微电子器件课程复习题教学内容
微电子器件 学习辅导资料 第 1 章
1 半导体物理基础1.1 半导体材料 1.1.1 学习重点1．半导体通常把电阻率介于10-2Ω·cm 到109Ω·cm 之间的材料称为半导体。
2．半导体的分类 根据成分的不同，半导体可分为元素半导体和化合物半导体两类。
由单一元素构成的半导体称为元素半导体；由两种或两种以上的元素组成的半导体称为化合物半导体。
3．固体材料中原子、分子或分子团的排列方式根据原子、分子或分子团在三维空间中排列有序程度的不同，固体材料分为无定形、多晶和单晶三种基本类型。
• 无定型材料：原子或分子只在几个原子或分子尺度内排列有序。
• 多晶材料：原子或分子在小区域内排列有序。
• 单晶体：原子或分子在整个晶体中有序排列。
4．硅和锗的晶体结构硅和锗的单晶体中原子的排列方式与金刚石相同，称为金刚石结构，如下图所示。
1.1.2自学练习1、半导体材料是指（ ）。
（a) 金刚石结构（b）硅单晶的正四面体结构硅和锗的晶体结构2、根据成分的不同，半导体材料可分为（ ）和（ ）两类。
3、根据原子、分子或分子团在三维空间中排列有序程度的不同，固体材料分为（ ）、 （ ）和（ ）三种基本类型。
4、无定型、多晶和单晶在原子或分子的排列方式各有什么特点？5、硅和锗单晶的结构为（ ）结构。
6、硅单晶的结构特点是什么？1.1.3练习答案1、半导体材料是指（ 电阻率介于导体和半导体之间的材料 ）。
2、根据成分的不同，半导体材料可分为（ 元素半导体 ）和（ 化合物半导体 ）两类。
3、根据原子、分子或分子团在三维空间中排列有序程度的不同，固体材料分为（ 无定形 ）、（ 多晶 ）和（ 单晶 ）三种基本类型。
4、无定型、多晶和单晶在原子或分子的排列方式各有什么特点？ 答：无定型材料中原子或分子只在几个原子或分子尺度内排列有序。
多晶材料中原子或分子在小区域内排列有序。
单晶体中原子或分子在整个晶体中有序排列。
5、硅和锗单晶的结构为（ 金刚石 ）结构。
微电子器件授课教案
微电子器件授课教案第一章：微电子器件概述1.1 微电子器件的定义与发展历程1.2 微电子器件的基本原理与分类1.3 微电子器件在现代科技领域的应用1.4 本章小结第二章：半导体物理基础2.1 半导体的基本概念与特性2.2 半导体材料的制备与分类2.3 PN结的形成与特性2.4 本章小结第三章：二极管与三极管3.1 二极管的结构、原理与特性3.2 二极管的应用电路3.3 三极管的结构、原理与特性3.4 三极管的应用电路3.5 本章小结第四章：场效应晶体管4.1 场效应晶体管的基本概念与结构4.2 场效应晶体管的原理与特性4.3 场效应晶体管的应用电路4.4 本章小结第五章：集成电路及其应用5.1 集成电路的基本概念与分类5.2 集成电路的制备工艺5.3 常见集成电路举例5.4 集成电路的应用与发展趋势5.5 本章小结第六章：金属-半导体器件6.1 金属-半导体结的形成与特性6.2 MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）的基本原理6.3 MOSFET的制备工艺与结构类型6.4 MOSFET的应用电路与特性分析6.5 本章小结第七章：集成电路设计基础7.1 数字集成电路设计概述7.2 逻辑门与逻辑电路设计7.3 触发器与时序逻辑电路设计7.4 模拟集成电路设计基础7.5 本章小结第八章：微电子器件的封装与测试8.1 微电子器件封装技术概述8.2 常见封装形式及其特点8.3 微电子器件的测试方法与设备8.4 测试结果的分析与评价8.5 本章小结第九章：微电子器件的可靠性9.1 微电子器件可靠性的基本概念9.2 影响微电子器件可靠性的因素9.3 提高微电子器件可靠性的措施9.4 可靠性测试与评估方法9.5 本章小结第十章：微电子器件的发展趋势10.1 微电子器件技术的创新点10.2 微电子器件在新领域的应用10.3 我国微电子器件产业的发展现状与展望10.4 本章小结重点和难点解析一、微电子器件的定义与发展历程难点解析：对微电子器件的理解需要从其定义出发，明确其作为一种电子器件的特殊性，以及其发展的历程和分类。
