微电子器件基础题13页word文档
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《电子技术基础》课程习题集西南科技大学成人、网络教育学院版权所有习题【说明】：本课程《电子技术基础》（编号为08001）共有单选题,简答题,计算题1,作图题1,作图题2,计算题2,分析题,化简题等多种试题类型，其中，本习题集中有[计算题2,作图题2]等试题类型未进入。
一、单选题1.测得NPN三极管的三个电极的电压分别是U B=1.2V，U E=0.5V，U C=3V，该三极管处在（）状态。
A. 击穿B. 截止C. 放大D. 饱和2.二极管的主要特性是（）。
A.放大特性B.恒温特性C.单向导电特性D.恒流特性3.在N型半导体中（）。
A.只有自由电子B.只有空穴C.有空穴也有电子D.没有空穴也没有自由电子4.三极管的两个PN结都正偏，则晶体三极管的状态是（）。
A.放大B.饱和C.截止D.倒置5.工作在放大状态的某三极管，当输入电流I B=10μA时，I C=1mA；而I B=20μA时，I C=1.8mA，则该三极管的交流电流放大系数为（）。
A.50B.80C.100D.1806.稳压管的稳压是其工作在（）。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿区D.正向死区7.在某放大电路中测得三极管三个极的静态电位分别为0V、-10V和-9.3V，则该管为（）。
A.NPN硅管B.NPN锗管C.PNP硅管D.PNP锗管8.在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）。
A. 温度B. 掺杂工艺C. 杂质浓度D. 晶体缺陷9.测得NPN型硅三极管三个电极电位分别为：U B=2.8V，U E=2.1V，U C＝3.6V，则该管处于（）状态。
A.饱和B.截止C.放大D.击穿10. P型半导体中的自由电子浓度（）空穴浓度。
A.大于B.小于C.等于D.大于或等于11. N型半导体是在纯净的本征半导体中加入（）。
A.自由电子B.空穴C.硼元素D.磷元素12.三极管工作在放大区的条件是（）。
A.发射结正偏，集电结正偏B.发射结反偏，集电结正偏C.发射结正偏，集电结反偏D.发射结反偏，集电结反偏13.下列关于半导体的说法正确的是（）。
微电子器件基础第五章习题解答
p
ni
exp
Ei EFp k0T
Ei
EFp
k0T
ln
p ni
小注入下，空穴准费米能级，
Ei
E
p F
0.026ln
p0 p ni
0.026ln
2.25 105 1014 1.5 1010
0.026ln 6.67 103 0.23eV
8. 解：从题意知，P型半导体，小注入下，复合中心的电子产生率等于空穴捕获率，
第五章 非平衡载流子
1.
N Ge p 1104 s, p 1013cm3
解：
U
p
p
1013 1104
1017
cm3s1
2. 空穴在半导体内均匀产生，其产生率 g p
解： 由空穴连续性方程，
p t
Dp
2 p x2
p
E
p x
E
p p x
p p g p
3. N Si
p 1106 s
g p 1022 cm3s1 0 10cm
解： 半导体内光生非平衡空穴浓度，
p p g p 106 1022 1016 cm3s1
光照下，半导体的电导率，
0
1 pq
rn rp Nt rp rn
1 Nt rp
1 Nt rn
p
n
10. Nt 1016 cm3
解：根据PP158给出数据，
在N型硅中，金的受主能级起作用，金负离子对空穴的俘获系数，
微电子技术基础 全册习题解答
微电子技术基础全册习题解答第1章习题解答1．微电子学主要以半导体材料的研究为基础，以实现电路和系统的集成为目的，构建各类复杂的微小化的芯片，其涵盖范围非常广泛，包括各类集成电路（Integrated Circuit，IC）、微型传感器、光电器件及特殊的分离器件等。
2．数字集成电路、模拟集成电路、数模混合集成电路。
3．设计、制造、封装、测试。
