IT绝缘栅双极晶体管
怎么理解绝缘栅双极型晶体管
怎么理解绝缘栅双极型晶体管绝缘栅双极型晶体管是一种常用的电子器件，其特点是具有高电流放大倍数和低输入电阻。
在现代电子技术中，绝缘栅双极型晶体管被广泛应用于各种电子设备中，如放大电路、开关电路和逻辑电路等。
本文将从晶体管的结构、工作原理、特性以及应用等方面对绝缘栅双极型晶体管进行详细介绍。
我们来看一下绝缘栅双极型晶体管的结构。
晶体管由三个区域组成，即发射区、基区和集电区。
发射区和集电区是N型材料，而基区是P型材料。
在基区与发射区之间有一层非导电的绝缘层，称为绝缘栅。
绝缘栅双极型晶体管的结构决定了其具有较高的绝缘性能和较低的漏电流。
绝缘栅双极型晶体管的工作原理是通过控制绝缘栅电压来调节晶体管的导电性。
当绝缘栅电压为0V时，绝缘栅双极型晶体管处于截止状态，没有电流通过。
当绝缘栅电压为正值时，绝缘栅双极型晶体管进入放大区，可以放大输入信号。
当绝缘栅电压为负值时，绝缘栅双极型晶体管进入饱和区，可以作为开关使用。
通过控制绝缘栅电压的大小，可以实现对晶体管的放大和开关控制。
绝缘栅双极型晶体管具有许多特性，其中最重要的是电流放大倍数。
电流放大倍数是指输出电流与输入电流之间的比值。
绝缘栅双极型晶体管的电流放大倍数较高，可以达到几十到几百倍。
这意味着绝缘栅双极型晶体管可以将微弱的输入信号放大成较大的输出信号，从而实现信号的增强。
除了电流放大倍数外，绝缘栅双极型晶体管还具有低输入电阻的特点。
输入电阻是指输入信号与输入电流之间的比值。
绝缘栅双极型晶体管具有较低的输入电阻，可以有效地接收输入信号。
这使得绝缘栅双极型晶体管在电子设备中的应用非常广泛。
绝缘栅双极型晶体管的应用非常广泛，包括放大电路、开关电路和逻辑电路等。
在放大电路中，绝缘栅双极型晶体管可以放大微弱的输入信号，使其达到可以被传感器或其他电子器件检测的程度。
在开关电路中，绝缘栅双极型晶体管可以作为开关，控制电路的通断。
在逻辑电路中，绝缘栅双极型晶体管可以实现逻辑运算，如与门、或门和非门等。
绝缘栅双极晶体管的工作原理
绝缘栅双极晶体管的工作原理
绝缘栅双极晶体管是一种三端半导体器件，也被称为IGBT。
IGBT 包含一个P型衬底，两个N型外延层和一个PNPN结构。
其中，N+型区
域和P+型区域用于接触电极，形成源极（S）、栅极（G）和漏极（D）。
IGBT的工作原理是在栅极与源极之间加上一个正向电压，即形成了一个正向偏压，在PN结和N导电层之间形成一个细窄的储存电荷区域。
当从源极施加正向电压时，由于P层和N+层之间的势垒，会产生
大量的少数载流子，这些载流子被P层电场加速后，穿过N层，耗散
在收集区域。
在使G极与S极之间加正向电压的同时，在栅极上接上
一个信号电压，使G极形成一个电场，这个电场就能控制S极和D极
之间通道的导电状态，因此，IGBT可以实现大电流控制的功能。
当栅极电压较低时，极个电场也较弱，S与D之间的场效应导电
是较弱的。
当栅极电压增加到一定程度时，P衬底和N+区之间的PN结
区域就会放电，电子被注入N+区域，从而形成一个N+掺杂的导电通道，从而使S和D之间的电阻变得非常小，此时IGBT处于导通状态，可以
实现大电流放电。
绝缘栅双极型晶体管
绝缘栅双极型晶体管一、 IGBT介绍IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极晶体管，是由BJT(双极型)和MOS()组成的复合全控型驱动式功率, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优势。
GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。
IGBT综合了以上两种的优势，驱动功率小而饱和压降低。
超级适合应用于为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、、照明电路、牵引传动等领域。