微电子复习资料全
集成电路的分类：1.按器件结构类型分类，共有三种类型，它们分别为双极集成电路，MOS集成电路和双极－MOS混合型集成电路。
（1）双极集成电路:这种电路采用的有源器件是双极晶体管，在双极集成电路中，又可以根据双极晶体管的类型的不同，而将它们细分为NPN型和PNP型双极集成电路。
双极集成电路的特点是速度高，驱动能力强，缺点是功耗较大，集成度相对较低。
（2）金属－氧化物－半导体（MOS）集成电路：这种电路中所用的晶体管为MOS晶体管，根据MOS晶体管类型的不同，MOS集成电路又可以分为NMOS，PMOS和CMOS集成电路。
与双极集成电路相比，MOS集成电路的主要优点是：输入阻抗高，抗干扰能力强，功耗小，集成度高（适合大规模集成），因此，进入超大规模集成电路时代以后，MOS，特别是CMOS集成电路已经成为集成电路的主流。
（3）双极－MOS集成电路：同时包括双极和MOS晶体管的集成电路为双极－MOS集成电路，双极－MOS 集成电路综合了双极和MOS器件两者的优点，但这种电路具有制作工艺复杂的缺点。
随着CMOS集成电路中器件特征尺寸的减小，CMOS集成电路的速度越来越高，已经接近双极集成电路，因此，目前集成电路的主流技术仍然是CMOS技术。
2.按集成电路规模分类：每块集成电路芯片中包含的元器件数目叫做集成度，根据集成电路规模的大小，通常将集成电路分为小规模集成电路,中规模集成电路，大规模集成电路，超大规模集成电路，特大规模集成电路和巨大规模集成电路.3.按结构形式的分类：按照集成电路的结构形式可以将它分为半导体单片集成电路及混合集成电路。
(1)单片集成电路：它是指电路中所有的元器件都制作在同一块半导体基片上的集成电路。
(2)混合集成电路：是指将多个半导体集成电路芯片或半导体集成电路芯片与各种分立元器件通过一定的工艺进行二次集成，构成一个完整的，更复杂的功能器件，该功能器件最后被封装在一个管壳中，作为一个整体使用，在混合集成电路中，主要由片式无源元件，半导体芯片，带有互连金属化层的绝缘基板以及封装管壳组成。
微电子学概论复习题及答案(详细版).
双极逻辑门电路类型（几种主要的）：
电阻耦合型---电阻-晶体管逻辑 (RTL)：
二极管耦合----二极管-晶体管逻辑 (DTL)
晶体管耦合----晶体管-晶体管逻辑 (TTL)
合并晶体管----集成注入逻辑 (I2L)
6.双极晶体管工作原理，基本结构，直流特性（课件）
工作原理： 基本结构：由两个相距很近的 PN 结组成 直流特性: 1. 共发射极的直流特性曲线
2 . 共基极的直流特性曲线
7.MOS 晶体管基本结构、工作原理、I-V 方程、三个工作区的特性（课件）
基本结构：属于四端器件，有四个电极。由于结构对称，在不加偏压时，无法区分器件的源 和漏。源漏之间加偏压后，电位低的一端称为源，电位高的一端称为漏。 工作原理： 施加正电荷作用使半导体表面的空穴被排走，少子（电子）被吸引过来。继续增大正电压， 负空间电荷区加宽，同时被吸引到表面的电子也增加。形成耗尽层。电压超过一定值 Vt，吸 引到表面的电子浓度迅速增大，在表面形成一个电子导电层，反型层。 I-V 方程： 电流-电压表达式： 线性区：Isd=βp (|Vgs|-|Vtp|-|Vds|/2) |Vds| 饱和区：Isd=(βp/2)(|Vgs|-|Vtp|)² 三个工作区的特性： 线性区(Linear region) ：
综上所述：
Vi<Vg-Vt 时，MOS 管无损地传输信号； Vi≥Vg-Vt 时，Vo=Vg-Vt 信号传输有损失，称为阈值损失，对于高电平’1’， NMOS 开关输出端损失一个 Vt；