4．微机电系统是指集微型传感器、微型执行器、信号处理和控制电路、接口电路、通信系统及电源于一体的系统。
典型应用包括微加速度计、微磁力计、微陀螺仪等。
第2章习题解答1．（100）平面：4.83Å，（110）平面：6.83Å2．略。
3．略。
4．硅的原子密度约为5×1022/cm3，硅外层有四个价电子，故价电子密度为2×1023/cm3 5．N型掺杂杂质：P、As、Sb，P型掺杂杂质：B、Al、Ga、In6．As有5个价电子，为施主杂质，形成N型半导体7．当半导体中同时存在施主和受主杂质时，会发生杂杂质补偿作用，在实际工艺中杂质补偿作用使用的非常广泛，例如在P阱结构中制备NMOS管8．理想半导体假设晶格原子严格按周期性排列并静止在格点位置上，实际半导体中原子不是静止的，而是在其平衡位置附近振动。
理想半导体是纯净不含杂质的，实际半导体含有若干杂质。
理想半导体的晶格结构是完整的，实际半导体中存在点缺陷，线缺陷和面缺陷等。
9．费米能级用于衡量一定温度下，电子在各个量子态上的统计分布。
数值上费米能级是温度为绝对零度时固体能带中充满电子的最高能级。
10．状态密度函数表示能带中能量E附近每单位能量间隔内的量子态数。
11．费米-狄拉克概率函数表示热平衡状态下电子（服从泡利不相容原理的费米子）在不同能量的量子态上统计分布概率。
12．1.5k0T：费米函数0.182，玻尔兹曼函数0.2334k0T：费米函数0.018，玻尔兹曼函数0.018310k0T：费米函数4.54×10-5，玻尔兹曼函数4.54×10-513．所以假设硅的本征费米能级位于禁带中央是合理的14．假设杂质全部由强电离区的E FN D=1019/cm3；E F=E c-0.027eV15．未电离杂质占的百分比为得出：T=37.1K16．本征载流子浓度：1013/cm 3，多子浓度： 1.62×1013/cm 3，少子浓度：6.17×1012/cm 3，E F -E i =0.017eV17．*pC V 0i F *n 3ln 24m E E k T E E m +==+，当温度较小时，第二项整体数值较小，本征费米能级可近似认为处于禁带中央。
微电子课程复习题
“微电子器件”课程复习题一、填空题1、若某突变PN 结的P 型区的掺杂浓度为163A 1.510cm N -=⨯，则室温下该区的平衡多子浓度p p0与平衡少子浓度n p0分别为（ ）和（ ）。
2、在PN 结的空间电荷区中，P 区一侧带（ ）电荷，N 区一侧带（ ）电荷。
内建电场的方向是从（ ）区指向（ ）区。
3、当采用耗尽近似时，N 型耗尽区中的泊松方程为（ ）。
由此方程可以看出，掺杂浓度越高，则内建电场的斜率越（ ）。
4、PN 结的掺杂浓度越高，则势垒区的长度就越（ ），内建电场的最大值就越（ ），内建电势Vbi 就越（ ），反向饱和电流I0就越（ ），势垒电容CT 就越（ ），雪崩击穿电压就越（ ）。
5、硅突变结内建电势Vbi 可表为（ ），在室温下的典型值为（ ）伏特。
6、当对PN 结外加正向电压时，其势垒区宽度会（ ），势垒区的势垒高度会（ ）。
7、当对PN 结外加反向电压时，其势垒区宽度会（ ），势垒区的势垒高度会（ ）。
8、在P 型中性区与耗尽区的边界上，少子浓度np 与外加电压V 之间的关系可表示为（ ）。
若P 型区的掺杂浓度173A 1.510cm N -=⨯，外加电压V = 0.52V ，则P 型区与耗尽区边界上的少子浓度np 为（ ）。
9、当对PN结外加正向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度（）；当对PN结外加反向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度（）。
10、PN结的正向电流由（）电流、（）电流和（）电流三部分所组成。
11、PN结的正向电流很大，是因为正向电流的电荷来源是（）；PN结的反向电流很小，是因为反向电流的电荷来源是（）。
12、当对PN结外加正向电压时，由N区注入P区的非平衡电子一边向前扩散，一边（）。