二、 IGBT的结构左侧所示为一个N沟道增强型绝缘栅双极结构， N+区称为源区，附于其上的电极称为源极（即发射极E）。
P+区称为漏区。
的操纵区为栅区，附于其上的电极称为（即门极G）。
沟道在紧靠栅区边界形成。
在C、E两极之间的P型区（包括P+和P-区）（沟道在该区域形成），称为亚沟道区（Subchannel region）。
而在漏区另一侧的P+区称为漏注入区（Drain injector），它是IGBT特有的，与漏区和亚沟道区一路形成PNP，起发射极的作用，向漏极注入空穴，进行导电调制，以降低器件的通态。
附于漏注入区上的电极称为漏极（即集电极C）。
IGBT的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP(原先为NPN)晶体管提供基极，使IGBT导通。
反之，加反向门极电压排除沟道，切断基极电流，使IGBT关断。
IGBT的驱动方式和MOSFET大体相同，只需操纵输入极N-沟道MOSFET，因此具有高输入阻抗特性。
当MOSFET的沟道形成后，从P+基极注入到N-层的空穴（少子），对N-层进行电导调制，减小N-层的，使IGBT在高电压时，也具有低的通态电压。
三、关于IGBT的测试IGBT模块的测试分为两大类:一类是静态参数测试，即在IGBT模块结温为25C时进行测试，现在IGBT工作在非开关状态；另一类是动态参数测试，即在IGBT模块结温为1时进行测试，现在IGBT工作在开关状态。
,绝缘栅双极型晶体管
,绝缘栅双极型晶体管
摘要：
1.绝缘栅双极型晶体管的概念与结构
2.绝缘栅双极型晶体管的工作原理
3.绝缘栅双极型晶体管的特点与应用
4.绝缘栅双极型晶体管的发展趋势
正文：
绝缘栅双极型晶体管（简称IGBT）是一种高反压大电流器件，它是由双极型三极管（BJT）和绝缘栅型场效应管（MOSFET）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。
IGBT 兼具MOSFET 的高输入阻抗和双极型晶体管的低导通压降两方面的优点，具有较高的开关速度和较低的导通损耗，常用于大功率放大输出、电磁炉等应用。
IGBT 的工作原理是通过控制MOS 管的栅极，再由MOS 管控制晶体管的通断。
当MOS 管的栅极施加正向电压时，MOS 管导通，晶体管也随之导通；当MOS 管的栅极施加负向电压时，MOS 管截止，晶体管也随之截止。
这样，通过控制MOS 管的栅极电压，可以实现对晶体管的控制，从而达到开关电路的目的。
绝缘栅双极型晶体管具有以下特点：
1.高反压：由于晶体管的集电极和发射极之间有较高的反压，使得IGBT 可以承受较高的电压。
2.大电流：IGBT 具有较大的电流容量，可以承受较大的电流。
3.高开关速度：IGBT 的开关速度较高，可以实现高频率的开关操作。
4.低导通压降：IGBT 的导通压降较低，可以降低能耗和导通损耗。
随着科技的发展，绝缘栅双极型晶体管的应用领域不断扩大，包括新能源、工业控制、家用电器等领域。
IGBT绝缘栅极双极型晶体管
•
在使用IGBT的场合，当栅极回路不正 常或栅极回路损坏时（栅极处于开路状 态），若在主回路上加上电压，则IGBT就 会损坏，为防止此类故障，应在G栅极与E 发射极之间串接一只10KΩ左右的电阻。
图片
名词定义
• • • • • • • • • • 专业术语 符号 定义 集电极、发射极间电压 VCES 栅极、发射极间短路时的集电极，发射极间的最 大电压 栅极发极间电压 VGES 集电极、发射极间短路时的栅极，发射极间最大 电压 集电极电流 IC 集电极所允许的最大直流电流 耗散功率 PC 单个IGBT所允许的最大耗散功率 结温 Tj 元件连续工作时芯片温厦 关断电流 ICES 栅极、发射极间短路，在集电极、发射极 间加上 指定的电压时的集电极电流 漏电流 IGES 集电极、发射极间短路，在栅极、集电极间加上 指定的电压时的栅极漏电流 饱和压降 V CE(sat) 在指定的集电极电流和栅极电压的情况下，集电 极、发射极间的电压。 输入电容 Clss 集电极、发射极间处于交流短路状态，在栅极、发 射极间及集电极、发射极间加上指定电压时， 栅极、发射极 绝缘栅双极晶体管（IGBT）本质上是一个场 效应晶体管，只是在漏极和漏区之间多了一个 P 型层 • IEC规定：源极引出的电极端子（含电极端） 称为发射极端（子），漏极引出的电极端（子） 称为集电极端（子）