为了解决 NMOS 管在传输’1’电平、PMOS 在传输’0’电平时的信号损失，通 常采用 CMOS 传输门作为开关使用。它是由一个 N 管和一个 P 管构成。工作时，NMOS 管的衬底接地，PMOS 管的衬底接电源，且 NMOS 管栅压 Vgn 与 PMOS 管的栅压 Vgp 极性相反。
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一、填空题：1、半导体的硅单晶属于 金刚石 结构。
通常IC 所用的硅片是沿硅单晶的 （100）面切割的。
2. 一种半导体材料如果没有掺杂任何杂质，这种材料称为 本征 半导体。
半导体中的载流子包括多子 和 少子 。
P 型Si 半导体中多数载流子为 空穴 ，少数载流子为 电子 。
3. P-N 结二极管的击穿现象可以按照击穿机理分为 雪崩 击穿、隧道击穿。
6. 集成电路制造工艺按照制造有源器件不同可分为双极集成电路工艺和 MOS 集成电路 工艺。
7. SOC 的中文简称为系统芯片。
8．光电子器件是 光子 和半导体中的 电子 相互转换的半导体器件。
光子、电子（1）本征载流子浓度表达式n=p=n i 且n∙p=n i 2（2）质量作用定律表达式:_________，（3）半导体基本方程表达式P35共5个 ， （4）PN 结是动态电荷的平衡区，（5）PN 结正向偏置时以扩散电流为主形成导通，反向偏置时以漂移电流为主形成截止。
跨导定义：特征尺寸：耗尽层：质量作用定律的证明：掺杂半导体中产生率与空穴浓度和电子浓度有关，那么有：***G G r n p n p r=⇒= 在热平衡状态下，平衡载流子产生率和复合率相等，所以：复合率***F F G r n p n p r ==⇒= 对于本征半导体有200*i n p n =热平衡状态下，掺杂半导体载流子都是由本征激发产生的，有00*F G n p r r == 故有，200****i i i F G n p n p n n n p n r r====⇒= 书上课后题两个：（图片均可放大）空穴是怎么形成电流导电的？如果共价键中的电子获得足够的能量，它就可以摆脱共价键的束缚，成为可以自由运动的电子。
这时在原来的共价键上就留下了一个缺位，因为邻键上的电子随时可以跳过来填补这个缺位，从而使缺位转移到邻键上去，所以，缺位也是可以移动的。
这种可以自由移动的空位被称为空穴。
半导体就是靠着电子和空穴的移动来导电的。
微电子概论复习资料
微电子概论复习资料微电子概论复习资料微电子是现代科技的重要组成部分，它涉及到集成电路、半导体器件、电子设备等方面的知识。
作为一门复杂而又广泛的学科，微电子的学习需要掌握一定的基础知识和技能。
本文将从微电子的发展历程、基本概念、主要应用领域以及未来发展趋势等方面进行探讨和复习。
一、微电子的发展历程微电子的发展可以追溯到20世纪50年代，当时人们开始研究和开发集成电路。
随着技术的不断进步，集成电路的规模越来越小，功能越来越强大。
在60年代，人们成功地制造出了第一颗微处理器，这标志着微电子技术的重大突破。
从此以后，微电子技术得到了广泛的应用，电子产品也进入了一个崭新的时代。
二、微电子的基本概念1. 半导体器件：半导体器件是微电子技术的核心，它是指利用半导体材料制造的各种电子器件，如二极管、晶体管、场效应管等。
这些器件具有高速、低功耗、小尺寸等优点，广泛应用于计算机、通信、消费电子等领域。
2. 集成电路：集成电路是将大量的电子器件集成在一块半导体芯片上的电路。
它可以实现多种功能，如存储、处理、控制等。
集成电路的发展推动了电子产品的小型化、高性能化和低成本化。
3. 微处理器：微处理器是一种集成电路，它是计算机的核心部件，负责数据的处理和控制。
微处理器的性能和功能的提升，推动了计算机技术的快速发展。