每经过一个扩散长度的距离，非平衡电子浓度降到原来的（）。
13、PN结扩散电流的表达式为（）。
这个表达式在正向电压下可简化为（），在反向电压下可简化为（）。
微电子器件复习
微电子器件复习（不完善）这是不小心听了四班的班会的结果，仍有不完善的地方，希望大家根据各自的资源将这份资料补充完整。
第二章1、PN结内建电场、内建电势与耗尽区宽度（P9）内建电势V bi=(kT/q) ln(N A N D/ni2)N0=N A N D/(N A+N D) 约化浓度内建电场|E max|=(2qN0V bi/εs)1/2N区耗尽层宽度x n=εs|E max|/qN D=[2εs N A V bi/qN D(N A+N D)]1/2P区耗尽层宽度x p=εs|E max|/qN A=[2εs N D V bi/qN A(N A+N D)]1/2总的耗尽区宽度x d=x n+x p=[2εs V bi/qN0]1/22、单边突变结的情况P+N单边突变结N A>>N D，所以N0≈N Dx d≈x n≈[2εs V bi/qN D]1/2x p≈0|E max|=(2qN D V bi/εs)1/2PN+同理，不过将上面的n,p替换一下3、扩散电流（P20）N区中的空穴扩散电流密度J dp=(qD p/L p) p n0[exp(qV/kT)-1]P区中的电子扩散电流密度J dn=(qD n/L n) n p0[exp(qV/kT)-1]PN结扩散电流密度J d= q[(D p p n0 /L p)+( D n n p0/L n) ] [exp(qV/kT)-1]=J0[exp(qV/kT)-1] 反向漏电流J0= q[(D p p n0 /L p)+( D n n p0/L n) ]= qn i2[(D p /N D L p)+( D n /N A L n) ]D n、D p为扩散系数，L n=(D nτn)1/2为扩散长度4、能带图（P28）图2-21和图2-225、雪崩击穿条件（P35）条件是雪崩击穿因子M=1/(1-∫Xd0αi dx)→∞αi为碰撞电离率或者∫Xd0αi dx→16、雪崩击穿电压的计算（P36）突变结V B=(εs E c2)/2qN0线性缓变结V B= (32εs/9aqN0)1/2E c3/28、结的结构对雪崩击穿电压的影响（P38）高阻N区的厚度为W当W>x dB，则V B=E c x dB/2当W<x dB，则V’B=V B(2x dB W-W2)/x dB27、了解雪崩击穿的概念、影响二、第四章1、MOS管的阈电压V T计算（P206-207）V T=V s+Φms-(Q ox/C ox)±K(±2ΦFB+V S-V B)1/2+2ΦFB对于±，N沟道时取正，P沟道时取负其中ΦFB=±(kT/q) ln(N AD/n i)Φms=-0.6-ΦFBC ox=εox/T ox ，T ox为栅氧化层厚度，εox=3.453×10-13F/cmK=(2qεs N AD)1/2/C ox2、衬底偏置效应（体效应）的概念、影响（P208）3、直流电压电流方程（P212-214）只用记一些短的就可以了4、MOS管亚阈区导电（P216-218）5、4.8节短沟道效应里面各种效应的概念、影响（P237-247）三、第三章（知识点零碎，下面仅供参考，出简答题和分析题）1、α、β分别与I E的关系曲线分析，着重考虑α例如分析P75的图3-13，五个点（具体答案暂缺）2、双极结型晶体管的反向特性。
微电子技术基础知识单选题100道及答案解析
微电子技术基础知识单选题100道及答案解析1. 微电子技术的核心是（）A. 集成电路B. 晶体管C. 电子管D. 激光技术答案：A解析：集成电路是微电子技术的核心。
2. 以下哪种材料常用于微电子器件的制造（）A. 钢铁B. 塑料C. 硅D. 木材答案：C解析：硅是微电子器件制造中常用的半导体材料。
3. 微电子技术中，芯片制造工艺的精度通常用（）来衡量。
A. 纳米B. 微米C. 毫米D. 厘米答案：A解析：芯片制造工艺精度通常用纳米来衡量。