工作原理
• 在IGBT的栅极G和发射极E之间加上驱动正 电压，则MOSFET导通，这样PNP晶体管的集电 极C与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通； • 若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V，则 MOS截止，切断PNP晶体管基极电流的供给，使 得晶体管截止。 • IGBT与MOSFET一样也是电压控制型器件， 在它的栅极G—发射极E间施加十几V的直流电压， 只有在uA级的漏电流流过，基本上不消耗功率。
绝缘栅双极型晶体管符号
绝缘栅双极型晶体管符号1 什么是绝缘栅双极型晶体管？绝缘栅双极型晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor，简称IGBT）是一种半导体器件，其结构类似于双极型晶体管和场效应晶体管的结合体。
它的主要应用领域是功率电子和汽车电子，可以用于高电压、高电流的开关控制和电能变换。
IGBT的结构和工作原理相对复杂，但是在广泛应用中是极为可靠和高效的。
2 IGBT的结构和工作原理IGBT的结构类似于双极型晶体管，由一个npn与一个pnp晶体管组成，其中中间部分注入了一个n型地沟板（Channel），上部注入一个绝缘栅（Insulated Gate），整个结构类似于晶体管的结构。
晶体管的工作原理是通过控制基极上的电流实现对晶体管的开关控制，而IGBT的控制电流则是通过绝缘栅上的电场控制，从而控制进入源极和漏极之间的电流，实现对功率电流的可控性。
3 IGBT的特点和优势IGBT具有双极型晶体管和场效应晶体管的优点，在高压和大电流的应用领域中，它能够实现更加广泛的电路控制功能，同时也具有以下特点和优势：（1）高电压容忍能力：IGBT能够承受数百伏的高电压，具有较强的阻绝电压能力，不易被击穿。
（2）大电流特性：IGBT能够通过大电流，应用范围广泛。
（3）低电压驱动：IGBT的正向压降很小，使用起来非常省电。
（4）高开关速度：IGBT的控制电路具有高频响应能力，能够快速实现电流的切换。
4 IGBT的应用领域IGBT的应用领域非常广泛，主要包括以下方面：（1）工业控制领域：在电机启停、电磁阀和灯控等领域中，IGBT 能够实现精准控制和高效能耗。
（2）汽车电子领域：IGBT在汽车电子领域中应用广泛，主要包括电池管理、电子油门、电磁阀控制等方面。
（3）铁路电力领域：IGBT在铁路电力领域中应用非常广泛，主要用于变频空调系统、辅助转向系统、制动转换器等方面。
5 总结绝缘栅双极型晶体管是一种高效、可靠、可控的半导体器件，在功率电子和汽车电子等领域中具有广泛的应用前景。
绝缘栅双极晶体管的原理
绝缘栅双极晶体管的原理绝缘栅双极晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor，简称IGBT）是一种强大的功率开关，具有MOSFET和双极晶体管的优点。
它结合了MOSFET的高输入电阻和低功率驱动需求以及双极晶体管的低导通电阻和高功率承载能力。
IGBT广泛应用于电力电子领域，如交流驱动、逆变器、变频器、电力变压器等。
IGBT的结构主要由P型、N型硅材料和三个控制区域构成，分别是漏极区、绝缘栅区和发射极区。
首先，IGBT的控制区域是绝缘栅区，其中有一个绝缘栅极层。
绝缘栅极由绝缘氧化物层、控制电极和金属连接层组成。
绝缘栅极主要负责控制漏极与源极之间的电流流动。
其次，IGBT的发射极区由N型区域构成，是电流的主要控制区域。
当正向电压施加在漏极上时，P型基区的电子与P型漂移区的空穴重新组合，形成一个N 型区域。
