＝U BE ＝0.7V ，所以Ω≈-====-=k 4.45A6.28mA86.2BBEBB b CB cCESCC C I U V R I I R U V I μβ七．测得某放大电路中三个MOS 管的三个电极的电位如表T1.7所示，它们的开启电压也在表中。
试分析各管的工作状态(截止区、恒流区、可变电阻区），并填入表内。
表T1.7管 号 U GS （th ）/V U S /V U G /V U D /V 工作状态T 1 4－51 3 T2 －43 3 10 T 3－465解：因为三只管子均有开启电压，所以它们均为增强型MOS管。
根据表中所示各极电位可判断出它们各自的工作状态，如解表T1.7所示。
解表T1.7管 号 U GS （th ）/VU S /V U G /V U D /V 工作状态 T 14－513恒流区T2－4 3 3 10 截止区T3－4 6 0 5 可变电阻区习题1.1 选择合适答案填入空内。
（1）在本征半导体中加入元素可形成N型半导体，加入元素可形成P型半导体。
A. 五价B. 四价C. 三价（2）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将。
A. 增大B. 不变C. 减小（3）工作在放大区的某三极管，如果当I B从12μA增大到22μA时，I C从1m A变为2mA，那么它的β约为。
A. 83B. 91C. 100（4）当场效应管的漏极直流电流I D从2m A变为4mA 时，它的低频跨导g m将。
A.增大B.不变C.减小解：（1）A ，C （2）A （3）C （4）A1.2 能否将 1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端？为什么？解：不能。
因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.5V时，管子会因电流过大而烧坏。
1.3 电路如图P1.3所示，已知u i＝10sinωt(v)，试画出u i与u O的波形。
设二极管正向导通电压可忽略不计。
图P1.3解图P1.3 解：u i和u o的波形如解图P1.3所示。
1.4 电路如图P1.4所示，已知u i＝5sinωt (V)，二极管导通电压U D＝0.7V。
试画出u i与u O的波形，并标出幅值。
图P1.4解图P1.4 解：波形如解图P1.4所示。
1.5 电路如图P1.5（a）所示，其输入电压u I1和u I2的波形如图（b）所示，二极管导通电压U D＝0.7V。
试画出输出电压u O的波形，并标出幅值。
图P1.5解：u O的波形如解图P1.5所示。
解图P1.51.6 电路如图P1.6所示，二极管导通电压U D＝0.7V，常温下U T≈26mV，电容C对交流信号可视为短路；u i为正弦波，有效值为10mV。
试问二极管中流过的交流电流有效值为多少？解：二极管的直流电流I D＝（V－U D）/R＝2.6mA其动态电阻r D ≈U T /I D ＝10Ω 故动态电流有效值I d ＝U i /r D ≈1mA 图P1.61.7 现有两只稳压管，它们的稳定电压分别为6V 和8V ，正向导通电压为0.7V 。
试问：（1）若将它们串联相接，则可得到几种稳压值？各为多少？（2）若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值？各为多少？ 解：（1）两只稳压管串联时可得 1.4V 、6.7V 、8.7V 和14V 等四种稳压值。
（2）两只稳压管并联时可得0.7V 和6V 等两种稳压值。
1.8 已知稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，稳定电流的最小值I Zmi n ＝5mA ，最大功耗P ZM ＝150mW 。
试求图P1.8所示电路中电阻R 的取值范围。
解：稳压管的最大稳定电流I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA 电阻R 的电流为I Z M ～I Zm in ，所以其取值范围为Ω=-=k 8.136.0ZZI ～I U U R 图P1.81.9 已知图P1.9所示电路中稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，最小稳定电流I Zmi n ＝5mA ，最大稳定电流I Zma x ＝25mA 。
（1）分别计算U I 为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压U O 的值；（2）若U I ＝35V 时负载开路，则会出现什么现象?为什么？解：（1）当U I ＝10V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流为4mA ，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。
故V33.3I LL O ≈⋅+=U R R R U当U I ＝15V 时，稳压管中的电流大于最 图P1.9小稳定电流I Zmi n ，所以U O ＝U Z ＝6V 同理，当U I ＝35V 时，U O ＝U Z ＝6V 。
（2）=-=R U U I )(Z I DZ29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。
1.10 在图P1.10所示电路中，发光二极管导通电压U D ＝1.5V ，正向电流在5～15mA 时才能正常工作。
试问：（1）开关S 在什么位置时发光二极管才能发光？（2）R 的取值范围是多少？ 解：（1）S 闭合。
（2）R 的范围为。
Ω=-=Ω≈-=700)(233)(Dmin Dmax Dmax Dmin I UV R I U V R图P1.101.11 电路如图P1.11（a）、（b）所示，稳压管的稳定电压U Z ＝3V，R的取值合适，u I的波形如图（c）所示。
试分别画出u O1和u O2的波形。
图P1.11解：波形如解图P1.11所示解图P1.111.12 在温度20℃时某晶体管的I C BO＝2μA，试问温度是60℃时I C BO≈？解：60℃时I C BO≈5I＝32μA。
（TCBO）C20＝1.13 有两只晶体管，一只的β＝200，I C EO＝200μA；另一只的β＝100，I CE O＝10μA，其它参数大致相同。
你认为应选用哪只管子？为什么？解：选用β＝100、I C BO＝10μA的管子，因其β适中、I C EO较小，因而温度稳定性较另一只管子好。
1.14已知两只晶体管的电流放大系数β分别为50和100，现测得放大电路中这两只管子两个电极的电流如图P1.14所示。
分别求另一电极的电流，标出其实际方向，并在圆圈中画出管子。
图P1.14解：答案如解图P1.14所示。
解图P1.141.15测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图P1.15所示。
在圆圈中画出管子，并分别说明它们是硅管还是锗管。
图P1.15解：晶体管三个极分别为上、中、下管脚，答案如解表P1.15所示。
解表P1.15管号T1 T2 T3 T4 T5 T6上 e c e b c b中 b b b e e e下 c e c c b c管型PNP NPN NPN PNP PNP NPN材料Si Si Si Ge Ge Ge1.16 电路如图P1.16所示，晶体管导通时U BE＝0.7V，β=50。
试分析V BB为0V、1V、1.5V三种情况下T的工作状态及输出电压u O的值。
解：（1）当V B B ＝0时，T 截止，u O ＝12V 。
（2）当V B B ＝1V 时，因为 60bBEQBB BQ =-=R U V I μ AV9mA 3 C CQ CC O BQ CQ =-===R I V u I I β所以T 处于放大状态。
（3）当V B B ＝3V 时，因为160bBE QBB BQ =-=R U V I μ A 图P1.16BEC CQ O BQ CQ mA 8 U R I V u I I CC ＜-===β所以T 处于饱和状态。
1.17 电路如图P1.17所示，试问β大于多少时晶体管饱和？解：取U CE S ＝U B E ，若管子饱和，则Cb CBECC bBECC R R R U V R U V ββ=-=-⋅所以，100Cb =≥R R β时，管子饱和。