4. 集成电路中，基本的逻辑门包括（）A. 与门、或门、非门B. 加法门、减法门C. 乘法门、除法门D. 以上都不对答案：A解析：与门、或门、非门是集成电路中的基本逻辑门。
5. 微电子技术的发展使得计算机的体积越来越（）A. 大B. 小C. 不变D. 随机答案：B解析：微电子技术进步使计算机体积逐渐变小。
6. 以下哪个不是微电子技术的应用领域（）A. 航空航天B. 农业种植C. 通信D. 医疗答案：B解析：农业种植通常较少直接应用微电子技术。
7. 在微电子制造中，光刻技术的作用是（）A. 刻蚀电路B. 沉积材料C. 图案转移D. 检测缺陷答案：C解析：光刻技术主要用于图案转移。
8. 微电子封装技术的主要目的是（）A. 保护芯片B. 提高性能C. 便于连接D. 以上都是答案：D解析：微电子封装技术能保护芯片、提高性能并便于连接。
9. 摩尔定律指出，集成电路上可容纳的晶体管数目约每隔（）翻一番。
A. 18 个月B. 2 年C. 5 年D. 10 年答案：A解析：摩尔定律表明约每隔18 个月集成电路上晶体管数目翻番。
10. 微电子技术中的掺杂工艺是为了改变半导体的（）A. 电阻B. 电容C. 电导D. 电感答案：C解析：掺杂改变半导体的电导特性。
11. 以下哪种设备常用于微电子制造中的检测（）A. 显微镜B. 示波器C. 扫描仪D. 电子显微镜答案：D解析：电子显微镜常用于微电子制造中的检测。
《微电子器件原理》复习题课件
《微电⼦器件原理》复习题课件考试时间： (第⼗周周⼆6-8节)考试地点：待定《微电⼦器件原理》复习题及部分答案⼀、填空1、PN结电容可分为扩散电容和过渡区电容两种，它们之间的主要区别在于扩散电容产⽣于过渡区外的⼀个扩散长度范围内，其机理为少⼦的充放电，⽽过渡区电容产⽣于空间电荷区，其机理为多⼦的注⼊和耗尽。
2、当MOSFET器件尺⼨缩⼩时会对其阈值电压V T产⽣影响，具体地，对于短沟道器件对V T的影响为下降，对于窄沟道器件对V T的影响为上升。
3、在NPN型BJT中其集电极电流I C受V BE电压控制，其基极电流I B受V BE电压控制。
4、硅-绝缘体SOI器件可⽤标准的MOS⼯艺制备，该类器件显著的优点是寄⽣参数⼩，响应速度快等。
5、PN结击穿的机制主要有雪崩击穿、齐纳击穿、热击穿等等⼏种，其中发⽣雪崩击穿的条件为V B>6E g/q。
6、当MOSFET进⼊饱和区之后，漏电流发⽣不饱和现象，其中主要的原因有沟道长度调制效应，漏沟静电反馈效应和空间电荷限制效应。
⼆、简述1、Early电压V A；答案：2、截⽌频率f T；答案：截⽌频率即电流增益下降到1时所对应的频率值。
3、耗尽层宽度W。
答案：P型材料和N型材料接触后形成PN结，由于存在浓度差，就会产⽣空间电荷区，⽽空间电荷区的宽度就称为耗尽层宽度W。
4、雪崩击穿答案：反偏PN中，载流⼦从电场中获得能量；获得能量的载流⼦运动与晶格相碰，使满带电⼦激出到导带，通过碰撞电离由电离产⽣的载流⼦（电⼦空⽳对)及原来的载流⼦⼜能通过再碰撞电离,造成载流⼦倍增效应，当倍增效应⾜够强的时候，将发⽣“雪崩”——从⽽出现⼤电流，造成PN结击穿，此称为“雪崩击穿”。
5、简述正偏PN结的电流中少⼦与多⼦的转换过程。
答案：N型区中的电⼦,在外加电压的作⽤下,向边界Xn漂移,越过空间电荷区,在边界Xp形成⾮平衡少⼦分布,注⼊到P区的少⼦,然后向体内扩散形成电⼦扩散电流,在扩散过程中电⼦与对⾯漂移过来的空⽳不断复合,结果电⼦扩散电流不断转为空⽳漂移电流.空⽳从P区向N区运动也类同.6、太阳电池和光电⼆极管的主要异同点有哪些？答案：相同点：都是应⽤光⽣伏打效应⼯作的器件。
(完整word版)电子技术基础
《电子技术基础》课程学习指导书第14章 半导体二极管和三极管一、选择题：14.1 半导体的导电能力（ c )。
(a) 与导体相同 （b) 与绝缘体相同 (c) 介乎导体和绝缘体之间14。
2 P 型半导体中空穴数量远比电子多得多，因此该半导体应（ c )。
(a ） 带正电 (b ） 带负电 （c) 不带电 14。