在正常工作条件下，IGBT处于关闭状态。
当绝缘栅极加上正向电压时，绝缘栅极下方的N型区域和P型漂移区产生内建电场。
这个电场将吸引P型漂移区的空穴向N型区域移动，形成一个名为空穴输运层（holes injection layer）的区域。
当发射极加上正向电压，空穴输运层的空穴将通过N型区域向漏极流动。
在这个过程中，N型区域的电子与空穴再次发生复合，形成一个N型输运层，其中的电子将通过N型纵向导通区流向漏极。
因此，IGBT可以形成一个NPN双极结构。
IGBT的导通过程是通过绝缘栅极的电压控制的。
当绝缘栅极处于低电平时（通常为零电压），N型输运层的电子将被吸引到绝缘栅极下的P型漂移区。
由于电子与空穴再次发生复合，电流无法流过N型区域，因此IGBT处于关断状态。
当绝缘栅极加上正向电压时，电子从N型输运层流向绝缘栅极，形成一个细弱的沟道。
这个沟道会引起N型输运层与P型漂移区之间的空间电荷区扩展，使得电流可以通过N型区域流向漏极。
当绝缘栅极施加足够的电压时，空间电荷区达到最大并且IGBT进入饱和导通状态。
怎么理解绝缘栅双极型晶体管
怎么理解绝缘栅双极型晶体管绝缘栅双极型晶体管是一种重要的电子器件，它在电子电路中具有广泛的应用。
本文将从多个角度对绝缘栅双极型晶体管进行解析，以帮助读者更好地理解这一器件的原理和特性。
一、绝缘栅双极型晶体管的基本结构和工作原理绝缘栅双极型晶体管由三个区域组成，分别是发射区、基区和集电区。
其中，基区与发射区通过绝缘栅隔离，从而使得绝缘栅双极型晶体管具有了与普通双极型晶体管不同的特性。
绝缘栅双极型晶体管的工作原理是基于PN结的导电特性。
当在绝缘栅上施加正向偏置电压时，绝缘栅与发射区之间的势垒被打破，发射区的电子就会注入到基区中。
这样，基区就会形成一个电子多数载流子的区域，而发射区则成为一个电子少数载流子的区域。
当在集电区施加正向偏置电压时，电子就会从基区进一步注入到集电区，从而形成电流。
二、绝缘栅双极型晶体管的特性和应用1. 高输入电阻：绝缘栅双极型晶体管的绝缘栅与基区之间存在着绝缘层，因此绝缘栅双极型晶体管具有很高的输入电阻，可以减小输入电路的负载效应，提高电路的灵敏度。
2. 低输出电阻：绝缘栅双极型晶体管的集电区电流增大时，由于电子注入的增加，集电区的电导率也会增加，从而降低了输出电阻，提高了电路的输出功率。
3. 快速开关速度：绝缘栅双极型晶体管具有快速的开关速度，可以实现高频率的信号放大和开关控制。
这使得它在射频放大器、频率合成器和通信系统中得到广泛应用。
4. 小型化和集成化：由于绝缘栅双极型晶体管的特殊结构，它可以实现微小尺寸的制造，从而有利于集成电路的小型化和高集成度。
绝缘栅双极型晶体管在电子电路中有着广泛的应用。
例如，在放大电路中，它可以用作低噪声放大器、功率放大器和运算放大器等。
在开关电路中，它可以用于数字逻辑门、触发器和计数器等。
此外，由于绝缘栅双极型晶体管的特殊性能，它还被广泛应用于射频通信、无线传感器网络和医疗器械等领域。
三、绝缘栅双极型晶体管的发展趋势和挑战随着科技的不断进步，绝缘栅双极型晶体管也在不断发展和演进。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
❖ 开通延迟时间td(on) ： 10%IICC从M所10需%U时C间EM。到
❖ 电流上升时间tr ： 90%ICI从CM1所0%需I时CM间上。升至
❖ 开通时间ton ：
•
ton = td(on) + tr
图3.7.3 IGBT的开关特性
25.06.2020
✓ IGBT的伏安特性分为:截止区、有源放大区、饱和 区和击穿区。
图3.7.2 IGBT的伏安特性和转移特性
25.06.2020
32
当MOSFET的导电沟道充分 开启，IGBT的集电极电流主 要由钉二极管部份决定，其
通态伏安特性为指数函数， 而VMOS和GTR皆为线性关 系。因此，在同样的耐压下， 使用IGBT比使用VMOS和 GTR更容易通过较大电流， 获得更大的功率输出。如对 于600V等级的器件，IGBT能 够承受的最大电流密度一般 是VMOS的20倍，是GTR的5 倍左右。