三、微电子的主要应用领域微电子技术在各个领域都有广泛的应用，下面列举几个主要的应用领域。
1. 通信领域：微电子技术在通信领域的应用非常广泛，如手机、通信基站、光纤通信等。
微电子技术的发展使得通信设备变得小型化、高性能化，提高了通信的效率和质量。
2. 消费电子领域：微电子技术在消费电子领域的应用非常丰富，如电视、音响、相机、游戏机等。
微电子技术的发展使得消费电子产品更加智能化、功能丰富化。
3. 汽车电子领域：随着汽车的智能化和电气化，微电子技术在汽车电子领域的应用越来越广泛。
微电子技术的发展使得汽车具备了更多的功能和安全性，如智能驾驶、车联网等。
微电子器件课程复习资料题
1、若某突变PN 结的P 型区的掺杂浓度为163A 1.510cm N -=⨯，则室温下该区的平衡多子浓度p p0与平衡少子浓度n p0分别为（316105.1-⨯=cm N A ）和（314105.1-⨯=cm N A ）。
2、在PN 结的空间电荷区中，P 区一侧带（负）电荷，N 区一侧带（正）电荷。
内建电场的方向是从（N ）区指向（P ）区。
[发生漂移运动，空穴向P 区，电子向N 区]3、当采用耗尽近似时，N 型耗尽区中的泊松方程为（D S E u q dx d ε=→）。
由此方程可以看出，掺杂浓度越高，则内建电场的斜率越（大）。
4、PN 结的掺杂浓度越高，则势垒区的长度就越（小），内建电场的最大值就越（大），内建电势V bi 就越（大），反向饱和电流I 0就越（小）[P20]，势垒电容C T 就越（ 大 ），雪崩击穿电压就越（小）。
5、硅突变结内建电势V bi 可表为（2ln iD A bi n N N q KT v =）P9，在室温下的典型值为（0.8）伏特。
6、当对PN 结外加正向电压时，其势垒区宽度会（减小），势垒区的势垒高度会（降低）。
7、当对PN 结外加反向电压时，其势垒区宽度会（增大），势垒区的势垒高度会（提高）。
8、在P 型中性区与耗尽区的边界上，少子浓度n p 与外加电压V 之间的关系可表示为（)exp()(0KTqv p p p n x n =-）P18。
若P 型区的掺杂浓度173A 1.510cm N -=⨯，外加电压V = 0.52V ，则P 型区与耗尽区边界上的少子浓度n p 为（3251035.7-⨯cm ）。
9、当对PN 结外加正向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度（大）；当对PN 结外加反向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度（小）。
10、PN 结的正向电流由（空穴扩散）电流、（电子扩散）电流和（势垒区复合）电流三部分所组成。
微电子概论复习资料
微电子概论复习资料1. 微电子的定义：微电子是指电路由微米甚至纳米级别的电子元器件构成的电子学系统。
2. 微电子工艺：微电子工艺是将电子元器件和电子学系统集成在微米或纳米级别上的过程。
微电子工艺主要包括晶体管的制造、集成电路的制造、电子器件的加工和封装等。
3. 微电子制造流程：微电子制造流程分为晶圆制造和集成电路制造两个过程。
晶圆制造包括晶体生长、切割、去除氧化层和晶圆再钝化等步骤；集成电路制造包括光刻、蚀刻、沉积、清洗和封装等步骤。
4. 微电子元器件：微电子元器件包括晶体管、二极管、电容、电阻等，这些元器件被广泛应用于数字电路、模拟电路和混合信号电路。
微电子元器件的特点是体积小、功耗低、速度快、可靠性高和集成度大等。
5. 集成电路：集成电路是指将多个微电子元器件集成在一个芯片上的电子元器件。
集成电路通常包括数字集成电路和模拟集成电路，其中数字集成电路主要用于逻辑运算和控制电路，而模拟集成电路主要用于信号处理和放大电路。
集成电路的特点是功能强、体积小、功耗低和成本低廉等。