3 N 型半导体的多数载流子是电子，因此它应（ c ）. （a) 带负电 （b ） 带正电 (c) 不带电14.4 将PN 结加适当的反向电压，则空间电荷区将（ b ）。
(a ） 变窄 （b ） 变宽 (c) 不变 14。
5 普通半导体二极管是由( a )。
(a ）一个PN 结组成 （b ）两个PN 结组成 （c ）三个PN 结组成14。
6 电路如图所示，直流电压U I =10 V,稳压管的稳定电压U Z =6 V ，则限流电阻R 上的压降U R 为（ c ）。
(a)10V （b ）6V （c)4V (d ）—4VRO14。
7 电路如图所示，已知u I=3V，则晶体管T此时工作在（ b )。
（a)放大状态 (b）截止状态 (c）饱和状态10V1kΩβ=50二、填空题：14。
8 半导体二极管的主要特点是具有单向导电性 .14。
9 理想二极管的正向电阻为 0 .14.10 理想二极管的反向电阻为无穷大 .14。
11 二极管导通的条件是加在二极管两端的电压是正向电压大于PN结的死区电。
14。
12 N型半导体中的多数载流子是自由电子。
14。
13 P型半导体中的多数载流子是空穴。
三、计算题14.14 电路如图所示，二极管D为理想元件，U S=5 V，求电压u O。
u OUo=Us=5V14.15 电路如图所示，二极管为理想元件，u i=3sin ωt V ，U =3V ，当ωt =0瞬间,求输出电压u O 。
u OUo=0v14。
16 电路如图所示，输入信号u i=6sin ωt V 时，求二极管D 承受的最高反向电压。
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微电子器件基础题13页word文档“微电子器件”课程复习题一、填空题1、若某突变PN 结的P 型区的掺杂浓度为163A 1.510cm N -=?，则室温下该区的平衡多子浓度p p0与平衡少子浓度n p0分别为（）和（）。
2、在PN 结的空间电荷区中，P 区一侧带（负）电荷，N 区一侧带（正）电荷。
内建电场的方向是从（N ）区指向（P ）区。
3、当采用耗尽近似时，N 型耗尽区中的泊松方程为（）。
由此方程可以看出，掺杂浓度越高，则内建电场的斜率越（）。
4、PN 结的掺杂浓度越高，则势垒区的长度就越（短），内建电场的最大值就越（大），内建电势V bi 就越（大），反向饱和电流I 0就越（小），势垒电容C T 就越（），雪崩击穿电压就越（低）。
5、硅突变结内建电势V bi 可表为（），在室温下的典型值为（0.8）伏特。
6、当对PN 结外加正向电压时，其势垒区宽度会（减小），势垒区的势垒高度会（降低）。
7、当对PN 结外加反向电压时，其势垒区宽度会（变宽），势垒区的势垒高度会（增高）。
8、在P 型中性区与耗尽区的边界上，少子浓度n p 与外加电压V 之间的关系可表示为（）。
若P 型区的掺杂浓度173A 1.510cm N -=?，外加电压V = 0.52V ，则P 型区与耗尽区边界上的少子浓度n p 为（）。
9、当对PN 结外加正向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度（高）；当对PN 结外加反向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度（低）。
10、PN 结的正向电流由（空穴扩散Jdp ）电流、（电子扩散电流Jdn ）电流和（势垒区复合电流Jr ）电流三部分所组成。
11、PN 结的正向电流很大，是因为正向电流的电荷来源是（多子）；PN 结的反向电流很小，是因为反向电流的电荷来源是（少子）。
12、当对PN 结外加正向电压时，由N 区注入P 区的非平衡电子一边向前扩散，一边（复合）。
每经过一个扩散长度的距离，非平衡电子浓度降到原来的（）。
13、PN 结扩散电流的表达式为（）。
这个表达式在正向电压下可简化为（），在反向电压下可简化为（）。
14、在PN 结的正向电流中，当电压较低时，以（复合）电流为主；当电压较高时，以（扩散）电流为主。
15、薄基区二极管是指PN 结的某一个或两个中性区的长度小于（少子扩散长度）。