1、基本结构
IGBT每个器 件单元实际 上就是 MOSFET和 双极晶体管 BJT的组合
集电极 C
铝栅结构IGBT
硅栅结构IGBT
MOSFET
• IGBT的构造和功率MOSFET的对比 如左图所示。IGBT是通过在功率 MOSFET的漏极上追加p+层而构成 的，从而具有以下特征。
• 1电压控制型元件
IGBT的伏安特性与GTR 类似，不同之处是，控 制参数是门源电压VGS， 而不是基极电流，伏安 特性分饱和区（Ⅰ）、 放大区（Ⅱ）和击穿区 （Ⅲ）。如果无N+缓冲 区，正反向阻断电压可 以做到同样水平，但加 入缓冲区，反向阻断电 压只有几十伏。
31
IGBT的伏安特性
反映在一定的栅极一发射极电压UGE下器件的输 出端电压UCE与电流Ic的关系。
S
α2 α1
D
等效电路
Hale Waihona Puke C（D） GE（S）
图形符号
特点：
具有通态密度 高、正反向阻 断能力强以及 导通和关断双 可控特点，且 功耗小
3、IGBT分类
沟道
N沟道IGBT P沟道IGBT
缓冲区
25.06.2020
有，非对称型IGBT（穿通型）
PT-IGBT: 冲压机Throught-IGBT
无，对称型IGBT（非穿通型）
双极型器件
GTR（大功率晶体管）结构示意图
优点：由于有少数载流子的注入对漂 移区电导的调制，其通流能力一般都 很高，电流密度约为200~300A/cm2， 因此器件尺寸小，价格低。
缺点：除开关速度低外，开关过程中 的功率消耗太大。
单极型器件
VMOS结构示意图
克服了双极型器件的以上二个缺 点，但由于没有少数载流子的电 导调制作用，以至于通态电阻 Ron较大，通流能力较小。如 600V耐压VMOS最大电流密度仅 为10A/cm2。
• IGBT的理想等效电路，正如图2所示，
是对pnp双极型晶体管和功率MOSFET
进行达林顿连接(就是两个三极管接在一起，
IGBT
极性只认前面的三极管)后形成的单片型Bi-
MOS晶体管。因此，在门极—发射极之
间外加正电压使功率MOSFET导通时，
pnp晶体管的基极—集电极间就连接上
了低电阻，从而使pnp晶体管处于导通
+
J3 J2 J1
S —D
S
IGBT的正向阻断电压 则是由J2结的雪崩电压
—
决定。因为VCE为正
时，若栅极对发射极短
J3
路，J2结处于反向偏置
状态而VDMOS未能形 厚基区 J2
成导电沟道。
J1
但若此时对栅极加正向
电压，沟道体表面形成
沟道，IGBT进入正向
+
导通状态。
D
S
IGBT导通原理
+（小
—
tfi2——IGBT内部的PNP晶体管 的关断过程，ic下降较慢。
图3.7.3 IGBT的开关特性
25.06.2020
41
3．开关时间：用电流的动态波形确定开关时间。 ①漏极电流的开通时间和上升时间： 开通时间：ton=td(on)+tri 上升时间：tr=tfv1+tfv2 ②漏极电流的关断时间和下降时间： 关断时间：toff=td(off)+trv 下降时间：tf=tfi1+tfi2 ③反向恢复时间：trr
25.06.2020
34
由于MOSFET和PNP管在这里是 达林顿接法，其电流不会像 MOSFET那样从零伏开始上升， 而是存在着PNP晶体管VBE所需 要的偏置电压。一旦电导调制效 应发生后，其动态电阻与 MOSFET相比则非常小。
➢IGBT不适合于要求器件压降低于0.7V的场合下使用
➢击穿电压高的IGBT器件电流容量较低。高耐压器件 的N基区较宽。
39
2．关断过程：
td(off)：延迟时间
trv：VDS上升时间
tfi2：由PNP晶体管中 存储电荷决定，此时 MOSFET已关断， IGBT又无反向电压， 体内存储电荷很难迅 速消除，因此下降时 间较长，VDS较大，功 耗较大。一般无缓冲 区的，下降时间短。
由MOSFET决定
25.06.2020
IGBT模块