6. 微电子在生产中的应用：微电子在生产中的应用包括计算机、通讯设备、医疗设备、汽车电子、娱乐设备、军事装备等。
微电子技术的发展不仅带来了高效、高速、高精度的电子设备，也促进了信息科技和现代化工业的发展。
7. 微电子的未来：随着微电子技术的不断发展，未来的微电子系统将具备更高的性能、更低的功耗和更小的体积。
预计未来微电子系统将广泛应用于物联网、智能城市、生物医学、新能源和机器人等领域。
8. 微电子面临的挑战：尽管微电子技术已经取得了很大的进展，但微电子面临一些挑战，如自动化技术的提高、制造成本的降低、器件尺寸的减小、能量效率的提高和可靠性的提高等。
解决这些挑战需要全球合作和创新思维的推动。
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微电子器件课程复习题“微电子器件”课程复习题一、填空题1、若某突变PN 结的P 型区的掺杂浓度为163A 1.510cm N -=⨯，则室温下该区的平衡多子浓度p p0与平衡少子浓度n p0分别为（ ）和（ ）。
2、在PN 结的空间电荷区中，P 区一侧带（ ）电荷，N 区一侧带（ ）电荷。
内建电场的方向是从（ ）区指向（ ）区。
3、当采用耗尽近似时，N 型耗尽区中的泊松方程为（ ）。
由此方程可以看出，掺杂浓度越高，则内建电场的斜率越（ ）。
4、PN 结的掺杂浓度越高，则势垒区的长度就越（ ），内建电场的最大值就越（ ），内建电势V bi 就越（ ），反向饱和电流I 0就越（ ），势垒电容C T 就越（ ），雪崩击穿电压就越（ ）。
5、硅突变结内建电势V bi 可表为（ ），在室温下的典型值为（ ）伏特。
6、当对PN 结外加正向电压时，其势垒区宽度会（ ），势垒区的势垒高度会（ ）。
7、当对PN 结外加反向电压时，其势垒区宽度会（ ），势垒区的势垒高度会（ ）。
8、在P 型中性区与耗尽区的边界上，少子浓度n p 与外加电压V 之间的关系可表示为（ ）。
若P 型区的掺杂浓度173A 1.510cm N -=⨯，外加电压V = 0.52V ，则P 型区与耗尽区边界上的少子浓度n p 为（ ）。
9、当对PN 结外加正向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度（ ）；当对PN 结外加反向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度（ ）。
10、PN 结的正向电流由（ ）电流、（ ）电流和（ ）电流三部分所组成。
11、PN结的正向电流很大，是因为正向电流的电荷来源是（）；PN结的反向电流很小，是因为反向电流的电荷来源是（）。
12、当对PN结外加正向电压时，由N区注入P区的非平衡电子一边向前扩散，一边（）。
每经过一个扩散长度的距离，非平衡电子浓度降到原来的（）。
13、PN结扩散电流的表达式为（）。
这个表达式在正向电压下可简化为（），在反向电压下可简化为（）。
14、在PN结的正向电流中，当电压较低时，以（）电流为主；当电压较高时，以（）电流为主。
15、薄基区二极管是指PN结的某一个或两个中性区的长度小于（）。
在薄基区二极管中，少子浓度的分布近似为（）。
16、小注入条件是指注入某区边界附近的（）浓度远小于该区的（）浓度，因此该区总的多子浓度中的（）多子浓度可以忽略。
17、大注入条件是指注入某区边界附近的（）浓度远大于该区的（）浓度，因此该区总的多子浓度中的（）多子浓度可以忽略。
18、势垒电容反映的是PN结的（）电荷随外加电压的变化率。
PN结的掺杂浓度越高，则势垒电容就越（）；外加反向电压越高，则势垒电容就越（）。
19、扩散电容反映的是PN结的（）电荷随外加电压的变化率。
正向电流越大，则扩散电容就越（）；少子寿命越长，则扩散电容就越（）。
20、在PN结开关管中，在外加电压从正向变为反向后的一段时间内，会出现一个较大的反向电流。