在薄基区二极管中，少子浓度的分布近似为（线性）。
16、小注入条件是指注入某区边界附近的（非平衡少子）浓度远小于该区的（平衡多子）浓度，因此该区总的多子浓度中的（非平衡）多子浓度可以忽略。
17、大注入条件是指注入某区边界附近的（非平衡少子）浓度远大于该区的（平衡多子）浓度，因此该区总的多子浓度中的（平衡）多子浓度可以忽略。
18、势垒电容反映的是PN结的（中性区中的非平衡载流子）电荷随外加电压的变化率。
PN结的掺杂浓度越高，则势垒电容就越（高）；外加反向电压越高，则势垒电容就越（低）。
19、扩散电容反映的是PN结的（势垒区边缘的电离杂质）电荷随外加电压的变化率。
正向电流越大，则扩散电容就越（大）；少子寿命越长，则扩散电容就越（大）。
20、在PN结开关管中，在外加电压从正向变为反向后的一段时间内，会出现一个较大的反向电流。
引起这个电流的原因是存储在（N）区中的（非平衡少子）电荷。
这个电荷的消失途径有两条，即（反向电流的抽取）和（自身的复合）。
21、从器件本身的角度，提高开关管的开关速度的主要措施是（）和（）。
22、PN结的击穿有三种机理，它们分别是（）、（）和（）。
23、PN结的掺杂浓度越高，雪崩击穿电压就越（）；结深越浅，雪崩击穿电压就越（）。
24、雪崩击穿和齐纳击穿的条件分别是（）和（）。
25、晶体管的基区输运系数是指（基区中到达集电结的少子）电流与（从发射结刚注入基区的少子）电流之比。
由于少子在渡越基区的过程中会发生（复合），从而使基区输运系数（小于1）。
为了提高基区输运系数，应当使基区宽度（减小）基区少子扩散长度。
26、晶体管中的少子在渡越（基区）的过程中会发生（复合），从而使到达集电结的少子比从发射结注入基区的少子（少）。
27、晶体管的注入效率是指（在发射结正偏，集电结零偏的条件下从发射区注入基区的少子）电流与（总的发射极电流）电流之比。
为了提高注入效率，应当使（发射）区掺杂浓度远大于（基）区掺杂浓度。
28、晶体管的共基极直流短路电流放大系数α是指发射结（正）偏、集电结（零）偏时的（集电极）电流与（发射极）电流之比。
29、晶体管的共发射极直流短路电流放大系数β是指（发射结）结正偏、（集电极）结零偏时的（集电极）电流与（基极）电流之比。
30、在设计与制造晶体管时，为提高晶体管的电流放大系数，应当（）基区宽度，（）基区掺杂浓度。
31、某长方形薄层材料的方块电阻为100Ω，长度和宽度分别为300μm和60μm，则其长度方向和宽度方向上的电阻分别为（500）和（）。
若要获得1K Ω的电阻，则该材料的长度应改变为（600um ）。
32、在缓变基区晶体管的基区中会产生一个（加速场），它对少子在基区中的运动起到（加速）的作用，使少子的基区渡越时间（减少）。
33、小电流时α会（随电流的减小而下降）。
这是由于小电流时，发射极电流中（势垒区复合电流占发射结电流）的比例增大，使注入效率下降。
34、发射区重掺杂效应是指当发射区掺杂浓度太高时，不但不能提高（注入效率），反而会使其（下降）。
造成发射区重掺杂效应的原因是（发射区禁带变窄）和（俄歇复合增强）。
35、在异质结双极晶体管中，发射区的禁带宽度（）于基区的禁带宽度，从而使异质结双极晶体管的（）大于同质结双极晶体管的。
36、当晶体管处于放大区时，理想情况下集电极电流随集电结反偏的增加而（不变）。
但实际情况下集电极电流随集电结反偏增加而（增加），这称为（基区宽度调变）效应。
37、当集电结反偏增加时，集电结耗尽区宽度会（变宽），使基区宽度（变窄），从而使集电极电流（增大），这就是基区宽度调变效应（即厄尔利效应）。
38、I ES 是指（集电极与基）结短路、（发射）结反偏时的（发射）极电流。
39、I CS 是指（发射极与基）结短路、（集电）结反偏时的（集电）极电流。
41、I CBO 是指（发射）极开路、（集电）结反偏时的（集电）极电流。
41、I CEO 是指（基）极开路、（集电）结反偏时的（发射极穿透到集电）极电流。
42、I EBO 是指（集电）极开路、（发射）结反偏时的（发射）极电流。