IGBT（IGT），1982年研制， 第一代于1985年生产，主要 特点是低损耗，导通压降为 3V，下降时间0.5us，耐压 500—600V，电流25A。第二 代于1989年生产，有高速开 关型和低通态压降型，容量 为400A/500—1400V，工作频 率达20KHZ。
目前第三代正在发展，仍然分 为两个方向，一是追求损耗 更低和速度更高；另一方面 是发展更大容量，采用平板 压接工艺，容量达1000A， 4500V；命名为IEGT （InjectionEnhancedGateTra nsistor)
25.06.2020
42
动态特性（开关特性）
uGE tON
0.9UGEM
UST 0.1UGEM
UGEM
钳位效应：G-E驱动电流≈
二极管正向特 性
tOFF
t
iC
0.9ICM
0.1ICM
uCE
t2
ICM
t1
MOSON GTRON
• IGBT也属场控器件，其驱动原 理与电力MOSFET基本相同，是一 种由栅极电压UGE控制集电极电流 的栅控自关断器件。
❖ 导通：UGE大于开启电压UGE(th)时，
MOSFET内形成沟道，为晶体管提 供基极电流，IGBT导通。
❖ 导通压降：电导调制效应使电阻 RN减小，使通态压降小。
❖ 关断：栅射极间施加反压或不加 信号时，MOSFET内的沟道消失，
NPT-IGBT:非冲压机Throught-IGBT
20
IGBT按缓冲区的有无来分类，缓冲区是介于P+ 发射区和N-飘移区之间的N+层。无缓冲区者称 为对称型IGBT，有缓冲区者称为非对称型IGBT。 因为结构不同，因而特性也不同。非对称型 IGBT由于存在N+区，反向阻断能力弱，但其正 向压降低、关断时间短、关断时尾部电流小；与 此相反，对称型IGBT具有正反向阻断能力，其 他特性却不及非对称型IGBT。目前商品化的 IGBT单管或模块大部分是非对称型IGBT。
BiMOS器件
兼双极和单极型器件所长构成的 一种新型器件。这种新型器件设 计与制造技术就是双极—MOS复 合器件技术，简称BiMOS技术。 如IGBT、MCT等。
IGBT IGBT-绝缘栅双极晶体管
——是一种新型电力电子器件，具有输 入阻抗高、通态压降低、驱动电路简单、 安全工作区宽、电流处理能力强的特点， 广泛应用在电机控制、中频开关电源和 逆变器、机器人、空调器以及要求快速、 低损耗的许多领域
1700V/1200A ， 3300V/1200A IGBT 模块
IGBT模块内部结构
Powerex CM300DY-24H
4x IGBT
4x二极管
4.1 IGBT的结构和工作原理
IGBT是在VMOS的基础上发展起来的， 两者结构十分类似，不同之处是IGBT 多了一层P+层发射极，从而多了一个 大面积的P+N结（J1）。 IGBT也有N沟道和P沟道之分。
思考与讨论
1, 请分析IGBT与MOSFET的区别。 2, 请分析IGBT的工作原理。
25.06.2020
30
IGBT的工作特性包括静态和动态两类：静态特性。IGBT的静态特性主 要有伏安特性、饱和电压特性、转移特性和开关特性。
4、工作特性与参数
❖伏安特性
（1）静态特性
IC
25.06.2020
VBR VC E
1．开通过程：
td(on)：开通延迟时间 tri：电流上升时间 tfv1，tfv2：漏源电压下降时间 tfv1：MOSFET单独工作时的 电压下降时间。
tfv2：MOSFET和PNP管同时 工作时的电压下降时间。随漏
源电压下降而延长；受PNP管
饱和过程影响。
25.06.2020
38
IGBT的开关特性 （1）IGBT的开通过程：
不进入深饱和区，它的 电压降比处于深饱和区
Rb BJT
的 同 样 PNP 管 要 高 。 然
G
而特别应该指出的是： MOSFET
一 个 IGBT 发 射 极 覆 盖
芯片的整个面积，因此
它的注射效率和通态压
S
降比同样尺寸的双极晶
体管要优越得多。
对于已正向导通的 IGBT，如果想令其转 入关断状态，只须让 VG=0即可，可以通过 将栅极与发射极短路来 实现。
状态。此后，使门极—发射极之间的电
压为0V时，首先功率MOSFET处于断路