引起这个电流的原因是存储在（）区中的（）电荷。
这个电荷的消失途径有两条，即（）和（）。
21、从器件本身的角度，提高开关管的开关速度的主要措施是（）和（）。
22、PN结的击穿有三种机理，它们分别是（）、（）和（）。
23、PN结的掺杂浓度越高，雪崩击穿电压就越（）；结深越浅，雪崩击穿电压就越（）。
24、雪崩击穿和齐纳击穿的条件分别是（）和（）。
25、晶体管的基区输运系数是指（）电流与（）电流之比。
由于少子在渡越基区的过程中会发生（），从而使基区输运系数（）。
为了提高基区输运系数，应当使基区宽度（）基区少子扩散长度。
26、晶体管中的少子在渡越（）的过程中会发生（），从而使到达集电结的少子比从发射结注入基区的少子（）。
27、晶体管的注入效率是指（）电流与（）电流之比。
为了提高注入效率，应当使（）区掺杂浓度远大于（）区掺杂浓度。
28、晶体管的共基极直流短路电流放大系数α是指发射结（）偏、集电结（）偏时的（）电流与（）电流之比。
29、晶体管的共发射极直流短路电流放大系数β是指（）结正偏、（）结零偏时的（）电流与（）电流之比。
30、在设计与制造晶体管时，为提高晶体管的电流放大系数，应当（）基区宽度，（）基区掺杂浓度。
31、某长方形薄层材料的方块电阻为100Ω，长度和宽度分别为300μm和60μm，则其长度方向和宽度方向上的电阻分别为（）和（）。
若要获得1KΩ的电阻，则该材料的长度应改变为（）。
32、在缓变基区晶体管的基区中会产生一个（），它对少子在基区中的运动起到（）的作用，使少子的基区渡越时间（）。
33、小电流时α会（）。
这是由于小电流时，发射极电流中（）的比例增大，使注入效率下降。
34、发射区重掺杂效应是指当发射区掺杂浓度太高时，不但不能提高（），反而会使其（）。
造成发射区重掺杂效应的原因是（）和（）。
35、在异质结双极晶体管中，发射区的禁带宽度（）于基区的禁带宽度，从而使异质结双极晶体管的（）大于同质结双极晶体管的。
36、当晶体管处于放大区时，理想情况下集电极电流随集电结反偏的增加而（）。
但实际情况下集电极电流随集电结反偏增加而（），这称为（）效应。
37、当集电结反偏增加时，集电结耗尽区宽度会（），使基区宽度（），从而使集电极电流（），这就是基区宽度调变效应（即厄尔利效应）。
38、I ES是指（）结短路、（）结反偏时的（）极电流。
39、I CS是指（）结短路、（）结反偏时的（）极电流。
41、I CBO是指（）极开路、（）结反偏时的（）极电流。
41、I CEO是指（）极开路、（）结反偏时的（）极电流。
42、I EBO是指（）极开路、（）结反偏时的（）极电流。
→时的V CB。
43、BV CBO是指（）极开路、（）结反偏，当（）∞→时的V CE。
44、BV CEO是指（）极开路、（）结反偏，当（）∞→时的V EB。
45、BV EBO是指（）极开路、（）结反偏，当（）∞46、基区穿通是指当集电结反向电压增加到使耗尽区将（）全部占据时，集电极电流急剧增大的现象。
防止基区穿通的措施是（）基区宽度、（）基区掺杂浓度。
47、比较各击穿电压的大小时可知，BV CBO （ ）BV CEO ，BV CBO （ ）BV EBO 。
48、要降低基极电阻bb r '，应当（ ）基区掺杂浓度，（ ）基区宽度。
49、无源基区重掺杂的目的是（ ）。
50、发射极增量电阻r e 的表达式是（ ）。
室温下当发射极电流为1mA 时，r e =（ ）。
51、随着信号频率的提高，晶体管的ωα、ωβ的幅度会（ ），相角会（ ）。
52、在高频下，基区渡越时间b τ对晶体管有三个作用，它们是：（ ）、（ ）和（ ）。
53、基区渡越时间b τ是指（ ）。
当基区宽度加倍时，基区渡越时间增大到原来的（ ）倍。
54、晶体管的共基极电流放大系数ωα随频率的（ ）而下降。