43、BV CBO 是指（发射）极开路、（集电）结反偏，当（）∞→时的V CB 。
44、BV CEO 是指（基）极开路、（集电）结反偏，当（）∞→时的V CE 。
45、BV EBO 是指（集电）极开路、（发射）结反偏，当（）∞→时的V EB 。
46、基区穿通是指当集电结反向电压增加到使耗尽区将（基区）全部占据时，集电极电流急剧增大的现象。
防止基区穿通的措施是（增加）基区宽度、（增加）基区掺杂浓度。
47、比较各击穿电压的大小时可知，BV CBO （）BV CEO ，BV CBO （》）BV EBO 。
48、要降低基极电阻bb r '，应当（增大）基区掺杂浓度，（）基区宽度。
49、无源基区重掺杂的目的是（）。
50、发射极增量电阻r e 的表达式是（）。
室温下当发射极电流为1mA时，r e =（）。
51、随着信号频率的提高，晶体管的ωα、ωβ的幅度会（），相角会（）。
52、在高频下，基区渡越时间b τ对晶体管有三个作用，它们是：（）、（）和（）。
53、基区渡越时间b τ是指（）。
当基区宽度加倍时，基区渡越时间增大到原来的（）倍。
54、晶体管的共基极电流放大系数ωα随频率的（）而下降。
当晶体管的ωα下降到（）时的频率，称为α的截止频率，记为（）。
55、晶体管的共发射极电流放大系数ωβ随频率的（）而下降。
当晶体管的ωβ下降到021β时的频率，称为β的（），记为（）。
56、当βf f >>时，频率每加倍，晶体管的ωβ降到原来的（）；最大功率增益p max K 降到原来的（）。
57、当（）降到1时的频率称为特征频率T f 。
当（）降到1时的频率称为最高振荡频率M f 。
58、当ωβ降到（）时的频率称为特征频率T f 。
当p max K 降到（）时的频率称为最高振荡频率M f 。
59、晶体管的高频优值M 是（）与（）的乘积。
60、晶体管在高频小信号应用时与直流应用时相比，要多考虑三个电容的作用，它们是（）电容、（）电容和（）电容。
61、对于频率不是特别高的一般高频管，ec τ中以（）为主，这时提高特征频率T f 的主要措施是（）。
62、为了提高晶体管的最高振荡频率M f ，应当使特征频率T f （），基极电阻bb r '（），集电结势垒电容TC C （）。
63、对高频晶体管结构上的基本要求是：（）、（）、（）和（）。
64、N 沟道MOSFET 的衬底是（）型半导体，源区和漏区是（）型半导体，沟道中的载流子是（）。
65、P 沟道MOSFET 的衬底是（）型半导体，源区和漏区是（）型半导体，沟道中的载流子是（）。
66、当GS T V V =时，栅下的硅表面发生（），形成连通（）区和（）区的导电沟道，在DS V 的作用下产生漏极电流。
67、N 沟道MOSFET 中，GS V 越大，则沟道中的电子就越（），沟道电阻就越（），漏极电流就越（）。
68、在N 沟道MOSFET 中，T 0V >的称为增强型，当GS 0V =时MOSFET 处于（）状态；T 0V <的称为耗尽型，当GS 0V =时MOSFET 处于（）状态。
69、由于栅氧化层中通常带（）电荷，所以（）型区比（）型区更容易发生反型。
70、要提高N 沟道MOSFET 的阈电压V T ，应使衬底掺杂浓度N A （），使栅氧化层厚度T ox （）。
71、N 沟道MOSFET 饱和漏源电压Dsat V 的表达式是（）。
当DS Dsat V V ≥时，MOSFET 进入（）区，漏极电流随DS V 的增加而（）。
72、由于电子的迁移率n μ比空穴的迁移率p μ（），所以在其它条件相同时，（）沟道MOSFET 的Dsat I 比（）沟道MOSFET 的大。
为了使两种MOSFET 的Dsat I 相同，应当使N 沟道MOSFET 的沟道宽度（）P 沟道MOSFET 的。
73、当N 沟道MOSFET 的GS T V V <时，MOSFET （）导电，这称为（）导电。
74、对于一般的MOSFET ，当沟道长度加倍，而其它尺寸、掺杂浓度、偏置条件等都不变时，其下列参数发生什么变化：T V （）、Dsat I （）、on R （）、m g （）。