当晶体管的ωα下降到（ ）时的频率，称为α的截止频率，记为（ ）。
55、晶体管的共发射极电流放大系数ωβ随频率的（ ）而下降。
当晶体管的ωβ下降到021β时的频率，称为β的（ ），记为（ ）。
56、当βf f >>时，频率每加倍，晶体管的ωβ降到原来的（ ）；最大功率增益p maxK 降到原来的（ ）。
57、当（ ）降到1时的频率称为特征频率T f 。
当（ ）降到1时的频率称为最高振荡频率M f 。
58、当ωβ降到（ ）时的频率称为特征频率T f 。
当p max K 降到（ ）时的频率称为最高振荡频率M f 。
59、晶体管的高频优值M 是（ ）与（ ）的乘积。
60、晶体管在高频小信号应用时与直流应用时相比，要多考虑三个电容的作用，它们是（ ）电容、（ ）电容和（ ）电容。
61、对于频率不是特别高的一般高频管，ec τ中以（ ）为主，这时提高特征频率T f 的主要措施是（ ）。
62、为了提高晶体管的最高振荡频率M f ，应当使特征频率T f （ ），基极电阻bb r '（ ），集电结势垒电容TC C （ ）。
63、对高频晶体管结构上的基本要求是：（ ）、（ ）、（ ）和（ ）。
64、N 沟道MOSFET 的衬底是（ ）型半导体，源区和漏区是（ ）型半导体，沟道中的载流子是（ ）。
65、P 沟道MOSFET 的衬底是（ ）型半导体，源区和漏区是（ ）型半导体，沟道中的载流子是（ ）。
66、当GS T V V =时，栅下的硅表面发生（ ），形成连通（ ）区和（ ）区的导电沟道，在DS V 的作用下产生漏极电流。
67、N 沟道MOSFET 中，GS V 越大，则沟道中的电子就越（ ），沟道电阻就越（ ），漏极电流就越（ ）。
68、在N 沟道MOSFET 中，T 0V >的称为增强型，当GS 0V =时MOSFET 处于（ ）状态；T 0V <的称为耗尽型，当GS 0V =时MOSFET 处于（ ）状态。
69、由于栅氧化层中通常带（ ）电荷，所以（ ）型区比（ ）型区更容易发生反型。
70、要提高N 沟道MOSFET 的阈电压V T ，应使衬底掺杂浓度N A （ ），使栅氧化层厚度T ox （ ）。
71、N 沟道MOSFET 饱和漏源电压Dsat V 的表达式是（ ）。
当DS Dsat V V ≥时，MOSFET 进入（ ）区，漏极电流随DS V 的增加而（ ）。
72、由于电子的迁移率n μ比空穴的迁移率p μ（ ），所以在其它条件相同时，（ ）沟道MOSFET 的Dsat I 比（ ）沟道MOSFET 的大。
为了使两种MOSFET 的Dsat I 相同，应当使N 沟道MOSFET 的沟道宽度（ ）P 沟道MOSFET 的。
73、当N 沟道MOSFET 的GS T V V <时，MOSFET （ ）导电，这称为（ ）导电。
74、对于一般的MOSFET ，当沟道长度加倍，而其它尺寸、掺杂浓度、偏置条件等都不变时，其下列参数发生什么变化：T V （ ）、Dsat I （ ）、on R （ ）、mg （ ）。
75、由于源、漏区的掺杂浓度（ ）于沟道区的掺杂浓度，所以MOSFET 源、漏PN 结的耗尽区主要向（ ）区扩展，使MOSFET 的源、漏穿通问题比双极型晶体管的基区穿通问题（ ）。
76、MOSFET 的跨导g m 的定义是（ ），它反映了（ ）对（ ）的控制能力。
77、为提高跨导g m 的截止角频率m g ω，应当（ ）μ，（ ）L ，（ ）V GS 。
78、阈电压T V 的短沟道效应是指，当沟道长度缩短时，T V 变（ ）。
79、在长沟道MOSFET 中，漏极电流的饱和是由于（ ），而在短沟道MOSFET中，漏极电流的饱和则是由于（ ）。
80、为了避免短沟道效应，可采用按比例缩小法则，当MOSFET 的沟道长度缩短一半时，其沟道宽度应（ ），栅氧化层厚度应（ ），源、漏区结深应（ ），衬底掺杂浓度应（ ）。